JP2013516643A - レジスト下層膜用芳香族環含有重合体およびこれを含むレジスト下層膜組成物 - Google Patents
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-
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-
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Abstract
前記芳香族環含有重合体は、化学式1で表される単位構造を含む。前記化学式1の定義は、明細書に記載されたとおりである。
Description
pは、1または2の整数であり、qは、1〜5の整数であり、kは、1〜6の整数であり、q+kは、1〜6の整数であり、
Xは、ヒドロキシ基(−OH)、置換もしくは非置換のC1〜C10アルコキシ基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリールオキシ基であり、
Raは、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基、置換もしくは非置換のC2〜C10アルケニル基またはハロゲンであり、
Rbは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。
rは、1〜8の整数であり、
Rcは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。
pは、1または2の整数であり、qは、1〜5の整数であり、kは、1〜6の整数であり、q+kは、1〜6の整数であり、
Xは、ヒドロキシ基(−OH)、置換もしくは非置換のC1〜C10アルコキシ基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリールオキシ基であり、
Raは、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基、置換もしくは非置換のC2〜C10アルケニル基またはハロゲンであり、
Rbは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。
R1〜R54は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはハロゲンであり、
h1〜h54は、それぞれ独立して、0〜k−1である(ここで、kは、それぞれの芳香族環に存在し得るHの総数に対応する)。
rは、1〜8の整数であり、
Rcは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。
合成例1−1:1−ホルミル−アセナフチレンとノルボニレン共重合体との合成
温度計、コンデンサおよびメカニカル撹拌機を備えた5,000mLの3口フラスコを準備した後、20℃のオイル恒温槽中に浸漬した。この恒温槽をホットプレートの上に乗せ、恒温を維持しつつ、磁石による撹拌を行い、コンデンサの冷却水温度は5℃に固定した。0.2molの1−ホルミル−アセナフチレン30.44gと0.6molのノルボニレン56.50gとを反応器に投入して250mLの1,2−ジクロロエタンに溶かした後、30分間撹拌した。0.01molの重合開始剤であるAIBN2.3gを徐々に投入して12時間程度反応させた。
合成例1−1で得られた共重合体は、重合が完了すると温度を常温に下げ、その後、0.071molのメチルマグネシウムブロミド8.5gを徐々に加えた。常温を維持したまま3時間程度反応を行った後、300mLの蒸留水で反応を終結させた。有機層を十分な水で水洗した後、有機層のみを別に分離してマグネシウムスルフェートで少量の水分を除去した。固体はろ過した後、減圧下で溶媒を完全に除去した。
合成例1−1で合成された共重合体に0.071molのナフチルマグネシウムブロミド11.88gを反応器に加えたことを除いては、合成例1と同一の工程で共重合体を合成した。
合成例1−1で合成された共重合体に0.071molのシクロヘキシルマグネシウムブロミド9.21gを反応器に加えたことを除いては、合成例1と同一の工程で共重合体を合成した。
合成例4−1:1−ホルミル−アセナフチレンの重合
温度計、コンデンサおよびメカニカル撹拌機を備えた5,000mLの3口フラスコを準備した後、20℃のオイル恒温槽中に浸漬した。この恒温槽をホットプレートの上に乗せ、恒温を維持しつつ、磁石による撹拌を行い、コンデンサの冷却水温度は5℃に固定した。0.2molの1−ホルミル−アセナフチレン30.44gを反応器に投入して250mlの1,2−ジクロロエタンに溶かした後、30分間撹拌した。0.01molの重合開始剤であるAIBN2.3gを徐々に投入して12時間程度反応させた。
重合が完了すると温度を常温に下げ、その後、0.071molのフェニルマグネシウムブロミド8.8gを徐々に加えた。常温を維持したまま、3時間程度反応を実施した後、300mLの蒸留水で反応を終結させた。有機層を十分な水で水洗した後、有機層のみを別に分離してマグネシウムスルフェートで少量の水分を除去した。固体はろ過した後、減圧下で溶媒を完全に除去した。
合成例1−1で合成された共重合体に0.071molのアリルマグネシウムブロミド8.54gを反応器に加えたことを除いては、合成例1と同一の工程で共重合体を合成した。
メカニカル撹拌機、冷却管、300ml滴加漏斗、窒素ガス導入管を備えた1リットルの4口フラスコに窒素ガスを流入しながらα、α'−ジクロロ−p−キシレン8.75g(0.05モル)と塩化アルミニウム(Aluminum Chloride)26.66gと200gのγ−ブチロラクトンを入れて撹拌した。10分後に4,4'−(9−フルオレニリデン)ジフェノール35.03g(0.10モル)を200gのγ−ブチロラクトンに溶かした溶液を30分間徐々に滴下した後、12時間反応を実施した。反応終了後、水を使用して酸を除去した後に蒸発器で濃縮した。次に、メチルアミルケトン(MAK)とメタノールとを使用して希釈し、15重量%濃度のMAK/メタノール=4/1(重量比)の溶液に調整した。この溶液3リットルを分液漏斗に入れ、これにn−ヘプタンを添加してモノマーを含有する低分子量体を除去し、下記化学式11で表される重合体(Mw=12,000、polydispersity=2.0)を得た。
合成例1〜5で作られた高分子をそれぞれ0.8gずつ計量して下記化学式3で表される架橋剤(Powderlink 1174)0.2gとピリジニウムp−トルエンスルホネート2mgをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(Propyleneglycolmonomethyletheracetate、以下、PGMEAという)9gとに入れて溶かした後、ろ過してそれぞれ実施例1〜5のサンプル溶液を作った。
比較合成例1で作られた高分子0.8gと架橋剤(Cymel 303)0.2gおよびピリジニウムp−トルエンスルホネート2mgとを、PGMEA9gに入れて溶かした後、ろ過して比較例1のサンプル溶液を作った。
実施例1〜5および比較例1で形成されたフィルムに対する屈折率(refractive index)nと吸光係数(extinction coefficient)kとをそれぞれ求めた。使用機器は、Ellipsometer(J.A.Woollam社)であり、その測定結果を表1に示した。
実施例1〜5および比較例1で作製したサンプル溶液を、それぞれアルミニウムで被覆されたシリコンウエハーの上にスピン−コーティング法でコーティングし、60秒間240℃で焼いて厚さ3000Åのフィルムを形成させた。
実施例1〜5および比較例1で作製したサンプル溶液を、それぞれアルミニウムで被覆されたシリコンウエハーの上にスピン−コーティング法でコーティングし、60秒間200℃で焼いて厚さ1500Åのフィルムを形成させた。形成されたそれぞれのフィルムの上にKrF用フォトレジストをコーティングし、110℃で60秒間焼き、ASML(XT:1450G、NA 0.93)社の露光装備を使用してそれぞれ露光をした後、TMAH(2.38wt%水溶液)でそれぞれ現像して90nmのラインアンドスペースパターンを得た。
Claims (11)
- 下記化学式1で表される単位構造を含む、レジスト下層膜用芳香族環含有重合体:
pは、1または2の整数であり、qは、1〜5の整数であり、kは、1〜6の整数であり、q+kは、1〜6の整数であり、
