JP2018200931A - パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム - Google Patents
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Abstract
Description
前記被転写基材としては、石英ガラス基板を用いることができる。
本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
図1は、本実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示すフローチャートであり、図2及び図3は、本実施形態に係るパターン形成方法を含む凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。
第1面11及びそれに対向する第2面12を有する基材10を準備し、当該基材10の第1面11上に樹脂製の凹凸パターン31を形成する(図1のS01,図2(A)〜(C)参照)。
まず、樹脂製の凹凸パターン31に対応する凹凸構造41を有するインプリントモールド40を準備するとともに、基材10のハードマスク層20上にインプリント樹脂膜30を形成する(図2(A)参照)。
インプリント処理により形成された樹脂製の凹凸パターン31の凹部31bの底部には、所定の厚さ(1nm〜20nm程度、好ましくは5nm〜10nm程度)の残膜部31cが存在する(図2(C)参照)。この残膜部31cは、ハードマスク層20をエッチングする前に除去されるのが望ましい。残膜部31cを有する凹凸パターン31に後述するガス暴露工程(図1のS03〜S07,図3(A)参照)を施すと、残膜部31cのエッチング耐性が向上し、残膜部31cを除去し難くなる。そこで、ガス暴露工程(図1のS03〜S07,図3(A)参照)を実施するよりも前に、残膜部31cを除去する(図2(D)参照)。
本実施形態においては、上述のようにして残膜部31cが除去されて得られた凹凸パターン32を、後述するように第1ガス及び第2ガスに曝すが、それに先立ち、当該凹凸パターン32の凸部の表面及び凹部の表面(残膜部31cが除去されて露出したハードマスク層20の表面)を覆う吸着防止層を形成してもよい。後述する第1ガス暴露工程において凹凸パターン32を曝す第1ガスは、無機元素含有化合物を含み、第1ガスを曝すことで、凹凸パターン32の表面に無機元素含有化合物が吸着することがある。凹凸パターン32の表面に無機元素含有化合物が吸着してしまうと、無機元素含有化合物が凹凸パターン32の内部に浸透し難くなり、エッチング耐性を向上させる効果が奏され難くなる。また、凹凸パターン32の凹部の表面(ハードマスク層20の表面)に無機元素含有化合物が堆積したり、残膜部31cが除去しきれずに樹脂材料が凹部に残存してしまったりすると、凹部から露出するハードマスク層20を加工(エッチング)し難くなる。そのため、第1ガス暴露工程を実施する前に、凹凸パターン32の表面に吸着防止層を形成することで、無機元素含有化合物を凹凸パターン32の表面に吸着させ難くし、内部に浸透しやすくすることができるとともに、無機元素含有化合物が内部に浸透した凹凸パターン32をマスクとしてハードマスク層20を加工(エッチング)しやすくすることができる。かかる吸着防止層を構成する材料としては、例えば、シランカップリング剤(例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン等に代表されるアルキルシランカップリング剤や、ベンゼン環、ベンゾフェノン基等を有するシランカップリング剤)、疎水性高分子ポリマー、グラフェン等の炭素膜等が挙げられ、吸着防止層は、例えば、液相法、気相法、CVDやALD等の蒸着法、スパッタリング法等により形成され得る。なお、レジストパターン31を形成する前に、基材10のハードマスク層20上に予め上記吸着防止層を形成しておいてもよい。
次に、残膜部31cが除去されて得られた凹凸パターン32を有する基材10を第1ガス及び第2ガスに曝すが(図1のS03〜S07)、予め第1ガス暴露工程(図1のS03)の処理条件(第1処理条件)及び第2ガス暴露工程(図1のS06)の処理条件(第2処理条件)を設定する(図1のS02)。
