JP2018198341A5 - 発光素子 - Google Patents
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Claims (7)
- 一対の電極間に、ゲスト材料とホスト材料とを含む発光層を有し、
前記ホスト材料の発光スペクトルと、前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯とが重なりを有し、
前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のピークが４９０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下の波長範囲にある発光素子。 - 一対の電極間に、ゲスト材料とホスト材料とを含む発光層を有し、
前記ゲスト材料の吸収スペクトルは、第１の吸収ピークと、第２の吸収ピークとを、有し、
前記第１の吸収ピークは、前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯に位置し、
前記第２の吸収ピークは、前記第１の吸収ピークよりも短波長側に位置し、かつ、前記第１の吸収ピークの次に長波長側に位置し、
前記ホスト材料の発光スペクトルのピークは、前記第２の吸収ピークより長波長側に位置する発光素子。 - 一対の電極間に、ゲスト材料とホスト材料とを含む発光層を有し、
前記ゲスト材料の吸収スペクトルは、第１の吸収ピークと、第２の吸収ピークとを、有し、
前記第１の吸収ピークは、前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯に位置し、
前記第２の吸収ピークは、前記第１の吸収ピークよりも短波長側に位置し、かつ、前記第１の吸収ピークの次に長波長側に位置し、
前記ホスト材料の発光スペクトルのピークは、前記第２の吸収ピークより前記第１の吸収ピークに近い発光素子。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ホスト材料の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．２ｅＶ以内である発光素子。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ホスト材料の発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．１ｅＶ以内である発光素子。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲスト材料の吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯は、一重項基底状態から三重項励起状態への直接遷移に相当する吸収帯である発光素子。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記ホスト材料のＴ １ 準位は、前記ゲスト材料のＴ １ 準位よりも高い発光素子。
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