Xは、ヒドロキシ基(−OH)、置換もしくは非置換のC1〜C10アルコキシ基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリールオキシ基であり、
Raは、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基、置換もしくは非置換のC2〜C10アルケニル基またはハロゲンであり、
Rbは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。 - 芳香族環含有重合体は、下記化学式2で表される単位構造をさらに含む、請求項1に記載のレジスト下層膜用芳香族環含有重合体:
rは、1〜8の整数であり、
Rcは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。 - 前記化学式2の単位構造は、前記化学式1の単位構造1モルに対して1〜10モルの範囲で含まれる、請求項2に記載のレジスト下層膜用芳香族環含有重合体。
- 前記化学式1のRaは、下記化学式1−1〜1−12からなる群より選択される、請求項1に記載のレジスト下層膜用芳香族環含有重合体:
R1〜R54は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはハロゲンであり、
h1〜h54は、それぞれ独立して、0〜k−1である(ここで、kは、それぞれの芳香族環に存在し得るHの総数に対応する)。 - 下記化学式1の単位構造を含む芳香族環含有重合体および有機溶媒を含むレジスト下層膜組成物:
pは、1または2の整数であり、qは、1〜5の整数であり、kは、1〜6の整数であり、q+kは、1〜6の整数であり、
Xは、ヒドロキシ基(−OH)、置換もしくは非置換のC1〜C10アルコキシ基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリールオキシ基であり、
Raは、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基、置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基、置換もしくは非置換のC2〜C10アルケニル基またはハロゲンであり、
Rbは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。 - 前記芳香族環含有重合体は、下記化学式2で表される単位構造をさらに含む、請求項5に記載のレジスト下層膜用組成物:
rは、1〜8の整数であり、
Rcは、水素、置換もしくは非置換のC1〜C10アルキル基、置換もしくは非置換のC3〜C8シクロアルキル基または置換もしくは非置換のC6〜C30アリール基である。 - 前記化学式2の単位構造は、前記化学式1の単位構造1モルに対して1〜10モルの範囲で含まれる、請求項5に記載のレジスト下層膜用組成物。
- 前記化学式1のRaは、下記化学式1−1〜1−12からなる群より選択される、請求項5に記載のレジスト下層膜用組成物:
R1〜R54は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基またはハロゲンであり、
h1〜h54は、それぞれ独立して、0〜k−1である(ここで、kは、それぞれの芳香族環に存在し得るHの総数に対応する)。 - 前記芳香族環含有重合体の混合物の含量は、1〜20重量%である、請求項5に記載のレジスト下層膜組成物。
- 前記レジスト下層膜組成物は、界面活性剤をさらに含む、請求項5に記載のレジスト下層膜組成物。
- 前記レジスト下層膜組成物は、架橋成分をさらに含む、請求項5に記載のレジスト下層膜組成物。
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JP2012546981A Active JP5681208B2 (ja) | 2009-12-31 | 2010-10-11 | レジスト下層膜用芳香族環含有重合体およびこれを含むレジスト下層膜組成物 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016161886A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101432605B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2014-08-21 | 제일모직주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 |
KR101566533B1 (ko) * | 2012-10-24 | 2015-11-05 | 제일모직 주식회사 | 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법 |
JPWO2014097993A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2017-01-12 | 日産化学工業株式会社 | 多環芳香族ビニル化合物を含む自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
WO2014156374A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Jsr株式会社 | 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法 |
JP6712188B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2020-06-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP6525376B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-06-05 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | オーバーコートされたフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物 |
KR102456451B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2022-10-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법, 패터닝된 기판의 제조 방법 그리고 화합물 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004264710A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
JP2005250434A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
US20090226843A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, resist composition, and patterning process |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4288776B2 (ja) | 1999-08-03 | 2009-07-01 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
EP1205805B1 (en) | 2000-11-14 | 2004-09-15 | JSR Corporation | Anti-reflection coating forming composition |
JP3852107B2 (ja) | 2000-11-14 | 2006-11-29 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
TWI317365B (en) * | 2002-07-31 | 2009-11-21 | Jsr Corp | Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition |
KR100929968B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2009-12-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 하층막 형성 재료 |
