JP2018508029A - 下層膜形成用組成物、およびそれを用いた下層膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような微細加工において、半導体基板としては一般に表面が平坦なものが用いられる。これは、表面上にフォトレジストによりパターンを形成させる場合に、基板表面の平坦性が低いと基板表面による光の反射がランダムになり、パターンを高精度で形成することが困難になるためである。
一方で、基板表面に凹凸構造を形成することが要求される場合もある。具体的には、基板表面をフォトリソグラフィーなどにより加工して凹凸構造を形成させ、その基板表面にさらにシリカなどからなる被加工膜を形成させ、その被加工膜をさらにフォトリソグイラフィーにより加工してパターンを形成させることがある。このような場合、凹凸構造を有する基板表面に直接被加工膜を形成させると、基板表面の凹凸に起因して、被加工膜の膜厚が不均一になったり、被加工膜表面が平坦では無いために、最終的に得られるパターンの精度が低くなることがある。
A1、A2、A2’、A3、およびA4は、それぞれ独立に、芳香族基、飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基であり、前記芳香族基、または脂肪族炭化水素基は、水酸基、アルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
L1、L2、L3、およびL3’はそれぞれ独立に、下記式(a1)〜(a3):
Z1は、水素、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択され、
Z2は、水素、水酸基、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される}から選択されるものであり、
L4は、アミノ基、およびカルバモイル基、ならびにそれらを置換基として有する置換芳香族基、および置換脂肪族基からなる群から選択されるものである]
から選択される繰り返し単位を含んでなるポリマーと、溶剤とを含んでなることを特徴とするものである。
前記の下層膜形成用組成物を半導体基板上に塗布し、不活性雰囲気下で予備加熱し、さらに酸素存在下に焼成して下層膜を形成する工程、
前記下層膜上にフォトレジスト層を形成する工程、
前記下層膜と前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する工程、および
前記露光後に現像液で現像する工程
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明による下層膜形成用組成物は、特定の構造を有するポリマーと溶剤とを含んでなる。このポリマーは、繰り返し単位として下記式(1)〜(4)で表されるものを含んでなることを特徴とする。これらのいずれかのポリマーを下層膜形成用組成物に用いた場合、下層膜の形成過程においてボイドの発生が少なく、また耐熱性が高いためにより高温での処理ができるために、非常に平坦な下層膜を形成することができる。このような優れた効果が得られる理由は明確に証明されていないが、これらのポリマーは構造中に、sp3軌道を有する窒素原子と、sp2軌道を有する炭素原子とを隣接して含むために耐熱性が高いものと推測されている。式(1)〜(3)で表される繰り返し単位はポリマー主鎖に窒素原子を含み、式(4)で表される繰り返し単位は側鎖に窒素原子を含むものである。
Z1は、水素、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択され、
Z2は、水素、水酸基、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される。
溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEということがある)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAということがある)、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、メトキシトルエン、アニソール、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、およびアセトニトリル等を用いることができる。これらの溶剤は単独または二種以上の組合せで使用することができる。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。
例えば、架橋剤、酸発生剤、界面活性剤、および平坦剤などが挙げられる。これらの成分は本発明の効果を損なわないものが用いられるべきである。
本発明による下層膜の形成方法、およびパターン形成方法について説明すると以下の通りである。
ここで、ポジ型フォトレジストとは、光照射されることによって反応を起こし、現像液に対する溶解度が上がるものをいう。用いられるフォトレジストは、パターン形成のための露光に使用される光に感光するポジ型フォトレジスト、ネガ型フォトレジスト、ネガティブトーン現像(NTD)フォトレジストなど、特に限定されず、任意のものを使用できる。
(ポリ−4−メチルトリフェニレンアミン(ポリマーP1)の合成)
撹拌器、凝縮器、加熱装置、窒素導入管および温度制御装置を取り付けた反応器に窒素雰囲気下において塩化鉄(III)(無水)(519部)、クロロホルム(4,330部)を加え、反応温度を50℃に保持した。その後、クロロホルム(440部)に溶解させた4−メチルトリフェニルアミン(212部)を加えて攪拌した。その後、反応温度を50℃に保持して0.5時間反応させた(酸化カップリング重合)。
