JP2018188433A - アミン化合物及びこれを含む有機ｅｌ素子 - Google Patents

アミン化合物及びこれを含む有機ｅｌ素子 Download PDF

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Abstract

【課題】駆動電圧が低く、寿命が向上され、発光効率が高い有機ＥＬ素子に使用されることができるアミン化合物の提供。【解決手段】化学式１で表わされる化合物（Ａｒ1及びＡｒ2は、環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、Ａｒ3は、環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、Ｌ1は、環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基）。【選択図】図１

Description

本発明はアミン化合物及びこれを含む有機ＥＬ素子に係る。
画像表示装置として、有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）の開発が活発に行われている。有機ＥＬ表示装置は液晶表示装置等とは異なり、第１電極及び第２電極から注入された正孔及び電子を発光層で再結合させることによって、発光層に含まれる有機化合物である発光材料を発光させて表示を実現する所謂自発光型の表示装置である。
有機ＥＬ素子としては、例えば第１電極、第１電極上に配置された正孔輸送層、正孔輸送層上に配置された発光層、発光層上に配置された電子輸送層、及び電子輸送層上に配置された第２電極で構成された有機素子が知られている。第１電極からは、正孔が注入され、注入された正孔は、正孔輸送層を移動して発光層に注入される。一方、第２電極からは電子が注入され、注入された電子は電子輸送層を移動して発光層に注入される。発光層に注入された正孔と電子とが再結合することによって、発光層内で励起子が生成される。有機ＥＬ素子はその励起子が再び基底状態に落ちる時、発生する光を利用して発光する。また、有機ＥＬ素子は以上に説明した構成に限定されず、様々な変更が可能である。有機ＥＬ素子を表示装置に応用するにあたり、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化及び高長寿命化が要求されている。
韓国登録特許第１０−１６３９８６７号公報 米国特許第８，１８２，９３３号明細書 特許第４９５１８２９号公報 特許第６０８１２１０号公報 特許第５７８３７４９号公報 特許第５９６３４６７号公報 米国特許出願公開第２０１６／０１１１６５０号明細書 米国特許出願公開第２０１６／０１４１５１４号明細書
本発明の目的は駆動電圧が低く、寿命が向上され、発光効率が高い有機ＥＬ素子に利用されることができるアミン化合物を提供することにある。
本発明の他の目的は駆動電圧が低く、寿命が向上され、発光効率が高い有機ＥＬ素子を提供することにある。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物は下記の化学式１で表わされる。
前記化学式１で、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立的に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。Ａｒ3は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基である。Ｌ1は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
前記Ａｒ3は置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、又は置換若しくは無置換のフェナントリル基であってもよい。
前記Ｌ1は置換若しくは無置換のフェニレン基、又は置換若しくは無置換のビフェニレン基であってもよい。
前記Ｌ1は下記化学式２−１又は２−２で表わされる２価基であってもよい。
前記化学式２−１及び２−２でＲ1〜Ｒ3は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。ｎ1〜ｎ3は各々独立的に０以上４以下の整数である。
前記Ｌ1は下記化学式２−３又は２−４で表わされる２価基であってもよい。
前記化学式２−３及び２−４でＲ1〜Ｒ3、及びｎ1〜ｎ3は先に定義した通りである。
前記Ｌ1は下記化学式２−５又は２−６で表わされる２価基であってもよい。
前記化学式２−５及び２−６でＲ1〜Ｒ3、及びｎ1〜ｎ3は先に定義した通りである。
前記Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立的に置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基である。
Ａｒ3が置換される場合、置換基は重水素、シリル基、アルキル基及びアリール基の中で少なくとも１つであってもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは前記ヘテロアリール基であるか、或いはＡｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは多環を含んでもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基である。
化学式１は下記の化学式１−１〜化学式１−４の中でいずれか１つで表わされる。
前記化学式１−１で、Ａｒ4は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、Ａｒ1、Ａｒ3、及びＬ1は前述したことと同一である。
前記化学式１−２で、Ｙ1及びＹ2は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。ｍ1及びｍ2は各々独立的に０以上５以下の整数であり、Ａｒ1及びＬ1は前述したことと同一である。
前記化学式１−３で、Ｘ1はＯ又はＳであり、Ａｒ2、Ａｒ3、及びＬ1は前述したことと同一である。
前記化学式１−４で、Ｘ1及びＸ2は各々独立的にＯ又はＳであり、Ａｒ3、及びＬ1は前述したことと同一である。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物は下記の化学式３で表わされる。
前記化学式３でＡｒ4及びＡｒ5は各々独立的に置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。Ａｒ6は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基である。Ｌ2は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上２０以下のヘテロアリーレン基である。Ｒ4は水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。ｎ4は０以上４以下の整数である。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第１電極、前記第１電極上に配置された正孔輸送領域、前記正孔輸送領域上に配置された発光層、前記発光層上に配置された電子輸送領域、及び前記電子輸送領域上に配置された第２電極を含む。前記正孔輸送領域は前記化学式１で表わされるアミン化合物を含む。
前記正孔輸送領域は、前記第１電極上に配置される正孔注入層、及び前記正孔注入層上に配置される正孔輸送層を含んでもよい。前記正孔輸送層は、前記化学式１で表わされるアミン化合物を含んでもよい。前記正孔輸送層は、前記発光層と接触してもよい。
前記正孔輸送領域は、前記第１電極上に配置される正孔注入層、前記正孔注入層上に配置される第１正孔輸送層、及び前記第１正孔輸送層上に配置され、前記発光層と隣接する第２正孔輸送層を含んでもよい。前記第２正孔輸送層は、前記化学式１で表わされるアミン化合物を含んでもよい。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、有機ＥＬ素子用材料として使用されることができる。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧、長い寿命、及び高い発光効率を実現することができる。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。
以上、本発明の目的、他の目的、特徴及び長所は、添付された図面及び以下の実施形態を通じて容易に理解されるべきである。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態で実現されてもよい。むしろ、ここで説明される実施形態は開示された内容が徹底され、完全になるように、そして通常の技術者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために提供されるものである。
各図面において、類似の構成要素に対して類似の参照符号を使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示したものである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せずに、第１構成要素は第２構成要素と称し、同様に第２構成要素も第１構成要素と称することができる。単数の表現は文脈上に明確に表現しない限り、複数の表現を含む。
本明細書で、“含む”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組み合わせを表現しようするものであり、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらの組み合わせ又は付加可能性を予め排除しないものとして理解されるべきである。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“上に”あるとする場合、これは、他の部分の“直上に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。同様に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“下に”あるとする場合、これは、他の部分の“直下に”ある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
本明細書で、別の定義がない限り、“置換若しくは無置換の”は重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、ホウ素基、アリールアミノ基、ホスフィンオキシド基、ホスフィンスルフィド基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群から選択される１つ以上の置換基で置換されるか、無置換であることを意味する。また、例示された置換基の各々は、置換若しくは無置換であってもよい。例えば、ビフェニル基はアリール基として解釈されてもよく、フェニル基で置換されたフェニル基として解釈されてもよい。
