JP2018198017A - 半導体装置及びデータ処理システム - Google Patents
半導体装置及びデータ処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018198017A JP2018198017A JP2017103138A JP2017103138A JP2018198017A JP 2018198017 A JP2018198017 A JP 2018198017A JP 2017103138 A JP2017103138 A JP 2017103138A JP 2017103138 A JP2017103138 A JP 2017103138A JP 2018198017 A JP2018198017 A JP 2018198017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- bus
- memory device
- data processing
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
- G06F3/0659—Command handling arrangements, e.g. command buffers, queues, command scheduling
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
- G06F13/1684—Details of memory controller using multiple buses
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/40—Bus structure
- G06F13/4004—Coupling between buses
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
- G06F12/0806—Multiuser, multiprocessor or multiprocessing cache systems
- G06F12/0811—Multiuser, multiprocessor or multiprocessing cache systems with multilevel cache hierarchies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13025—Disposition the bump connector being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
- H01L2224/16146—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked the bump connector connecting to a via connection in the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/171—Disposition
- H01L2224/1718—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/17181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06517—Bump or bump-like direct electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06548—Conductive via connections through the substrate, container, or encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置1は、第1外部端子61と、第2外部端子62と、データ処理装置3と、メモリ装置2と、を含む。半導体装置1は、さらに、データ処理装置3とメモリ装置2との間に結合された第1バス31と、データ処理装置3と第2外部端子62との間に結合された第2バス32と、第1外部端子61に結合された第3バス33と、第1バス31と第3バスとに結合された制御回路CNTと、を有する。制御回路CNTは、第3バス33を利用したメモリ装置2の管理機能を有する。
【選択図】図3
Description
1)シングルライト1:半導体装置1_1のメモリ装置2_1の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、半導体装置1_2のメモリ装置2_2へコピーすることが出来る。
2)マルチライト1:半導体装置1_1のメモリ装置2_1の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、半導体装置1_2のメモリ装置2_2及び半導体装置1_nのメモリ装置2_nへコピーすることが出来る。
3)シングルライト2:半導体装置1_1のメモリ装置2_1の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、システムメモリ(SMEM1、SMEM2、・・、またはSMEMn)へコピーすることが出来る。
4)マルチライト2:半導体装置1_1のメモリ装置2_1の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、半導体装置1_2のメモリ装置2_2及びシステムメモリ(SMEM1、SMEM2、・・、またはSMEMn)へコピーすることが出来る。
5)シングルライト3:システムメモリ(SMEM1、SMEM2、・・、またはSMEMn)の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、半導体装置1_1のメモリ装置2_1へコピーすることが出来る。
6)マルチライト3:マルチシステムメモリ(SMEM1、SMEM2、・・、またはSMEMn)の内容を、第2システムバスSBUS2を利用して、半導体装置1_1のメモリ装置2_1及び半導体装置1_2のメモリ装置2_2へコピーすることが出来る。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにメモリ装置2_2を指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにメモリ装置2_1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに書込みコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、メモリ装置2_1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第3データバス33D及び第2システムバスSBUS2を介して、メモリ装置2_2内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_2のアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。