TWI392577B - 經蝕刻之多層堆疊物中減少殘質形成的技術 - Google Patents

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Description

經蝕刻之多層堆疊物中減少殘質形成的技術 相關申請案之交互參照
本案請求美國臨時專利申請案60/957,891，申請日2007年8月24日之遵照35 U.S.C.§119(e)(1)之權益，該案全文以引用方式併入此處。
有關聯邦贊助研究或發展之陳述
美國政府對本發明擁有已付訖的許可，以及於限制條件下，要求專利所有權者依據美國標準學會(NIST)ATP獎助金70NANB4H3012條款規定，於合理條件下許可他人使用。
發明領域
本發明之領域大致上係有關結構之奈米製造，特定言之，係有關於多層堆疊物之製造中減少殘質形成的技術。
 發明背景
奈米製造涉及極為小型結構的製造，例如具有奈米級或更小的結構。奈米製造中之一項領域對積體電路的處理上有相當大影響。隨著半導體處理業的持續朝向較高製造良率，同時提高於基材上所形成之每單位面積的電路發展，奈米製造之重要性逐漸升高。奈米製造提供較大的製程控制，同時允許所形成結構之最小特徵結構尺寸的縮小。其他採用奈米製造之發展領域包括生物技術、光學技術、機械系統等。
奈米製造技術之實例稱作為壓印微影術。壓印微影術方法之實例細節係說明於多個公開文獻，諸如美國專利案第6,980,259號，名稱「於基材上排列特徵結構俾複製具有最小維度變異性之特徵結構之方法及模具」；美國專利申請公告案第2004/0065252號，申請案號美國專利案第10/264,926號，名稱「於基材上形成一層來協助尺規標準之方法」；及美國專利第6,936,194號，名稱「用於壓印微影術方法之功能性圖案化材料」，各案皆讓與本發明之受讓人且以引用方式併入此處。
前述各個美國專利申請公告案及美國專利案所揭示之壓印微影技術包括於可聚合層上形成凸紋圖案，且將與該凸紋圖案相對應之一圖案轉印至下方基材。基材可設置於移動平台上來獲得協助其製作圖案之期望位置。為了達成該項目的，採用一樣板與該基材隔開而有可成形液體存在於該樣板與該基材間。液體經固化而形成其上已記錄有圖案之一固化層，該圖案形狀係隨形於與該液體接觸的樣板表面形狀。然後樣本與已固化層分開，但樣板與基材隔開。該基材及已固化層隨後接受將與已固化層中之圖案相對應之一凸紋影像轉印至基材之處理。
於多層壓印微影術方法中，第一聚合層可形成於基材頂上，該基材與該聚合層間有一層或多層中間插入層(例如黏著層等)。隨後，第二聚合層可形成於該第一聚合層上(例如覆蓋或平坦化該第一聚合層)。第二聚合層之形成方式例如經由壓印低黏度可聚合組成物或旋塗上更為黏稠的可聚 合組成物。以壓印平坦化為例，低黏度第二可聚合組成物(例如於室溫約2－20 cP之黏度)之表現類似溶劑。以旋塗平坦化為例，第二可聚合組成物於熱烤乾期間於交聯前允許再流動。於兩種情況下，若第一聚合層包括未經反應之第一可聚合組成物之區或口袋(例如孔洞)，則第二可聚合組成物可穿過該等區且與下方第一聚合層之未經反應之第一可聚合組成物交互混合。於某些情況下，此種第二可聚合組成物之滲透或浸潤入第一可聚合組成物對第一聚合層之性質造成不良變更。例如，於隨後處理步驟中，第二可聚合組成物於反應性離子蝕刻(RIE)處理期間造成微遮罩。
瞭解微遮罩之意義如下。於低於聚合物之玻璃轉換溫度(Tg)之溫度時，聚合物之表現類似玻璃狀材料，分子移動性至少略微受限制。為了於周圍溫度例如約15℃至約25℃壓印，具有Tg高於室溫之可聚合液體中之各組分之聚合物鏈移動性受限制。此種聚合物移動性受限制結果導致於壓印期間未經反應的(液態的)可聚合組成物捕捉於玻璃狀聚合物組分間。玻璃狀聚合物組分的表現類似籠子，籠子的不活動性將未經反應之可聚合組分捕捉於該第一聚合層中。