上記のようにして設定された第1処理条件に従い、凹凸パターン32に対して第1ガス暴露工程を行う(図1のS03)。具体的には、まず、第1処理条件に従い、凹凸パターン32の周囲の雰囲気を、ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有し、キャリアガスとして窒素(N2)等の不活性ガスを含有する第1ガスの雰囲気とすることで、当該第1ガスに樹脂製の凹凸パターン32を曝す。樹脂製の凹凸パターン32を第1処理条件に従って第1ガスに曝すことで、凹凸パターン32内部において、凹凸パターン32を構成する樹脂材料の化学構造中の反応性官能基と無機元素含有化合物とを反応させることができる。
次に、窒素(N2)等の不活性ガスを供給し、余剰の第1ガスをパージ(排気)する(図1のS04)。第1ガスを凹凸パターン32に曝し続けると、反応性官能基と無機元素含有化合物との反応が経時的に進行し難くなるため、余剰の第1ガスをパージ(排気)し、再び第1ガス暴露工程(図1のS03)を行うことで、反応性官能基と無機元素含有化合物との反応を効率的に進行させることができる。また、凹凸パターン32の内部に無機元素含有化合物を効果的に浸透させることができる。かかる第1ガスパージ工程は、例えば10〜10000秒程度実施され得る。この一連の工程(図1のS03〜S04)を1サイクルとし、第1処理条件に従って複数サイクル繰り返し実施する。上記第1ガス暴露工程及び第1ガスパージ工程の一連の工程(図1のS03〜S04)を複数サイクル繰り返すことで、無機元素含有化合物を凹凸パターン32内部深くにまで効果的に浸透させ、凹凸パターン32内部で効率よく化学反応させることができる。そのため、凹凸パターン32の表面及び内部において同等のエッチング耐性を奏することができ、当該凹凸パターン32をマスクとしたハードマスク層20や基材10のエッチング処理時に、凹凸パターン32の頂部に凹部が形成されてしまうのを抑制することができる。その結果として、基材10に高精度に凹凸パターンを転写することができる。
続いて、第2処理条件に従い、酸化剤を含有する第2ガスに樹脂製の凹凸パターン32を曝す(第2ガス暴露工程,図1のS06)。複数サイクルに亘って繰り返し第1ガスに曝された樹脂製の凹凸パターン32を第2ガスに曝すことで、凹凸パターン32を構成する樹脂材料の反応性官能基に結合した無機元素含有化合物部位に含まれる残余の反応活性基が加水分解されて水酸基に置換される。その後に脱水縮合反応が起こることで、樹脂製の凹凸パターン32のエッチング耐性を向上させることができる。第2ガス暴露工程は、1回のみ行われる。なお、第2ガス暴露工程は、2回以上繰り返して行われてもよい。
次に、窒素(N2)等の不活性ガスを供給し、余剰の第2ガスをパージ(排気)する(図1のS07)。かかる第2ガスパージ工程(図1のS07)は、例えば30〜1000秒程度実施されればよく、第2ガスパージ工程を行う時間は、状況に応じて、適宜選択される。
上記第1ガス暴露工程及び第2ガス暴露工程(図1のS03〜S07)を施すことで、樹脂製の凹凸パターン32のエッチング耐性を向上させ得るが、当該凹凸パターン32の凸部32a間から露出するハードマスク層20上に無機元素含有化合物由来の薄膜(無機元素含有化合物としてTMAを用いた場合にはAl2O3の薄膜,膜厚:0.1nm〜10nm程度)が形成されてしまう。この薄膜が残存していると、後述するハードマスク層20をエッチングしてハードマスクパターン21を形成する工程(図3(C)参照)において、当該ハードマスクパターン21の寸法等の精度が低下するおそれがある。そのため、この薄膜をウェットエッチングにより除去するのが好ましい。
続いて、上述した第1ガス暴露工程及び第2ガス暴露工程(図1のS03〜S07)、並びにウェットエッチング工程が施された凹凸パターン32をマスクとして用いて、ハードマスク層20をエッチングし、ハードマスクパターン21を形成する(図3(C)参照)。本実施形態においては、樹脂製の凹凸パターン32のエッチング耐性が向上していることで、ハードマスク層20のエッチング処理中に凹凸パターン32が消失してしまうのを防止することができる。したがって、寸法精度の極めて高いハードマスクパターン21が形成される。
