TWI444393B - 用於光阻底層之組成物、使用該組成物形成圖案之方法及含有該圖案之半導體積體電路元件 - Google Patents

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Description

用於光阻底層之組成物、使用該組成物形成圖案之方法及含有該圖案之半導體積體電路元件 發明領域
本發明係揭示一用於光阻底層之組成物、一使用該組成物形成一圖案之方法、及一含有該圖案之半導體積體電路元件。
 發明背景
最近，半導體工業已研發出可高至超過數值奈米數拾奈米之大小的超微圖案加工技術。
一般而言，係藉另外塗覆或沈積有機及無機材料組份層在一半導體晶圓上，將一光阻塗覆於其上，使所形成產物暴露於一合適光線下，以一鹼性溶液使其顯影，並使用一合適蝕刻氣體形成一在該半導體晶圓上的圖案。
然而，當該方法係藉使用一可輻射具有248、193、及13.5奈米之短波長而非365奈米之波長之活性射線的曝光光源以形成一微圖案時，會產生增加該光阻圖案之LWR(線寬粗糙度)並瓦解該圖案的問題。
因此，才對於在該光阻與該有機及無機材料組份 層之間塗覆一光阻底層的技術進行研究。
 發明概要
一實施例提供一用於光阻底層的組成物，其可形成一光阻圖案且不會降低並瓦解LWR(線寬粗糙度)並具有一均勻厚度。
另一實施例提供一使用該用於一光阻底層之組成物以形成圖案的方法。
又另一實施例提一包含一藉該形成一圖案之方法而形成之圖案的半導體體積電路元件。
根據一實施例，係提供一用於一光阻底層的組成物，其包括一含藉以下化學式1至4而代表之重覆單元的共聚物及一溶劑。
在化學式1至4中，R1 、R3 、R5 、及R7 獨立為氫、一經取代或未經取代之C1至C20烷基、一經取代或未經取代之C2至C20烯基、一經取代或未經取代之C2至C20炔基、一經取代或未經取代之C3至C20環烷基、一經取代或未經取代之C3至C20環烯基、一經取代或未經取代之C3至C20環炔基、或一經取代或未經取代之C6至C30芳基。
R2 為一內酯衍生性基團，R4 為一經取代或未經取代之C1至C20烷醇基團、或一經取代或未經取代之C2至C20烯醇基團。
R6 為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸 烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、或一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基，R10 為一經取代或未經取代之C6至C30芳基，R8 為一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基、或一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基，R9 為氟、或一經至少一氟取代的C1至C10烷基，a+b+c+d=1，0.1a0.5，0.1b0.5，0.1c0.5，及0.01d0.2。
該共聚物可包括至少一選自以下的共聚物：一含有一藉以下化學式5-1而代表的結構單元之共聚物、一含有一藉以下化學式5-2而代表的結構單元之共聚物、一含有一藉以下化學式5-3而代表的結構單元之共聚物、及一含有一藉以下化學式5-4而代表的結構單元之共聚物。
在化學式5-1至5-4中，a+b+c+d=1，0.1a0.5，0.1b0.5，0.1c0.5，及0.01d0.2。
在以下化學式1至4中，a+b+c+d=1，0.2a0.4，0.3b0.5，0.2c0.4，且0.05d0.15。
該共聚物可具有一1,000至1,000,000克/莫耳之重量平均分子量。