なお、この場合、転送元メモリ指定フィールドSOMEMは、マスタ側半導体装置1_1のメモリ装置2_1であることは判明しているので、転送元メモリ指定フィールドSOMEMの指定は省略可能である。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにメモリ装置2_2、2_nを指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにメモリ装置2_1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに書込みコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、メモリ装置2_1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第3データバス33D及び第2システムバスSBUS2を介して、メモリ装置2_2、2_n内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_2、2_nのアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。この場合、転送元メモリ指定フィールドSOMEMは、マスタ側半導体装置1_1のメモリ装置2_1であることは判明しているので、転送元メモリ指定フィールドSOMEMの指定は省略可能である。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにシステムメモリSMEM1を指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにメモリ装置2_1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに読み出しコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、メモリ装置2_1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第3データバス33D及び第2システムバスSBUS2を介して、アドレスフィールドAddで指定したシステムメモリSMEM1のアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。この場合、転送元メモリ指定フィールドSOMEMは、マスタ側半導体装置1_1のメモリ装置2_1であることは判明しているので、転送元メモリ指定フィールドSOMEMの指定は省略可能である。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにメモリ装置2_2、システムメモリSMEM1を指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにメモリ装置2_1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに書込みコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、メモリ装置2_1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第2システムバスSBUS2及びメモリ装置2_2内の第3データバス33Dを介して、メモリ装置2_2内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_2のアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。さらに、メモリ装置2_1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが第2システムバスSBUS2を介してシステムメモリSMEM1のアドレスフィールドAddで指定したアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。この場合、転送元メモリ指定フィールドSOMEMは、マスタ側半導体装置1_1のメモリ装置2_1であることは判明しているので、転送元メモリ指定フィールドSOMEMの指定は省略可能である。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにメモリ装置2_1を指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにシステムメモリSMEM1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに読み出しコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、システムメモリSMEM1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第2システムバスSBUS2及びメモリ装置2_1内の第3データバス33Dを介して、メモリ装置2_1内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_1のアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。
転送先メモリ指定フィールドDSMEMにメモリ装置2_1、2_2を指定し、転送元メモリ指定フィールドSOMEMにシステムメモリSMEM1を指定し、メモリコマンドフィールドMCMDに読み出しコマンドを指定する。また、データエリアフィールドDAREA及びアドレスフィールドAddにも、所望のアドレスの範囲を指定する。この場合、システムメモリSMEM1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータが、第2システムバスSBUS2及びメモリ装置2_1内の第3データバス33Dを介して、メモリ装置2_1内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_1のアドレスの範囲へ書き込まれる。さらに、データエリアフィールドDAREAで指定したシステムメモリSMEM1のアドレスの範囲のデータが第2システムバスSBUS2及びメモリ装置2_2内の第3データバス33Dを介して、メモリ装置2_2内の制御回路CNT2へ供給され、アドレスフィールドAddで指定したメモリ装置2_2のアドレスの範囲へ書き込まれる(コピーされる)。なお、転送先メモリ指定フィールドDSMEMにすべてのメモリ装置2_1、2_2、・・、2_nを指定すれば、システムメモリSMEM1のデータエリアフィールドDAREAで指定したアドレスの範囲のデータがアドレスフィールドAddで指定したすべてのメモリ装置2_1、2_2、・・、2_nのアドレスの範囲へ書き込まれる。