さらに、クロロホルム溶液を濃縮して、その溶液をアセトン(54,000部)に注いで、粉体をろ過し、90℃で真空乾燥することによりポリマーP1を85部(収率:40%)得た。GPC(テトラヒドロフラン)により分子量を測定したところ、数平均分子量Mn=2,170Da、質量平均分子量Mw=3,991Da、分子量分布(Mw/Mn)=1.84であった。
ポリマーおよび溶剤の種類および含有量を表1に示すとおりの割合で配合して下層膜形成用組成物a〜hおよびA〜Hを得た。
PS:ポリスチレン、質量平均分子量10,000〜100,000
PMMA:ポリメチルメタクリレート、質量平均分子量10,000〜100,000
PA:ポリアミド、質量平均分子量1,000〜10,000
PE:ポリエステル、質量平均分子量1,000〜10,000
調製した組成物a〜hを平坦な4インチシリコンウェハー上にMS−150A型スピンコーター(商品名、ミカサ株式会社製)に1500rpmの条件で塗布し、150℃で1分間加熱して乾燥した後、大気中、250℃で2分間焼成して下層膜を得た。得られた下層膜の膜厚は100nmであった。得られた下層膜について、下記の条件で、塗布性、アウトガス、および耐熱性を評価した。塗布性およびアウトガスについてはいずれの例も十分な特性を示した。また、耐熱性の評価結果は表2に示すとおりであった。なお、耐熱性の評価基準は以下の通りである。
(耐熱性の評価)
示唆熱分析装置を用いて評価した。
(耐熱性の評価基準)
A:耐熱性400℃以上
B:耐熱性400℃未満
(塗布性の評価)
形成された下層膜をラムダエースVM−3110型光干渉式膜厚測定装置(商品名、大日本スクリーン製造株式会社製)により観察して評価した。
(アウトガスの評価)
昇温脱離ガス光イオン化質量分析装置TRD type R型(株式会社リガク製)を用いて、測定温度580℃で測定した。
調製した組成物a〜hを、表面に溝およびフィンを有する基板に塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、大気中250℃で2分間焼成して、膜厚300nmの下層膜を得た。用いた基板の溝の幅は200nm、深さは90nmであり、またフィンの幅は40nmであった。得られた下層膜の断面を、走査電子顕微鏡S−5500(製品名、株式会社日立ハイテクノロジーズ製)にて観察して、ボイドの発生を評価した。
得られた評価結果は表3に示すとおりであった。なお、ボイド発生の評価基準は以下の通りである。
(ボイド発生の評価基準)
A:走査電子顕微鏡で断面を観察し、空洞が確認されなかった
B:走査電子顕微鏡で断面を観察し、空洞を確認
調製した組成物a〜hを塗布および焼成して、膜厚100nmの下層膜を得た。得られた下層膜について、溶剤に対する耐溶剤性を評価した。具体的には、溶媒としてPGMEA、PGME、およびメトキシトルエンを準備し、それぞれに得られた下層膜を1分間浸漬した後、浸漬前後の膜厚をラムダエースVM−3110型光干渉式膜厚測定装置により測定して残膜率を算出した。得られた結果は表4に示すとおりであった。
調製した組成物BおよびE〜Hを用いて、表面に溝およびフィンを有する基板に塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、大気中250℃で2分間焼成して下層膜を得た。用いた基板の溝の幅は200nm、深さは90nmであり、またフィンの幅は40nmであった。得られた下層膜について、走査電子顕微鏡S−5500により表面の高低差を測定した。得られた結果は表5に示すとおりであった。
調製した組成物Bを用いて、溝幅40nmで深さ90nmの基板に塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、焼成して下層膜を得た。焼成条件は、表6に示すとおりに変更した。得られた下層膜について、走査電子顕微鏡により表面の高低差を測定した。得られた結果は表6に示すとおりであった。この結果より、焼成温度が高いほど表面の高低差が小さくなることが明らかである。
調製した組成物Bを用いて、溝幅40nmで深さ90nmの基板に膜厚が300nmとなるように塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、焼成して下層膜を得た。焼成条件は、表7に示すとおりに変更した。得られた下層膜について、走査電子顕微鏡により表面の高低差を測定した。得られた結果は表7に示すとおりであった。
調製した組成物Bを用いて、溝幅40nmで深さ90nmの基板に膜厚が300nmとなるように塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、予備加熱を窒素中で60分間行い、さらに焼成を大気中で350℃1分間行い下層膜を得た。予備加熱条件は、表8に示すとおりに変更した。また、比較のために、組成物Fを用いて、予備加熱温度を350℃としたほかは同様にして下層膜を得た。得られた下層膜について、走査電子顕微鏡により表面の高低差を測定した。得られた結果は表8に示すとおりであった。
組成物B、D、およびFを用いて、実施例101と同様の条件で塗布および焼成をして,下層膜を形成させた。得られた下層膜に対して、エッチングを行い、その前後での膜厚の変化(残膜率)を測定した。エッチングは、エッチング装置NE−5000N型(商品名、株式会社アルバック製)を用いて、RFパワー200W(ISM)/100W(バイアス)、ガスフローO2/Ar/N2、4/25/10sccm、圧力0.67Paの条件で行った。得られた結果は表9に示すとおりであった。
調製した組成物bを膜厚が200nmとなるように塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、予備加熱を窒素中で350℃、2分間行い、予備硬化膜を得た。得られた予備硬化膜について、溶剤に対する溶解性を評価した。具体的には、混合比を変更した複数のPGMEAおよびメトキシトルエンとの混合溶媒を準備し、それぞれに得られた予備硬化膜を1分間浸漬した後、浸漬後の膜厚をラムダエースVM−3110型光干渉式膜厚測定装置により測定して残膜率を算出した。また、比較として組成物U98を用いて下層膜を得たあと、溶剤に対する溶解性を同様に評価した。この組成物U98は、本発明において特定されたものとは異なる下記式で表されるポリマーPR、ならびに架橋剤、熱酸発生剤、および溶剤を含んでなる組成物である。