第1圖顯示，於基材102與樣板104間之第一可聚合組成物100之剖面圖。於聚合(例如暴露於紫外線)後，第一可聚合組成物100固化，而樣板104與已聚合層106分離。若聚合反應不完全，例如於聚合期間玻璃化(亦即若部分可聚合組成物維持未經反應之液體形式，而未鍵結至組成物中之至 少另一個組分)則未經反應之第一可聚合組成物100區域108維持於已聚合層106中。於第一圖中，區域108係指示於已聚合層106之凸部110內部及周圍。但須瞭解區域108之位置遍及已聚合層106而非限於所指示的區域。
一個實例中，丙烯酸異冰片酯(IBOA，以SR 506得自沙托瑪公司(Sartomer Company)(賓州伊士頓))為於壓印微影術中可用於可聚合組成物之一種單官能可聚合組分。
聚丙烯酸異冰片酯具有約88℃之Tg。低於88℃，聚丙烯酸異冰片酯之表現類似玻璃狀材料，具有有限的分子移動性。於約15℃至約25℃之壓印溫度，聚丙烯酸異冰片酯之聚合物鏈移動性受限制。其中帶有高Tg之單官能可聚合組分諸如IBOA為主的可聚合組成物於室溫進行玻璃化，原因在於於本體聚合期間聚合物之移動性受限制。其餘未經反應之高Tg組分無法充分平移/旋轉來如同於發生化學反應於需要時接觸反應性聚合基團。未經反應之可聚合組成物區域如此維持於聚合反應期間進行玻璃化之組成物所形成之已聚合層中。該等區域可視為空腔、開口、孔洞等，隨後提供徑路或允許其他液體更容易浸潤或更容易滲透已聚合層。
第2圖顯示具有未經反應之聚合物組成物100之區域 108之一第一已聚合層106。於第二可聚合組成物200施用至第一已聚合層106後，該第二可聚合組成物浸潤或滲透該第一已聚合層區域108，且於該區域之第一可聚合組成物100交互混合。第二可聚合組成物200之聚合硬化於區域108之第二可聚合組成物來於該等區域形成第二已聚合材料202，且於第一已聚合層106上形成第二已聚合層204。
第3圖顯示於形成多層堆疊物300後之一種蝕刻(反應性離子蝕刻或RIE)方法。於第一步驟中，部分第二已聚合層204藉基於鹵素之RIE移除。此種回蝕刻步驟涉及使用含鹵素氣體化學(例如含氟氣體)來移除足量第二已聚合層而暴露第一已聚合層106之凸部110。於已聚合層106之區域108之第二已聚合材料202也可藉此蝕刻步驟移除來形成實質上不含殘質之氣態產物。
於該第二步驟中，以氧為主之氣體混合物用於轉印蝕刻步驟來移除部分第一已聚合層106(例如移除凸部110)。第二已聚合材料202及第二已聚合層204並未藉此轉印蝕刻步驟移除。於某些情況下，氧氣將與已硬化區域108中之第二已聚合材料202反應而形成殘質302。存在有殘質302為隨後應用或處理步驟所不合期望。
當第一可聚合組成物大致上不含矽，而第二可聚合組成物含矽時，殘質302例如可包括對進一步氧蝕刻具有抗性之矽氧化物。於此種情況下，第二已聚合的(含矽)材料202之表現類似硬遮罩，殘質302留在於轉印蝕刻步驟中所形成之凹部304。
 發明概要
於一個面相中，一種用於壓印微影術之可聚合組成物包括具有低於約25℃之玻璃轉換溫度之單官能可聚合組分、多官能可聚合組分及光起始劑。該組成物可經聚合而形成對第二可聚合組成物於實質上可透性之一已固化層。
於另一面相中，一種用於壓印微影術之多層堆疊物之形成方式係經由施用一第一可聚合組成物至一基材，聚合該第一可聚合組成物而形成一第一已聚合層，施用一第二可聚合組成物至該第一已聚合層，及聚合該第二可聚合組成物而於該第一已聚合層上形成一第二已聚合層。該第一可聚合組成物包括具有玻璃轉換溫度低於約25℃之可聚合組分；及該第一已聚合層對該二可聚合組成物為實質上不透性。
於若干實作中，第一可聚合組成物包括低於約1 wt%矽，而該第二可聚合組成物含矽。於其他實作中，該第一可聚合組成物實質上不含矽，及該第二可聚合組成物含矽。第二含矽可聚合組成物例如包括至少約5 wt%矽或至少約10 wt%矽。
圖式簡單說明
第1圖顯示於壓印微影術方法中之第一已聚合層之形成。
第2圖顯示於壓印微影術方法中之第二已聚合層之形成。
第3圖顯示多層堆疊物之反應性離子蝕刻。
