JP2018195977A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018195977A5
JP2018195977A5 JP2017098194A JP2017098194A JP2018195977A5 JP 2018195977 A5 JP2018195977 A5 JP 2018195977A5 JP 2017098194 A JP2017098194 A JP 2017098194A JP 2017098194 A JP2017098194 A JP 2017098194A JP 2018195977 A5 JP2018195977 A5 JP 2018195977A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
impurity diffusion
diode
conversion device
electrode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017098194A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6894760B2 (ja
JP2018195977A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017098194A priority Critical patent/JP6894760B2/ja
Priority claimed from JP2017098194A external-priority patent/JP6894760B2/ja
Priority to US15/976,399 priority patent/US10630923B2/en
Publication of JP2018195977A publication Critical patent/JP2018195977A/ja
Publication of JP2018195977A5 publication Critical patent/JP2018195977A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6894760B2 publication Critical patent/JP6894760B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (16)

  1. 半導体基板と、複数の画素と、制御部とを備えた光電変換装置であって、
    前記複数の画素の各々は、光電変換部と、ダイオードとを有し、
    前記光電変換部は、
    第1の電極層と、
    前記第1の電極層と前記半導体基板との間に設けられた第2の電極層と、
    前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられた光電変換層とを有し、
    前記ダイオードは、第1導電型の第1の不純物拡散部と第2導電型の第2の不純物拡散部とを有し、
    前記第2の電極層は、前記第1の不純物拡散部に接続され、
    前記制御部は、前記第1の不純物拡散部と前記第2の不純物拡散部とが順バイアス状態となる電圧と、前記第1の不純物拡散部と前記第2の不純物拡散部とが逆バイアス状態となる電圧とを前記ダイオードにそれぞれ印加することを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記ダイオードは、前記第1の不純物拡散部と前記第2の不純物拡散部とで形成されたPN接合部を有
    ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記第2の不純物拡散部は、半導体基板上に形成されたウェル領域であり、
    前記第1の不純物拡散部は、前記ウェル領域の内部に形成されている
    ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
  4. 前記ウェル領域が、前記複数の画素で共有されている
    ことを特徴とする請求項に記載の光電変換装置。
  5. 前記制御部は、前記第2の不純物拡散部に接続され、前記ダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第2の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
    ことを特徴とする請求項又はに記載の光電変換装置。
  6. 前記ダイオードは、前記第1の不純物拡散部、前記第2の不純物拡散部、及び前記半導体基板で形成された縦型オーバーフロードレイン構造を有し、
    前記制御部は、前記半導体基板に接続され、前記ダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第2の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
    ことを特徴とする請求項又はに記載の光電変換装置。
  7. 前記制御部は、バイアス制御容量を介して前記第2の電極層に接続され、前記第2の電極層の電位を前記バイアス制御容量を介して制御する
    ことを特徴とする請求項又はに記載の光電変換装置。
  8. 前記ダイオードは、ツェナーダイオードであり、
    前記制御部は、前記ダイオードをツェナー降伏させることによって前記第2の電極層に蓄積された信号電荷をリセットする
    ことを特徴とする請求項に記載の光電変換装置。
  9. 前記制御部は、前記ダイオードをツェナー降伏させた後に、前記ダイオードを順バイアス状態にする
    ことを特徴とする請求項に記載の光電変換装置。
  10. 前記画素は、前記第2の電極層に蓄積された信号電荷に基づく信号を増幅する第1の増幅部を更に有する
    ことを特徴とする請求項からのいずれか1項に記載の光電変換装置。
  11. 前記画素は、前記第1の増幅部の後段にクランプ容量及び第2のノードを介して接続された第2の増幅部、及び、前記第2のノードに接続された第2のダイオード、を更に有し、
    前記制御部は、前記第2のダイオードの端子間の電圧を制御して、前記第2のノードにクランプ電圧を供給する
    ことを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。
  12. 前記第2のダイオードは、第1導電型の第3の不純物拡散部と前記第2の不純物拡散部とで形成されたPN接合部を有し、
    前記第3の不純物拡散部は、前記ウェル領域の内部に形成され、前記第2のノードに接続されている
    ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置。
  13. 前記制御部は、前記第2の不純物拡散部に接続され、前記第2のダイオードを順バイアス状態にすることによって前記第2のノードの電位を制御する
    ことを特徴とする請求項12に記載の光電変換装置。
  14. 前記制御部は、第2のバイアス制御容量を介して前記第2のノードに接続され、前記第2のノードの電位を前記第2のバイアス制御容量を介して制御する
    ことを特徴とする請求項12に記載の光電変換装置。
  15. 請求項1から14のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置から出力される撮像信号を処理する信号処理装置と、
    を備える撮像システム。
  16. 移動体であって、
    請求項1から14のいずれか1項に記載の光電変換装置を有する撮像装置と、
    前記光電変換装置の第1の光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号と、第2の光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号とを処理し、被写体までの距離情報を取得する信号処理部と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する主制御部と、
    を備えることを特徴とする移動体。
JP2017098194A 2017-05-17 2017-05-17 光電変換装置及び撮像システム Active JP6894760B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017098194A JP6894760B2 (ja) 2017-05-17 2017-05-17 光電変換装置及び撮像システム
US15/976,399 US10630923B2 (en) 2017-05-17 2018-05-10 Photoelectric conversion apparatus and imaging system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017098194A JP6894760B2 (ja) 2017-05-17 2017-05-17 光電変換装置及び撮像システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018195977A JP2018195977A (ja) 2018-12-06
JP2018195977A5 true JP2018195977A5 (ja) 2020-08-06
JP6894760B2 JP6894760B2 (ja) 2021-06-30