本明細書で、“隣接する基と互いに結合して環を形成する”とは、隣接する基と互いに結合して置換若しくは無置換の炭化水素環、又は置換若しくは無置換のヘテロ環を形成することを意味する。炭化水素環は脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環を含む。ヘテロ環は脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。炭化水素環及びヘテロ環は単環又は多環である。また、互いに結合して形成された環は他の環と結合されてスピロ構造を形成してもよい。
本明細書で、“隣接する基”は該当する置換基が置換された原子と直接結合された原子に置換された置換基、該当する置換基が置換された原子に置換された他の置換基又は該当する置換基と立体構造的に最も隣接する置換基を意味することができる。例えば、１、２−ジメチルベンゼン（１、２−ｄｉｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）で２つのメチル基は、互いに“隣接する基”として解釈されることができ、１、１−ジエチルシクロペンテン（１、１−ｄｉｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔｅｎｅ）で２つのエチル基は、互いに“隣接する基”として解釈されることができる。
本明細書で、単結合は、単一の結合を意味する。
本明細書で、ハロゲン原子の例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子がある。
本明細書で、アルキル基は、直鎖、分岐鎖、又は環形である。アルキル基の炭素数は１以上３０以下、１以上２０以下、１以上１５以下、１以上１０以下、又は１以上６以下である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｉ−ブチル基、２−エチルブチル基、３、３−ジメチルブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、シクロペンチル基、１−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−エチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、２−ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルヘプチル基、２、２−ジメチルヘプチル基、２−エチルヘプチル基、２−ブチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基、２−エチルオクチル基、２−ブチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、３、７−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、アダマンチル基、２−エチルデシル基、２−ブチルデシル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルデシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、２−エチルドデシル基、２−ブチルドデシル基、２−ヘキシルドデシル基、２−オクチルドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、２−エチルヘキサデシル基、２−ブチルヘキサデシル基、２−ヘキシルヘキサデシル基、２−オクチルヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、２−エチルイコシル基、２−ブチルイコシル基、２−ヘキシルイコシル基、２−オクチルイコシル基、ｎ−ヘンイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシル基、及びｎ−トリアコンチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書で、アリール基は、芳香族炭化水素環から誘導された任意の作用基又は置換基を意味する。アリール基は単環式アリール基又は多環式アリール基である。アリール基の環形成炭素数は６以上３０以下、６以上２０以下、又は６以上１５以下である。アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、キンクフェニル基、セクシフェニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基等を例示することができるが、これらに限定されない。
本明細書で、フルオレニル基は、置換されることができ、置換基２つが互いに結合してスピロ構造を形成することもできる。例えば、フルオレニル基は９、９’−スピロビフルオレニル基である。
本明細書で、ヘテロアリール基は、異種元素としてＯ、Ｎ、Ｐ、Ｓ、及びＳｉの中で１個以上を含むヘテロアリール基である。ヘテロアリール基は単環式ヘテロアリール基又は多環式ヘテロアリール基である。ヘテロアリール基の環形成炭素数は２以上３０以下、又は２以上２０以下である。ヘテロアリール基の例としては、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フェノキサジル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、チエノチオフェニル基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、フェノチアジニル基、ジベンゾシリル基、ジベンゾフラニル基等があるが、これらに限定されない。
本明細書で、アリーレン基は、２価基であることを除外すれば、前述したアリール基に関する説明が適用される。
本明細書で、ヘテロアリーレン基は、２価基であることを除外すれば、前述したアリール基に関する説明が適用される。
本明細書で、シリル基はアルキルシリル基及びアリールシリル基を含む。シリル基の例としてはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基等があるが、これに限定されない。
本明細書で、ホウ素基はアルキルホウ素基及びアリールホウ素基を含む。ホウ素基の例としてはトリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、ｔ−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、ジフェニルホウ素基、フェニルホウ素基等があるが、これらに限定されない。
本明細書で、アルケニル基は直鎖又は分岐鎖である。炭素数は、特に限定されないが、２以上３０以下、２以上２０以下、又は２以上１０以下である。アルケニル基の例としてはビニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１、３−ブタジエニルアリール基、スチレニル基、ストリールビニル基等があるが、これらに限定されない。
本明細書で、アミノ基の炭素数は特に限定されないが、１以上３０以下である。アミノ基はアルキルアミノ基及びアリールアミノ基を含む。アミノ基の例としてはメチルアミノ基、ジメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、９−メチル−アントラセニルアミノ基、トリフェニルアミノ基等があるが、これらに限定されない。
以下では本発明の一実施形態に係るアミン化合物に対して説明する。本発明の一実施形態に係るアミン化合物はモノアミン化合物であっても良い。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、下記の化学式１で表わされる。
Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立的に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。好ましくは、Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立的に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上２０以下のヘテロアリール基である。具体的には、Ａｒ1及びＡｒ2は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基であってもよい。Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立的にフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、又はアリールシリル基で置換された環形成炭素数６以上１２以下のアリール基であってもよい。Ａｒ1及びＡｒ2は互いに同一であるか、或いは異なる。例えば、Ａｒ1及びＡｒ2は互いに同様に置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基である。又は、Ａｒ1は無置換のフェニル基であり、Ａｒ2はトリフェニルシリル基で置換されたビフェニル基であってもよい。
Ａｒ3は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基である。Ａｒ3は置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、又は置換若しくは無置換のフェナントリル基であってもよい。例えば、Ａｒ3は無置換のフェニル基である。
Ａｒ3が置換される場合、置換基は重水素、シリル基、アルキル基、及びアリール基の中で少なくとも１つである。
Ａｒ3はヘテロアリール基を含まない。例えば、Ａｒ3は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、置換される場合、ヘテロアリール基以外の置換基で置換される。Ａｒ3がヘテロアリール基で置換される場合、比較的不安定なヘテロアリール基はアリールアミンの窒素によって安定化される効果が少ないので、有機ＥＬ素子に適用される場合、発光効率が低下される虞がある。
Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つはヘテロアリール基であるか、或いはＡｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは多環を含む。“多環を含む”はＡｒ1及び／又はＡｒ2自体が多環構造を有する置換基である場合及び多環構造を有する置換基で置換された場合を全て含む。多環構造を有する置換基で置換された場合の例示としては、ナフチル基で置換されたフェニル基、ビフェニル基で置換されたフェニル基等が挙げられる。Ａｒ1及び／又はＡｒ2自体が多環構造を有する置換基である場合の例示としては、置換若しくは無置換のアントラセニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