第4圖顯示一種壓印微影術系統。
第5圖顯示於壓印微影術方法中所形成之壓印。
第6圖顯示一種多層堆疊物之剖面圖。
第7A－C圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(頂視圖)，帶有對第二可聚合組成物為可透性之第一已聚合層。
第8A－C圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(頂視圖)，帶有對第二可聚合組成物為實質上不透性之第一已聚合層。
第9A－B圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(剖面視圖)，顯示存在與不存在蝕刻期間所形成之殘質。
 較佳實施例之詳細說明
參照第4圖，顯示一種用於基材12上形成凸紋圖案之系統10。
基材12可耦聯至基材卡盤14。如圖所示，基材卡盤14為真空卡盤，但基材卡盤14也可為任一種卡盤包括但非限於真空卡盤、銷型卡盤、凹槽型卡盤或電磁卡盤，如美國專利案第6,873,087號所述，名稱「用於壓印微影術方法之高精度配向校準與間隙控制階段」，該案以引用方式併入此處。基材12及基材卡盤14可支載於一平台16上。進一步平台16、基材12及基材卡盤14可定位於一基座(圖中未顯示)上。平台16可提供以x軸及y軸為中心之移動。
與基材12隔開者為一製作圖案裝置17。圖案裝置17包 括一樣板18，該樣板18具有由其中朝向基材12延伸之平台20，平台上具有一圖案化表面22。進一步，平台20可稱作為模具20。平台20也可稱作為奈米壓印模具20。於額外實施例中，樣本18可實質上不含模具20。樣板18及/或模具20可由下列材料所製成，該等材料包括但非限於融合二氧化矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽玻璃、氟碳聚合物、金屬及硬化藍寶石。如圖所示，圖案化表面22包括由多個彼此隔開之凹部24及凸部26所界定之特徵結構。但於額外實施例中，圖案化22表面可實質上為光滑及/或平坦。圖案化22可界定原始圖案，該原始圖案構成欲形成於基材12上之圖案的基礎。樣板18可耦聯至樣板卡盤28。樣板卡盤28可為任一種卡盤包括但非限於真空卡盤、銷型卡盤、凹槽型卡盤或電磁卡盤，如美國專利案第6,873,087號所示，名稱「用於壓印微影術方法高精度配向校準與間隙控制階段」。此外，樣板卡盤28可耦聯至壓印頭30來協助樣板18因而協助模具20之移動。
系統10進一步包括流體配送系統32。流體配送系統32可與基材12呈流體連通因而沉積可聚合材料34於其上。系統10可包括任何數目之流體配送器，流體配送系統32可包括多個配送單元於其中。可聚合材料34可使用任一種已知技術而定位於基材12上，該等技術例如為液滴配送、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積等。於期望的體積界定於模具20與基材12間之前，可聚合材料34可設置於基材12上。但於已經獲得期 望體積後，可聚合材料34可填補該體積。
參照第4圖及第5圖，系統10進一步包括耦聯而順著徑路42導引能量40來源38。壓印頭30及平台16經配置而將模具20及基材12設置成為重疊且於徑路42中。壓印頭30、平台16或二者於模具20與基材12間之距離可改變來界定其間之由可聚合材料34所填補之期望的體積。於期望的體積使用可聚合材料34填補後，能源38產生能量40，例如寬頻紫外線輻射造成可聚合材料34固化及/或交聯，隨形於基材12及圖案化表面22之表面形狀44，於基材12上界定一已製作圖案層46。已製作圖案層46包括殘質層48及多個顯示為凸部50及凹部52之特徵結構。系統10可藉處理器54調節，該處理器係與平台16、壓印頭30、流體配送系統32及能源38作資料通訊，利用儲存於記憶體56中之電腦可讀取程式操作。