このようにして形成されたハードマスクパターン21をマスクとして用いて、基材10の第1面11側をドライエッチングし、凹凸構造1aを形成し(図3(D)参照)、最後にハードマスクパターン21を除去することで、凹凸構造1aを有する凹凸構造体1が製造される(図3(E)参照)。なお、本実施形態において製造される凹凸構造体1としては、例えば、インプリントモールド、フォトマスク、凹凸構造1aとしての配線パターンを有する半導体チップ等が挙げられる。
本実施形態において製造される凹凸構造体1としてのインプリントモールドは、レプリカモールドを製造するためのマスターモールドとして用いることができる。当該レプリカモールドの製造方法は、マスターモールドとしての凹凸構造体1と、第1面及びそれに対向する第2面を有し、第1面上にハードマスク層(金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等からなる)が形成されているレプリカモールド用基材とを準備する工程、レプリカモールド用基材のハードマスク層上にインプリント樹脂膜(アクリル系、メタクリル系等の紫外線硬化性樹脂等からなる膜)を成膜する工程、凹凸構造体1の凹凸構造2をインプリント樹脂膜に転写し、凹凸構造体1の凹凸構造1aを反転させた凹凸パターンをインプリント樹脂膜に形成する工程、レプリカモールド用基材のハードマスク層上に形成された凹凸パターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程、及びハードマスクパターンをマスクとしてレプリカモールド用基材の第1面側をエッチングして、凹凸構造体1の凹凸構造1aを反転させた凹凸構造をレプリカモールド用基材の第1面に形成する工程を含む。
続いて、本実施形態に係るパターン形成方法における第1ガス暴露工程及び第2ガス暴露工程(図1のS03〜S07)を実施可能なレジストパターン改質装置について説明する。図4は、本実施形態におけるレジストパターン改質装置の構成を概略的に示す概略構成図である。
続いて、本実施形態におけるパターン形成システムについて説明する。図6及び図7は、本実施形態におけるパターン形成システムの概略構成を示すブロック図である。
反応性官能基としてのカルボニル基を有する電子線レジスト(PMMA,アルドリッチ社製)をシリコンウェハの一方面上にスピンコートで塗布してレジスト膜を形成した。当該レジスト膜が形成されたシリコンウェハを、ALD装置(ウルトラテック社製,製品名:SavannahS200)のチャンバにセットし、第1ガス暴露工程(図1のS03)を実施した。
キャリアガス:窒素(N2)
処理圧力条件:466.6Pa(3.5Torr)
処理時間:60秒
処理圧力条件:933.2Pa(7.0Torr)
処理時間:500秒
反応性官能基としてのカルボニル基を有する電子線レジスト(PMMA,アルドリッチ社製)をシリコンウェハの一方面(第1面)上にスピンコートで塗布し、レジスト膜を形成した。当該レジスト膜に電子線描画装置を用いてパターン潜像を形成し、現像処理を施すことで、ラインアンドスペース形状の凹凸パターン32(ハーフピッチ:32nm,高さ:30nm)を形成した。凹凸パターン32が形成されたシリコンウェハを、ALD装置(ウルトラテック社製,製品名:SavannahS200)のチャンバにセットして、試験例1と同様にして第1ガス暴露工程(図1のS03)を実施した。
一連の工程(第1ガス暴露工程及び第1ガスパージ工程)を100サイクル実施した以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面に凹凸パターンを形成した。電子顕微鏡を用いてシリコンウェハの第1面に形成された凹凸パターンを観察したところ、凹凸パターン32が高精度に転写されていることが確認された。
ガス暴露工程(第1ガス暴露工程及び第1ガスパージ工程の一連の工程、並びに第2ガス暴露工程及び第2ガスパージ工程)を実施しなかった以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面に凹凸パターンを形成した。電子顕微鏡を用いてシリコンウェハの第1面に形成された凹凸パターンを観察したところ、樹脂製の凹凸パターンが転写されているものの、実施例1及び実施例2に比して、シリコンウェハの第1面に形成された凹凸パターンの高さが低いことが確認された。樹脂製の凹凸パターンのエッチング耐性が不十分であったことが要因であると推察される。
第1ガス暴露工程、第1ガスパージ工程、第2ガス暴露工程及び第2ガスパージ工程の順の一連の工程を5サイクル実施した以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面に凹凸パターンを形成した。電子顕微鏡を用いてシリコンウェハの第1面に形成された凹凸パターンを観察したところ、当該凹凸パターンの頂部に凹部が形成されていた。比較例2においては、樹脂製の凹凸パターン内部まで効果的にトリメチルアルミニウムが浸透されなかったことが、シリコンウェハの第1面に形成された凹凸パターンの頂部に凹部が形成された要因であると推察される。
反応性官能基としてのカルボニル基を有するポジ型電子線レジスト(ZEP520A,日本ゼオン社製)をシリコンウェハの一方面(第1面)上にスピンコートで塗布し、レジスト膜を形成した。当該レジスト膜に電子線描画装置を用いてパターン潜像(露光部及び未露光部)を形成した。パターン潜像が形成されたレジスト膜に対し、試験例1と同様にしてガス暴露工程(第1ガス暴露工程及び第1ガスパージ工程の一連の工程を200サイクル、第2ガス暴露工程及び第2ガスパージ工程を1サイクル)を実施した。その後、シリコンウェハの第1面にドライエッチング処理を施した。その結果、当該ドライエッチング処理により未露光部が除去され、シリコンウェハの第1面上に露光部を凹凸パターンとして残存させることができた。
10…基材
11…第1面
12…第2面
20…ハードマスク層
21…ハードマスクパターン
31…凹凸パターン
31a…凸部
31b…凹部
31c…残膜部
32…凹凸パターン
Claims (21)
- 第1面及びそれに対向する第2面を有する基材の当該第1面上に、複数の凸部及び凹部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有する第1ガスに前記レジストパターンを所定の条件で曝すことで、前記無機元素含有化合物と前記レジストパターンを構成するレジスト材料とを化学反応させる第1ガス暴露工程と、
前記第1ガス暴露工程後、酸化剤を含有する第2ガスに前記レジストパターンを所定の条件で曝す第2ガス暴露工程と
を有し、
前記第1ガス暴露工程を複数回繰り返し行った後に、前記第2ガス暴露工程を少なくとも1回行うパターン形成方法。 - 前記第1ガス暴露工程は、前記レジストパターンの周囲の雰囲気を前記第1ガス雰囲気にする工程と、前記レジストパターンの周囲から前記第1ガスを排気する工程とを含む請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記第2ガス暴露工程において、大気圧下で前記第2ガスに前記レジストパターンを曝す請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターン形成工程後、前記第1ガス暴露工程前に、前記レジストパターンの前記凸部の表面及び前記凹部の表面を覆う吸着防止層を形成する吸着防止層形成工程をさらに有する請求項1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターン形成工程において、前記凸部及び凹部に対応する凹部及び凸部を有するインプリントモールドを用い、ヘリウムガス又は凝集性ガス雰囲気下でインプリント処理を行うことにより前記レジストパターンを形成する請求項1〜4のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターン形成工程において、電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法により前記レジストパターンを形成する請求項1〜4のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記基材が、石英ガラス基板又はシリコン基板である請求項1〜6のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法により、前記基材の前記第1面上に前記パターンを形成する工程と、
前記パターンをマスクとして、前記基材の前記第1面側をエッチングする工程と
を有する凹凸構造体の製造方法。 - 前記第1面上にハードマスク層が形成されてなる前記基材の前記ハードマスク層上に、請求項1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法により前記パターンを形成する工程と、
前記パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングすることで、ハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンをマスクとして、前記基材の前記第1面側をエッチングする工程と
を有する凹凸構造体の製造方法。 - 請求項8又は9に記載の凹凸構造体の製造方法により製造された前記凹凸構造体をマスターモールドとして用いてレプリカモールドを製造する方法であって、
前記マスターモールドと、第1面及びそれに対向する第2面を有する被転写基材とを準備し、前記被転写基材の前記第1面上の被転写材料に前記マスターモールドの凹凸パターンを転写し、前記マスターモールドの凹凸パターンを反転させた凹凸パターンを形成する工程と、
前記被転写基材の前記第1面上に形成された前記凹凸パターンをマスクとして前記被転写基材の前記第1面側をエッチングする工程と
を有するレプリカモールドの製造方法。 - 前記被転写基材が、石英ガラス基板である請求項10に記載のレプリカモールドの製造方法。
- 複数の凸部及び凹部を有するレジストパターンを改質するレジストパターン改質装置であって、
前記レジストパターンに対し、ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有する第1ガス及び酸化剤を含有する第2ガスのそれぞれを所定の条件で暴露可能なガス暴露部と、
前記第1ガスの暴露による前記レジストパターンの改質状態を検出する検出部と、
前記ガス暴露部における前記第1ガスの暴露及び前記第2ガスの暴露を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記ガス暴露部に、前記レジストパターンに対する前記第1ガスの暴露を複数回繰り返し行わせた後、前記検出部による検出結果に基づき、前記第2ガスの暴露を1回行わせるレジストパターン改質装置。 - 前記検出部は、前記レジストパターンの光学特性の変化により前記レジストパターンの改質状態を検出する請求項12に記載のレジストパターン改質装置。
- 前記レジストパターンの光学特性の変化は、所定の波長の光線に対する反射率の変化、屈折率変化、IR特性の変化又は色調の変化である請求項13に記載のレジストパターン改質装置。
- 前記検出部は、前記レジストパターンの重量変化により前記レジストパターンの改質状態を検出する請求項12に記載のレジストパターン改質装置。
- 前記ガス暴露部による前記レジストパターンに対する前記第1ガスの暴露処理に関する第1処理条件データ及び前記第2ガスの暴露処理に関する第2処理条件データと、前記レジストパターンの改質状態に関する改質状態データとを関連付けて記憶する記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記記憶部に記憶されている前記第1処理条件データ、前記第2処理条件データ及び前記改質状態データに基づいて、前記ガス暴露部における前記第1ガスの暴露及び前記第2ガスの暴露を制御する請求項12〜15のいずれかに記載のレジストパターン改質装置。 - 前記記憶部には、前記レジストパターンを構成する有機材料の電子密度に関する電子密度データが、前記第1処理条件データ、第2処理条件データ及び前記改質状態データに関連付けられて記憶されている請求項16に記載のレジストパターン改質装置。
- 請求項12〜17のいずれかに記載のレジストパターン改質装置と、
前記レジストパターン改質装置により改質される前記レジストパターンを形成するレジストパターン形成装置と
を備えるパターン形成システム。 - 前記レジストパターン改質装置により改質された前記レジストパターンをマスクとして被加工部材をエッチングするエッチング装置をさらに備える請求項18に記載のパターン形成システム。
- 前記レジストパターン形成装置は、インプリント装置又は電子線描画装置である請求項18又は19に記載のパターン形成システム。
- 請求項12〜17のいずれかに記載のレジストパターン改質装置と、
前記レジストパターン改質装置により改質された前記レジストパターンをマスクとして被加工部材をエッチングするエッチング装置と
を備えるパターン形成システム。
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