図10は、図7のメモリ装置の変形例1を示す図である。図10は、図6に示される回路ブロックCBとしてキャッシュメモリcacheが設けられた場合において、図7のメモリ装置22部分の構成例を示している。他の構成は、図7と同じである。キャッシュメモリcacheは、選択回路SEL1に接続される内部データバス33Diと第3データバス33Dとの間に設けられる。キャッシュメモリcacheは、メモリ装置間の第2システムバスSBUS2を利用したデータ転送、例えば、メモリ装置2_1とシステムメモリSMEM2との間のデータ転送として、ブロック転送を可能とするために設けられる。これにより、データ管理プログラムを容易化することが出来る。
図11が、図7のメモリ装置の変形例2を示す図である。図10においては、図6に示される回路ブロックCBとしてキャッシュメモリcacheを設けた構成例を示したが、図11においては、回路ブロックCBとして演算回路ACを設けた構成例を示している。他の構成は、図7及び図10と同じである。単純な演算を行うことが可能な演算回路ACは選択回路SEL1に接続される内部データバス33Diと第3データバス33Dとの間に設けられる。演算回路ACを設けることにより、第2システムバスSBUS2及び第3データバス33Dを介して入力されるデータに対して、データ処理装置での利用に最適となる様に所望の演算を行うことが出来る。例えば、センサからのアナログ情報を受信して直接演算するデータ処理装置において、演算回路ACを設けることにより、アナログ情報に所望の演算を行うことで所望のデジタル形式情報へ変換することが出来る。これにより、データ処理装置のデータ処理の効率的を向上させることが出来る。
図13は、図7のメモリ装置の変形例3を示す図である。図13は、図3で示された1次キャッシュメモリL1および2次キャッシュメモリL2を、メモリ装置2_1のチャネル1(L1)およびチャネル2(L2)で実現する場合の模式的な構成例を示している。1次キャッシュメモリ(チャネル1(L1))および2次キャッシュメモリ(チャネル2(L2))のキャッシュ制御回路CACHE_CONTは、選択回路SEL1とチャネル1(L1)およびチャネル2(L2)の間に配置されるように描かれている。1次キャッシュメモリ(チャネル1(L1))および2次キャッシュメモリ(チャネル2(L2))の記憶内容の管理は、第2システムバスSBUS2及び第3データバス33Dを利用して行うことが可能である。
図14は、図5のデータ処理システムの変形例1を示す図である。図5では、2ポートメモリのシステムメモリSMEM1、SMEM2、・・、SMEMnに、第1システムバスSBUS1と第2システムバスSBUS2とを接続させた。図14では、システムメモリSMEM1、SMEM2、・・、SMEMnのおのおのは、入出力ポートを1つ有するシングルポートメモリとされており、そのポートは第1システムバスSBUS1に接続される。このため、この例では、第1システムバスSBUS1と第2システムバスSBUS2との間にクロスバースイッチCrossSWを設けることで、システムメモリSMEM1、SMEM2、・・、SMEMnと第2システムバスSBUS2との接続が可能にされている。他の構成は、図5と同じである。
以下、本発明に係る変形例を説明する。以下においては、実施例1で説明された制御回路CNT(CNT_1,CNT_2,・・、CNT_n)の設けられる部分が変形例として説明される。なお、図6で説明された回路ブロックCB(図10ではキャッシュメモリcache、図11では演算回路)を、制御回路CNTに含めても良い。
図22は、変形例1に係る半導体装置の構成例を示す図である。実施例1の図6では、基礎チップ21に制御回路CNTの構成を設けた一例が示された。図22の(a)に示される半導体装置1cにおいては、制御回路CNTは、メモリ装置2の基礎チップ21ではなく、データ処理装置3内に設けられる。この場合、例えば、データ処理装置3に含まれるメモリコントローラに、制御回路CNTの機能を内蔵させるのが良い。図22の(b)は、メモリ装置2がデータ処理装置3の上面に積載された構成、すなわち、3次元実装の半導体装置1cの概念的な断面図である。
図23は、変形例2に係る半導体装置の構成例を示す図であり、図24は変形例2に係るデータ処理システムの構成例を示す図である。変形例2においては、図24に示されるように、図21で説明されたサブシステムメモリSUSYSMに、制御回路CNTが設けられる。この場合、図24に示される半導体装置1d−1、1d−2、・・、1d−nは、図23に示される様な構成のデータ処理装置1dである。図23に示されるデータ処理装置1dでは、実施例1で示された様な、基礎チップ21内の制御回路CNTの構成は、データ処理装置1dに設けられていない。その代わりとして、サブシステムメモリSUSYSMに、制御回路CNTが設けられる。なお、場合によっては、第2制御回路CNT2及び選択回路SEL1を含む回路部分がサブシステムメモリSUSYSMに設けられても良い。
図25は、変形例3に係るデータ処理システムの構成例を示す図である。図24の変形例2では、サブシステムメモリSUSYSMに、制御回路CNTが設けられた。変形例3では、制御回路CNTを含むサブシステムメモリSUSYSMを設けず、その代わりとして、第1システムバスSBUS1と第2システムバスSBUS2との間に、制御回路CNTを接続した。データ処理装置1d−1、1d−2、・・、1d−nは、変形例2で説明された図23に示される構成のデータ処理装置1dを利用できる。なお、場合によっては、第2制御回路CNT2及び選択回路SEL1を含む回路部分が、第1システムバスSBUS1と第2システムバスSBUS2との間に、設けられても良い。
図26は、変形例4に係る半導体装置の構成例を示す図である。図26は、メモリ装置2がデータ処理装置3の上面に積載された構成、すなわち、3次元実装の半導体装置1eの概念的な断面図である。図22の変形例1では、データ処理装置3に制御回路CNTが設けられた例が示された。この例では、制御回路CNTは、例えば、メモリチップ224に設けられる。なお、制御回路CNTは、メモリチップ221、222、223、224のいずれか一つのメモリチップに設ければ良い。あるいは、制御回路CNTを、メモリチップ221、222、223、224に分散して設けることもできる。
Claims (16)
- 第1外部端子と、
第2外部端子と、
データ処理装置と、
メモリ装置と、
前記データ処理装置と前記メモリ装置との間に結合された第1バスと、
前記データ処理装置と前記第2外部端子との間に結合された第2バスと、
前記第1外部端子に結合された第3バスと、
前記第1バスと前記第3バスとに結合された制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第3バスを利用した前記メモリ装置の管理機能を有する、
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記データ処理装置は、中央処理装置と、キャッシュメモリと、を含む、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記メモリ装置は、
基礎チップと、
前記基礎チップの上に搭載された半導体メモリと、を含み、