以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該共聚物之含量可以是0.1至10重量%。
該用於一光阻底層之組成物可進一步包括至少一選自一交聯劑的組份，該交聯劑可以是一胺基樹脂、一甘脲化合物、一雙氧環化合物、一三聚氰胺化合物、及一三聚氰胺衍生物，且以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該交聯劑之含量可以是0.01至1.0重量%。
根據另一實施例，係提供一用於形成圖案的方法，其包括提供一材料層在一基板上；施加該用於一光阻底層之組成物至該材料層上以形成一光阻底層；在該光阻底層上形成一光阻層；藉使該光阻層曝光並顯影而形成一光阻圖案；藉使用該光阻圖案而選擇性移除該光阻底層並使該材料層之一部份曝光；並蝕刻該材料層之已曝光部份。
可經由旋塗式塗覆法而形成該光阻底層。
該光阻層可具有一小於或等70奈米的厚度。
根據又另一實施例，係提供一藉形成該圖案之方法而形成的含數個圖案的半導體積體電路元件。
以下實施例方式描述其它實施例。
可提供一無LWR(線寬粗糙度)降低及瓦解且具有一均勻厚度的光阻圖案。
圖1為表示根據合成實例1-1之單體的1 H NMR分 析圖解。
圖2至圖6為表示根手實例1至4及比較例1之光阻圖案之解析度的掃描式電子顯微鏡(SEM)相片。
 較佳實施例之詳細說明
下文可詳細說明代表性實施例。然而，這些實施例僅具代表性且無意限制本發明，如熟悉本項技藝者可知，只要不違背本發明之精神或範圍，可以以各種不同方法修飾所述實施例。
如文中使用，當未另外提供一定義時，該名詞“經取代”係指一經至少一選自以下之取代基取代：一鹵素(F、Br、Cl、或I)、一羥基、一烷氧基、一硝基、一氰基、一胺基、一疊氮基、一甲脒基、一肼基、一亞肼基、一羰基、一胺甲醯基、一硫醇基、一酯基、一羰基或其鹽、一磺酸基或其鹽、一磷酸或其鹽、一C1至C20烷基、一C2至C20烯基、一C2至C20炔基、一C6至C30芳基、一C7至C30芳烷基、一C1至C4烷氧基、一C1至C20雜烷基、一C3至C20雜芳烷基、一C3至C30環烷基、一C3至C15環烯基、一C6至C15環炔基、一C2至C20雜環烷基、及其等之組合。
如文中使用，當未另外提供一定義時，該字首“雜”係指一含1至3個選自N、O、S、及P的雜原子。
下文，係描述根據一實施例之一用於一光阻底層的組成物。
根據一實施例之該用於一光阻底層的組成物包 括一含藉以下化學式1至4而代表的重覆單元之共聚物、及一溶劑。
在化學式1至4中，R1 、R3 、R5 、及R7 獨立為氫、一經取代或未經取代之C1至C20烷基、一經取代或未經取代之C2至C20烯基、一經取代或未經取代之C2至C20炔基、一經取代或未經取代之C3至C20環烷基、一經取代或未經取代之C3至C20環烯基、一經取代或未經取代之C3至C20環炔基、或一經取代或未經取代之C6至C30芳基。
在以上化學式1至4內，R2 可以是一內酯衍生性基團。
該內酯衍生性基團可以是至少一選自丁內酯基、戊內酯基、1,3-環己烷碳內酯基、2,6-降烷碳內酯-5-基、及7-氮雜-2,6-降烷碳內酯-5-基。
在以上化學式1至4內，R4 可以是一經取代或未經取代之C1至C20烷醇基、或一經取代或未經取代之C2至C20烯醇基。
在以上化學式1至4內，R6 可以是一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、或一經取代或未經取代之C2至C20伸炔 基，且R10 可以是一經取代或未經取代之C6至C30芳基。
在以上化學式1至4內，R8 可以是一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基、或一經取代或未經取代之C6至C30伸芳基，且R9 可以是一氟、或一經至少一氟取代之C1至C10烷基。
