JP2018513558A - 有機フォトダイオード中の有機光電変換層のためのｎおよびｐ活性材料 - Google Patents

有機フォトダイオード中の有機光電変換層のためのｎおよびｐ活性材料 Download PDF

Info

Publication number
JP2018513558A
JP2018513558A JP2017551635A JP2017551635A JP2018513558A JP 2018513558 A JP2018513558 A JP 2018513558A JP 2017551635 A JP2017551635 A JP 2017551635A JP 2017551635 A JP2017551635 A JP 2017551635A JP 2018513558 A JP2018513558 A JP 2018513558A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
transparent
groups
occurrence
alkyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017551635A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6801669B2 (ja
Inventor
シルビア ロッセリ
シルビア ロッセリ
ミテヴァ ツェンカ
ミテヴァ ツェンカ
ヴィトー ダイヒマン
ヴィトー ダイヒマン
デェイビット ダナー
デェイビット ダナー
ウィリアム フォード
ウィリアム フォード
デニス チェルスカ
デニス チェルスカ
ヴラジーミル ヤクートキン
ヴラジーミル ヤクートキン
ラース シェラー
ラース シェラー
ニコラウス クノール
ニコラウス クノール
ガブリエル ニールズ
ガブリエル ニールズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of JP2018513558A publication Critical patent/JP2018513558A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6801669B2 publication Critical patent/JP6801669B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D221/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00
    • C07D221/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00 condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D221/04—Ortho- or peri-condensed ring systems
    • C07D221/06—Ring systems of three rings
    • C07D221/14—Aza-phenalenes, e.g. 1,8-naphthalimide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/06—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D495/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • C07F3/06—Zinc compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising components having an active region that includes an inorganic semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本開示の分野は、有機イメージセンサの活性材料にある。本開示は、透明Ｎ材料および／または透明Ｐ材料ならびに吸収層（複数可）、光電変換層（複数可）および／または有機イメージセンサにおけるその使用ならびにその合成方法に関する。本開示はまた、本開示による活性材料を含む光電変換層（複数可）、本開示による活性材料（複数可）または本開示による光電変換層（複数可）を含む素子に関する。さらに、本開示は、本開示による光電変換層（複数可）を含む有機イメージセンサに関する。【選択図】図４