これに限定されることではないが、Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基であってもよい。
Ｌ1は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。好ましくは、Ｌ1は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上１５以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上１５以下のヘテロアリーレン基である。例えば、Ｌ1は置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換の２価のビフェニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニレン基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニレン基であってもよい。
Ｌ1は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基と置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基とが結合されたものであってもよい。例えば、Ｌ1は置換若しくは無置換のフェニレン基と置換若しくは無置換のピリジレン基とが連結されたものであってもよい。
Ｌ1は、下記化学式２−１又は２−２で表わされる２価基であってもよい。
化学式２−１及び２−２で、Ｒ1〜Ｒ3は、各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
ｎ1〜ｎ3は、各々独立的に０以上４以下の整数である。ｎ1が０である場合、化学式２−１で表わされるＬ1はＲ1で置換されないことを意味する。ｎ1が２以上の整数である場合、複数のＲ1は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。ｎ2が０である場合、化学式２−２で表わされるＬ1はＲ2で置換されないことを意味する。ｎ2が２以上の整数である場合、複数のＲ2は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。ｎ3が０である場合、化学式２−２で表わされるＬ1はＲ3で置換されないことを意味する。ｎ3が２以上の整数である場合、複数のＲ3は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。
Ｌ1は、下記化学式２−３〜２−６で表わされる２価基であってもよい。
化学式２−３〜２−６で、Ｒ1〜Ｒ3、及びｎ1〜ｎ3は先に定義した通りである。
化学式１は、下記の化学式１−１で表わされる化合物であってもよい。
化学式１−１で、Ａｒ4は置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、Ａｒ1、Ａｒ3、及びＬ1は化学式１で定義したことと同一である。
化学式１は、下記の化学式１−２で表わされる化合物であってもよい。
化学式１−２で、Ｙ1及びＹ2は、各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアリール基であり、隣接する基と互いに結合して環を形成することができる。ｍ1及びｍ2は各々独立的に０以上５以下の整数である。Ａｒ1及びＬ1は化学式１で定義したことと同一である。
化学式１−２で、ｍ1が２以上である場合、複数のＹ1は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。ｍ2が２以上である場合、複数のＹ2は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。
化学式１−２で、ｍ1が１である場合、Ｙ1は水素原子以外の置換基であり、ｍ2が１である場合、Ｙ2は水素原子以外の置換基である。
化学式１は、下記の化学式１−３で表わされる化合物であってもよい。
化学式１−３で、Ｘ1はＯ又はＳであり、Ａｒ2、Ａｒ3、及びＬ1は化学式１で定義したことと同一である。
化学式１は、下記の化学式１−４で表わされる化合物であってもよい。
化学式１−４で、Ｘ1及びＸ2は各々独立的にＯ又はＳであり、Ａｒ3及びＬ1は化学式１で定義したことと同一である。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物が化学式２−３又は２−４で表わされるＬ1を有する場合、リンカーの中で少なくとも一部である置換若しくは無置換のフェニレン基のメタ（ｍｅｔａ）位にナフチル基とアミノ基とが各々結合される。（化学式２−４で表わされるＬ1の場合、ビフェニレン基は、ナフチル基が結合している第１のフェニレン基と、第１のフェニレン基のメタ位に結合された、アミノ基が結合している第２のフェニレン基とを含む。アミノ基は、第１のフェニル基が結合している第２のフェニレン基のパラ位に結合している。）本発明の一実施形態に係るアミン化合物が化学式２−５又は２−６で表わされるＬ1を有する場合、リンカー（Ｌ1）の中で少なくとも一部である置換若しくは無置換のフェニレン基のパラ（ｐａｒａ）位置にナフチル基とアミノ基とが各々結合される。（化学式２−６で表わされるＬ1の場合、ビフェニレン基は、ナフチル基が結合第１のフェニレン基と、第１のフェニレン基のパラ位に結合された、アミノ基が結合している第２のフェニレン基とを含む。アミノ基は、第１のフェニル基が結合している第２のフェニレン基のパラ位に結合している。）
化学式１で表わされるアミン化合物は、下記の化学式３で表わされる化合物であってもよい。
化学式３で、Ａｒ4及びＡｒ5は、各々独立的に置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。好ましくは、Ａｒ4及びＡｒ5は、各々独立的に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。具体的には、Ａｒ4及びＡｒ5は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基である。Ａｒ4及びＡｒ5は、各々独立的にフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、又はアリールシリル基で置換された環形成炭素数６以上１２以下のアリール基であってもよい。Ａｒ4及びＡｒ5は、互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。例えば、Ａｒ4及びＡｒ5は、互いに同様に置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基である。又は、Ａｒ4は無置換のフェニル基であり、Ａｒ5はトリフェニルシリル基で置換されたビフェニル基であってもよい。
Ａｒ6は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基である。Ａｒ6は置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、又は置換若しくは無置換のフェナントリル基である。例えば、Ａｒ6は無置換のフェニル基である。
Ｌ2は単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上２０以下のヘテロアリーレン基である。好ましくは、Ｌ3は、単結合又は置換若しくは無置換のフェニレン基である。
Ｒ4は、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。
ｎ4は、０以上４以下の整数である。ｎ4が０である場合、化学式３で表わされるアミン化合物はＲ4で置換されないことを意味する。ｎ4が２以上の整数である場合、複数のＲ4は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。
化学式３で表わされる化合物は、下記の化学式３−１で表わされる化合物であってもよい。
化学式３−１で、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6、Ｌ2、Ｒ4、及びｎ4は先に定義した通りである。
化学式３−１で表わされる化合物は、下記の化学式３−１−１又は３−１−２で表わされる化合物であってもよい。
化学式３−１−１及び３−１−２で、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6、Ｒ4、及びｎ4は先に定義した通りである。
化学式３−１−２で、Ｒ5は水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。ｎ5は０以上４以下の整数である。ｎ5が０である場合、化学式３−１−２で表わされるアミン化合物はＲ5で置換されないことを意味する。ｎ5が２以上の整数である場合、複数のＲ5は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。
化学式３で表わされるアミン化合物は下記化学式３−２で表わされる化合物であってもよい。
化学式３−２で、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6、Ｌ2、Ｒ4、及びｎ4は先に定義した通りである。
化学式３−２で表わされる化合物は、下記化学式３−２−１又は３−２−２で表わされる化合物であってもよい。
化学式３−２−１及び３−２−２で、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6、Ｒ4、及びｎ4は先に定義した通りである。
化学式３−２−２で、Ｒ6は水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基である。ｎ6は０以上４以下の整数である。ｎ6が０である場合、化学式３−２−２で表わされるアミン化合物はＲ6で置換されないことを意味する。ｎ6が２以上の整数である場合、複数のＲ6は互いに同一であってもよく、或いは異なっていてもよい。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物が化学式３−１−１〜３−２−２で表わされる場合、化学式１でＬ1が置換若しくは無置換のフェニレン基、又は置換若しくは無置換のビフェニレン基である場合に対応する。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物が化学式３−１で表わされる場合、アミノ基とナフチル基とを結合するリンカーの中の少なくとも一部である置換若しくは無置換のフェニレン基のメタ（ｍｅｔａ）位にナフチル基とアミノ基とが各々結合される。（化学式３−１で表わされる化合物の場合、該リンカーは、ナフチル基が結合しているフェニレン基と、フェニレン基のメタ位に結合された、アミノ基が結合しているＬ2とを含む。）本発明の一実施形態に係るアミン化合物が化学式３−２で表わされる場合、アミノ基とナフチル基とを結合するリンカーの中の少なくとも一部である置換若しくは無置換のフェニレン基のパラ（ｐａｒａ）位にナフチル基とアミノ基とが各々結合される。（化学式３−２で表わされる化合物の場合、該リンカーは、ナフチル基が結合しているフェニレン基と、フェニレン基のパラ位に結合された、アミノ基が結合しているＬ2とを含む。）