該共聚物包括如在一藉以上化學式4而代表之重覆單元內的氟原子，且因此，可調整該光阻底層對於一光阻之親和力且可防止一光阻圖案瓦解。此外，該共聚物包括一酸產生劑組份且可對將該酸產生劑組份均勻性分佈在該組成物內有影響，因此不必各別使用一酸產生劑組份以進行交聯，且因此，該組成物可形成一具有高均勻性的薄光阻層。而且，該共聚物係經熱轉換且可產生氧，其會降低一上層內之一光阻圖的LWR(線寬粗糙度)。
在以上化學式1至4內，a、b、c、及d表示各重覆單元之莫耳分數，a+b+c+d=1。各重覆單元之莫耳分數可如下：0.1a0.5、0.1b0.5、0.1c0.5、及0.01d0.2，且特別是0.2a0.4、0.3b0.5、0.2c0.4、及0.05d0.15。當各重覆單元之該莫耳分數係分別在該範圍內時，一光阻底層對於以於其上之一上層形式所形成的光阻不具可溶解性及反應性，而且可具有比該光阻更快速的蝕刻性質及較低的LWR(線寬粗糙度)，因此可形成一不會瓦解的均勻光阻圖案。
該共聚物可以是至少一選自以下的共聚物：一包 括一藉以下化學式5-1而代表之結構單元的共聚物、一包括一藉以下化學式5-2而代表之結構單元的共聚物、一包括一藉以下化學式5-3而代表之結構單元的共聚物、及一包括一藉以下化學式5-4而代表之結構單元的共聚物。
在以上化學式5-1至5-4內，a+b+c+d=1，0.1a0.5，0.1b0.5，0.1c0.5，且0.01d0.2。
當一用於形成光阻底層的組成物包含該共聚物時，在一於其上之上層上的該光阻圖案具有降低的LWR(線寬粗糙度)且可防止瓦解。此外，該含一酸產生劑組份之共聚物係均勻地分散在該組成物內且因此，可增加該光阻底層之交聯性質。因此，該光阻底層可獲得厚度均勻性且即使很薄，特別是於一範圍自248奈米、193奈米、及13.5奈米之波長下，小於70奈米厚，其亦具有一均勻光阻圖案。
該共聚物可具有一範圍自1,000至1,000,000克/莫耳且特別是3,000至100,000克/莫耳之重量平均分子量。此外，該共聚物可具有範圍自1.2至3.0且特別是1.3至2.5的多分散性(Mw/Mn)。當該共聚物具有一在該等範圍內之重量平均分子量及多分散性時，該光阻底層可維持厚度均勻性且可以以合適親水性經施加並可防止該光阻圖案瓦解。
以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該共聚物之含量可以是0.1至10重量%、且特別為0.2至2重量%。當該共聚物之含量在上述範圍內時，可得到一光阻底層所需 的高蝕刻速率。
該溶劑不限於特定溶劑，其限制條件為具有用於該共聚物之充份溶解性及分散性，且，例如可包括至少一選自以下的溶劑：丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、環己酮(亦稱為“anon”)、乳酸乙酸、γ-丁內酯、及乙內酯。
以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該溶劑的含量為一差額數量，特別為90至99.9重量%。
該用於一光阻底層之組成物可進一步包括一交聯劑。
該交聯劑可經由加熱而鍵聯一聚合物之該等重覆單元，且可以是一胺基樹脂，諸如醚化胺基樹脂；甘脲化合物，諸如一藉以下化學式A而代表的化合物；一雙環氧化合物，諸如一藉以下化學式B而代表的化合物；一三聚氰胺化合物，該如N-甲氧基甲基三聚氰胺、N-丁氧基甲基三聚氰胺等；一三聚氰胺衍生物，諸如一藉以下化學式C而代表的化合物；或其等之混合物。
以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該交聯劑之含量可以是0.01至1.0重量%、且特別為0.02至0.5重量%。當該交聯劑的含量在上述範圍時，可確保該交聯作用且不會改變用於一光阻底層之組成物的光學性質。
