JP2018190854A - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る基板洗浄装置は、第1〜第3処理部と制御部とを備える。第1処理部は、凹凸状のパターンの凹部に金属膜が露出した基板に対し、基板に付着する残渣を除去する第1処理液を供給する。第2処理部は、第1処理液に不溶な保護膜を形成する第2処理液を基板に供給する。第3処理部は、保護膜を溶解する第3処理液を基板に供給する。制御部は、基板に第2処理液を供給することにより、パターン上部を保護膜から露出させた状態で金属膜上に保護膜を形成する保護膜形成処理、保護膜形成処理後の基板に第1処理液を供給してパターン上部に付着した残渣を除去する残渣除去処理、残渣除去処理後の基板に第3処理液を供給して基板上から保護膜を除去する保護膜除去処理を第1処理部、第2処理部および第3処理部に実行させる。
【選択図】図4
Description
まず、本実施形態に係る基板洗浄システムの構成について説明する。図1は、本実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。また、図2は、本実施形態に係るウェハの模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、基板洗浄装置14の構成について図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る基板洗浄装置14の構成を示す模式図である。
上記化学式(1)中、Rは、アルキル基である。アルキル基は、たとえば炭素数1〜8のアルキル基である。
次に、基板洗浄装置14の具体的動作について図4および図5A〜図5Fを参照して説明する。図4は、本実施形態に係る基板洗浄システム1が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図5Aは保護膜形成処理の説明図であり、図5Bおよび図5Cは残渣除去処理の説明図である。また、図5Dおよび図5Eは、保護膜除去処理の説明図であり、図5Fは乾燥処理後のウェハWの模式図である。なお、基板洗浄システム1が備える各装置は、制御部15の制御に従って図4に示す各処理手順を実行する。
上述した実施形態では、1つのチャンバ20に対し、第1処理部のノズル41a、第2処理部のノズル41bおよび第3処理部のノズル41dが設けられる場合の例について説明したが、基板洗浄装置14の構成は、上記の例に限定されない。以下では、変形例に係る基板洗浄装置14の構成について説明する。
1 基板洗浄システム
14 基板洗浄装置
45a 薬液供給源
45b 成膜処理液供給源
45c リンス液供給源
45d 溶解処理液供給源
Claims (7)
- 凹凸状のパターンの凹部に金属膜が露出した基板に対し、前記基板に付着する残渣を除去する第1処理液を供給する第1処理部と、
固化または硬化することによって前記第1処理液に不溶な保護膜を形成する第2処理液を前記基板に対して供給する第2処理部と、
前記保護膜を溶解する第3処理液を前記基板に対して供給する第3処理部と、
前記第1処理部、前記第2処理部および前記第3処理部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記基板に対して前記第2処理液を供給することにより、前記パターンの上部を前記保護膜から露出させた状態で、前記金属膜上に前記保護膜を形成する保護膜形成処理と、前記保護膜形成処理後の前記基板に対して前記第1処理液を供給することにより、前記パターンの上部に付着した残渣を除去する残渣除去処理と、前記残渣除去処理後の前記基板に対して前記第3処理液を供給することにより、前記基板上から前記保護膜を除去する保護膜除去処理とを前記第1処理部、前記第2処理部および前記第3処理部に実行させること
を特徴とする基板洗浄装置。 - 前記第2処理液は、フッ素原子を含有する化合物を含むこと
を特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 前記第3処理液は、有機溶剤であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記1処理部、前記第2処理部および前記第3処理部が設けられたチャンバ
を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記第2処理部が設けられた第1チャンバと、
前記第1処理部および前記第3処理部が設けられた第2チャンバと
を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 凹凸状のパターンの凹部に金属膜が露出した基板に対し、前記基板に付着する残渣を除去する第1処理液を供給することにより、前記パターンの上部に付着した残渣を除去する残渣除去工程と、
前記残渣除去工程に先立ち、固化または硬化することによって前記第1処理液に不溶な保護膜を形成する第2処理液を前記基板に対して供給することにより、前記パターンの上部を前記保護膜から露出させた状態で、前記金属膜上に前記保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記残渣除去工程後の前記基板に対し、前記保護膜を溶解する第3処理液を供給することにより、前記基板上から前記保護膜を除去する保護膜除去工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021021547A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 株式会社いけうち | 水噴霧方法および水噴霧システム |
JP2021087003A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11921426B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recipe selection method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128678A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-05-08 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种去除掩模保护膜上颗粒的方法 |
JP2022104013A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080263A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄方法 |
JP2011139004A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Asahi Glass Co Ltd | 基板の洗浄方法 |
JP2015046442A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP2016036012A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7119025B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns |
US7351656B2 (en) * | 2005-01-21 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaihsa Toshiba | Semiconductor device having oxidized metal film and manufacture method of the same |
JP5440468B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5789400B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
JP5801594B2 (ja) | 2011-04-18 | 2015-10-28 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法 |
-
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-
2018
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-
2020
- 2020-06-04 US US16/892,396 patent/US11551941B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080263A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄方法 |
JP2011139004A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Asahi Glass Co Ltd | 基板の洗浄方法 |
JP2015046442A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体 |
JP2016036012A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021021547A (ja) * | 2019-07-29 | 2021-02-18 | 株式会社いけうち | 水噴霧方法および水噴霧システム |
JP7315953B2 (ja) | 2019-07-29 | 2023-07-27 | 株式会社いけうち | 水噴霧方法および水噴霧システム |
JP2021087003A (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7296309B2 (ja) | 2019-11-29 | 2023-06-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11921426B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recipe selection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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