調製した組成物bを膜厚が100nmとなるように塗布し、得られた塗膜を150℃で1分間加熱して乾燥した後、予備加熱を窒素中で2分間行い、予備硬化膜を得た。このとき予備加熱温度は、例毎に変更した。得られた予備硬化膜について、溶剤に対する溶解性を評価した。具体的には、PGMEAまたはメトキシトルエンを準備し、それぞれに得られた予備硬化膜を1分間浸漬した後、浸漬後の膜厚をラムダエースVM−3110型光干渉式膜厚測定装置により測定して残膜率を算出した。また、比較として組成物U98を用いて下層膜を得たあと、溶剤に対する溶解性を同様に評価した。得られた結果は表11に示すとおりであった。
Claims (16)
- 下記式(1)〜(4):
A1、A2、A2’、A3、およびA4は、それぞれ独立に、芳香族基、飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基であり、前記芳香族基、または脂肪族炭化水素基は、水酸基、アルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される置換基で置換されていてもよく、
L1、L2、L3、およびL3’はそれぞれ独立に、下記式(a1)〜(a3):
Z1は、水素、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択され、
Z2は、水素、水酸基、脂肪族基、および芳香族基からなる群から選択され、前記脂肪族基、または芳香族基はアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボキシ、スルホン酸エステル、アルキルアミノ、およびアリールアミノからなる群から選択される}から選択されるものであり、
L4は、アミノ基、およびカルバモイル基、ならびにそれらを置換基として有する置換芳香族基、および置換脂肪族基からなる群から選択されるものである]
から選択される繰り返し単位を含んでなるポリマーと、溶剤とを含んでなることを特徴とする下層膜形成用組成物。 - 前記A1、A2、およびA2’が、それぞれ独立に、フェニレン基およびナフチレン基からなる群から選択されるものであり、前記Z1が、水素、フェニル基、およびナフチル基からなる群から選択されるものである、請求項1に記載の組成物。
- 前記A1、A2、およびA2’が、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキレン基、および炭素数2〜6のアルケニレン基からなる群から選択されるものであり、前記Z1およびZ2がそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数3〜10のシクロアルケニル基、炭素数6〜10のアリール基、および炭素数2〜5の環状アミン基からなる群から選択されるものである、請求項1に記載の組成物。
- 前記A4が、炭素数1〜6の飽和炭化水素基、および炭素数2〜6の不飽和炭化水素基からなる群から選択されるものであり、前記L4が、置換もしくは非置換のアミノ基、置換もしくは非置換のカルバモイル基、およびそれらで置換された炭化水素基からなる群から選択されるものである、請求項1に記載の組成物。
- 前記A3が、炭素数1〜12の飽和炭化水素基、および炭素数2〜12の不飽和炭化水素基からなる群から選択されるものであり、前記L3が、−(NH)−および−(NH)−(C=O)−からなる群から選択されるものである、請求項1に記載の組成物。
- 前記ポリマーの質量平均分子量が、1,000〜1,000,000である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
- 前記組成物のポリマー含有率が、組成物の総質量を基準として、0.2〜20質量%である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物を基板上に塗布して塗膜を形成させる塗布工程、および
前記塗膜を酸素存在下に焼成して下層膜を形成する焼成工程
を含んでなることを特徴とする下層膜の形成方法。 - 前記焼成工程の加熱温度が、200〜800℃であり、焼成時間が0.3〜120分間である、請求項8に記載の方法。
- 前記塗布工程と前記焼成工程との間に、不活性雰囲気下で加熱する予備加熱工程をさらに含んでなる、請求項8または9に記載の方法。
- 前記不活性雰囲気における酸素含有率が3モル%以下である、請求項10に記載の方法。
- 前記予備加熱工程と焼成工程との間に、前記塗膜を前記ポリマーを溶解することができる溶媒に接触させ、塗膜の表層部分を溶解除去する表層除去工程をさらに含んでなる、請求項10または11に記載の方法。
- 請求項8〜12のいずれか1項に記載の方法で製造されたことを特徴とする、下層膜。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の下層膜形成用組成物を基板上に塗布して塗膜を形成させる塗布工程、
前記塗膜を酸素存在下に焼成して下層膜を形成する焼成工程
前記下層膜上にフォトレジスト層を形成するレジスト層形成工程、
前記下層膜と前記フォトレジスト層で被覆された前記半導体基板を露光する露光工程、および
前記露光後に現像液で現像する現像工程
を含んでなることを特徴とするパターンの形成方法。 - 前記露光がArFレーザーにより行われる請求項14に記載の方法。
- 前記基板が、幅1〜1,000nm、深さ20〜1,000nmの溝を表面に具備してなる、請求項14または15に記載の方法。
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