Description

本開示の分野は、有機イメージセンサの活性材料にある。
本開示は、透明Ｎ材料および／または透明Ｐ材料ならびに吸収層（複数可）、光電変換層（複数可）および／または有機イメージセンサにおけるその使用ならびにその合成方法に関する。
本開示はまた、本開示による活性材料を含む光電変換層（複数可）、本開示による活性材料（複数可）または本開示による光電変換層（複数可）を含む素子に関する。
さらに、本開示は、本開示による光電変換層（複数可）を含む有機イメージセンサに関する。
本明細書で提供される「背景」の記載は、本開示の文脈を一般的に提示する目的のためのものである。本発明者の仕事は、それが本背景技術の節に記載されている限りにおいて、出願時に先行技術とみなすことができない記載の態様と同様に、明示的にも黙示的にも、本開示に対する先行技術と認められない。
イメージセンサは、光学像を電気信号に変換する半導体素子であり、光を感知する光感知ユニットと、感知された光を電気信号に処理してデータを保存する論理回路ユニットとを含む。
先行技術では、光感知ユニットが、カラーフィルタおよび光電変換膜、シリコンなどの半導体ｐ−ｎ接合を含む。カラーフィルタは色により光を分離するが、空間分解能および集光および利用効率を低下させる。
この課題を克服するために、異なる波長の光を検出することができる光電変換ユニットが縦方向に積み重ねられた幾何学が報告されている。特に、このような光電変換ユニットは、ｐ−ｎ接合またはバルクヘテロ接合に基づく有機光電変換層である。このようなユニットの光電変換効率は、層に使用される材料の種類に強く依存する。これまで利用可能な有機材料では、低い変換効率と高い暗電流が報告されている。
別の解決策では、可視範囲のための相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）系イメージャ部または可視範囲内で吸収することができる有機系イメージャ部と組み合わせることができる、ＩＲ領域で吸収することができるが可視領域では吸収することができない有機層が使用される。両方の場合で、白色光が集められ、ＢＧＲピクセル解像度を得るためにフィルタを使用しなければならない。この場合、カラーフィルタの場合と同様に、光が色によって分離されるが、空間分解能および集光および利用効率は低下する。
本開示は、
ドナー（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））の励起状態から電子を受容する、Ｐ：Ｎヘテロ接合または二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：ＮもしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＬＵＭＯ解離過程を通して、有色Ｐまたは有色Ｐ材料（Ｐ１：Ｐ２）もしくは別の有色Ｎの混合物または有色ＮとＰ材料の混合物（Ｐ：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
透明Ｎ材料であって、
透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
透明Ｎ材料を提供する。
本開示は、
電子を励起有色材料（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））のＨＯＭＯに供与する（これは正孔を受容することに相当する）、Ｐ：Ｎヘテロ接合またはＰ：Ｎ二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１もしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＨＯＭＯ解離過程を通して、有色Ｎまたは有色Ｎ材料（Ｎ１：Ｎ２）材料もしくは別の有色Ｐの混合物または有色ＰとＮ材料の混合物（Ｐ２：ＮもしくはＰ２：Ｎ１：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
透明Ｐ材料であって、
透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
透明Ｐ材料を提供する。
本開示は、本開示による透明Ｎ材料および／または本開示による透明Ｐ材料を含み、
好ましくは、可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
Ｐ：Ｎヘテロ接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合を提供する。
本開示は、吸収層ならびに／あるいは光電変換層ならびに／あるいは光電子工学用途のための有機および／またはハイブリッドモジュールにおける本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用を提供する。
本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む光電変換層を提供する。本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む吸収層を提供する。
本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは本開示による光電変換層（複数可）を含む素子を提供する。
本開示は、本開示による光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニットを含む有機イメージセンサを提供する。
本開示は、本開示による光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニットを含むハイブリッドシリコン−有機イメージセンサを提供する。
本開示は、透明ｎ材料およびｐ材料、特にナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ二量体）系材料、ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料、ナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ二量体）系材料、ナフタレンモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料、ジチオエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料および亜鉛配位錯体系材料を合成する方法を提供する。
前記段落は、一般的な導入として提供されたものであり、以下の特許請求の範囲を限定することを意図していない。記載される実施形態は、さらなる利点と共に、添付の図面と併せて以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解されるであろう。
本開示およびその付随する利点の多くが添付の図面に関連して考慮すると、以下の詳細な説明を参照することによってよりよく理解されるので、これらのより完全な理解が容易に得られるであろう。
ＣＭＯＳイメージセンサを示す図である。
ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサの概略図である。
異なる層を有する有機系光電変換ユニットの概略図である。
ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ解離過程を説明する図である。
ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料の一般的な合成経路を示す図である。 実施例１の化合物ＮＭＩ１ならびにそのＴＧ、ＤＳＣおよび溶液中の吸収を示す図である。
ＮＭＩ−Ｂ１１およびＮＭＩ−Ｂ１５と呼ばれる、２種のナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ二量体）系材料を調製のための合成経路を示す図である。 ＮＭＩ−Ｂ１１とＮＭＩ−Ｂ１５の両方のＴＧおよび溶液中の吸収を示す図である。 ＮＭＩ−Ｂ１１を吸収ｐ材料としてのキナクリドン（ＱＤ）と組み合わせて透明ｎ材料として使用した光電変換層の外部量子効率（ＥＱＥ）を示す図である。
ジチオエノピロール（ＤＴＰ）系材料ＤＴＰ６を調製するための合成経路を示す図である。 ＤＴＰ６のＴＧ、ＤＳＣおよび溶液中での吸収を示す図である。 ＤＴＰ６を吸収ｐ材料（アクセプター）としてのサブフタロシアニンクロリド（ＳｕｂＰｃＣｌ）と組み合わせて透明ｎ材料（ドナー）として使用した光電変換層の外部量子効率（ＥＱＥ）を示す図である。
ナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ二量体）系材料（一般式ＩＩ）およびナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＩＩ）の一般的な合成経路を示す図である。
ナフタレンジイミド系材料ＮＤＩ１のＵＶ ＶＩＳスペクトルを示す図である。
ＮＤＩ１の電子移動度を示す図である。
ＱＤを含むＮＤＩ１のＰｉＮ接合素子を示す図である。
ＢＱＤを含むＮＤＩ１のＰｉＮ接合素子を示す図である。
ＳｕｂＰｃＣｌを有するＮＤＩ１とＳｕｂＰｃＣｌを有するＮＭＩ−ＮＤＩ１のＰｉＮ接合素子を示す図である。
ナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ二量体）系材料（一般式ＩＶおよびＶ）の一般的な合成経路を示す図である。
ナフタレンモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料の一般的な合成経路を示す図である（一般式ＶＩ−図１０Ａ、一般式ＶＩＩ−図１０Ｂおよび一般式ＶＩＩＩ−図１０Ｃ）。
ジチオエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料の一般的な合成経路を示す図である（一般式ＸＶ−図１１Ａおよび一般式ＸＶＩ−図１１Ｂ）。
亜鉛配位錯体系材料の一般的な合成経路を示す図である（一般式ＸＩＸ〜ＸＸＩ）。
一般式Ｉａを有する透明ｎ材料の合成概要を示す図である。
一般式Ｉａを有するＮＤＩ材料の吸収を示す図である。
一般式Ｉａを有するＮバッファ材料のエネルギー準位を示す図である。
一般式Ｉａを有するＮバッファ材料のエネルギー準位を示す図である。
一般式Ｉａを有するＮバッファ材料のエネルギー準位を示す図である。 一般式Ｉａを有するＮバッファ材料のエネルギー準位を示す図である。
透明ｐ型材料の例を示す図である。 透明ｐ型材料の例を示す図である。
ｐ材料としてＤＴＴ２、ＤＴＴ９、ＤＴＴ１０またはＤＴＴ１１をそれぞれ含むｎバッファとしてのＮＤＩ３５の素子を示す図である。 ｐ材料としてＤＴＴ２、ＤＴＴ９、ＤＴＴ１０またはＤＴＴ１１をそれぞれ含むｎバッファとしてのＮＤＩ３５の素子を示す図である。
上に論じられるように、本開示は透明Ｎ材料を提供する。
本開示による透明Ｎ材料は、Ｐ：Ｎヘテロ接合または二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：ＮもしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＬＵＭＯ解離過程を通して、有色Ｐまたは有色Ｐ材料（Ｐ１：Ｐ２）もしくは別の有色Ｎの混合物または有色ＮとＰ材料の混合物（Ｐ：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する。
本開示によると、透明Ｎ材料は、ドナー（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））の励起状態から電子を受容する。
透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
有色とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す。
上に論じられるように、本開示は透明Ｐ材料を提供する。
本開示による透明Ｐ材料は、Ｐ：Ｎヘテロ接合またはＰ：Ｎ二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１もしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＨＯＭＯ解離過程を通して、有色Ｎまたは有色Ｎ材料（Ｎ１：Ｎ２）もしくは別の有色Ｐの混合物または有色ＰとＮ材料の混合物（Ｐ２：ＮもしくはＰ２：Ｎ１：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する。
本開示によると、透明Ｐ材料は、電子を励起有色材料（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））のＨＯＭＯに供与し、これは正孔を受容することに相当する。
本開示によると、「透明」とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が、
−可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示さない、または極めて低い吸収を示す、すなわち、可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数を有する、または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を有し、
−堆積法（真空蒸着またはスピンコーティングなど）を使用する場合、高品質の均質な膜を形成する有機系化合物である。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が、
−ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）、
−ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）、
−ナフタレンモノイミドおよび／またはナフタレンジイミドの二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ、ＮＤＩ−ＮＤＩまたはＮＭＩ−ＮＤＩ）、
−チオフェンまたはセレノフェン系材料、
−ジチエノピロール（ＤＴＰ）系およびＤＴＰ二量体材料、
−アントラセン系材料、ならびに
−亜鉛配位錯体
の群から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式Ｉ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料である。
一般式Ｉによって表されるナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、
および／または
Ｒ１が
Figure 2018513558
 から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料である。
一般式ＩＩによって表されるナフタレンモノイミドモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、
および／または
Ｂｒｉｄｇｅが
Figure 2018513558
 およびなし（すなわち、直接結合）から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である。
一般式ＩＩＩによって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、
および／または
Ｒ１が
Figure 2018513558
 から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＩＩＩａ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である。
一般式ＩＩＩａによって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが、特に、
Figure 2018513558
 から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＩＶまたはＶ
Figure 2018513558
 （一般式ＩＶ中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
一般式Ｖ中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料である。
一般式ＩＶによって表されるナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、
および／または
Ｂｒｉｄｇｅが
Figure 2018513558
から選択される。
一般式Ｖによって表されるナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１が−Ｂｒ、−Ｈ、−ＯＣＨ２ＣＨ３、
Figure 2018513558
 から選択される、
および／または
Ｂｒｉｄｇｅが
Figure 2018513558
 から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基からから独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
から選択される一般式によって表されるナフタレンモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料である。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＩＸ〜ＸＩ
Figure 2018513558
 （式中、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択される）
から選択される一般式によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である。
一般式ＩＸ〜ＸＩのチオフェンまたはセレノフェン系材料の好ましい実施形態では、
ＸがＳおよびＳｅから選択され、
ＹがＳおよびＳｅから選択され、
ＺがＣＨおよびＮから選択され、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、および／または
Ｒ１が
Figure 2018513558
 から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＸＩＩまたはＸＩＩｂ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩ：
Figure 2018513558
Figure 2018513558
 （式中、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である。
一般式ＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩのチオフェンまたはセレノフェン系材料の好ましい実施形態では、
ＸがＳおよびＳｅから選択され、
ＹがＳおよびＳｅから選択され、
ＺがＣＨおよびＮから選択され、
Ｒが
Figure 2018513558
 （式中、Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択される）
から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＸＸＸＩＸまたはＸＬ：
Ｔ−Ｂ−Ｔ
ＸＸＸＩＸ
（式中、
Ｔは、本明細書で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
ＺはＣＨおよびＮから選択され、
Ｂは
Figure 2018513558
 のいずれか１つから選択され、
Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択され、
Ｒは、各出現において、Ｈ、アルキル、アリール、
Figure 2018513558
 から独立に選択される）、
Ｔ−Ｈ
ＸＬ
（式中、
Ｔは、本明細書で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
ＺはＣＨおよびＮから選択され、
Ｈは
Figure 2018513558
 のいずれか１つから選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＸＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるジチエノピロール（ＤＴＰ）系材料である。
一般式ＸＩＩＩによって表されるジチエノピロール（ＤＴＰ）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１が
Figure 2018513558
 から選択される、および／または
Ｒ２が直鎖および分岐アルキル基から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が、一般式ＸＩＶ〜ＸＶＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ｎは０または１であり、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
から選択される一般式によって表されるジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料である。
一般式ＸＩＶ〜ＸＶＩによって表されるジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１が
Figure 2018513558
 から選択される、および／または
Ｒ２が直鎖および分岐アルキル基から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が一般式ＸＶＩＩまたはＸＶＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
によって表されるアントラセンまたはアントラセン二量体系材料である。
一般式ＸＶＩＩまたはＸＶＩＩＩによって表されるアントラセンまたはアントラセン二量体系材料の好ましい実施形態では、
Ｒが
Figure 2018513558
 から選択される、および／または
Ｒ１が直鎖および分岐アルキル基から選択される。
一実施形態では、本開示の透明Ｎおよび／またはＰ材料が、亜鉛配位錯体系材料である。
亜鉛錯体は、Ｚｎ−Ｎ結合またはＺｎ−Ｎ結合とＺｎ−Ｏ結合の組み合わせ（ＮおよびＯ原子は有機配位子の元素である）の存在、およびＺｎ−Ｃ結合の非存在を特徴とする。亜鉛配位錯体または亜鉛配位錯体系材料は、一般式ＸＩＸ〜ＸＸＩ
Figure 2018513558
 （式中、
ＯＲＮは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ＮＲＮは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｌは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ＣＮ、ＣＦ３、ＣＯＯＨ、ＮＨ２から選択され、
Ｒはアルキルおよびアリールから選択される）
から選択される一般式によって表される。
上に論じられるように、本開示は、本開示による透明Ｎ材料および／または本開示による透明Ｐ材料を含むＰ：Ｎヘテロ接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合を提供する。
一実施形態では、Ｐ：Ｎヘテロ接合において、本開示による透明Ｐ材料がドナーであり、本開示による透明Ｎ材料がアクセプターである。例えば、図４を参照されたい。
Ｐ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合の一実施形態では、Ｐ材料の１つが本開示による透明Ｐ材料およびドナーであり得、同様にＮ材料の１つが本開示による透明Ｎ材料およびアクセプターであり得る。
一実施形態では、Ｐ：Ｎヘテロ接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合が、好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む。
上に論じられるように、本開示は、吸収層における本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用を提供する。
一実施形態では、吸収層が、好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む。
上に論じられるように、本開示は、
有機光電変換層（複数可）、ＯＬＥＤおよびＯＴＦＴ有機モジュールを含むイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池などの光電子工学用途のための
−光電変換層ならびに／あるいは
−有機および／またはハイブリッドモジュール
における本開示によるＮおよび／またはＰ材料の使用を提供する。
一実施形態では、光電変換層ならびに／あるいは有機および／またはハイブリッドモジュールが、好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む。
上に論じられるように、本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む光電変換層を提供する。
一実施形態では、光電変換層が、好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む。
一実施形態では、光電変換層がさらなる分子（複数可）を含む。
上に論じられるように、本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む吸収層を提供する。
一実施形態では、吸収層が、好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む。
一実施形態では、吸収層がさらなる分子（複数可）を含む。
上に論じられるように、本開示は、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは本開示による光電変換層（複数可）を含む素子を提供する。
前記素子は、有機イメージセンサ、ハイブリッドイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）であり得る。
一実施形態では、前記光電変換層が可視吸収範囲で光応答を示す。
この実施形態では、素子の光電変換層が、本開示による透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）、ならびに好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料（複数可）を含む。
本開示によると、活性材料の１つが透明である場合、以下の可能性が提供される：
１つの活性材料のみの吸収の調整を介した吸収スペクトル全体の調整；
パートナー（吸収）材料のみの励起子拡散効率の調整；
独立にＨＯＭＯまたはＬＵＭＯを通した電荷生成効率の調整；
電子（透明ｎについて）移動度のみまたは正孔（透明ｐ）移動度のみの調整；
一般的に：電子／正孔移動および輸送特性からの可視範囲の吸収特性のデカップリング。
一実施形態では、素子の光電変換層がさらなる分子（複数可）を含む。
光電変換層は異なる成分（色素）およびその組み合わせを含むことができる。
一実施形態では、光電変換層および／または吸収層が本開示の材料（複数可）と共に使用することができるさらなるｎ型およびｐ型材料（分子）ならびにその誘導体、例えば、
ドナーとしてのフタロシアニン（Ｐｃ）、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、メロシアニン（ＭＣ）、ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）、ボロンジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）、イソインジゴ（ＩＤ）、ペリレンジイミド（ＰＤＩ）およびペリレンモノイミド（ＰＭＩ）およびキナクリドン（ＱＤ）、縮合アセン、例えば、ペンタセンおよびテトラセン、ならびにトリフェニルアミンおよびその誘導体（ＴＰＡ）；
ならびに／あるいは
アクセプターとしてのフラーレン、リレンジイミドおよびモノイミド（例えば、ＰＤＩおよびＰＭＩであるがこれに限定されない）、フタロシアニンおよびサブフタロシアニン、ボロンジピロメテン（ＢＯＤＩＰＹ）およびシアノペンタセン
を含む。
上に論じられるように、本開示は、本開示による光電変換層（複数可）を含む有機イメージセンサを提供する。
本開示の有機イメージセンサは、好ましくは
（ａ）本開示による光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニットと、
（ｂ）少なくとも１つの電極と、
（ｃ）基板と、
（ｄ）場合により、前記光電変換層（複数可）上の第２の電極と
を含む。
基板は、シリコン、石英、ガラス、ポリマー、例えばＰＭＭＡ、ＰＣ、ＰＳ、ＣＯＰ、ＣＯＰ、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＥＳ、ＰＥＴ、ＰＥＮ、雲母またはこれらの組み合わせであり得る。
基板は他の光電変換ユニット（複数可）であってもよい。
これは、本開示の素子が、（ｉ）１つの有機ユニットを有する２つの無機ユニット、（ｉｉ）２つの有機ユニットを有する１つの無機ユニット、または（ｉｉｉ）有機イメージセンサにおいて互いに結合された３つの有機ユニットを含むことができることを意味する。有機ユニットのいずれもが本開示による分子／層／素子を含むことができる。
好ましい実施形態では、有機イメージセンサが、互いに結合され、それぞれ４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲、５００ｎｍ〜６００ｎｍの範囲および６００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲の１つで作動する、本開示のように層内に分子を含む３つの有機変換ユニット（各素子で、それぞれ透明電極を有する）からなる。
複合ユニットは、有機−有機または有機−無機ユニットの垂直および／または水平積み重ねのいずれかによって実現することができる。
電極材料は、
−酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）、酸化スズ、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、酸化亜鉛（Ａｌ、ＢおよびＧａドープ酸化亜鉛を含む）、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）、ＴｉＯ２などの透明な金属酸化物、
−適当な仕事関数を有するＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＡｌＳｉＣｕまたは任意の金属または金属合金または金属組み合わせなどの非透明または半透明の金属または合金または導電性ポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ＰＡＮＩまたはＰＡＮＩ／ＰＳＳ、グラフェン
であり得る。
上に論じられるように、本開示は、
（ａ）本開示による光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニット（複数可）と、
（ｂ）場合により、Ｓｉ系光電変換ユニットと、
（ｃ）金属配線と、
（ｄ）（ＣＭＯＳ）基板と、
（ｅ）絶縁層（複数可）、好ましくは酸化物と
を含む、ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサまたは有機イメージセンサを提供する。
一実施形態では、本開示のイメージセンサの前記有機光電変換ユニットが、
−ｎ型材料、
−ｐ型材料、
−ｎ−バッファ層、
−ｐ−バッファ層