化学式１で表わされるアミン化合物は下記の化合物群１で示される化合物の中から選択されるいずれか１つであってもよい。但し、本発明に係るアミン化合物は、これによって限定されない。
[化合物群１]
化学式１で表わされるアミン化合物は下記の化合物群２で示される化合物の中から選択されるいずれか１つであってもよい。但し、本発明に係る化合物は、これによって限定されない。
[化合物群２]
化学式１で表わされるアミン化合物は下記の化合物群３で示される化合物の中から選択されるいずれか１つであってもよい。但し、本発明に係る化合物は、これによって限定されない。
[化合物群３]
化学式１で表わされるアミン化合物は下記の化合物群４で示される化合物の中から選択されるいずれか１つであってもよい。但し、本発明に係る化合物は、これによって限定されない。
[化合物群４]
化学式１で表わされるアミン化合物は下記の化合物群５で示される化合物の中から選択されるいずれか１つであってもよい。但し、本発明の化合物は、これによって限定されない。
［化合物群５］
本発明の一実施形態に係るアミン化合物はナフチル基を含む。１−ナフチル基は、リンカーを介してアリールアミノ基に結合され、８位の炭素が置換基によって置換される。化学式１で表わされるアミン化合物は有機ＥＬ素子に適用された時、高い発光効率、低い駆動電圧、及び長寿命を実現することができる。８位の炭素が置換基によって置換された１−ナフチル基を含むアミン化合物は、正孔輸送特性を維持しながら、熱及び電荷耐性が向上される。そのため、これを適用した有機ＥＬ素子は、高熱及び電荷による特性低下が減少されて、長寿命化の実現が可能である。また、本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、置換されたナフチル基が大きな体積を有することによって結晶化が抑制されて、膜質が向上されるので、これを適用した有機ＥＬ素子は高効率化が可能である。
以下では本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。以下では先に説明した本発明の一実施形態に係るアミン化合物との差異点を主に具体的に説明し、説明されなかった部分は先に説明した本発明の一実施形態に係るアミン化合物と同様である。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む。
図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。図２は本発明の一実施形態に係る別の有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。図３は本発明の一実施形態に係るさらに別の有機ＥＬ素子を概略的に示した断面図である。
図１〜図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子１０は、第１電極ＥＬ１、正孔輸送領域ＨＴＲ、発光層ＥＭＬ、電子輸送領域ＥＴＲ、及び第２電極ＥＬ２を含む。
第１電極ＥＬ１は導電性を有する。第１電極ＥＬ１は画素電極又は陽極である。第１電極ＥＬ１は、透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極である。第１電極ＥＬ１が透過型電極である場合、第１電極ＥＬ１は、透明金属酸化物、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等から構成される。第１電極ＥＬ１が半透過型電極又は反射型電極である場合、第１電極ＥＬ１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ又はこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの合金）を含む。又は前記物質で形成された反射膜や、半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等で形成された透明導電膜を含む複数の層構造であってもよい。
以下では前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物が正孔輸送領域ＨＴＲに含まれることを例として説明する。但し、これによって限定されるわけではなく、本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、第１電極ＥＬ１及び第２電極ＥＬ２の間に設けられる１層以上の有機層の中で少なくとも１つの層に含まれることもできる。例えば、本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、発光層ＥＭＬに含まれてもよい。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は正孔輸送領域ＨＴＲに前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む。本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は正孔輸送領域ＨＴＲに下記の化学式１で表わされるアミン化合物を含む。
化学式１でＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、及びＬ1に関する具体的な説明は、前述したことと同一であるので、省略する。
化学式１で表わされるアミン化合物に関する具体的な説明は、前述した説明がそのまま適用されることができるので、省略する。
正孔輸送領域ＨＴＲは、第１電極ＥＬ１上に配置される。正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、正孔バッファ層、及び電子阻止層の中の少なくとも１つを含む。
正孔輸送領域ＨＴＲは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、又は複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
例えば、図１に示されるように、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ又は正孔輸送層ＨＴＬの単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質と正孔輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、正孔輸送領域ＨＴＲは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、或いは図２に示されるような第１電極ＥＬ１から順に積層された正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ、正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層、正孔注入層ＨＩＬ／正孔バッファ層、正孔輸送層ＨＴＬ／正孔バッファ層又は正孔注入層ＨＩＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／電子阻止層等の構造を有してもよいが、これに限定されない。
図３に示されるように、正孔輸送領域ＨＴＲは複数の正孔輸送層を有してもよい。正孔輸送領域ＨＴＲは、第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第１正孔輸送層ＨＴＬ１上に配置される第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含む。第２正孔輸送層ＨＴＬ２は、複数の正孔輸送層の中で発光層ＥＭＬに隣接する正孔輸送層である。
正孔輸送領域ＨＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）等のような多様な方法を利用して形成されることができる。
正孔輸送領域ＨＴＲは、前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む。正孔輸送領域ＨＴＲは、前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物を正孔輸送材料として含む。前述した本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む層は、正孔輸送層ＨＴＬである。図３のように正孔輸送層が第１正孔輸送層ＨＴＬ１及び第２正孔輸送層ＨＴＬ２を含む場合、本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２に含まれることができる。本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、正孔輸送領域ＨＴＲの中で発光層ＥＭＬに隣接する層に含まれることが好ましい。
正孔輸送層ＨＴＬが本発明の一実施形態に係るアミン化合物を含む場合、正孔注入層ＨＩＬは、例えば、銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物；ＤＮＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４、４’４”−Ｔｒｉｓ（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２−ＴＮＡＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ｛Ｎ、−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＮＰＢ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−ｌ−ｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｌｉｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、トリフェニルアミンを含むポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−４’−ｍｅｔｈｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ Ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ］、ＨＡＴ−ＣＮ（１、４、５、８、９、１１−Ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ）等を含むことができる。