Family

ID=64272191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017098194A Active JP6894760B2 (ja) 2017-05-17 2017-05-17 光電変換装置及び撮像システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10630923B2 (ja)
JP (1) JP6894760B2 (ja)

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5159422A (en) 1987-06-17 1992-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
US6069393A (en) 1987-06-26 2000-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter
US5366921A (en) 1987-11-13 1994-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Process for fabricating an electronic circuit apparatus
JPH0294565A (ja) 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Corp 固体撮像装置
DE4321789C2 (de) * 1993-06-30 1999-12-09 Siemens Ag Festkörperbildwandler
JPH114374A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Nikon Corp 撮像装置
US6717151B2 (en) 2000-07-10 2004-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
US6800836B2 (en) 2000-07-10 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system
JP2002353433A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 固体撮像装置
US6870209B2 (en) * 2003-01-09 2005-03-22 Dialog Semiconductor Gmbh CMOS pixel with dual gate PMOS
US7268332B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US7420406B2 (en) * 2004-10-12 2008-09-02 Infineon Technologies Ag Method and circuit arrangement for setting an initial value on a charge-storage element
US7642580B2 (en) * 2007-06-20 2010-01-05 Apitina Imaging Corporation Imager pixel structure and circuit
JP5404112B2 (ja) 2009-03-12 2014-01-29 キヤノン株式会社 固体撮像素子、その駆動方法及び撮像システム
WO2011058684A1 (ja) * 2009-11-12 2011-05-19 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP2012164892A (ja) 2011-02-08 2012-08-30 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP6124217B2 (ja) * 2011-04-28 2017-05-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及びそれを用いたカメラシステム
US8766325B2 (en) * 2011-10-17 2014-07-01 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP6141024B2 (ja) 2012-02-10 2017-06-07 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP6108884B2 (ja) * 2013-03-08 2017-04-05 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP6368115B2 (ja) 2013-05-10 2018-08-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6207351B2 (ja) 2013-11-12 2017-10-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP6171997B2 (ja) 2014-03-14 2017-08-02 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器
JP2016021445A (ja) * 2014-07-11 2016-02-04 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、撮像システム
JP6420650B2 (ja) * 2014-12-10 2018-11-07 株式会社Subaru 車外環境認識装置
JP6579774B2 (ja) 2015-03-30 2019-09-25 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6494368B2 (ja) 2015-03-30 2019-04-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2017098809A (ja) 2015-11-26 2017-06-01 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、撮像システム
JP6702711B2 (ja) 2015-12-17 2020-06-03 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、撮像システム
JP2018093263A (ja) 2016-11-30 2018-06-14 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法、および、撮像システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9344658B2 (en) Negative biased substrate for pixels in stacked image sensors
US20180191983A1 (en) Solid-state imaging apparatus and imaging system
JP5780711B2 (ja) 固体撮像装置
JP2012019057A5 (ja)
EP3379575A3 (en) Solid-state imaging device, imaging system, and movable object
JP2015177429A5 (ja)
JP2016027694A5 (ja) 撮像装置、及び監視装置
JP2015149524A5 (ja)
JP2013143598A5 (ja)
JP2013219082A5 (ja)
JP2015159501A5 (ja)
US10128296B2 (en) Imaging array with improved dynamic range utilizing parasitic photodiodes
JP2017184185A5 (ja)
JP2014207390A5 (ja)
US9749566B2 (en) Imaging device and electronic device
JP2020021775A5 (ja)
JP2018107724A5 (ja)
US20130215308A1 (en) Solid-state image sensing device
US20150124135A1 (en) Sharp pixel with fixed conversion gain
JP2019125907A5 (ja)
JP2015216466A5 (ja)
JP2018195977A5 (ja)
JPWO2021065587A5 (ja)
JP6355401B2 (ja) 固体撮像装置及びカメラ
TWI654753B (zh) 具有在互連件之間的屏蔽凸塊之堆疊式影像感測器