またはこれらの組み合わせおよび／または混合物（例えば、１つの層に同時に堆積されたｎ材料およびｐ材料）
などの有機系光電変換ユニット（複数可）中の異なる層を含む。
例えば、本開示の有機イメージセンサは、構造：
−基板／第１の電極／ｎ−バッファ層／ｎ−材料／ｐ−材料／ｐバッファ層／第２の電極；
−基板／第１の電極／ｎ−バッファ層／ｎ−材料／ｎ−材料とｐ−材料の混合物／ｐ−材料／ｐバッファ層／第２の電極；
−基板／第１の電極／ｎ−バッファ層／ｎ−材料／ｎ−材料とｐ−材料の混合物／ｐバッファ層／第２の電極；
−基板／第１の電極／ｐ−バッファ層／ｐ−材料／ｎ−材料／ｎバッファ層／第２の電極。
−基板／第１の電極／ｐ−バッファ層／ｐ−材料／ｎ−材料とｐ−材料の混合物／ｎ−材料／ｎバッファ層／第２の電極。
−基板／第１の電極／ｐ−バッファ層／ｐ−材料／ｎ−材料とｐ−材料の混合物／ｎバッファ層／第２の電極
を有することができる。
本開示の有機イメージセンサは、特にＣＭＯＳ部分に関するｎ材料およびｐ材料の位置に関して異なる層構造を含むことができる。
有機光変換ユニットを、ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサ（図２参照）において異なる層が異なる色（ＢＧＲ）を吸収するＳｉ系光電変換ユニットと組み合わせて使用することができる、またはＳｉ系光電変換ユニットなしで使用することができる。この場合、有機光変換ユニットは、異なる色（ＢＧＲ）を吸収する能力を有する（図３参照）。
ＢＧＲ範囲は４００〜５００ｎｍ、５００〜６００ｎｍおよび６００〜７００ｎｍであり、範囲外の吸収は好ましくは２０％未満、より好ましくは１０および５％未満である。
上に論じられるように、基板は他の光電変換ユニット（複数可）であってもよい。
上に論じられるように、本開示の素子は、（ｉ）１つの有機ユニットを有する２つの無機ユニット、（ｉｉ）２つの有機ユニットを有する１つの無機ユニット、または（ｉｉｉ）有機イメージセンサにおいて互いに結合された３つの有機ユニットを含むことができる。
有機ユニットのいずれもが本開示による分子／層／素子を含むことができる。
有機光電変換層を製造するための堆積法は、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、浸漬コーティング法、キャスティング法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーティング法、オフセット印刷法である。
層を処理するための異なるプロセス温度、すなわち５０〜２４５℃が可能である。層の処理（アニーリング）は、上部電極の堆積の前および／または後に行うことができる。
上に論じられるように、本開示は、ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料（一般式Ｉによって表される）およびナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料（一般式ＩＩによって表される）を合成する方法であって、
−一級アミンおよび酸の存在下で、４−ブロモ−１，８−ナフタル酸無水物誘導体をイミド化するステップと、
−引き続いて特定のボロン酸エステルまたは「Ｂｒｉｄｇｅ」−ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法を提供する。
上に論じられるように、本開示はまた、ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＩＩによって表される）を合成する方法であって、
−Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
−引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法を提供する。
本開示はまた、ナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＶまたはＶによって表される）を合成する方法であって、
（ｉ）一般式ＩＶの場合には、
−Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をモノイミド化するステップと、
−引き続いて「Ｂｒｉｄｇｅ」−ジアミンおよび酸の存在下で、第２のイミド化を行うステップと、
（ｉｉ）一般式Ｖの場合には、
−Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
−引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと、
−引き続いて特定のＢｒｉｄｇｅ−ジボロン酸エステルとの第２のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法を提供する。
本開示はまた、ナフタレンジモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
−適当なアミン誘導体を用いて対応する２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物をイミド化するステップと、
−引き続いて特定のジボロン酸エステルとの１回または複数回のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法を提供する。
本開示はまた、ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＩＶおよびＸＶから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
−３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ−アミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）コア単位を得るステップ
を含む方法を提供する。
さらなるステップは、
−Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化、
−引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリング、および
−引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリング
を含む。
本開示はまた、ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＶＩによって表される）を合成する方法であって、
−３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ２−フェニル置換ジアミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）二量体コア単位を得るステップ
を含む方法を提供する。
さらなるステップは、
−Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化、
−引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリング、および
−引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリング
を含む。
本開示はまた、亜鉛配位錯体系材料（一般式ＸＩＸ、ＸＸおよびＸＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
−（ＨＯ−ＲＮ）型および（ＨＮ−ＲＮ）型の配位子を還流メタノール中で酢酸亜鉛脱水物および塩基と合わせるステップ
を含む方法を提供する。
本技術を以下のように構成することもできることに留意されたい。
（１） Ｐ：Ｎヘテロ接合または二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：ＮもしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＬＵＭＯ解離過程を通して、有色Ｐまたは有色Ｐ材料（Ｐ１：Ｐ２）もしくは別の有色Ｎの混合物または有色ＮとＰ材料の混合物（Ｐ：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
透明Ｎ材料であって、
透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
透明Ｎ材料。
（２） Ｐ：Ｎヘテロ接合またはＰ：Ｎ二層もしくは多層接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１もしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＨＯＭＯ解離過程を通して、有色Ｎまたは有色Ｎ材料（Ｎ１：Ｎ２）材料もしくは別の有色Ｐの混合物または有色ＰとＮ材料の混合物（Ｐ２：ＮもしくはＰ２：Ｎ１：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
透明Ｐ材料であって、
透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
透明Ｐ材料。
（３） 可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数を有する、または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を有し、
堆積法（真空蒸着またはスピンコーティングなど）を使用する場合、高品質の均質な膜を形成する有機系化合物である、
（１）または（２）の透明ＮまたはＰ材料。
（４） ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）、
ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）、
ナフタレンモノイミドおよび／またはナフタレンジイミドの二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ、ＮＤＩ−ＮＤＩまたはＮＭＩ−ＮＤＩ）、
チオフェンまたはセレノフェン系材料、
ジチエノピロール（ＤＴＰ）系およびＤＴＰ二量体材料、
アントラセン系材料、ならびに
亜鉛配位錯体
の群から選択される、（１）から（３）のいずれか一項の透明ＮまたはＰ材料。
（５） 一般式Ｉ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択される）
によって表されるナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（６） 一般式ＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは、好ましくは、
Figure 2018513558
 およびなし（すなわち、直接結合）から選択される）
によって表されるナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料である、（４）または（５）の透明ＮまたはＰ材料。
（７） 一般式ＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択される）
によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である、
または一般式ＩＩＩａ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択される）
によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である、
（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（８） 一般式ＩＶまたはＶ
Figure 2018513558
 （一般式ＩＶ中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
一般式ＩＶ中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
一般式Ｖ中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
一般式Ｖ中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、−Ｂｒ、−Ｈ、−ＯＣＨ２ＣＨ３、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択される）
によって表されるナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料である、（４）または（７）の透明ＮまたはＰ材料。
（９） 一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
Ｂｒｉｄｇｅは
Figure 2018513558
 から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
から選択される一般式によって表されるナフタレンモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料である、（４）から（８）のいずれか一項の透明ＮまたはＰ材料。
（１０） 一般式ＩＸ〜ＸＩ
Figure 2018513558
 （式中、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｘは、好ましくは、ＳおよびＳｅから選択され、
Ｙは、好ましくは、ＳおよびＳｅから選択され、
Ｚは、好ましくは、ＣＨおよびＮから選択され、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、
Figure 2018513558
から選択される）
から選択される一般式によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１１） 一般式ＸＩＩまたはＸＩＩｂ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、（４）または（１０）の透明ＮまたはＰ材料。
（１２） 一般式ＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩ：
Figure 2018513558
Figure 2018513558
 （式中、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｘは、好ましくは、ＳおよびＳｅから選択され、
Ｙは、好ましくは、ＳおよびＳｅから選択され、
Ｚは、好ましくは、ＣＨおよびＮから選択され、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 （式中、Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択される）
から選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１３） 一般式ＸＸＸＩＸまたはＸＬ：
Ｔ−Ｂ−Ｔ
ＸＸＸＩＸ
（式中、
Ｔは、（１０）または（１２）で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
ＺはＣＨおよびＮから選択され、
Ｂは
Figure 2018513558
 のいずれか１つから選択され、
Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択され、
Ｒは、各出現において、Ｈ、アルキル、アリール、
Figure 2018513558
 から独立に選択される）
Ｔ−Ｈ
ＸＬ
（式中、
Ｔは、（１０）または（１２）で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
ＺはＣＨおよびＮから選択され、
Ｈは
Figure 2018513558
 のいずれか１つから選択される）
によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、（１０）または（１２）の透明ＮまたはＰ材料。
（１４） 一般式ＸＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は
Figure 2018513558
から選択され、
Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、
Figure 2018513558
から選択され、
Ｒ２は、好ましくは、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
によって表されるジチエノピロール（ＤＴＰ）系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１５） 一般式ＸＩＶ〜ＸＶＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ｎは０または１であり、
ｘは１〜１０の整数であり、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ２は、好ましくは、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
から選択される一般式によって表されるジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料である、（４）または（１４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１６） 一般式ＸＶＩＩまたはＸＶＩＩＩ
Figure 2018513558
 （式中、
Ｒは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｒ１は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
式中、好ましくは、
Ｒは、好ましくは、
Figure 2018513558
 から選択され、
Ｒ１は、好ましくは、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
によって表されるアントラセンまたはアントラセン二量体系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１７） 一般式ＸＩＸ〜ＸＸＩ
Figure 2018513558
 （式中、
ＯＲＮは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
ＮＲＮは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｌは、各出現において、
Figure 2018513558
 から独立に選択され、
Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ＣＮ、ＣＦ３、ＣＯＯＨ、ＮＨ２から選択され、
Ｒはアルキルおよびアリールから選択される）
から選択される一般式によって表される亜鉛配位錯体系材料である、（４）の透明ＮまたはＰ材料。
（１８） （１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎ材料および／または（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｐ材料を含み、
好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
Ｐ：Ｎヘテロ接合、好ましくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合。
（１９） 好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
吸収層における（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用。
（２０） 好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
光電変換層ならびに／あるいは有機光電変換層（複数可）における、ＯＬＥＤおよびＯＴＦＴ有機モジュールを含むイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池などの光電子工学用途のための有機および／またはハイブリッドモジュールにおける（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用。
（２１） 好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含み、
場合によりさらなる分子（複数可）を含む、
（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む光電変換層。
（２２） 好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含み、
場合によりさらなる分子（複数可）を含む、
（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む吸収層。
（２３） 好ましくは有機イメージセンサ、ハイブリッドイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）である、（１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは（２１）の光電変換層（複数可）を含む素子。
（２４） 前記光電変換層が可視吸収範囲で光応答を示す、（２３）の素子。
（２５） （１）から（１７）のいずれか一項の透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは（２１）の光電変換層（複数可）を含む、
および／または好ましくは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
および／またはさらなる分子（複数可）を含む、
（２３）または（２４）の素子。
（２６） （ａ）（２１）に記載の光電変換層（複数可）を含む有機光変換ユニットと、
（ｂ）少なくとも１つの電極と、
（ｃ）基板と、
（ｄ）場合により、前記光電変換層（複数可）上の第２の電極と
を含む、
有機イメージセンサ。
（２７） （ａ）（２１）に記載の光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニット（複数可）と、
（ｂ）場合により、Ｓｉ系光電変換ユニットと、
（ｃ）金属配線と、
（ｄ）（ＣＭＯＳ）基板と、
（ｅ）絶縁層（複数可）、好ましくは酸化物と
を含む、ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサまたは有機イメージセンサ。
（２８） 前記有機光電変換ユニットがｎ−型材料、ｐ−型材料、ｎ−バッファ層および／またはｐ−バッファ層あるいはこれらの組み合わせまたは混合物などの異なる層を含む、（２６）または（２７）に記載の有機イメージセンサ。
（２９） ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料（一般式Ｉによって表される）およびナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料（一般式ＩＩによって表される）を合成する方法であって、
一級アミンおよび酸の存在下で、４−ブロモ−１，８−ナフタル酸無水物誘導体をイミド化するステップと、
引き続いて特定のボロン酸エステルまたは「Ｂｒｉｄｇｅ」ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法。
（３０） ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＩＩによって表される）を合成する方法であって、
Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法。
（３１） ナフタレンジイミド系二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＶによって表される）を合成する方法であって、
Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をモノイミド化するステップと、
引き続いて「Ｂｒｉｄｇｅ」−ジアミンおよび酸の存在下で、第２のイミド化を行うステップと
を含む方法。
（３２） ナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式Ｖによって表される）を合成する方法であって、
Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと、
引き続いて特定のＢｒｉｄｇｅ−ジボロン酸エステルとの第２のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法。
（３３） ナフタレンジモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
適当なアミン誘導体を用いて対応する２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物をイミド化するステップと、
引き続いて特定のジボロン酸エステルとの１回または複数回のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
を含む方法。
（３４） ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＩＶおよびＸＶから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ−アミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）コア単位を得るステップと、
Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化ステップと、
引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと、
引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと
を含む方法。
（３５） ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＩＶによって表される）を合成する方法であって、
３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ−２フェニル置換ジアミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）二量体コア単位を得るステップと、
Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化ステップと、
引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと、
引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと
を含む方法。
（３６） 亜鉛配位錯体系材料（一般式ＸＩＸ、ＸＸおよびＸＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
（ＨＯ−ＲＮ）型および（ＨＮ−ＲＮ）型の配位子を還流メタノール中で酢酸亜鉛脱水物および塩基と合わせるステップ
を含む方法。
本明細書で使用される「Ｎ材料」という用語は、電子を受容する材料を指す。
本明細書で使用される「Ｐ材料」という用語は、電子を供与する材料を指す。
本明細書で使用される「ナフタレンモノイミド」または「ＮＭＩ」または「ナフタレンモノイミド系材料」という用語は、１，４−ナフタレンモノイミド構造に基づく分子を指す。
本明細書で使用される「ナフタレンジイミド」または「ＮＤＩ」または「ナフタレンジイミド系材料」という用語は、１，４，５，８−ナフタレンジイミド構造に基づく分子を指す。
本明細書で使用される「チオフェン材料」または「チオフェン系材料」という用語は、少なくともチオフェンまたはチオフェン誘導体が分子構造中に存在する分子を指す。
本明細書で使用される「セレノフェン材料」または「セレノフェン系材料」という用語は、少なくともセレノフェンまたはセレノフェン誘導体が分子構造中に存在する分子を指す。
本明細書で使用される「アントラセン材料」または「アントラセン系材料」という用語は、分子構造中に少なくともアントラセン分子を含む分子を指す。
本明細書で使用される「亜鉛錯体材料」、「亜鉛配位錯体」または「亜鉛配位錯体系材料」という用語は、窒素含有複素環である二座配位子に配位した亜鉛原子を含む分子を指す。
本明細書で使用される「可視波長範囲における吸収」または「可視波長範囲で吸収を示す分子」という用語は、示される範囲全体の一部分のみもしくはいくつかの部分または全範囲にわたって光を吸収することができる分子／色素を指すことを意図している。例えば、ある分子が５００〜７００ｎｍの範囲でのみ吸収することができ、別の分子が４００〜７００ｎｍまたは５００〜６００ｎｍの範囲で吸収することができ、第３の分子が４００〜５００ｎｍ（または好ましくは４００ｎｍ〜５００ｎｍまたは５００ｎｍ〜６００ｎｍまたは６００ｎｍ〜７００ｎｍの上記の下位範囲）にわたって吸収することができる。これら全てのシナリオがこのような言い回しに包含されることを意図している。
本明細書で使用される「狭い吸収帯」という用語は、０強度での吸収帯の幅が２００ｎｍ、より好ましくは１５０ｎｍ、より好ましくは１００ｎｍであることを指す／意味することを意図している。
本明細書で使用される「透明」または「透明材料」という用語は、可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を有する材料を指す。
本明細書で使用される「有色」または「有色材料」という用語は、青色、緑色または赤色極大を有する可視波長範囲、特に約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）において約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を有する材料を指す。
本開示によると、「電極」という用語は電圧を印加するための電気リードを指す。電極は、互いにかみ合うことができ、これは、互いに反対側に位置する２つの櫛と、互いにかみ合う櫛のそれぞれの図形とを有する櫛形形状を有することを意味する。あるいは、電極が交互嵌合されていなくてもよい。電極は透明であっても非透明であってもよい。透明電極は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）またはフッ化酸化スズ（ＦＴＯ）から形成することができる。非透明電極は反射性であってもよく、例えば、銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）から形成することができる。
イメージセンサに使用される光電変換層の要件は厳しく、以下の通り要約することができる：
（ｉ）少なくとも１種の活性材料の狭い吸収帯；
（ｉｉ）少なくとも１種の活性材料の高い吸光係数、ε＞１０４Ｌｍｏｌ−１ｃｍ−１の、したがって、高い吸収係数；
（ｉｉｉ）耐熱性；
（ｉｖ）高い光電変換効率（ＥＱＥ）；
（ｖ）高速応答性／高い電荷キャリア移動度；
（ｖｉ）素子内の低い暗電流；
（ｖｉｉ）熱蒸着による薄膜（Ｔｖｐ＜Ｔｄｅｃ）。
本発明者らは、有機光変換ユニット用の活性材料として使用するための−以下の異なるファミリーに属する、可視範囲（４００〜６５０ｎｍ）で吸収がないまたは極めて低い特定の構造の材料を見出した：
−ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）、
−ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）および
−この前２種の分子の二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ、ＮＤＩ−ＮＤＩまたはＮＭＩ−ＮＤＩ）、
−チオフェン系材料
−アントラセン系材料
−亜鉛配位錯体。
前記材料は、可視範囲で吸収する材料と一緒に、光電変換材料層中のバルクヘテロ接合（混合ｐ−ｎ層）またはＰＮヘテロ接合（ｐ層とＮ層との間に形成される）またはＰｉＮ接合（ｐ層−ｐ−ｎバルクヘテロ接合としての混合層−ｎ層）に使用される。
本開示の材料は、有機光変換ユニット用の活性材料として使用することができる。
有機光変換ユニットを、ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサにおいて異なる層が異なる色（ＢＧＲ）を吸収するＳｉ系光電変換ユニットと組み合わせて使用することができる、またはＳｉ系光電変換ユニットなしで使用することができる。この場合、異なる色（ＢＧＲ）を吸収する能力を有する有機光変換ユニット。
得られたハイブリッドイメージセンサ素子の一般的な構造および有機系光電変換ユニットの詳細を図２および図３に概略的に示す。
本発明者らは、透明Ｎまたは透明Ｐ材料（透明＝膜の４００ｎｍ〜７００ｎｍの吸収係数＜６００００ｃｍ−１または吸光係数（トルエン中）＜６００００Ｍ−１ｃｍ−１）を発見し、Ｐ：Ｎ（一般にＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２）を含む素子では、ヘテロ接合が、
−Ｎの場合−有色（有色＝Ｖｉｓの吸収係数は青色、緑色または赤色の極大値を有するＶＩＳ領域において６００００超である）Ｐ（または有色Ｐ材料の混合物）または別の有色Ｎ（または有色Ｎ材料の混合物）上に作り出された励起子をＬＵＭＯ解離の過程を介して効率的に解離することができる−ドナー（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））の励起状態から電子を受容する
−Ｐの場合−有色（有色＝Ｖｉｓの吸収係数は青色、緑色または赤色の極大値を有するＶＩＳ領域において６００００超である）Ｎ（または有色Ｎ材料の混合物）または別の有色Ｐ（または有色Ｐ材料の混合物）上に作り出された励起子をＨＯＭＯ解離過程を通して効率的に解離することができる−電子を励起有色材料（光子を吸収するＰ材料（複数可）またはＮ材料（複数可））のＨＯＭＯに供与する（有色材料から正孔を受容することに相当する）。
例えば、Ｐ：Ｎの例では、Ｐ材料がドナーであり、Ｎ材料がアクセプターである（例えば、図４に示されるように）。Ｐ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２のある実施形態では、Ｎ材料の１つがドナーであり得、同様にＰ材料の１つがアクセプターであり得る。
解離／電荷転送効率（ηＣＴ）の一般的な説明：
ηＣＴは、ηＣＴ（ＨＯＭＯ）およびηＣＴ（ＬＵＭＯ）部分を有する
図４（例として）では、
・受容体が、ηＣＴ（ＬＵＭＯ）を有するＬＵＭＯ（透明Ｎ）またはηＣＴ（ＨＯＭＯ）を有するＨＯＭＯ（透明Ｐ）状態のいずれかで電子を受容するＮ材料である（この最後のものはドナーに転送された正孔と同等である）；
・ドナーがＬＵＭＯ（励起状態の場合＝有色Ｐ）またはＨＯＭＯ（透明Ｐ）から電子を供与する物質である；
・透明Ｎの場合−ηＣＴ（ＬＵＭＯ）が高くなければならない；
・透明Ｐの場合−ηＣＴ（ＨＯＭＯ）が高くなければならない。
特に光電変換層および素子に適用するための、本開示の透明ｎおよび／またはｐ材料の主な利点は以下の通りである：
１．１つの活性成分のみの吸収スペクトルを調節することによって、活性素子の吸収スペクトルを調節する可能性。これはパートナー材料のスペクトルであり、透明ｎ材料を使用する場合、ｐパートナー材料吸収であり、透明ｐ材料を使用する場合、ｎパートナー材料吸収である。
２．透明ｎ材料のみの電子移動度と透明ｐ材料のみの正孔移動度を調整する可能性。
３．ＨＯＭＯまたはＬＵＭＯレベルの調整（可視範囲の高い透明度のために大きなバンドギャップを確保することと合わせて）。
４．ＬＵＭＯ（透明ｎの場合）またはＨＯＭＯ（透明ｐ材料の場合）（図４参照）のいずれかを通して、１つの励起子解離／電荷生成効率のみを最適化する可能性。
光電変換層に適用するための活性材料としての可視波長（４００〜７００ｎｍ）で吸収を伴わない、または極めて低い吸収を有する新たなｎおよびｐ材料の主な利点は以下の通りである：
・優れた光安定性−特にＵＶ吸収のみによるもの。
・パートナー（他の）活性成分の吸収を介して素子の吸収スペクトルを調整する可能性−すなわち、透明ｎの場合、ｐ材料の吸収スペクトルおよび透明ｐの場合、ｎ材料の吸収；
・ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位の簡単な変化；
・高い熱安定性（置換基により３００〜５００℃であるが、少なくとも３００℃）；
・高電子（ｎの場合）および／または正孔（ｐの場合）移動度−特に、移動度の独立した調整−例えば、透明ｎ材料についての高い電子移動度しか必要とされない；
・高い励起子解離能力−高いＥＱＥを有する光変換素子を可能にする。
・素子の高い電荷発生効率−高い電荷転送効率および電荷分離効率；
・ＬＵＭＯ（透明ｎの場合）およびＨＯＭＯ（透明ｐの場合）を通した電荷生成効率の特に独立した調整；
・対応して、ｎ−バッファ層またはｐ−バッファ層として使用することができる−活性層の形態および／または素子を通るエネルギー準位配置の可能な調整を介したさらなる素子最適化を可能にする。
ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）およびナフタレンジイミド（ＮＤＩ）ならびに光電変換層におけるこのナフタレン系分子の二量体の組み合わせの主な利点は以下の通りである：
−優れた光および熱安定性（３００〜５００°）を示す；
−ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーの容易な変化が可能である；
−可視範囲における極めて低い吸光係数；
−高い電子移動度；
−二量体の場合：
−解離効率（ＬＵＭＯ解離）を高める３Ｄ構造およびＬＵＭＯ変性；
−より高い電子移動度；
−吸収Ｐパートナーで形成される励起子の高効率ＬＵＭＯ系解離の可能性を与える。
薄膜中のエネルギー準位および形態は、置換基Ｒ、Ｒ１およびｂｒｉｄｇｅの種類によって調整可能である。これにより、ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）およびナフタレンジイミド（ＮＤ）ならびにこのナフタレン系分子の二量体の組み合わせが、可視範囲で吸収する材料と組み合わせて有機光電変換層に使用するための極めて汎用性の高い分子となる。
光電変換層に適用するための透明チオフェンベース系分子の主な利点は以下の通りである：
−良好な光および熱安定性（３００℃まで）を示す；
−ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーの容易な変化が可能である；
−可視範囲における極めて低い吸光係数；
−高い正孔移動度：
−吸収ｎパートナーで形成される励起子の高効率ＨＯＭＯ系解離の可能性を与える；
−二量体の場合：
−解離効率（ＨＯＭＯ解離）を高める３Ｄ構造およびＨＯＭＯ変性；
−より高い正孔移動度。
薄膜中のエネルギー準位および形態は、置換基Ｒ、Ｒ１、Ｒ２ならびにコア構造中のヘテロ原子の種類によって調整可能である。これにより、チオフェン系分子が、可視範囲で吸収する材料と組み合わせて有機光電変換層に使用するための極めて汎用性の高い分子となる。
光電変換層に適用するためのアントラセン系分子の主な利点は以下の通りである：
−良好な光安定性
−および熱安定性（３００℃まで）を示す
−ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーの容易な変化が可能である；
−可視範囲における極めて低い吸光係数；
−高い正孔移動度；
−吸収ｎパートナーで形成される励起子の高効率ＨＯＭＯ系解離の可能性を与える；
−これらが二量体である場合：
−解離効率（ＨＯＭＯ解離）を高める３Ｄ構造およびＨＯＭＯ変性；
−より高い正孔移動度。
光電変換層に適用するため亜鉛錯体分子の主な利点は以下の通りである：
−良好な光および熱安定性（３５０℃まで）を示す；
−ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーの変化が可能である；
−可視範囲における極めて低い吸光係数；
−高い電子移動度および正孔移動度が可能−調整が必要；
−３Ｄ構造−高い励起子解離効率を支持することが期待される。
本開示によると、活性材料の１つが透明である場合、これはそれぞれの素子等について以下の可能性を提供する：
１つの活性材料のみの吸収の調整を介した吸収スペクトル全体の調整；
パートナー（吸収）材料のみの励起子拡散効率の調整；
独立にＨＯＭＯまたはＬＵＭＯを通した電荷発生効率の調整；
電子（透明ｎの場合）移動度のみまたは正孔（透明ｐ）移動度のみの調整；
一般的に：電子／正孔移動および輸送特性からの可視範囲の吸収特性のデカップリング。
実施例
実施例１：ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料
図５Ａに示されるスキームでは、ナフタレンモノイミドの一般的な合成経路が報告されている。
この合成経路を使用して、いくつかの化合物、例えば化合物ＮＭＩ１を合成した。
Figure 2018513558
ＮＭＩ１は、ＴＧ（Ｔ開始約２８０℃）、結晶性なし（ＤＳＣトレースは融解および結晶化転移を示さない）および可視範囲で吸収を示さないことから分かるように、良好な熱安定性を示す。図５Ｂを参照されたい。
ＮＭＩ１誘導体を、以下の構成でｐ材料（吸収パートナー）としてのキナクリドン（ＱＤ）と組み合わせてｎ材料として使用した：ＩＴＯ／ＱＤ：ＮＭＩ１＝７０：３０（１２０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／ＡｌＳｉＣｕ１００ｎｍ／。この素子は、０Ｖで２８％および−１Ｖで４０％の５５０ｎｍでのＥＱＥを与えた。素子の最適化により、最大４５％のＥＱＥが達成された（図５Ｃ）。
この材料の電子移動度は１×１０−９ｃｍ２／Ｖｓである。
実施例２：ＮＭＩ二量体系材料
図６Ａに示されるスキームでは、２つの異なるナフタレンモノイミド二量体ＮＭＩ−Ｂ１１およびＮＭＩ−Ｂ１５を調製するための合成経路が報告されている。
この２つの化合物は、ＴＧ（Ｔ開始約４００℃）および可視範囲で吸収を示さないことから分かるように、共に優れた熱安定性を示す。図６Ｂを参照されたい。
ＮＭＩ−Ｂ１１誘導体を、以下の構成で吸収ｐ材料としてのキナクリドン（ＱＤ）と組み合わせて透明ｎ材料として使用した：ＩＴＯ／８ｎｍ ＨＧ０１／１２０ｎｍ ＱＤ＆ＮＭＩ−Ｂ１１（７：３）／５ｎｍ ＮＢＰｈｅｎ／０．５ｎｍ ＬｉＦ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ。この素子は、０Ｖで１５％および−１Ｖで２３％の５５０ｎｍでのＥＱＥを与えた（図６Ｃ）。電荷転送効率ηＣＴ（−１Ｖ、１０ｎｓ）は９５％である。この材料の電子移動度は３×１０−５ｃｍ２／Ｖｓである。
ＮＭＩと比較した場合のＮＭＩ二量体の電子移動度の改善は、合成され特徴付けられた分子全てについて２〜４桁である。このため、全てのＮＭＩ二量体は、電子バッファ層または電子輸送層として使用するのに適している。
実施例３：ＤＴＰ系材料
図７Ａに示されるスキームでは、ジチオエノピロール（ＤＴＰ系材料ＤＴＰ６の合成経路が報告されている。
ＤＴＰ６は、ＴＧ（Ｔ開始約３１０℃）、結晶性なし（ＤＳＣトレースは融解および結晶化転移を示さない）および可視範囲で吸収を示さないことから分かるように。図７Ｂを参照されたい。
ＤＴＰ６誘導体を、以下の構成でアクセプターとしてのサブフタロシアニンクロリド（ＳｕｂＰｃＣｌ）と組み合わせてドナーとして使用した：ＩＴＯ／８ｎｍ α−ＮＰＤ／１２０ｎｍ ＤＴＰ５＆ＳｕｂＰｃＣｌ／５ｎｍ ＮＢＰｈｅｎ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ。この素子は、０Ｖで０．７％および−１Ｖで２％の５８０ｎｍでのＥＱＥを与えた（図７Ｃ）。
実施例４：ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料
ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）ＮＤＩ１は、以下の化学構造を有する：
Figure 2018513558
吸収スペクトルは、可視範囲で極めて低い光学濃度を示した（図８Ｂ）。電子移動度は、１０−７〜最大１０−５ｃｍ２／Ｖｓまでになる（図８Ｃ）。
ＮＤＩ１を、以下の構成でドナーとしてのキナクリドン（ＱＤ）およびｔｅｒブチルキナクリドン（ＢＱＤ）と組み合わせてアクセプター材料として使用した：
ＩＴＯ／８ｎｍ ＨＧ０１／１２０ｎｍ ＱＤ＆ＮＤＩ１（１：１）／３．５ｎｍＮＢＰｈｅｎ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
ＩＴＯ／５ｎｍ ＭｏＯ３／８ｎｍ ＨＧ０１／１２０ｎｍ ＱＤ＆ＮＤＩ１（１：１）／３．５ｎｍＮＢＰｈｅｎ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
ＩＴＯ／８ｎｍ ＨＧ０１／１２０ｎｍ ＢＱＤ＆ＮＤＩ１（７：３）／３．５ｎｍＮＢＰｈｅｎ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
ＩＴＯ／５ｎｍ ＭｏＯ３／８ｎｍ ＨＧ０１／１２０ｎｍ ＢＱＤ＆ＮＤＩ１（７：３）／３．５ｎｍＮＢＰｈｅｎ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
素子を、ＩＶ暗、ＩＶ光（１．６２μＷ／ｃｍ２、５５０ｎｍ）ならびに０Ｖおよび−１Ｖの作用スペクトルを測定することによって特徴付けた。結果を図８Ｄおよび８Ｅに示す。
ＮＤＩ１またはＮＭＩ−ＮＤＩ１を、以下の構成でドナーとしてのサブフタロシアニンクロリド（ＳｕｂＰｃＣｌ）と組み合わせてアクセプター材料として使用した：
ＩＴＯ／８ｎｍ ＨＧ０１／８０ｎｍ ＳｕｂＰｃＣｌ＆ＮＤＩ１（１：１）／５ｎｍＮＢＰｈｅｎ／０．５ｎｍ ＬｉＦ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
ＩＴＯ／６ｎｍ ＭｏＯ３／８ｎｍ ＨＴＭ０６５／１４８ｎｍ ＳｕｂＰｃＣｌ＆ＮＭＩ−ＮＤＩ１（１：１）／５ｎｍ ＮＢＰｈｅｎ／０．５ｎｍ ＬｉＦ／１００ｎｍ ＡｌＳｉＣｕ／１００ｎｍ ＬｉＦ
素子を、０Ｖおよび−１Ｖの作用スペクトルを測定することによって特徴付けた。結果を図８Ｆに示す。
実施例５：さらなるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料
ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）ＮＤＩ２０〜２６、ＮＤＩ２８〜２９およびＮＤＩ３５〜３８は、以下の化学構造を有する：
Figure 2018513558
図１３に示されるスキームでは、材料を合成するための一般的な合成経路が報告されている。
ＮＤＩ材料は、３７９〜３８５ｎｍの範囲で吸収極大を示した（図１４）。
エネルギー準位を図１５〜図１７に示す。
実施例６：ｐ型材料
以下のｐ型材料を合成し、特徴付けた（図１８Ａおよび図１８Ｂも参照）。
Figure 2018513558
Figure 2018513558
ＮＤＩ３５を、以下の構成でそれぞれＦ６ＳｕｂＰｃＯＣ６Ｆ５を用いてＤＴＴ２、ＤＴＴ９、ＤＴＴ１０またはＤＴＴ１１の素子においてｎ−バッファ材料として使用した：
ＬｉＦ １５０ｎｍ／ＡｌＳｉＣｕ １００ｎｍ／ＮＤＩ ３５ １０ｎｍ／ＤＴＴ９：Ｆ６ＳｕｂＰｃＯＣ６Ｆ５（１：１）２００ｎｍ／ＳＴ１１６３ １０ｎｍ／ＩＴＯ／ガラス。
素子を、例えば、０Ｖおよび−１Ｖの作用スペクトルを測定することによって特徴付けた。結果を図１９および図２０に示す。