KR100971842B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2010-07-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법 |
KR100671115B1 (ko) | 2005-05-09 | 2007-01-17 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
US7829638B2 (en) | 2005-05-09 | 2010-11-09 | Cheil Industries, Inc. | Antireflective hardmask composition and methods for using same |
KR100655064B1 (ko) | 2005-05-27 | 2006-12-06 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
KR100673625B1 (ko) | 2005-06-17 | 2007-01-24 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용하여 기판 상에패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법 |
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JP4548616B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法 |
JP4662063B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
KR100833212B1 (ko) | 2006-12-01 | 2008-05-28 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
KR100826103B1 (ko) | 2006-05-30 | 2008-04-29 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
WO2007139268A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Cheil Industries Inc. | Antireflective hardmask composition |
KR100792045B1 (ko) | 2006-08-10 | 2008-01-04 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
JP5183903B2 (ja) | 2006-10-13 | 2013-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
KR100796047B1 (ko) | 2006-11-21 | 2008-01-21 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스 |
KR100836675B1 (ko) | 2006-12-20 | 2008-06-10 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스 |
KR100816735B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-03-25 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스 |
KR100865684B1 (ko) | 2006-12-21 | 2008-10-29 | 제일모직주식회사 | 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 반도체집적회로 디바이스 |
KR100826104B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-04-29 | 제일모직주식회사 | 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한패턴화된 재료 형상의 제조방법 |
KR100896451B1 (ko) | 2006-12-30 | 2009-05-14 | 제일모직주식회사 | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 |
CN101641390B (zh) | 2007-04-02 | 2013-05-01 | 第一毛织株式会社 | 具有抗反射性能的硬掩模组合物及用其图案化材料的方法 |
KR100888611B1 (ko) | 2007-06-05 | 2009-03-12 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상재료의 패턴화 방법 |
KR100866015B1 (ko) | 2007-05-25 | 2008-10-30 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화방법 |
KR100819162B1 (ko) | 2007-04-24 | 2008-04-03 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 |
KR100908601B1 (ko) | 2007-06-05 | 2009-07-21 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법 |
KR100930673B1 (ko) | 2007-12-24 | 2009-12-09 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 |
KR100930672B1 (ko) | 2008-01-11 | 2009-12-09 | 제일모직주식회사 | 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 |
JP4513989B2 (ja) | 2008-01-18 | 2010-07-28 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR100844019B1 (ko) | 2008-05-30 | 2008-07-04 | 제일모직주식회사 | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 |
-
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-
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-
2012
- 2012-07-02 US US13/540,202 patent/US8415424B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004264710A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
JP2005250434A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
US20090226843A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, resist composition, and patterning process |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016161886A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス |
EP3623867A1 (en) | 2018-09-13 | 2020-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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