正孔輸送層ＨＴＬは、本発明の一実施形態に係るアミン化合物以外に公知の物質をさらに含んでもよい。正孔輸送層ＨＴＬは、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１、１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４、４’−ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）等のようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ、Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＡＰＣ（４、４’−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ ｂｉｓ［Ｎ、Ｎ−ｂｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ］）、ＨＭＴＰＤ（４、４’−Ｂｉｓ［Ｎ、Ｎ’−（３−ｔｏｌｙｌ）ａｍｉｎｏ］−３、３’−ｄｉｍｅｔｈｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）等を含むことができる。
正孔輸送領域ＨＴＲの厚さは、約１５０Å〜約１２０００Å、例えば約１５０Å〜約１５００Åである。正孔輸送領域ＨＴＲが正孔注入層ＨＩＬ及び正孔輸送層ＨＴＬを全て含む場合、正孔注入層ＨＩＬの厚さは約１００Å〜約１００００Å、例えば約１００Å〜約１０００Åであり、正孔輸送層ＨＴＬの厚さは約５０Å〜約１０００Åである。正孔輸送領域ＨＴＲ、正孔注入層ＨＩＬ、及び正孔輸送層ＨＴＬの厚さが前述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧上昇無しで満足することができる程度の正孔輸送特性を得られる。
正孔輸送領域ＨＴＲは先に言及された物質の以外に、導電性向上のために電荷生成物質をさらに含んでもよい。電荷生成物質は、正孔輸送領域ＨＴＲ内に均一に又は不均一に分散されている。電荷生成物質は、例えばｐ−ドーパントである。ｐ−ドーパントはキノン誘導体、金属酸化物及びシアノ基含有化合物の中でいずれか１つであるが、これに限定されない。例えば、ｐ−ドーパントの非制限的な例としては、ＴＣＮＱ（Ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）及びＦ４−ＴＣＮＱ（２、３、５、６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）等のようなキノン誘導体、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物等のような金属酸化物等を挙げられるが、これに限定されない。
前述したように、正孔輸送領域ＨＴＲは、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬの以外に、正孔バッファ層及び電子阻止層の中の少なくとも１つをさらに含んでもよい。正孔バッファ層は、発光層ＥＭＬから放出される光の波長による共振距離を補償して光の放出効率を増加させる。正孔バッファ層に含まれる物質としては、正孔輸送領域ＨＴＲに含まれることができる物質を使用することができる。電子阻止層は、電子輸送領域ＥＴＲから正孔輸送領域ＨＴＲへの電子注入を防止する役割をする層である。
発光層ＥＭＬは、正孔輸送領域ＨＴＲ上に配置される。発光層ＥＭＬは、正孔輸送層ＨＴＬ上に配置され、正孔輸送層ＨＴＬと接触する。発光層ＥＭＬの厚さは、例えば約１００Å〜約６００Åである。発光層ＥＭＬは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、又は複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
発光層ＥＭＬは、レッド光、グリーン光、ブルー光、ホワイト光、イエロー光、シアン光の中の１つを発光する。発光層ＥＭＬは、蛍光物質又は燐光物質を含む。また、発光層ＥＭＬは、ホスト及びドーパントを含むことができる。
発光層ＥＭＬのホスト材料としては、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体等から選択され、望ましくは、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、アントラセン誘導体を挙げることができる。例えば、発光層ＥＭＬのホスト材料として、下記の化学式４で表わされるアントラセン誘導体を使用することができる。
化学式４で、Ｚ1〜Ｚ4は各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換の炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、ｍ1及びｍ2は各々独立的に０以上４以下の整数であり、ｍ3及びｍ4は各々独立的に０以上５以下の整数である。化学式４で、Ｚ3及びＺ4は各々独立的に隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。
化学式４で表わされる化合物は一例として、下記の構造式に示した化合物を挙げることができる。但し、前記化学式４で表わされる化合物が以下に限定されるわけではない。
ホストは通常的に使用する物質であれば、特に限定しないが、例えばＡｌｑ3（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４、４’−ｂｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４’、４”−Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４、４’−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−２、２’−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２−Ｍｅｔｈｙｌ−９、１０−ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）等を使用してもよい。
ドーパントは、例えばスチリル誘導体（例えば、１、４−ｂｉｓ［２−（３−Ｎ−ｅｔｈｙｌｃａｒｂａｚｏｒｙｌ）ｖｉｎｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＣｚＶＢ）、４−（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）−４’−［（ｄｉ−ｐ−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ］ｓｔｉｌｂｅｎｅ（ＤＰＡＶＢ）、Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６−（（Ｅ）−４−（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｓｔｙｒｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ｖｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ（Ｎ−ＢＤＡＶＢｉ））、ペリレン及びその誘導体（例えば、２、５、８、１１−ｔｅｔｒａ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｙｌｅｎｅ（ＴＢＰｅ））、ピレン及びその誘導体（例えば、１、１−ｄｉｐｙｒｅｎｅ、１、４−ｄｉｐｙｒｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ、１、４−Ｂｉｓ（Ｎ、Ｎ−Ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｙｒｅｎｅ）等のドーパントであってもよい。
発光層ＥＭＬが赤色を発光する場合、発光層ＥＭＬは、例えばＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ）（ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｏｙｌｍｅｔｈａｎａｔｏ）ｐｈｅｎａｎｔｈｏｒｏｌｉｎｅ ｅｕｒｏｐｉｕｍ）又はペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが赤色を発光する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、例えばＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）及びＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ ｐｌａｔｉｎｕｍ）のような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）及びその誘導体及び４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）及びその誘導体から選択することができる。
発光層ＥＭＬが緑色を発光する場合、発光層ＥＭＬは、例えばＡｌｑ3（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質を含む。発光層ＥＭＬが緑色を発光する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、例えばＩｒ（ｐｐｙ）3（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）のような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）及びクマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）及びその誘導体から選択することができる。
発光層ＥＭＬが青色を発光する場合、発光層ＥＭＬは、例えばスピロ−ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ）、スピロ−６Ｐ（ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子及びＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系高分子からなる群から選択されたいずれか１つを含む蛍光物質をさらに含むことができる。発光層ＥＭＬが青色を発光する場合、発光層ＥＭＬに含まれるドーパントは、例えば（４、６−Ｆ2ｐｐｙ）2Ｉｒｐｉｃのような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ペリレン（ｐｅｒｌｅｎｅ）及びその誘導体から選択することができる。