該用於一光阻底層之組成物可進一步包括一表面活化劑。
該表面活化劑可包括，例如一烷基苯磺酸鹽、一烷基吡錠鹽、聚乙二醇、或一第四銨鹽，但不限於彼等。
下文，係描述一藉使用上述用於一光阻底層之組成物以形成圖案的方法。
根據一實施例之形成一圖案的方法包括提供一材料層在一基板上，施加該用於一光阻底層之組成物至該材料層上以形成一光阻底層，在該光阻底層上形成一光阻層，藉使該光阻層曝光並顯影而形成一光阻圖案，使用該光阻圖案選擇性移除該光阻底層以使該材料層之一部份曝 光，並蝕刻該材料層之已曝光部份。
該基板可以是，例如一矽晶圓、一玻璃基板、或一聚合物基板。
該材料層為一欲最後經圖案化的材料，例如一金屬層，諸如一鋁層及一銅層；一半導體層，諸如一矽層；或一絕緣層，諸如氧化矽層及氮化矽層。該材料層可經由一方法(諸如化學蒸氣沈積(CVD)法)而形成。
該光阻底層可藉施加該用於一光阻底層之組成物而形成。
該用於一光阻底層之組成物係如上述。
該用於一光阻底層之組成物可呈溶液形式藉旋塗式塗覆法而施加。其後，該用於一光阻底層之已施加組成物經熱處置以形成一光阻底層。
文中，雖然該用於一光阻層之組成物的施加厚度、熱處置條件等並無特別限制，但是可以是，例如90.8至10,000埃厚且於一範圍自100至300℃之溫度下經熱處置，費時10秒至10分鐘。
然後，將該光阻層施加在該光阻底層上。該光阻層可以是一含一光敏性材料的輻射靈敏性影像化層。
可以形成厚度小於或等於70奈米、且特別是10至60奈米之該光阻層。當該光阻底層係使用上述用於一光阻底層之組成物形成時，於其上形成之該光阻層可以是一具有高均勻性的薄層。
接著，使該光阻層暴露於一光線下並顯影以形成 一光阻圖案。可藉使用，例如ArF、KrF、E-射束等而進行該曝光。此外，可經由於150至500℃下之熱處置而進行該曝光。
然後，使用該作為一遮罩之光阻圖案以選擇性移除該光阻底層。因此，在該光阻圖案下之材料層可部份曝光。
接著，蝕刻該材料層之已曝光部份。文中，該蝕刻法可以是使用蝕刻氣體之乾蝕刻法。該蝕刻氣體可包括，例如CHF3 、CF4 、CH4 、Cl2 、BCl3 、其等之混合氣體等。
然後，可使用一習知剝除器移除該光阻底層及光阻層以形成該材料層之數個圖案。
該數個圖案可包括各種圖案，諸如在一半導體積體電路元件內之一金屬圖案、一半導體圖案、一絕緣圖案等。在一半導體積體電路元件內所包含的該等圖案可以是一絕緣層，其包括，例如一金屬導線、一半導體圖案、一接觸孔、一偏壓孔、一鑲嵌渠溝等。
下文，參考實例更詳細闡明本發明。然而，其等係為代表性實施例且並不具限制性。
(單體合成法) 合成實例1-1
將17.8克(100毫莫耳)4-羥苯基甲基丙烯酸酯、17.8毫升二氯甲烷、及20.2克(200毫莫耳)三乙胺放在1升燒瓶內並冷却至一範圍自0至5℃的溫度下，然後，一起攪拌。接著一滴滴添加2.92克(100毫莫耳)三氟甲磺酸酐至該經攪 拌混合物內，費時一小時。攪拌所形成產物，費時12小時，並添加178毫升水至其中以完成該反應。然後，萃取所產生的有機層並在一減壓下濃縮以獲得一藉以下反應圖解1而代表的單體A，亦即27.9克(90%之產率)無色結晶狀固體。
圖1表示該單體之1 H NMR分析圖。圖1內所提供之該單體的1 H NMR分析圖係根據合成實例1-1而製成。根據圖1內之該1 H NMR分析結果，可確認該單體A。
合成實例1-2
除了使用2-羥乙基甲基丙烯酸酯以取代根據合成實例1-1之該4-羥苯基甲基丙烯酸酯不同外，根據與合成實例1-1相同的方法合成27.9克(78%之產率)以下單體B。
合成實例1-3
除了使用九氟丁磺酸酐以取代根據合成實例1-1 之該三氟甲磺酸酐不同外，根據與合成實例1-1相同的方法合成27.9克(87%之產率)以下單體C。
合成實例1-4