前記制御回路は、前記基礎チップに設けられる、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記半導体メモリは、積層された複数の半導体メモリチップを含む、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記メモリ装置は、第1メモリ装置、第2メモリ装置、第3メモリ装置及び第4メモリ装置を含み、
前記第1外部端子は、前記第1メモリ装置に接続された第1端子と、前記第2メモリ装置に接続された第2端子と、前記第3メモリ装置に接続された第3端子と、前記第4メモリ装置に接続された第4端子と、を含む、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記メモリ装置は、第1メモリ装置、第2メモリ装置、第3メモリ装置及び第4メモリ装置を含み、
前記第1メモリ装置、前記第2メモリ装置、前記第3メモリ装置及び前記第4メモリ装置のおのおのは、前記第3バスを介して、前記第1外部端子に結合される、半導体装置。 - システムバスと、
補助バスと、
前記システムバスおよび前記補助バスに結合されたシステムメモリと、
前記システムバスおよび前記補助バスに結合され、おのおのがデータ処理装置とメモリ装置とを含む複数の半導体装置と、
制御回路と、を含み、
前記制御回路は、前記補助バスを利用した前記メモリ装置及び前記システムメモリの管理機能を有する、
データ処理システム。 - 請求項7に記載のデータ処理システムにおいて、
前記制御回路は、前記複数の半導体装置のおのおのに設けられる、データ処理システム。 - 請求項8に記載のデータ処理システムにおいて、
前記複数の半導体装置のおのおのは、
前記補助バスに結合された第1外部端子と、
前記システムバスに結合された第2外部端子と、
前記データ処理装置と前記メモリ装置との間に結合された第1バスと、
前記データ処理装置と前記第2外部端子との間に結合された第2バスと、
前記第1外部端子に結合された第3バスと、を有し、
前記制御回路は、前記第1バスと前記第3バスとに結合される、データ処理システム。 - 請求項9に記載のデータ処理システムにおいて、
前記メモリ装置は、
基礎チップと、
前記基礎チップの上に搭載された半導体メモリと、を含み、
前記制御回路は、前記基礎チップに設けられる、データ処理システム。 - 請求項10に記載のデータ処理システムにおいて、
前記半導体メモリは、積層された複数の半導体メモリチップを含む、データ処理システム。 - 請求項10に記載のデータ処理システムにおいて、
前記メモリ装置は、第1メモリ装置、第2メモリ装置、第3メモリ装置及び第4メモリ装置を含み、
前記第1外部端子は、前記第1メモリ装置に接続された第1端子と、前記第2メモリ装置に接続された第2端子と、前記第3メモリ装置に接続された第3端子と及び前記第4メモリ装置に接続された第4端子と、を含む、データ処理システム。 - 請求項10に記載のデータ処理システムにおいて、
前記メモリ装置は、第1メモリ装置、第2メモリ装置、第3メモリ装置及び第4メモリ装置を含み、
前記第1メモリ装置、前記第2メモリ装置、前記第3メモリ装置及び前記第4メモリ装置のおのおのは、前記第3バスを介して、前記第1外部端子に結合される、データ処理システム。 - 請求項7に記載のデータ処理システムにおいて、
前記制御回路は、前記システムバスと前記補助バスとの間に設けられる、データ処理システム。 - 請求項7に記載のデータ処理システムにおいて、さらに、
前記システムバスと前記補助バスとの間に結合されたサブシステムメモリを含む、データ処理システム。 - 請求項15に記載のデータ処理システムにおいて、
前記制御回路は、前記サブシステムメモリに設けられる、データ処理システム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017103138A JP6815277B2 (ja) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 半導体装置及びデータ処理システム |
US15/916,072 US11126373B2 (en) | 2017-05-24 | 2018-03-08 | Semiconductor device and data processing system |
EP18167690.9A EP3467664B1 (en) | 2017-05-24 | 2018-04-17 | Semiconductor device and data processing system |
CN201810430859.4A CN108932966B (zh) | 2017-05-24 | 2018-05-08 | 半导体装置和数据处理系统 |
TW107115651A TWI771416B (zh) | 2017-05-24 | 2018-05-09 | 半導體裝置及資料處理系統 |
KR1020180057112A KR20180128847A (ko) | 2017-05-24 | 2018-05-18 | 반도체 장치 및 데이터 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017103138A JP6815277B2 (ja) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 半導体装置及びデータ処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018198017A true JP2018198017A (ja) | 2018-12-13 |
JP6815277B2 JP6815277B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=62017199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017103138A Active JP6815277B2 (ja) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 半導体装置及びデータ処理システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11126373B2 (ja) |
EP (1) | EP3467664B1 (ja) |
JP (1) | JP6815277B2 (ja) |
KR (1) | KR20180128847A (ja) |
CN (1) | CN108932966B (ja) |
TW (1) | TWI771416B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019036298A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 知能型高帯域幅メモリシステム及びそのための論理ダイ |
JP2020177720A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびシステム |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112151526A (zh) | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 西部数据技术公司 | 包括高速异质集成控制器和高速缓存的半导体设备 |