Claims (36)

  1. Ｐ：Ｎヘテロ接合または二層もしくは多層接合、特にＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：ＮもしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＬＵＭＯ解離過程を通して、有色Ｐまたは有色Ｐ材料（Ｐ１：Ｐ２）もしくは別の有色Ｎの混合物または有色ＮとＰ材料の混合物（Ｐ：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
    透明Ｎ材料であって、
    透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
    「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
    透明Ｎ材料。
  2. Ｐ：Ｎヘテロ接合またはＰ：Ｎ二層もしくは多層接合、特にＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２もしくはＰ１：Ｐ２：Ｎ１もしくはＰ：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合または多層接合に含まれる場合、ＨＯＭＯ解離過程を通して、有色Ｎまたは有色Ｎ材料（Ｎ１：Ｎ２）材料もしくは別の有色Ｐの混合物または有色ＰとＮ材料の混合物（Ｐ２：ＮもしくはＰ２：Ｎ１：Ｎ２）上に作り出された励起子を効率的に解離するための品質を有する、
    透明Ｐ材料であって、
    透明とは可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）における約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を指し、
    「有色」とは、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの領域（この領域のどこにでも極大値を有する、またはこの領域のどこでも吸収する）の可視波長範囲における約６００００ｃｍ−１を超える吸収係数を指す、
    透明Ｐ材料。
  3. 可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で約６００００ｃｍ−１未満の吸収係数を有する、または（トルエン中）約６００００Ｍ−１ｃｍ−１未満の吸光係数を有し、
    堆積法（真空蒸着またはスピンコーティングなど）を使用する場合、高品質の均質な膜を形成する有機系化合物である、
    請求項１または２に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  4. ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）、
    ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）、
    ナフタレンモノイミドおよび／またはナフタレンジイミドの二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ、ＮＤＩ−ＮＤＩまたはＮＭＩ−ＮＤＩ）、
    チオフェンまたはセレノフェン系材料、
    ジチエノピロール（ＤＴＰ）系およびＤＴＰ二量体材料、
    アントラセン系材料、ならびに
    亜鉛配位錯体
    の群から選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  5. 一般式Ｉ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は
    Figure 2018513558
     から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
    Figure 2018513558
    から選択され、
    Ｒ１は、特に、
    Figure 2018513558
     から選択される）
    によって表されるナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  6. 一般式ＩＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは
    Figure 2018513558
     から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは、特に、
    Figure 2018513558
     およびなし（すなわち、直接結合）から選択される）
    によって表されるナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料である、請求項４または５に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  7. 一般式ＩＩＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｒ１は、各出現において、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、
    Figure 2018513558
     から選択される）
    によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である、
    または一般式ＩＩＩａ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択される）
    によって表されるナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料である、
    請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  8. 一般式ＩＶまたはＶ
    Figure 2018513558
     （一般式ＩＶ中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは
    Figure 2018513558
     から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    一般式ＩＶ中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    一般式Ｖ中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
    から独立に選択され、
    Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは
    Figure 2018513558
     から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    一般式Ｖ中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、−Ｂｒ、−Ｈ、−ＯＣＨ２ＣＨ３、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択される）
    によって表されるナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料である、請求項４または７に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  9. 一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｒ１は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    Ｂｒｉｄｇｅは
    Figure 2018513558
     から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択される）
    から選択される一般式によって表されるナフタレンモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料である、請求項４から８のいずれか一項に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  10. 一般式ＩＸ〜ＸＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
    Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
    ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｘは、特に、ＳおよびＳｅから選択され、
    Ｙは、特に、ＳおよびＳｅから選択され、
    Ｚは、特に、ＣＨおよびＮから選択され、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、
    Figure 2018513558
     から選択される）
    から選択される一般式によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  11. 一般式ＸＩＩまたはＸＩＩｂ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは、各出現において、
    Figure 2018513558
    から独立に選択される）
    によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、請求項４または１０に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  12. 一般式ＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩ：
    Figure 2018513558
    Figure 2018513558
     （式中、
    ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
    Ｚは、ＣＨおよびＮから選択され、
    ＲおよびＲ１は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、直鎖および分岐アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アリール基、ビアリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基およびフルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｘは、特に、ＳおよびＳｅから選択され、
    Ｙは、特に、ＳおよびＳｅから選択され、
    Ｚは、特に、ＣＨおよびＮから選択され、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     （式中、Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択される）
    から選択される）
    によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  13. 一般式ＸＸＸＩＸまたはＸＬ：
    Ｔ−Ｂ−Ｔ
    ＸＸＸＩＸ
    （式中、
    Ｔは、請求項１０または１２で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
    ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
    ＺはＣＨおよびＮから選択され、
    Ｂは
    Figure 2018513558
     のいずれか１つから選択され、
    Ｒ２およびＲ３は、同じであるまたは異なり、各出現において、Ｈ、ＣＨ３、アルキル、アリールから独立に選択され、
    Ｒは、各出現において、Ｈ、アルキル、アリール、
    Figure 2018513558
     から独立に選択される）
    Ｔ−Ｈ
    ＸＬ
    （式中、
    Ｔは、請求項１０または１２で定義される一般式ＩＸ、Ｘ、ＸＩまたはＸＸＩＩ〜ＸＸＸＶＩＩＩの１つの構造から選択され、
    ＸおよびＹは、同じであるまたは異なり、各出現において、ＣＨ２、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｎ−ＲおよびＳｉ−Ｒ２から独立に選択され、
    ＺはＣＨおよびＮから選択され、
    Ｈは
    Figure 2018513558
     のいずれか１つから選択される）
    によって表されるチオフェンまたはセレノフェン系材料である、請求項１０または１２に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  14. 一般式ＸＩＩＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    Ｒは−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ２は、特に、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
    によって表されるジチエノピロール（ＤＴＰ）系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  15. 一般式ＸＩＶ〜ＸＶＩ
    Figure 2018513558
    （式中、
    Ｒは、各出現において、−ＣｘＨ２ｘ＋１、−ＣｘＸ２ｘ＋１、−ＣｘＨ２Ｘ２ｘ−１、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｒ１は、各出現において、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｒ３は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
    ｎは０または１であり、
    ｘは１〜１０の整数であり、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）であり、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ２は、特に、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
    から選択される一般式によって表されるジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料である、請求項４または１４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  16. 一般式ＸＶＩＩまたはＸＶＩＩＩ
    Figure 2018513558
    （式中、
    Ｒは、各出現において、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｒ１は直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子から選択され、
    ＹはＣＨ２、Ｓ、Ｏ、ＳｅおよびＮ−Ｒ２から選択され、
    Ｒ２は、各出現において、Ｈ、直鎖および分岐アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、アルキルまたはアリールスルファニル基、アルキルまたはアリールアミン、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ヘテロアリール基、フルオレニル基から独立に選択され、
    式中、特に、
    Ｒは、特に、
    Figure 2018513558
     から選択され、
    Ｒ１は、特に、直鎖および分岐アルキル基から選択される）
    によって表されるアントラセンまたはアントラセン二量体系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  17. 一般式ＸＩＸ〜ＸＸＩ
    Figure 2018513558
     （式中、
    ＯＲＮは、各出現において、
    Figure 2018513558
    から独立に選択され、
    ＮＲＮは、各出現において、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｌは、各出現において、
    Figure 2018513558
     から独立に選択され、
    Ｘはハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ＣＮ、ＣＦ３、ＣＯＯＨ、ＮＨ２から選択され、
    Ｒはアルキルおよびアリールから選択される）
    から選択される一般式によって表される亜鉛配位錯体系材料である、請求項４に記載の透明ＮまたはＰ材料。
  18. 請求項１から１５のいずれか一項に記載の透明Ｎ材料および／または請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｐ材料を含み、
    特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
    Ｐ：Ｎヘテロ接合、特にＰ１：Ｐ２：Ｎ１：Ｎ２ヘテロ接合。
  19. 特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
    吸収層における請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用。
  20. 特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
    光電変換層ならびに／あるいは有機光電変換層（複数可）における、ＯＬＥＤおよびＯＴＦＴ有機モジュールを含むイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池などの光電子工学用途のための有機および／またはハイブリッドモジュールにおける請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料の使用。
  21. 特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含み、
    場合によりさらなる分子（複数可）を含む、
    請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む光電変換層。
  22. 特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含み、
    場合によりさらなる分子（複数可）を含む、
    請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料を含む吸収層。
  23. 特に有機イメージセンサ、ハイブリッドイメージセンサ、フォトダイオード、有機光電池、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）である、請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは請求項２１に記載の光電変換層（複数可）を含む素子。
  24. 前記光電変換層が可視吸収範囲で光応答を示す、請求項２３に記載の素子。
  25. 請求項１から１７のいずれか一項に記載の透明Ｎおよび／またはＰ材料（複数可）あるいは請求項２１に記載の光電変換層（複数可）を含む、
    および／または特に可視波長範囲（約４００〜約７００ｎｍ）で吸収を示すさらなるＮおよび／またはＰ材料を含む、
    および／またはさらなる分子（複数可）を含む、
    請求項２３または２４に記載の素子。
  26. （ａ）請求項２１に記載の光電変換層（複数可）を含む有機光変換ユニットと、
    （ｂ）少なくとも１つの電極と、
    （ｃ）基板と、
    （ｄ）場合により、前記光電変換層（複数可）上の第２の電極と
    を含む、
    有機イメージセンサ。
  27. （ａ）請求項２１に記載の光電変換層（複数可）を含む有機光電変換ユニット（複数可）と、
    （ｂ）場合により、Ｓｉ系光電変換ユニットと、
    （ｃ）金属配線と、
    （ｄ）（ＣＭＯＳ）基板と、
    （ｅ）絶縁層（複数可）、特に酸化物と
    を含む、ハイブリッドシリコン−有機イメージセンサまたは有機イメージセンサ。
  28. 前記有機光電変換ユニットがｎ−型材料、ｐ−型材料、ｎ−バッファ層および／またはｐ−バッファ層あるいはこれらの組み合わせまたは混合物などの異なる層を含む、請求項２６または２７に記載の有機イメージセンサ。
  29. ナフタレンモノイミド（ＮＭＩ）系材料（一般式Ｉによって表される）およびナフタレンモノイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＭＩ）系材料（一般式ＩＩによって表される）を合成する方法であって、
    一級アミンおよび酸の存在下で、４−ブロモ−１，８−ナフタル酸無水物誘導体をイミド化するステップと、
    引き続いて特定のボロン酸エステルまたは「Ｂｒｉｄｇｅ」ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
    を含む方法。
  30. ナフタレンジイミド（ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＩＩによって表される）を合成する方法であって、
    Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
    引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
    を含む方法。
  31. ナフタレンジイミド系二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＩＶによって表される）を合成する方法であって、
    Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をモノイミド化するステップと、
    引き続いて「Ｂｒｉｄｇｅ」−ジアミンおよび酸の存在下で、第２のイミド化を行うステップと
    を含む方法。
  32. ナフタレンジイミド二量体（ＮＤＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式Ｖによって表される）を合成する方法であって、
    Ｒ−一級アミンおよび酸の存在下で、２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体をイミド化するステップと、
    引き続いて特定のＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと、
    引き続いて特定のＢｒｉｄｇｅ−ジボロン酸エステルとの第２のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
    を含む方法。
  33. ナフタレンジモノ−ジイミド二量体（ＮＭＩ−ＮＤＩ）系材料（一般式ＶＩ〜ＶＩＩＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
    適当なアミン誘導体を用いて対応する２，６−ジブロモナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物をイミド化するステップと、
    引き続いて特定のジボロン酸エステルとの１回または複数回のパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングを行うステップと
    を含む方法。
  34. ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＩＶおよびＸＶから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
    ３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ−アミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）コア単位を得るステップと、
    Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化ステップと、
    引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと、
    引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと
    を含む方法。
  35. ジチエノピロール二量体（ＤＴＰ二量体）系材料（一般式ＸＩＶによって表される）を合成する方法であって、
    ３，３’−ジブロモ−２，２’−ビチオフェンと対応するＲ−２フェニル置換ジアミンのパラジウム触媒Ｂｕｃｈｗａｌｄ−ＨａｒｔｗｉｇカップリングによってＮ−置換ジチエノピロール（ＤＴＰ）二量体コア単位を得るステップと、
    Ｎ−ブロモスクシンイミドによる臭素化ステップと、
    引き続いてＲ１−ボロン酸エステルとのモノパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと、
    引き続いて特定のＲ２−フェニル置換ジボロン酸エステルとのさらなるパラジウム触媒Ｓｕｚｕｋｉカップリングステップと
    を含む方法。
  36. 亜鉛配位錯体系材料（一般式ＸＩＸ、ＸＸおよびＸＩから選択される一般式によって表される）を合成する方法であって、
    （ＨＯ−ＲＮ）型および（ＨＮ−ＲＮ）型の配位子を還流メタノール中で酢酸亜鉛脱水物および塩基と合わせるステップ
    を含む方法。
JP2017551635A 2015-03-31 2016-03-31 有機フォトダイオード中の有機光電変換層のためのｎおよびｐ活性材料 Active JP6801669B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15161993 2015-03-31
EP15161993.9 2015-03-31
PCT/EP2016/057144 WO2016156535A1 (en) 2015-03-31 2016-03-31 N and p active materials for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018513558A true JP2018513558A (ja) 2018-05-24
JP6801669B2 JP6801669B2 (ja) 2020-12-16