前文說明進一步採用於下列各案所述之壓印微影術方法及系統：美國專利6,932,934號名稱「於壓印微影術方法期間之非連續薄膜之形成」；美國專利第7,077,992號，名稱「步驟及重複壓印微影術方法」；及美國專利第7,179,396號，名稱「正調性雙層壓印微影術方法」；及美國專利第7,396,475號，名稱「採用壓印微影術形成步進結構之方法」，各案全文皆以引用方式併入此處。於額外實施例中，前文說明可用於任一種已知技術，例如光刻微影術(各波長包括G線、I線、248奈米、193奈米、157奈米及13.2－13.4奈米)、接觸微影術、電子束微影術、x射線微影術、離子束 微影術及原子束微影術。
用於多層壓印微影術，經由減少於第一層聚合期間之玻璃化，而可減少或實質上消除於蝕刻過程期間所形成之殘質數量。第一層聚合期間減少玻璃化可減少或實質上消除已聚合層中之未經反應的可聚合組成物面積，藉此減少於多層堆疊物製造期間隨後之各材料的交互混合。例如當含矽可聚合材料被阻止浸潤非含矽已聚合層時，由於微遮罩減少或實質上消除，故氧化矽之形成蝕刻殘質。含矽可聚合材料例如包括至少約5 wt%矽或至少約10 wt%矽。於某種情況下，可能期望第一可聚合材料包括例如呈添加劑或離型劑形式之小量矽(例如少於約5 wt%，少於約1 wt%，或少於約0.1 wt%矽)。於此種情況下，相較於含有高Tg組分之類似的含矽可聚合組成物，殘質的形成仍然減少。
經由選擇進行實質上完全聚合(例如實質上完全反應)之第一可聚合組成物來形成對第二可聚合組成物為實質上不透性之第一已聚合層。可達成聚合期間玻璃化之減少或消除。於此種情況下，施用至第一已聚合層之第二可聚合組成物被阻止浸潤(及後來於其中固化)第一已聚合層中之開口或開放區。
第一可聚合組成物例如包括一種或多種單官能可聚合組分、多官能可聚合組分(例如交聯劑)及起始劑連同一種或多種添加劑(例如離型劑)，經選擇讓該等可聚合組分於聚合期間有足夠移動性來避免玻璃化效應。可聚合組分也較佳選用，讓各組分之相對反應性促成各組分之至少一個官能 基鍵結至另一個組分，而未留下過量未反應的組分。第二可聚合組成物包括技藝界已知之任一種可聚合組成物(例如頂塗層或平坦化組成物)。
為了減少或實質上消除於聚合期間之玻璃化，單官能可聚合組分係經選擇讓該組分之均聚物之Tg係低於將發生壓印之溫度(例如低於約室溫或低於約25℃，低於約15℃，低於約10℃，低於約5℃，低於約0℃)。當存在有兩種或多種單官能組分時，該等單官能組分係選擇為主要為低Tg。亦即若有所需，高Tg(高於室溫)可聚合組分可含括於可聚合組成物至該等可聚合組成物於製作過程中不會呈現實質玻璃化或不完全聚合的程度。
具有聚合物Tg低於約室溫之單官能可聚合組分例如包括以美朵(MEDOL)10之名得自大坂有機化學公司(日本)之下式具有Tg為－7℃之(2－乙基－2－甲基－1,3－二－4－基)甲基丙烯酸酯。於室溫，美朵10均聚物之表現類似橡膠材料，美朵10聚合物鏈具有足夠移動性可避免聚合期間之玻璃化效應。
多官能可聚合組分或交聯劑係選用壓印期間可促成實質上完全聚合(例如每個分子至少鍵結一個官能基)，且對壓印層增加機械強度。多官能可聚合組分(例如有多於一個丙 烯酸基之交聯劑)比較單官能可聚合組分，於壓印過程中更可能聚合。交聯劑之實例為下式以SR247之名得自沙托瑪公司之二丙烯酸新戊二純酯。
交聯劑之另一個實例為下式二丙烯酸1,6－己二醇酯(HDODA)，得自希鐵克工業公司(Cytec)(紐澤西州西彼特森)。
當組成物中之單官能可聚合組分相對於組成物中之多官能組分具有期望之反應性時，於壓印微影術處理過程中，可聚合組分將實質上完全反應。若該單官能可聚合組分相對於多官能可聚合組分之反應太過緩慢，則當多官能可聚合組分已經實質上耗盡時，單官能可聚合組分仍然存在。如此可能導致未反應的單官能可聚合組分被捕捉。例如，美朵10中之二環提供足夠極性來允許丙烯酸基於交聯劑諸如SR247存在下相當快速反應。比較上，具有Tg低於室溫但比較美朵10遠更高的非極性之丙烯酸正癸酯比交聯劑諸如SR247之反應更慢。當交聯劑實質上耗盡，而未反應之單官能可聚合組分仍然保留時，未反應單體被捕捉，於固化層中留下未反應的可聚合組成物區域。