KR20220164946A (ko) * | 2021-06-07 | 2022-12-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109708A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | マイクロコンピュータ |
JP2005135182A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Toshiba Corp | マルチチップパッケージ型メモリシステム |
JP2007335809A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の動作制御方法 |
JP2014021925A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 情報処理装置及びプログラム |
JP2015230611A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及び電子デバイスの制御方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005018159A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Fujitsu Ltd | ストレージシステム構築支援装置、ストレージシステム構築支援方法、およびストレージシステム構築支援プログラム |
US7287115B2 (en) | 2003-10-30 | 2007-10-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-chip package type memory system |
US7772708B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-08-10 | Intel Corporation | Stacking integrated circuit dies |
US8271827B2 (en) * | 2007-12-10 | 2012-09-18 | Qimonda | Memory system with extended memory density capability |
JP5731730B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2015-06-10 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体記憶装置及びその半導体記憶装置を含むデータ処理システム |
US8358147B2 (en) * | 2008-03-05 | 2013-01-22 | Stmicroelectronics S.R.L. | Testing integrated circuits |
JP2010015328A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Tama Tlo Ltd | メモリ・論理共役システム |
KR100951667B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2010-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패드를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
US20100121994A1 (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-13 | International Business Machines Corporation | Stacked memory array |
KR101686199B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2016-12-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 구조물 |
KR101710658B1 (ko) * | 2010-06-18 | 2017-02-27 | 삼성전자 주식회사 | 관통 전극을 갖는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 시그널링 방법 |
JP5573476B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-08-20 | 日本電気株式会社 | 被制御装置、被制御方法、制御装置、及び、制御システム |
JP5654855B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2015-01-14 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
JP5668982B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-02-12 | 日本電気株式会社 | ストレージシステム、アクセスパス状態更新方法およびアクセスパス状態更新プログラム |
US8724423B1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-05-13 | Lsi Corporation | Synchronous two-port read, two-port write memory emulator |
JP6021680B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-11-09 | 株式会社日立製作所 | 自律分散重複排除ファイルシステム、記憶装置ユニット及びデータアクセス方法 |
US9405468B2 (en) * | 2014-05-13 | 2016-08-02 | Globalfoundries Inc. | Stacked memory device control |
KR20160069275A (ko) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 관통 비아 및 메탈 레이어를 이용하여 전기적 연결을 갖는 반도체 장치 및 그 적층 방법 |
JP6426031B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2018-11-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
KR20170013040A (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 버퍼, 반도체 장치 및 이를 이용한 반도체 시스템 |