除了使用2-羥乙基甲基丙烯酸酯以取代根據合成實例1-1之4-羥苯基甲基丙烯酸酯，並使用九氟丁磺酸酐以取代之氟甲磺酸酐不同外，根據與合成實例1-1相同的方法合成27.9(76%之產率)以下單體D。
(共聚物合成法) 合成實例2-1
在一氮氣氛下，將30毫莫耳γ-丁內酯基甲基丙烯酸酯、40毫莫耳羥基異丙基甲基丙烯酸酯、30毫莫耳甲基丙烯酸酯、及10毫莫耳該藉以下化學式1-1而代表的單體A放入一燒瓶內，然後以該等單體之總量的兩倍多之數量溶解在甲基乙基酮溶劑內。接著，添加10毫莫耳作為一聚合反應起始劑的二甲基-2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酮酸酯)(V601,Wako Chemicals Inc.)至該溶液內，且於80℃下聚合該混合物，費時4小時。使該經聚合溶液沈澱在正-己烷中， 並真空乾燥該沈澱物以獲得一含一藉以下化學式5-1而代表的結構單元之共聚物。文中，該共聚物具有一7,300克/莫耳之重量平均分子量、以及1.9之多分散性(Mw/Mn)。
(在以上化學式5-1中，a=0.3，b=0.3，c=0.3，且d=0.1)
合成實例2-2
除了藉合成該根據合成實例1-2之單體B以取代該根據合成實例2-1之單體A不同外，根據與合成實例2-1相同的方法而獲得一含藉以下化學式5-2而代表的結構單元之共聚物。文中，該共聚物具有一6,800克/莫耳之重量平均分子量、以及1.88之多分散性(Mw/Mn)。
(在以上化學式5-2中，a=0.3，b=0.3，c=0.3，且d=0.1)
合成實例2-3
除了使用該根據合成實例1-3之單體C以取代該 根據合成實例2-1之單體A不同外，根據與合成實例2-1相同的方法而合成一含一藉以下化學式5-3而代表的結構單元之共聚物。文中，該共聚物具有一7,800克/莫耳之重量平均分子量、以及1.98之多分散性(Mw/Mn)。
(在以上化學式5-3中，a=0.3，b=0.3，c=0.3，且d=0.1)
合成實例2-4
除了使用該根據合成實例1-4之單體D以取代該根據合成實例2-1之單體A不同外，根據與合成例2-1相同的方法而合成一含一藉以下化學式5-4而代表的結構單元之共聚物。文中，該聚合物具有一7,00克/莫耳之重量平均分子量、以及1.92之多分散性(Mw/Mn)。
(在以上化學式5-4中，a=0.3，b=0.3，c=0.3，且d=0.1)
比較合成例1
在一氮氣氛下，將30毫莫耳γ-丁內酯基甲基丙烯酸酯、40毫莫耳羥基異丙基甲基丙烯酸酯、及30毫莫耳甲基丙烯酸酯放入一燒瓶內並以該等單體之總量的兩倍多溶解在甲基乙基酮溶劑內。然後，添加10毫莫耳作為一聚合反應超始劑之二甲基-2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酮酸酯)((V601,Wako Chemicals Inc.)至該溶液內，且於80℃下聚合該混合物，費時4小時。使該經聚合之反應物沈澱在正-己烷中。真空乾燥該沈澱物以獲得一含一藉以下化學式6而代表的結構單元之共聚物。文中，該共聚物具有一6,900克/莫耳之重量平均分子量及1.83之多分散性(Mw/Mn)。
(在以上化學式6中，a=0.3，b=0.4，且c=0.3)
(用於光阻底層之組成物的製法) 實例1
藉使0.5克該根據合成實例2-1之共聚物及0.125克一藉以下化學式A而代表之甘脲衍生物交聯劑(PD-1174)溶解在100克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)內而製成一用於光阻底層的組成物。
[化學式A]
實例2
除了使用該根據合成實例2-2之共聚物以取代該根據合成實例2-1之共聚物不同外，根據與實例1相同的方法而製成一用於光阻底層的組成物。
實例3