電子輸送領域ＥＴＲは発光層ＥＭＬ上に配置される。電子輸送領域ＥＴＲは、正孔阻止層、電子輸送層ＥＴＬ、及び電子注入層ＥＩＬの中で少なくとも１つを含むが、これに限定されない。
電子輸送領域ＥＴＲは単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、又は複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
例えば、電子輸送領域ＥＴＲは、電子注入層ＥＩＬ又は電子輸送層ＥＴＬの単一層の構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層の構造を有してもよい。また、電子輸送領域ＥＴＲは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、或いは第１電極ＥＬ１から順に積層された電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ、正孔阻止層／電子輸送層ＥＴＬ／電子注入層ＥＩＬ構造を有することができるが、これに限定されない。
図３に示されるように、電子輸送領域ＥＴＲは複数の電子輸送層を有してもよい。電子輸送領域ＥＴＲは、第１電子輸送層ＥＴＬ１及び第１電子輸送層ＥＴＬ１上に配置される第２電子輸送層ＥＴＬ２を含む。
電子輸送領域ＥＴＲは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェットプリンティング法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写法等のような多様な方法を利用して形成することができる。
電子輸送領域ＥＴＲが電子輸送層ＥＴＬを含む場合、電子輸送領域ＥＴＲは、Ａｌｑ3（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、１、３、５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ、２、４、６−ｔｒｉｓ（３’−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１、３、５−ｔｒｉａｚｉｎｅ、２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９、１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ、ＴＰＢｉ（１、３、５−Ｔｒｉ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２、９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４、７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３、５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１、３、４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１、Ｏ８）−（１、１’−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ2（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ）、ＡＤＮ（９、１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）及びこれらの混合物を含むことができるが、これに限定されない。電子輸送層ＥＴＬの厚さは、約１００Å〜約１０００Åであり、例えば、約１５０Å〜約５００Åである。電子輸送層ＥＴＬの厚さが前述したような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしでも満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
電子輸送領域ＥＴＲが電子注入層ＥＩＬを含む場合、Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｍｇ、及びＣａ等の金属及びこれらの混合物を含むことができる。但し、これに限定されない。例えば、電子注入層ＥＩＬにはＬｉＦ、ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタノイド族金属、又はＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属等が使用されることができるが、これに限定されない。また、電子注入層ＥＩＬは、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ ｍｅｔａｌ ｓａｌｔ）とが混合された物質を含む。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ ｂａｎｄｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質である。具体的には、例えば、有機金属塩は、金属アセテート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾエート（ｍｅｔａｌ ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、又は金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含むことができる。電子注入層ＥＩＬの厚さは、約１０Å〜約１００Åである。電子注入層ＥＩＬの厚さが前述したような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしでも満足できる程度の電子注入特性を得ることができる。
電子輸送領域ＥＴＲは、先に言及したように、正孔阻止層を含む。正孔阻止層は、例えばＢＣＰ（２、９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）及びＢｐｈｅｎ（４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）の中で少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されない。
第２電極ＥＬ２は電子輸送領域ＥＴＲ上に配置される。第２電極ＥＬ２は、共通電極又は陰極である。第２電極ＥＬ２は、透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極である。第２電極ＥＬ２が透過型電極である場合、第２電極ＥＬ２は透明金属酸化物、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等から構成される。
第２電極ＥＬ２が半透過型の電極又は反射型電極である場合、第２電極ＥＬ２は、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、又はこれらの化合物、或いは混合物（例えば、ＡｇとＭｇとの合金）を含むことができる。又は前記物質で形成された反射膜や半透過膜及びＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等で形成された透明導電膜を含む複数の層構造であってもよい。
図示しないが、第２電極ＥＬ２は補助電極と接続されてもよい。第２電極ＥＬ２が補助電極と接続されると、第２電極ＥＬ２の抵抗を減少させることができる。
有機ＥＬ素子１０で、第１電極ＥＬ１と第２電極ＥＬ２とに各々電圧が印加されることによって、第１電極ＥＬ１から注入された正孔（ｈｏｌｅ）は、正孔輸送領域ＨＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動し、第２電極ＥＬ２から注入された電子が電子輸送領域ＥＴＲを経て発光層ＥＭＬに移動する。電子と正孔とは発光層ＥＭＬで再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、励起子が励起状態で基底状態に落ちながら、発光する。
有機ＥＬ素子１０が前面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は反射型電極であり、第２電極ＥＬ２は透過型電極又は半透過型電極である。有機ＥＬ素子１０が背面発光型である場合、第１電極ＥＬ１は透過型電極又は半透過型電極であり、第２電極ＥＬ２は反射型電極である。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子は、化学式１で表わされるアミン化合物を含むことにより、高い発光効率、低い駆動電圧及び長寿命を確保することができる。本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、有機ＥＬ素子の正孔輸送領域ＨＴＲ内に配置されて、高い正孔輸送特性を有しながら熱及び電荷負荷を低減することにより、低い駆動電圧、高い発光効率、及び長寿命を確保することができる。具体的には、化学式１で表わされるアミン化合物は、８位の炭素が置換基によって置換された１−ナフチル基を含むことにより、正孔輸送特性を維持しながらも、熱及び電荷耐性が向上される。したがって、これを適用した有機ＥＬ素子は高熱及び電荷による特性低下が減少されて長寿命化されることができる。また、本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、置換されたナフチル基が大きい体積を有することによって結晶化が抑制され、これを正孔輸送層に適用した有機ＥＬ素子は正孔輸送層の膜質が向上し、有機ＥＬ素子の高効率化が可能である。
以下、具体的な製造方法、実施例及び比較例を通じて本発明をより具体的に説明する。下記の実施例は本発明の理解を助けるための例示に過ぎず、本発明の範囲はこれに限定されない。
本発明の一実施形態に係るアミン化合物は、例えば下記のように合成することができる。但し、これによって限定されない。
［合成例］
１．化合物５の合成
（化合物Ａの合成）
アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、５００ｍＬ三口フラスコに１、８−ジブロモナフタレン ８．８０ｇ、フェニルボロン酸 ４．６９ｇ、Ｎａ2ＣＯ3 ４．８９ｇ、及びＰｄ（ＰＰｈ3）4 １．０７ｇが溶解されたＴＨＦ／水（２０％）の混合溶液２００ｍＬを８０℃で５時間加熱攪拌した。空冷の後、ジクロロメタンを添加して有機層を分取し、溶媒を蒸発させた。得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン溶媒）で精製した後、淡い黄色固体の化合物Ａを６．２７ｇ（収率７２％）得た。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物Ａの分子量は２８３であった。
（化合物Ｂの合成）
アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、２００ｍＬ三口フラスコに化合物Ａ ６．７０ｇと６０ｍＬ ＴＨＦ溶媒を加えて−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．６Ｍ）を２３．１ｍＬ滴下して５０分攪拌した。その後、Ｂ（ＯＭｅ）3 １３．４ｇを溶解させた５ｍＬ ＴＨＦ溶液を滴下した後、−７８℃で５０分攪拌し、室温に戻して再び３時間攪拌した。次に飽和ＮＨ4Ｃｌ水溶液（Ｈ3Ｏ+）を加え、有機層を分取し、溶媒を蒸発させた。三口フラスコに得られた残余物をヘキサンで洗浄した後、白色固体の化合物Ｂを４．１７ｇ（収率７１％）得た。ＦＡＢ−ＭＳ測定により測定された化合物Ｂの分子量は２４８であった。
（化合物Ｃの合成）
アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに化合物Ｂ ５．７０ｇ、１−ブロモ−３−ヨードベンゼン ８．１３ｇ、Ｎａ2ＣＯ3 ３．６５ｇ、及びＰｄ（ＰＰｈ3）4 ０．７９７ｇが溶解されたＴＨＦ／水（２０％）の混合溶液１３０ｍＬを８０℃で５時間加熱攪拌した。空冷の後、ジクロロメタンを添加して有機層を分取し、溶媒を蒸発させた。得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン溶媒）で精製した後、淡い黄色固体の化合物Ｃを２．２２ｇ（収率２７％）得た。ＦＡＢ−ＭＳ測定により測定された化合物Ｃの分子量は３５９であった。
（化合物５の合成）
アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、３００ｍＬ三口フラスコに化合物Ｃ ６．１７ｇとＮ，Ｎ−ジ(４−ビフェニルイル)−４−(４、４、５、５−テトラメチル−１、３、２−ジオキサボロラン−２−イル)アニリン ３．８５ｇ、Ｋ3ＰＯ4 １．８４ｇ、及びＰｄ（ＰＰｈ3）4 ０．２３１ｇが溶解されたＴＨＦ／水（２０％）の混合溶液１３０ｍＬを８０℃で５時間加熱攪拌した。ジクロロメタンを添加して有機層を分取し、溶媒を蒸発させた。得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン溶媒）で精製した後、白色固体の化合物５を３．１６ｇ（収率７０％）得た。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は６７６であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）測定で測定された化合物のケミカルシフト値は、８．５２−８．３９（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄ、２Ｈ）、８．２５（ｄｄ、４Ｈ）、８．１０（ｄ、２Ｈ）、８．０２−７．８９（ｍ、４Ｈ）、７．９２−７．７７（ｍ、８Ｈ）、７．６９−７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．４８−７．４３（ｍ、３Ｈ）、７．１８−７．０２（ｍ、６Ｈ）であった。この結果より、白色固体の化合物が化合物５であることが確認された。
２．化合物２１の合成
前述した化合物５の合成方法の中で化合物Ｃの合成方法と同様に化合物Ｃを得た。アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、３００ｍＬ二口フラスコに化合物Ｃ ３．７０ｇとＮ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅ ４．２１ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2 ０．１８１ｇ、ＮａＯｔＢｕ ３．６９ｇ、ｔＢｕ3Ｐ ０．１３５ｇを加えて、１２０ｍＬ ｔｏｌｕｅｎｅの混合溶媒の中で８０℃で６時間加熱還流攪拌した。空冷の後、水を添加して有機層を分取し、溶媒を蒸発させた。得られた生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン溶媒）で精製した後、白色固体の化合物２１を６．２２ｇ（収率８９％）得た。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は７００であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）測定で測定された化合物のケミカルシフト値は、８．５２−８．３９（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄ、２Ｈ）、８．２５（ｄｄ、４Ｈ）、８．１０（ｄ、２Ｈ）、８．０２−７．８９（ｍ、２Ｈ）、７．９２−７．７７（ｍ、８Ｈ）、７．６９−７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．４８−７．４３（ｍ、５Ｈ）、７．１８−７．０２（ｍ、６Ｈ）であった。この結果より、白色固体の化合物が化合物２１であることが確認された。
３．化合物４６の合成
前述した化合物２１の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−３−ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ−３−ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物２１の合成と同様に化合物４６を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は６２８であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４５−８．３９（ｍ、４Ｈ）、８．３１（ｄ、２Ｈ）、８．２５（ｄｄ、４Ｈ）、８．０８（ｄ、２Ｈ）、８．０２−７．８９（ｍ、２Ｈ）、７．７２−７．６０（ｍ、４Ｈ）、７．５０−７．４０（ｍ、５Ｈ）、７．３３−７．２６（ｍ、６Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物４６であることが確認された。
４．化合物５３の合成
前述した化合物Ｃの合成方法で、１−ブロモ−３−ヨードベンゼンの代わりに１−ブロモ−４−ヨードベンゼンを使用したこと以外には化合物Ｃの合成と同様に化合物Ｄを合成した。以後、前述した化合物２１の合成方法で、化合物Ｃの代わりに化合物Ｄを使用したこと以外には化合物２１の合成と同様に化合物５３を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は７００であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４４−８．３５（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄ、２Ｈ）、８．２５（ｄｄ、４Ｈ）、８．２０−８．１３（ｍ、５Ｈ）、８．１０（ｄ、２Ｈ）、８．０２−７．８９（ｍ、２Ｈ）、７．６９−７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．５１−７．４５（ｍ、８Ｈ）、７．２８−７．２２（ｍ、６Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物５３であることが確認された。
５．化合物４の合成
前述した化合物５の合成方法で、Ｎ，Ｎ−ジ(４−ビフェニルイル)−４−(４、４、５、５−テトラメチル−１、３、２−ジオキサボロラン−２−イル)アニリンの代わりにＢ−［４−［（９、９−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｐｈｅｎｙｌ］−Ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄを使用したこと以外には化合物５の合成と同様に化合物４を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は７６４であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定された化合物のケミカルシフト値は８．４４−８．３７（ｍ、４Ｈ）、８．３１−８．２６（ｍ、６Ｈ）、８．１２（ｄ、２Ｈ）、８．００−７．８９（ｍ、８Ｈ）、７．７７−７．６０（ｍ、１０Ｈ）、７．５１−７．４０（ｍ、５Ｈ）、７．３０−７．２４（ｍ、６Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物４であることが確認された。
６．化合物５９の合成
前述した化合物５３の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−［１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ−４’−（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ）−ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５３の合成と同様に化合物５９を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は７８２であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．３８−８．３５（ｍ、４Ｈ）、８．２７−８．１９（ｍ、６Ｈ）、８．１６（ｄ、２Ｈ）、８．１０−７．８９（ｍ、８Ｈ）、７．７９−７．６２（ｍ、１０Ｈ）、７．５０−７．３５（ｍ、５Ｈ）、７．２９−７．２０（ｍ、８Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物５９であることが確認された。
７．化合物６６の合成
前述した化合物５３の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−３−ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎｙｌ−３−Ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５３の合成と同様に化合物６６を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物Ｇの分子量は６２８であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４０−８．３５（ｍ、２Ｈ）、８．３０（ｄ、４Ｈ）、８．２２（ｄ、４Ｈ）、８．２０−８．１３（ｍ、５Ｈ）、８．００（ｄ、２Ｈ）、７．８９−７．６２（ｍ、６Ｈ）、７．２８−７．２２（ｍ、２Ｈ）、７．１１（ｄ、４Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物６６であることが確認された。
８．化合物７５の合成