TWI537729B (zh) * | 2015-10-15 | 2016-06-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置及其資料維護方法 |
-
2017
- 2017-05-24 JP JP2017103138A patent/JP6815277B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-08 US US15/916,072 patent/US11126373B2/en active Active
- 2018-04-17 EP EP18167690.9A patent/EP3467664B1/en active Active
- 2018-05-08 CN CN201810430859.4A patent/CN108932966B/zh active Active
- 2018-05-09 TW TW107115651A patent/TWI771416B/zh active
- 2018-05-18 KR KR1020180057112A patent/KR20180128847A/ko unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001109708A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | マイクロコンピュータ |
JP2005135182A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Toshiba Corp | マルチチップパッケージ型メモリシステム |
JP2007335809A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の動作制御方法 |
JP2014021925A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 情報処理装置及びプログラム |
JP2015230611A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 富士通株式会社 | 電子デバイス及び電子デバイスの制御方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019036298A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 知能型高帯域幅メモリシステム及びそのための論理ダイ |
JP2020177720A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびシステム |
JP7226055B2 (ja) | 2019-04-17 | 2023-02-21 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6815277B2 (ja) | 2021-01-20 |
CN108932966A (zh) | 2018-12-04 |
CN108932966B (zh) | 2023-10-17 |
EP3467664A1 (en) | 2019-04-10 |
TWI771416B (zh) | 2022-07-21 |
US20180341431A1 (en) | 2018-11-29 |
TW201901452A (zh) | 2019-01-01 |
EP3467664B1 (en) | 2020-09-09 |
US11126373B2 (en) | 2021-09-21 |
KR20180128847A (ko) | 2018-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240096387A1 (en) | Memory device comprising programmable command-and-address and/or data interfaces | |
EP3467664B1 (en) | Semiconductor device and data processing system | |
JP4586030B2 (ja) | メモリモジュール用の動的コマンドおよび/またはアドレスミラーリングシステムおよび方法 | |
JP4838844B2 (ja) | 方法、記憶媒体、システムおよびプログラム | |
US20180004659A1 (en) | Cribbing cache implementing highly compressible data indication | |
US20230305981A1 (en) | Active bridge chiplet with integrated cache | |
US20130077635A1 (en) | System and Method for Dynamically Configurable Multi-Window Divergent Protocol Bridge | |
CN111261204B (zh) | 存储系统 | |
US11841803B2 (en) | GPU chiplets using high bandwidth crosslinks | |
JP4205743B2 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体装置 | |
JP2018120589A (ja) | 揮発性メモリキャッシュのデータを代替する方法及びそのためのキャッシュ管理部 | |
JP2009230776A (ja) | マルチポートメモリ、および該マルチポートメモリを備えるコンピュータシステム | |
US20130061004A1 (en) | Memory/logic conjugate system | |
JP2018508871A (ja) | 最小限のパッケージングの複雑性で異なる外部メモリタイプをサポートするための共通のダイ | |
JP2018092690A (ja) | 半導体装置および半導体集積システム | |
JP2000172524A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20210117114A1 (en) | Memory system for flexibly allocating memory for multiple processors and operating method thereof | |
JP7226055B2 (ja) | 半導体装置およびシステム | |
US7743221B2 (en) | Memory sharing method for sharing SRAM in an SOC device | |
KR102518849B1 (ko) | 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6815277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |