JP5439374B2 - エッチングされた多層スタックにおける残留形成の低減 - Google Patents
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Description
本出願は、本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている2007年8月24日出願の米国特許仮出願第60/957、891号の「35 U.S.C.§119(e)(1)」の下での恩典を請求するものである。
米国政府は、本発明における支払い済みライセンスと、限定された状況において「米国標準技術局(NIST)」ATP賞を授与された70NANB4H3012の条項に規定されているような合理的な条項で特許所有者が他の者にライセンスを供与することを要求する権利とを有する。
図6は、基板602、接着層604、第1の重合(非シリコン含有)層606、及び第2の重合(シリコン含有)層608を有する多層スタック600を示している。多層スタックは、第1の重合層600として重合性組成物1(高Tg単官能重合性成分)によって調製されたものである。多層スタックはまた、第1の重合層として重合性組成物2(低Tg単官能成分)によって調製されたものである。
106 重合層; 110 突起。
Claims (26)
- インプリントリソグラフィ工程において多層スタックを形成する方法であって、
(i)第1の重合性組成物を基板に付加する段階、
(ii)前記第1の重合性組成物を重合させて第1の重合層を形成する段階、
(iii)前記第1の重合層に第2の重合性組成物を付加する段階、及び
(iv)前記第2の重合性組成物を重合させて前記第1の重合層上に第2の重合層を形成する段階、
を含み、
前記第1の重合性組成物は、単官能重合性成分、多官能重合性成分、及び光開始剤を含み、前記単官能重合性成分のホモポリマーは、約25℃未満のガラス転移温度を有し、
前記単官能重合性成分及び前記多官能重合性成分は、成分の相対反応性が、過剰な未反応の成分を残すことなく各成分の少なくとも1つの官能基の別の成分への結合を促進するように選択され、
前記第1の重合層は、前記第2の重合性組成物に対して実質的に非浸透性である、
ことを特徴とする方法。 - 前記多層スタックをエッチングして凹部を形成する段階、
を更に含み、
前記第1の重合性組成物は、実質的にシリコンを含まず、前記第2の重合性組成物は、シリコン含有のものであり、前記凹部は、形成された時にシリコン含有残留物を実質的に含まない、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記多層スタックをエッチングして凹部を形成する段階、
を更に含み、
前記凹部は、実質的に残留物を含まない、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第1の重合性組成物は、実質的にシリコンを含まないことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の重合性組成物は、約1重量%未満のシリコンを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第1の重合性組成物は、約0.1重量%未満のシリコンを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2の重合性組成物は、シリコン含有のものであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記ホモポリマーは、約0℃未満のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- インプリントリソグラフィ工程において多層スタックを形成する方法であって、
(i)約1重量%未満のシリコンを含む第1の重合性組成物を基板に付加する段階、
(ii)前記第1の重合性組成物を重合させてインプリント層を形成する段階、
(iii)前記インプリント層に第2のシリコン含有重合性組成物を付加する段階、及び
(iv)前記第2の重合性組成物を重合させて前記第1の重合層上に第2の重合層を形成する段階、
を含み、
前記第1の重合性組成物は、単官能重合性成分、多官能重合性成分、及び光開始剤を含み、前記単官能重合性成分のホモポリマーは、約25℃未満のガラス転移温度を有し、
前記単官能重合性成分及び前記多官能重合性成分は、成分の相対反応性が、過剰な未反応の成分を残すことなく各成分の少なくとも1つの官能基の別の成分への結合を促進するように選択され、
前記第1の重合層は、前記第2の重合性組成物に対して実質的に非浸透性である、
ことを特徴とする方法。 - 前記第1の重合性組成物は、約0.1重量%未満のシリコンを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第1の重合性組成物は、実質的にシリコンを含まないことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第2の重合性組成物は、少なくとも約5重量%のシリコンを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第2の重合性組成物は、少なくとも約10重量%のシリコンを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記多層スタックをエッチングして凹部を形成する段階、
を更に含み、
前記凹部は、形成された時にシリコン含有残留物を実質的に含まない、
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記ホモポリマーは、約0℃未満のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- インプリントリソグラフィ工程における多層スタックであって、
(i)第1の重合性組成物を基板に付加する段階、
(ii)前記第1の重合性組成物を重合させて第1の重合層を形成する段階、
(iii)前記第1の重合層に第2の重合性組成物を付加する段階、及び
(iv)前記第2の重合性組成物を重合させて前記第1の重合層上に第2の重合層を形成する段階、
を含む方法によって形成され、
前記第1の重合性組成物は、単官能重合性成分、多官能重合性成分、及び光開始剤を含み、前記単官能重合性成分のホモポリマーは、約25℃未満のガラス転移温度を有し、
前記単官能重合性成分及び前記多官能重合性成分は、成分の相対反応性が、過剰な未反応の成分を残すことなく各成分の少なくとも1つの官能基の別の成分への結合を促進するように選択され、
前記第1の重合層は、シリコン含有重合性組成物に対して実質的に非浸透性である、
ことを特徴とする多層スタック。 - 前記方法は、多層スタックをエッチバック及び転写エッチングする段階を更に含むことを特徴とする請求項16に記載の多層スタック。
- 前記多層スタックを転写エッチングする段階は、実質的に残留物を含まない凹部を形成することを特徴とする請求項17に記載の多層スタック。
- 前記第1の重合性組成物は、実質的にシリコンを含まないことを特徴とする請求項16に記載の多層スタック。
- 前記単官能成分及び前記多官能成分の相対反応性が、前記第1の重合性組成物の実質的に完全な重合を可能にすることを特徴とする請求項16に記載の多層スタック。
- インプリントリソグラフィ工程において多層スタックを形成する際に用いられる重合性組成物であって、
約25℃未満のガラス転移温度を有するホモポリマーを含む単官能重合性成分と、
多官能重合性成分と、
光開始剤と、
を含み、
前記単官能重合性成分及び前記多官能重合性成分は、成分の相対反応性が、過剰な未反応の成分を残すことなく各成分の少なくとも1つの官能基の別の成分への結合を促進するように選択され、
シリコン含有重合性組成物に対して実質的に非浸透性の固化層を形成するために重合可能である、
ことを特徴とする組成物。 - 実質的な非浸透性は、多層インプリントリソグラフィエッチング処理におけるシリコン含有残留物形成の実質的な欠如を含むことを特徴とする請求項21に記載の重合性組成物。
- 前記ホモポリマーは、約0℃未満のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項21に記載の重合性組成物。
- 前記単官能重合性成分は、(2−エチル−2−メチル−1、3−ジオキソラン−4−イル)メチルアクリレートを含むことを特徴とする請求項21に記載の重合性組成物。
- 前記多官能重合性成分は、ネオペンチル・グリコール・ジアクリレートを含むことを特徴とする請求項21に記載の重合性組成物。
- 前記第1の重合性組成物は、実質的にシリコンを含まないことを特徴とする請求項21に記載の重合性組成物。
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