可聚合組成物可包括選用來吸收於一個或多個波長範圍之電磁輻射之一種或多種光起始劑。光起始劑之一個實例為下式2－甲基－1－[4－(甲基硫基)苯基]－2－啉基丙－1－酮，以伊加丘(IRGACURE)907得自汽巴公司(Ciba)(瑞典)。
光起始劑之另一個實例為下式2,4,6－三甲基苄醯基二苯基膦氧化物(TPO)，得自巴斯夫公司(BASF)(德國)。
達洛丘(DAROCUR)4265，得自汽巴公司之光起始劑混合物為TPO與下式2－羥基－2－甲基－1－苯基－丙－1－酮之1：1混合物。
提供下列實例更完整舉例說明本發明之實施例。熟諳技藝人士須瞭解後文實例中揭示之技術表示本發明人發現於實施本發明中效果良好之技術，如此可視為組成其範例實施模式。但熟諳技藝人士鑑於本文揭示，瞭解可未悖離 本發明之精隨及範圍於所揭示之特定實施例中作出多項變化而仍然獲得類似的結果。
比較例：第6圖顯示具有基材602、黏著層604、第一已聚合(未含矽)層606及第二已聚合(含矽)層608之一種多層堆疊物600。多層堆疊物係使用可聚合組成物1(高Tg單官能可聚合組分)作為第一已聚合層600。多層堆疊物也使用可聚合組成物2(低Tg單官能組分)作為第一已聚合層而製備。
含矽層608使用氟及載氣回蝕刻，進行氧化來保留硬遮罩，使用氧氣及載氣執行轉印層蝕刻來移除經已蝕刻之多層堆疊物中形成凹部。下表2所示方法參數係用於蝕刻使用組成物1及2所形成之多層堆疊物。
第7A－C圖為如所述使用組成物1作為第一已聚合(非含矽)層606所形成之經已蝕刻之多層堆疊物700之掃描電子顯微鏡(SEM)影像(100,000倍放大)(頂視圖)。凹部610係隔開，可見有第二已聚合(含矽)層608介於凹部間。殘質612明顯出現於基材602上於凹部610底部。
第8A－C圖為如所示使用組成物2作為第一已聚合(非含矽)層606所形成之經一蝕刻之堆疊物800之(SEM)影像(100,000倍放大)(頂視圖)。凹部610係隔開，可見有第二已聚合(含矽)層608介於凹部間。凹部610實質上不存在有殘質。
第9A圖為以組成物1作為第一可聚合組成物，組成物所形成之經以蝕刻之多層堆疊物700之剖面之SEM影像(100,000倍放大)，於凹部610目測可見殘餘物612(圓柱形，直徑約40奈米)。第9B圖為以組成物2作為第一可聚合組成物，組成物所形成之經以蝕刻之多層堆疊物800之剖面之SEM影像(100,000倍放大)。第9B圖顯示凹部610實質上不含殘質，指示由可聚合組成物2所形成之已聚合層對第二(含矽)可聚合組成物為實質上不透性。
已經說明多個本發明之實施例。雖言如此，須瞭解可未悖離本發明之精隨及範圍做出多項變化及修改。如此，其它實施例係落入隨附之申請專利範圍之範圍內。
10‧‧‧用以於一基材上形成一凸紋圖案之系統、系統
12‧‧‧基材
14‧‧‧基材卡盤
16‧‧‧平台
17‧‧‧製作圖案裝置
18‧‧‧樣板
20‧‧‧平台、模具、奈米壓印模具
22‧‧‧圖案化表面
24‧‧‧凹部
26‧‧‧凸部
28‧‧‧樣板卡盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體配送系統
34‧‧‧可聚合材料
38‧‧‧來源、能源
40‧‧‧能量
42‧‧‧徑路
44‧‧‧基材
46‧‧‧已製作圖案層
50‧‧‧凸部
52‧‧‧凹部
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體
100‧‧‧第一可聚合組成物
102‧‧‧基材
104‧‧‧樣板
106‧‧‧第一已聚合層
108‧‧‧區域
110‧‧‧凸部
200‧‧‧第二可聚合組成物
202‧‧‧第二已聚合材料
204‧‧‧第二已聚合層
300‧‧‧多層堆疊物
302‧‧‧殘質
304‧‧‧凹部