除了使用該根據合成實例2-3之共聚物以取代該根據合成實例2-1之共聚物不同外，根據與實例1相同的方法而製成一用於光阻底層的組成物。
實例4
除了使用合成實例2-4之共聚物以取代根據合成實例2-1的共聚物不同外，根據與實例1相同的方法而製成該用於一光阻底層的組成物。
比較例1
藉使0.5克該根據比較合成例1之共聚物、0.125克之一藉以上化學式A而代表的甘脲衍生物交聯劑(PD-1174)、及0.0125克藉以下化學式7而代表的對-甲苯磺酸吡錠溶解在100克丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)內而製成一用於一光阻底層的組成物。
[化學式7]
(光阻底層及光阻圖案的形成法)
將根據實例1至4及比較例1之各用於一光阻底層的組成物旋塗在一具有氮化矽之矽晶圓上並於205℃下在加熱板上經熱處置，費時60秒以形成一10奈米厚的光阻底層。
接著，塗覆一用於E-射束之光阻以在該光阻底層上形成一60奈米厚的光阻層。於205℃下熱處置該光阻層，費時60秒並使用E-射束曝光設備(由JOEL Ltd製成之JBX-9300FS)使其暴露於一光線下。使用一含2.38重量%四甲基氧化銨(TMAH)之水性溶液使該經曝光的光阻層顯影以形成一光阻圖案，亦即一具有40奈米之解析度的線及空間圖案。
評估1：光阻底層之表面的接觸角及厚度均勻性
使用一接觸角測量裝置以測量根據實例1至4及比較例1之該等光阻底層的表面上之接觸角並使用一k-mac設備以測量在該表面上的厚度均勻性。結果提供在以下表1內。
參考表1，該接觸角表示一光阻底層對於以一上層形式塗覆於其上的光阻之親和力。與根據比較列1之光阻底層比較，該等根據實例1至4之光阻底層具有高親水性，因此可防止該光阻圖案之瓦解。
此外，該等根據實例1至4之光阻底層的厚度均勻性偏差小於根據比較例1之光阻底層，因此，具優異厚度均勻性。
評估2：光阻溶劑的溶析
將根據實例1至4、及比較例1之該等光阻底層分別浸在一作為溶劑之含丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)、Anone、及2.38重量%之四甲基氫氧化銨(TMAH)的水性溶液內。然後，在欲浸在該溶劑前及後，使用一k-mac儀器測量該等光阻底層之厚度變化。結是提供在下表2內。
該厚度變化(埃)為將該等光阻底層浸在該溶劑內之前及後的差異值，接著，藉以百分率計算該厚度變化(埃)而獲得該厚度變化比(%)。
該厚度變化比表示該等光阻底層溶解在一溶劑或顯影溶液內的程度。已證明根據實例1至4及比較例1之該等光阻底層幾乎不能溶解在該溶劑或顯影溶液內。
評估3：光阻圖案之解析度、LWR、及瓦解
使用CD測定SEM測量該等根據實例1至4及比較 例1之光阻圖案的解析度、LWR、及瓦解。結果提供在圖2至圖6以及下表3內。
圖2至圖6為表示根據實例1至4及比較例1之光阻圖案的解析度之掃描式電子顯微鏡(SEM)相片。
參考表3及圖2至圖6，該等根據實例1至4之光阻圖案具有優異解析度且可獲得一高整合性半導體積體電路元件，而且具小LWR及無瓦解現象。另一方面，如圖6之SEM相片所示，該根據比較例1之光阻圖案具有劣解析度。此外，該光阻圖案經瓦解，且測不出其LWR。因此，與根據比較例1之光阻圖案比較，實例1至4顯示一具有較小LWR且無瓦解現象的均勻光阻圖案。
雖然本揭示文業經參考目前被認為實用的代表性實例加以說明，但是應瞭解本發明不限於所揭示該等實施例，反倒是有意涵蓋屬於附加申請專利範圍之精神及範圍的各種修飾及同等的安排。

Claims (12)