Family

ID=52813952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017551635A Active JP6801669B2 (ja) 2015-03-31 2016-03-31 有機フォトダイオード中の有機光電変換層のためのｎおよびｐ活性材料

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10790454B2 (ja)
EP (1) EP3278379A1 (ja)
JP (1) JP6801669B2 (ja)
KR (1) KR102170613B1 (ja)
CN (2) CN107531637B (ja)
WO (1) WO2016156535A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157468A1 (ja) * 2020-02-05 2021-08-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および撮像素子
WO2022059415A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および撮像装置
US11322688B2 (en) 2019-05-15 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. N-type semiconductor composition, and thin film, organic photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
US11713952B2 (en) 2019-05-17 2023-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectric device, image sensor, and electronic device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3701573A1 (en) * 2017-10-23 2020-09-02 Sony Corporation P active materials for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
BR112020012161A2 (pt) * 2017-12-18 2020-11-24 King Abdullah University Of Science And Technology camadas ativas e dispositivos optoeletrônicos com base em não fulerenos e/ou removedores de furo
US11557741B2 (en) 2018-11-14 2023-01-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric conversion devices and organic sensors and electronic devices
WO2021108317A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. Non-fullerene acceptors (nfas) as interfacial layers in perovskite semiconductor devices

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009099866A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
US7569693B2 (en) * 2006-06-12 2009-08-04 Northwestern University Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof
WO2010006698A1 (en) * 2008-06-30 2010-01-21 Eni S.P.A. Conjugated low band-gap copolymers and relative preparation process
JP2010093181A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Canon Inc 有機発光素子
JP2010254608A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd フタルイミド系化合物、ナフタルイミド系化合物、無水ナフタル酸系化合物、これら含む電子輸送材料、及び有機薄膜太陽電池
US20110308592A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Use of substituted perylenes in organic solar cells
EP2498315A2 (de) * 2011-03-11 2012-09-12 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle
WO2012142460A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Georgia Tech Research Corporation Naphthalene-diimide-heterocycle-naphthalene diimide oligomers as organic semiconductors and transistors therefrom
US8309394B2 (en) * 2010-01-22 2012-11-13 Eastman Kodak Company Method of making N-type semiconductor devices
US20130324723A1 (en) * 2011-02-18 2013-12-05 Basf Se Tetraazapyrene compounds and their use as n-type semiconductors
WO2014097079A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-26 Basf Se Semiconducting materials based on naphthalenediimide-vinylene-oligothiophene-vinylene polymers
JP2014179537A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 無機・有機ハイブリッド光電変換素子
US20150051398A1 (en) * 2012-03-19 2015-02-19 Eni S.P.A. Process for the preparation of tetracarboxynaphthalenediimide compounds disubstituted with heteroaryl groups

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6387727B1 (en) 1999-03-29 2002-05-14 Agere Systems Guardian Corp. Device comprising n-channel semiconductor material
EP1340755A4 (en) * 2000-11-14 2004-03-17 Shionogi & Co AGENT WITH EFFECT AGAINST HELICOBACTER
DE10148172B4 (de) * 2001-09-28 2007-11-15 Qimonda Ag Fluoreszierende Naphthalin-1,4,5,8-tetracarbonsäurebisimide mit elektronenschiebendem Substituenten am Kern
US7223507B2 (en) * 2003-04-04 2007-05-29 Xerox Corporation Imaging members
JP2005208617A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2005096403A2 (en) 2004-03-31 2005-10-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic photoelectric conversion element utilizing an inorganic buffer layer placed between an electrode and the active material
JP4972730B2 (ja) * 2004-08-30 2012-07-11 国立大学法人京都大学 有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置
ES2450169T3 (es) 2005-03-23 2014-03-24 Turkiye Sise Ve Cam Fabrikalari A.S. Transistores orgánicos de efecto de campo basados en imida/diimida y un método de producción de estos
KR100665097B1 (ko) 2005-06-28 2007-01-04 인제대학교 산학협력단 신규 아연계 착물, 그 제조방법 및 이를 이용한저전압구동을 위한 유기발광소자
DE102005061997A1 (de) * 2005-12-23 2007-07-05 Basf Ag Naphthalintetracarbonsäurederivate und deren Verwendung
WO2008110567A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Basf Se Photovoltaic modules with improved quantum efficiency
JP4852497B2 (ja) 2007-08-27 2012-01-11 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
KR101327793B1 (ko) 2007-10-08 2013-11-11 삼성전자주식회사 티오펜 유도체를 이용한 시모스 이미지 센서
US8053661B2 (en) 2008-01-25 2011-11-08 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion element and imaging device
KR101529358B1 (ko) * 2008-02-05 2015-06-16 바스프 에스이 나프탈렌-이미드 반도체 중합체
JP2010141268A (ja) 2008-12-15 2010-06-24 Shinshu Univ 光電変換装置、および太陽電池
KR20100079600A (ko) 2008-12-31 2010-07-08 고려대학교 산학협력단 아연（ⅱ）착화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광소자
WO2011016430A1 (ja) 2009-08-04 2011-02-10 三菱化学株式会社 光電変換素子及びこれを用いた太陽電池
JP5520560B2 (ja) 2009-09-29 2014-06-11 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電変換素子材料、光センサ、及び撮像素子
JP5430352B2 (ja) * 2009-11-02 2014-02-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
CN102933581A (zh) * 2009-12-29 2013-02-13 破立纪元有限公司 作为有机半导体的硫代硫酸芳香二酰亚胺以及使用它们的器件
JP5495035B2 (ja) * 2010-03-15 2014-05-21 株式会社リコー 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP2012032458A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Canon Inc 水性塗布液、電子写真感光体の製造方法及び電子写真感光体
JP2012049289A (ja) 2010-08-26 2012-03-08 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP5733612B2 (ja) * 2011-03-08 2015-06-10 国立大学法人信州大学 有機半導体薄膜用材料、該材料を用いた有機半導体薄膜の形成方法および有機薄膜トランジスタ
TWI592415B (zh) 2011-08-12 2017-07-21 巴地斯顏料化工廠 咔唑并咔唑－雙（二羰醯亞胺）及其作為半導體之用途
WO2013042414A1 (ja) 2011-09-22 2013-03-28 日本電気株式会社 ジチエノピロール系化合物、光電変換素子用色素、これを用いた光電変換素子用半導体電極、および光電変換素子
WO2013096915A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Georgia Tech Research Corporation Stannyl derivatives of naphthalene diimides and related compositions and methods
JP2014024783A (ja) 2012-07-26 2014-02-06 Ricoh Co Ltd ナフタルイミド化合物
US10522764B2 (en) * 2012-08-10 2019-12-31 Lms Co., Ltd. Compound, light-emitting element comprising same and electronic device comprising the light-emitting element
US9508937B2 (en) 2012-08-22 2016-11-29 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Acenaphthylene imide-derived semiconductors
JP2014051583A (ja) 2012-09-06 2014-03-20 Kuraray Co Ltd 共役ブロック共重合体及びそれを用いた光電変換素子
TWI535726B (zh) 2012-09-10 2016-06-01 迪愛生股份有限公司 苯并噻吩苯并噻吩衍生物、有機半導體材料及有機電晶體
JP6135109B2 (ja) 2012-12-07 2017-05-31 ソニー株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器
US9444058B2 (en) * 2013-04-25 2016-09-13 Basf Se Preparation of pi-extended naphthalene diimides and their use as semiconductor
KR101490104B1 (ko) * 2013-06-12 2015-03-25 경상대학교산학협력단 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물 및 제조방법과 이를 포함하는 유기전자소자
KR101526169B1 (ko) 2013-07-31 2015-06-10 경상대학교산학협력단 신규한 전자 끌게-주게-끌게 형의 나프탈렌 다이이미드 저분자 및 이를 이용한 유기전자소자
JP6210510B2 (ja) * 2013-12-12 2017-10-11 国立大学法人信州大学 有機半導体膜、有機半導体膜の形成方法および有機トランジスタ素子

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569693B2 (en) * 2006-06-12 2009-08-04 Northwestern University Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof
US8822980B2 (en) * 2007-10-18 2014-09-02 Fujifilm Corporation P-type organic semiconductor/fullerene photoelectric conversion layer
JP2009099866A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Fujifilm Corp 光電変換素子及び固体撮像素子
WO2010006698A1 (en) * 2008-06-30 2010-01-21 Eni S.P.A. Conjugated low band-gap copolymers and relative preparation process
JP2010093181A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Canon Inc 有機発光素子
JP2010254608A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd フタルイミド系化合物、ナフタルイミド系化合物、無水ナフタル酸系化合物、これら含む電子輸送材料、及び有機薄膜太陽電池
US8309394B2 (en) * 2010-01-22 2012-11-13 Eastman Kodak Company Method of making N-type semiconductor devices
US20110308592A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Use of substituted perylenes in organic solar cells
US20130324723A1 (en) * 2011-02-18 2013-12-05 Basf Se Tetraazapyrene compounds and their use as n-type semiconductors
EP2498315A2 (de) * 2011-03-11 2012-09-12 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle
WO2012142460A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Georgia Tech Research Corporation Naphthalene-diimide-heterocycle-naphthalene diimide oligomers as organic semiconductors and transistors therefrom
US20140213789A1 (en) * 2011-04-15 2014-07-31 Georgia Tech Research Corporation Stannyl derivatives of naphthalene diimides and related compositions and methods
US20150051398A1 (en) * 2012-03-19 2015-02-19 Eni S.P.A. Process for the preparation of tetracarboxynaphthalenediimide compounds disubstituted with heteroaryl groups
WO2014097079A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-26 Basf Se Semiconducting materials based on naphthalenediimide-vinylene-oligothiophene-vinylene polymers
JP2014179537A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 無機・有機ハイブリッド光電変換素子

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322688B2 (en) 2019-05-15 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. N-type semiconductor composition, and thin film, organic photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
US11713952B2 (en) 2019-05-17 2023-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectric device, image sensor, and electronic device
WO2021157468A1 (ja) * 2020-02-05 2021-08-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および撮像素子
WO2022059415A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10790454B2 (en) 2020-09-29
US20180123050A1 (en) 2018-05-03
US20210005827A1 (en) 2021-01-07
EP3278379A1 (en) 2018-02-07
US11968895B2 (en) 2024-04-23
CN113889579A (zh) 2022-01-04
WO2016156535A1 (en) 2016-10-06
KR20170128383A (ko) 2017-11-22
KR102170613B1 (ko) 2020-10-27
CN107531637A (zh) 2018-01-02
JP6801669B2 (ja) 2020-12-16
CN107531637B (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6801669B2 (ja) 有機フォトダイオード中の有機光電変換層のためのｎおよびｐ活性材料
EP3126470B1 (en) Perylene-based materials for organic photoelectric conversion layers
JP6677259B2 (ja) 有機フォトダイオード中の有機光電変換層のための特異的なｎおよびｐ活性材料
EP3250642B1 (en) Squaraine-based molecules as material for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
CN111263985B (zh) 有机光电二极管中有机光电转换层的p活性材料
JP5645666B2 (ja) ハロゲン化フタロシアニン類の使用
AU2014301318B2 (en) Organic semiconductive component
KR20140006597A (ko) 유기 광전 재료, 상기 유기 광전 재료를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서
WO2023179986A1 (en) Aza-boron-diquinomethene-based dyes as photoactive material for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
EP4314166A1 (en) Indacenetetrone-based dyes as photoactive material for organic photoelectric conversion layers in organic photodiodes
Seo All-Organic Infrared-To-Visible Up-Conversion OLEDs for Low-Cost SWIR Imaging
TW201428988A (zh) 光電轉換元件、攝影元件、光感測器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171013

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190123

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190208

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190214

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190222

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190326

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190827

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201109

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6801669

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151