600‧‧‧多層堆疊物
602‧‧‧基材
604‧‧‧黏著層
606‧‧‧第一已聚合(未含矽)層
608‧‧‧第二已聚合(含矽)層
610‧‧‧凹部
612‧‧‧殘質
700‧‧‧經已蝕刻之多層堆疊物
800‧‧‧經已蝕刻之多層堆疊物
第1圖顯示於壓印微影術方法中之第一已聚合層之形成。
第2圖顯示於壓印微影術方法中之第二已聚合層之形成。
第3圖顯示多層堆疊物之反應性離子蝕刻。
第4圖顯示一種壓印微影術系統。
第5圖顯示於壓印微影術方法中所形成之壓印。
第6圖顯示一種多層堆疊物之剖面圖。
第7A－C圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(頂視圖)，帶有對第二可聚合組成物為可透性之第一已聚合層。
第8A－C圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(頂視圖)，帶有對第二可聚合組成物為實質上不透性之第一已聚合層。
第9A－B圖為多層堆疊物於轉印蝕刻後之影像(剖面視圖)，顯示存在與不存在蝕刻期間所形成之殘質。
10‧‧‧用以於一基材上形成一凸紋圖案之系統、系統
12‧‧‧基材
14‧‧‧基材卡盤
16‧‧‧平台
17‧‧‧製作圖案裝置
18‧‧‧樣板
20‧‧‧平台、模具、奈米壓印模具
22‧‧‧圖案化表面
24‧‧‧凹部
26‧‧‧凸部
28‧‧‧樣板卡盤
30‧‧‧壓印頭
32‧‧‧流體配送系統
34‧‧‧可聚合材料
38‧‧‧來源、能源
40‧‧‧能量
42‧‧‧徑路
44‧‧‧基材
54‧‧‧處理器
56‧‧‧記憶體

Claims (30)

  1. 一種在壓印微影製程中形成多層堆疊物之方法，該方法包含：(i)施用一第一可聚合組成物至一基材；(ii)聚合該第一可聚合組成物而形成一第一已聚合層；(iii)施用一第二可聚合組成物至該第一已聚合層；及(iv)聚合該第二可聚合組成物而於該第一已聚合層上形成一第二已聚合層，其中該第一可聚合組成物包含一可聚合組分，該可聚合組分之聚合產物具有低於25℃之玻璃轉換溫度，及該第一已聚合層對該第二可聚合組成物為實質上不透性。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含蝕刻該多層堆疊物而形成凹部，其中該第一可聚合組成物為實質上不含矽，該第二可聚合組成物為含矽，及該等凹部為實質上不含如所形成之含矽殘質。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含蝕刻該多層堆疊物而形成凹部，其中該等凹部為實質上不含殘質。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一可聚合組成物為實質上不含矽。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該第一可聚合組成物包含少於1 wt%矽。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一可聚合組成物包含少於0.1 wt%矽。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第二可聚合組成物為含矽。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一可聚合組成物包含一單官能可聚合組分、一多官能可聚合組分及一光起始劑。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該單官能可聚合組分之均聚物具有低於25℃之玻璃轉換溫度。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該單官能可聚合組分之均聚物具有低於0℃之玻璃轉換溫度。
