JP2013143598A5 - - Google Patents

Description

本発明の１つの側面は、複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記固体撮像装置は、前記複数の画素に電力を供給する１つ以上の電源線及び１つ以上の接地線を含み、前記複数の画素の各々は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器とを含み、前記１つ以上の電源線は第１電源線を含み、前記１つ以上の接地線は第１接地線を含み、前記複数の画素は、前記第１電源線に接続された第１電極と、前記第１接地線に接続された第２電極とを有する第１容量素子を含み、前記Ａ／Ｄ変換器に前記第１電源線及び前記第１接地線を介して電力が供給されることを特徴とする固体撮像装置を提供する。

Claims (14)

1. 複数の画素を有する固体撮像装置であって、
   前記固体撮像装置は、前記複数の画素に電力を供給する１つ以上の電源線及び１つ以上の接地線を含み、
   前記複数の画素の各々は、光電変換素子と、前記光電変換素子で発生した電荷に応じたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器とを含み、
   前記１つ以上の電源線は第１電源線を含み、
   前記１つ以上の接地線は第１接地線を含み、
   前記複数の画素は、前記第１電源線に接続された第１電極と、前記第１接地線に接続された第２電極とを有する第１容量素子を含み、
   前記Ａ／Ｄ変換器に前記第１電源線及び前記第１接地線を介して電力が供給される
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記１つ以上の電源線は第２電源線を更に含み、
   前記１つ以上の接地線は第２接地線を更に含み、
   前記光電変換素子は前記第２接地線に接続される
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記複数の画素は、前記第２電源線に接続された第３電極と、前記第２接地線に接続された第４電極とを有する第２容量素子を更に含む
   ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記複数の画素の各々は、前記Ａ／Ｄ変換器から出力された前記デジタル信号を記憶するメモリを更に含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置。
5. 前記メモリに前記第１電源線及び前記第１接地線を介して電力が供給されることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記メモリに前記第２電源線及び前記第２接地線を介して電力が供給されることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
7. 前記１つ以上の電源線は第３電源線を更に含み、
   前記１つ以上の接地線は第３接地線を更に含み、
   前記メモリに前記第３電源線及び前記第３接地線を介して電力が供給される
   ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
8. 前記複数の画素の各々は、前記光電変換素子で発生した電荷に応じて前記アナログ信号を出力する画素内読出回路を更に含み、
   前記画素内読出回路に前記第２電源線及び前記第２接地線を介して電力が供給される
   ことを特徴とする請求項２乃至７の何れか１項に記載の固体撮像装置。
9. 前記第１容量素子は、前記複数の画素のうちの１つの画素に配置されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の固体撮像装置。
10. 前記第１容量素子は、前記複数の画素のうちの２つ以上の画素にまたがって配置されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の固体撮像装置。
11. 前記第１電極は、半導体基板に含まれる不純物領域であり、
    前記第２電極は、前記不純物領域の上に絶縁膜を介して配置されたポリシリコンである
    ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置。
12. 前記第１電極は、半導体基板に含まれる第１導電型の第１不純物領域であり、
    前記第２電極は、前記半導体基板に含まれる第２導電型の第２不純物領域であり、
    前記第１不純物領域と前記第２不純物領域とによってＰＮ接合が形成される
    ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置。
13. 前記第１容量素子は、前記光電変換素子の外周に沿って配置されることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の固体撮像装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される信号を処理するプロセッサと、
    を備えることを特徴とする撮像システム。