  1. 一種用於一光阻底層的組成物，其包含：一包括藉以下化學式1至4而代表的重覆單元之共聚物；及一溶劑： 其中，在化學式1至4內，R1 、R3 、R5 、及R7 獨立為氫、一經取代或未經取代之C1至C20烷基、一經取代或未經取代之C2至C20烯基、一經取代或未經取代之C2至C20炔基、一經取代或未經取代之C3至C20環烷基、一經取代或未經取代之C3至C20環烯基、一經取代或未經取代之C3至C20環炔基、或一經取代或未經取代之C6至C30芳基，R2 為一內酯衍生性基團，R4 為一經取代或未經取代之C1至C20烷醇基團、或一經取代或未經取代之C2至C20烯醇基團。R6 為一單鍵、一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、或一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基，R10 為一經取代或未經取代之C6至C30芳基，R8 為一經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、一經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、一經取代或未經取代之C2至C20伸炔基、或一經取代或未經取代之C6至 C30伸芳基，R9 為氟、或一經至少一氟取代的C1至C10烷基，a+b+c+d=1，0.1a0.5，0.1b0.5，0.1c0.5，及0.01d0.2。
  2. 如申請專利範圍第1項之用於一光阻底層的組成物，其中該共聚物包含至少一選自以下的共聚物：一含有一藉以下化學式5-1而代表的結構單元之共聚物、一含有一藉以下化學式5-2而代表的結構單元之共聚物、一含有一藉以下化學式5-3而代表的結構單元之共聚物、及一含有一藉以下化學式5-4而代表的結構單元之共聚物， [化學式5-3] 在化學式5-1至5-4中，a+b+c+d=1，0.1a0.5，0.1b0.5，0.1c0.5，及0.01d0.2。
  3. 如申請專利範圍第1項之用於一光阻底層的組成物，其中在以上化學式1至4中，a、b、c、及d為0.2a0.4，0.3b0.5，0.2c0.4及0.05d0.15。
  4. 如申請專利範圍第1項之用於一光阻底層的組成物，其中該共聚物具有1,000至1,000,000克/莫耳之重量平均分子量。
  5. 如申請專利範圍第1項之用於一光阻底層的組成物，其中以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該聚合物的含量為0.1至10重量%。
  6. 如申請專利範圍第1項之用於一光阻底層的組成物，其 中該用於一光阻底層的組成物進一步包含一交聯劑。
  7. 如申請專利範圍第6項之用於一光阻底層的組成物，其中該交聯劑包含至少一選自胺基樹脂、甘脲化合物、雙環氧化合物、三聚氰胺化合物、及三聚氰胺衍生物。
  8. 如申請專利範圍第6項之用於一光阻底層的組成物，其中以該用於一光阻底層之組成物的總量計，該交聯劑的含量為0.01至1.0重量%。
  9. 一種用於形成圖案的方法，其包含提供一材料層在一基板上；施加如申請專利範圍第1至8項中任一項之用於一光阻底層的組成物至該材料層上以形成一光阻底層；在該光阻底層上形成一光阻層；藉使該光阻層曝光並顯影而形成一光阻圖案；藉使用該光阻圖案而選擇性移除該光阻底層並使該材料層之一部份曝光；且蝕刻該材料層之已曝光部份。
  10. 如申請專利範圍第9項之用於形成圖案的方法，其中該光阻底層係經由一旋塗式塗覆法而形成。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該光阻層具有一小於或等於70奈米的厚度。
  12. 一種半導體積體電路元件，其包含數個藉如申請專利範圍第9項之用於形成該圖案的方法所形成的圖案。
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