  11. 一種在壓印微影製程中形成多層堆疊物之方法，該方法包含：(i)施用一第一可聚合組成物至一基材，該第一可聚合組成物包含少於1 wt%矽；(ii)聚合該第一可聚合組成物而形成一壓印層；(iii)施用一第二含矽可聚合組成物至該壓印層；及(iv)聚合該第二可聚合組成物而於該第一已聚合層上形成一第二已聚合層，其中該第一可聚合組成物包含一可聚合組分，該可聚合組分之聚合產物具有低於25℃之玻璃轉換溫度，及該第一已聚合層對該第二可聚合組成物為實質上不透性。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一可聚合組成 物包含少於0.1 wt%矽。
  13. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一可聚合組成物為實質上不含矽。
  14. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第二可聚合組成物包含少於5 wt%矽。
  15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該第一可聚合組成物包含少於10 wt%矽。
  16. 如申請專利範圍第11項之方法，進一步包含蝕刻該多層堆疊物而形成凹部，實質上不含如所形成之含矽殘質。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一可聚合組成物包含一單官能可聚合組分、多官能可聚合組分及一光起始劑。
  18. 如申請專利範17項之方法，其中該單官能可聚合組分之均聚物具有低於25℃之玻璃轉換溫度。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該單官能可聚合組分之均聚物具有低於0℃之玻璃轉換溫度。
  20. 一種用於壓印微影術之多層堆疊物，其係經由包含下列步驟之方法所形成：(i)施用一第一可聚合組成物至一基材；(ii)聚合該第一可聚合組成物而形成一第一已聚合層；(iii)施用一第二可聚合組成物至該第一已聚合層；及(iv)聚合該第二可聚合組成物而於該第一已聚合 層上形成一第二已聚合層，其中該第一可聚合組成物包含一可聚合組分，該可聚合組分之聚合產物具有低於25℃之玻璃轉換溫度，及該第一已聚合層對該含矽可聚合組成物為實質上不透性。
  21. 如申請專利範圍第20項之多層堆疊物，其中該方法進一步包含該多層堆疊物之回蝕刻及轉印蝕刻。
  22. 如申請專利範圍第20項之多層堆疊物，其中該多層堆疊之轉印蝕刻形成實質上不含殘質之凹部。
  23. 如申請專利範圍第20項之多層堆疊物，其中該第一可聚合組成物為實質上不含矽。
  24. 如申請專利範圍第20項之多層堆疊物，其中該第一可聚合組成物包含一單官能可聚合組分及一多官能可聚合組分，及該單官能組分與該多官能組分之相對反應性允許該第一可聚合組成物之實質上完全聚合。
  25. 一種用於壓印微影術之可聚合組成物，其包含：一單官能可聚合組分，其聚合產物具有低於25℃之玻璃轉換溫度；一多官能可聚合組分；及一光起始劑，其中該組成物係可聚合的以形成對一含矽可聚合組成物為實質上不透性之一固化層。
  26. 如申請專利範圍第25項之可聚合組成物，其中實質上不透性包含於多層壓印微影術蝕刻程序中實質上不存在 有含矽殘質的形成。
  27. 如申請專利範圍第25項之可聚合組成物，其中該單官能可聚合組分的聚合產物具有低於0℃之玻璃轉換溫度。
  28. 如申請專利範圍第25項之可聚合組成物，其中該單官能可聚合組分包含丙烯酸(2-乙基-2-甲基-1,3-二-4-基)甲酯。
  29. 如申請專利範圍第25項之可聚合組成物，其中該多官能可聚合組分包含二丙烯酸新戊二醇酯。
  30. 如申請專利範圍第25項之可聚合組成物，其中該第一可聚合組成物為實質上不含矽。
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