前述した化合物５９の合成方法で、Ｎ−［１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ−４’−（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ）−ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅの代わりにＮ−［１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ｙｌ−３’−（ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｉｌｙｌ）−ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５９の合成と同様に化合物７５を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は７８２であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４１−８．３６（ｍ、４Ｈ）、８．２７−８．１９（ｍ、６Ｈ）、８．１６（ｄ、２Ｈ）、８．１２−７．９９（ｍ、８Ｈ）、７．７９−７．６２（ｍ、１０Ｈ）、７．５３−７．４１（ｍ、４Ｈ）、７．２９−７．２２（ｍ、９Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物７５であることが確認された。
９．化合物８１の合成
前述した化合物５３の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−［４−（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］−４−Ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５３の合成と同様に化合物８１を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定により測定された化合物７の分子量は６８０であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４６−８．３７（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄｄ、２Ｈ）、８．２８（ｄ、４Ｈ）、８．２３−８．１５（ｍ、５Ｈ）、８．１１（ｄ、２Ｈ）、８．００−７．８９（ｍ、１１Ｈ）、７．４７−７．３３（ｍ、５Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物８１であることが確認された。
１０．化合物８４の合成
前述した化合物５３の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−［４−（１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］−１−Ｄｉｂｅｎｚｏｆｕｒａｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５３の合成と同様に化合物８４を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は６６４であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４２−８．３７（ｍ、４Ｈ）、８．３３（ｄｄ、２Ｈ）、８．２６（ｄ、４Ｈ）、８．２０−８．１４（ｍ、５Ｈ）、８．１１（ｄ、２Ｈ）、７．９９−７．８９（ｍ、６Ｈ）、７．５５−７．４０（ｍ、１０Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物８４であることが確認された。
１１．化合物９２の合成
前述した化合物５３の合成方法で、Ｎ−（４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−９−ｙｌａｎｉｌｉｎｅの代わりにＮ−４−ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｙｌ−４−Ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎａｍｉｎｅを使用したこと以外には化合物５３の合成と同様に化合物９２を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物１の分子量は６６０であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．４２−８．３７（ｍ、７Ｈ）、８．３１（ｄ、２Ｈ）、８．１９（ｄ、２Ｈ）、７．９９（ｄ、２Ｈ）、７．８１−７．６０（ｍ、６Ｈ）、７．４５−７．２０（ｍ、１０Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物９２であることが確認された。
１２．化合物１０５の合成
前述した化合物８１の合成方法で、１−ヨード−４−ブロモベンゼンの代わりに１−ヨード−３−ブロモベンゼンを使用したこと以外には化合物８１の合成と同様に化合物１０５を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定によって測定された化合物の分子量は６７９であった。また、1Ｈ−ＮＭＲ測定で測定された化合物のケミカルシフト値は８．１８−８．１１（ｍ、１Ｈ）、８．０７−７．９７（ｍ、２Ｈ）、７．９５−７．７３（ｍ、５Ｈ）、７．５６−７．２９（ｍ、１４Ｈ）、７．２３−７．０４（ｍ、６Ｈ）、７．０４−６．８１（ｍ、４Ｈ）、６．７３−６．６１（ｍ、１Ｈ）であった。この結果より、合成した化合物が化合物１０５であることが確認された。
１３．化合物７７の合成
化合物５３の合成で、フェニルボロン酸の代わりに１−ナフチルボロン酸を使用し、Ｂｉｓ（４−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｅの代わりにＮ−（４−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−［１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４−ａｍｉｎｅを使用したこと以外には同一な方法で化合物７７を合成した。ＦＡＢ−ＭＳ測定にしたがって測定された化合物７７の分子量は６９９であった。
前述した合成例は一例であり、反応条件は必要によって変更されることができる。また、本発明の一実施形態に係る化合物は本技術分野に知られている方法及び材料を利用して多様な置換基を有するように合成されることができる。化学式１で示されたコア構造に多様な置換体を導入することによって、有機ＥＬ素子として使用されるのに適切な特性を有することができる。
（素子作成例）
上述した化合物４、５、２１、４６、５３、５９、６６、７５、８１、８４、９２、１０５、及び７７を第２正孔輸送層材料として使用して実施例１〜１３の有機ＥＬ素子を製作した。
［実施例化合物］
下記の比較例化合物Ｘ−１〜Ｘ−７を第２正孔輸送層材料として使用して比較例１乃至７の有機ＥＬ素子を製作した。
［比較例化合物］
実施例１〜１３及び比較例１〜７の有機ＥＬ素子はＩＴＯで１５０ｎｍ厚さの第１電極を形成し、ＨＴ１にＨＩＬを２％ドープした１０ｎｍ厚さの正孔注入層を形成し、ＨＴ１で１２０ｎｍ厚さの第１正孔輸送層を形成し、実施例化合物又は比較例化合物で３０ｎｍ厚さの第２正孔輸送層を形成し、ＢＨにＢＤを３％ドープした３０ｎｍ厚さの発光層を形成し、ＥＴ１で１０ｎｍ厚さの第１電子輸送層を形成し、ＥＴ２で２０ｎｍ厚さの第２電子輸送層を形成し、ＬｉＦで１ｎｍ厚さの電子注入層を形成し、１０％Ａｇ／Ｍｇ合金で１００ｎｍ厚さの第２電極を形成した。各層は真空雰囲気の下で蒸着法によって形成した。
素子に適用された各物質は次の通りである。
（実験例）
上述した実施例化合物４、５、２１、４６、５３、５９、６６、７５、８１、８４、９２、１０５、７７、及び比較例化合物Ｘ−１〜Ｘ−７で製作した有機ＥＬ素子の駆動電圧、寿命、発光効率、及び色座標を評価した。評価結果を下記の表１に示す。各実施例及び比較例の駆動電圧は１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度での測定値であり、寿命は１．０ｍＡ／ｃｍ2電流密度で初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2からの輝度半減時間を測定した。
前記表１の結果を参照すると、実施例１〜実施例１３は比較例１〜比較例７に比べて駆動電圧が減少し、素子寿命及び発光効率が向上されたことが分かる。実施例１〜実施例１３は、８位の炭素が置換基によって置換された１−ナフチル基を含むアミン化合物を正孔輸送層に含むことにより、アミンの特性を維持しながら、熱及び電荷耐性が向上される。したがって、高熱及び電荷による特性低下が低減されて長寿命化を達成している。また、置換されたナフチル基が大きい体積を有することにより、結晶化が抑制されて、正孔輸送層の膜質が向上されるので、正孔輸送特性が向上されて低い駆動電圧及び高効率を達成することができる。
アミノ基と置換されたナフチル基とを結合するリンカーがｍ−フェニレン基を含む実施例化合物４、５、２１、４６、及び１０５を含む実施例１〜４及び１２は発光効率がより大きく向上された。これはｍ−フェニレン基を通じてアミノ基と置換されたナフチル基とが結合されて、分子全体の体積がより大きく増加し、これにしたがって膜質が大きく向上されたためと考えられる。
アミノ基と置換されたナフチル基とを結合するリンカーがｐ−フェニレン基である実施例化合物５３、５９、６６、７５、８１、８４、９２、及び７７を含む実施例５〜１１、及び１３は素子寿命がより大きく向上された。これはｐ−フェニレン基を通じて結合される場合、ナフチル基に置換されたフェニル基とリンカーであるフェニレン基とが同一の方向に配置されることにより、フェニル基のオービタルとフェニレン基のオービタルとの間に空間重畳が発生するため、Ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｐａｃｅ相互作用によってラジカルの状態が安定化されたためと考えられる。
比較例１〜３は正孔輸送層をなす比較例化合物Ｘ−１〜Ｘ−３に各々ナフチル基を含み、１−ナフチル基がリンカーを介してアミノ基と結合されるが、該１−ナフチル基の８位の炭素にアリール基が置換されていないため、実施例化合物に比べて熱及び電荷耐性が低下される。これにしたがって、駆動電圧が上昇し、素子寿命、及び発光効率が実施例よりも低下している。
比較例４は、正孔輸送層を構成する比較例化合物Ｘ−４に８位の炭素に置換基を有する１−ナフチル基を含むが、該１−ナフチル基の８位の炭素に多環ヘテロアリール基であるジベンゾフラニル基が置換されている。したがって、化合物の体積が非常に大きくなり、分解が容易であり、分子距離が遠く、正孔の伝播速度も低下するので、実施例に比べて発光効率及び素子寿命が低下している。
比較例５及び６は、正孔輸送層を構成する比較例化合物Ｘ−５及びＸ−６にアリール基が置換された１−ナフチル基を含むが、該１−ナフチル基でアリール基の置換位置が８位の炭素ではなく、４位又は７位である。比較例化合物Ｘ−５及びＸ−６は、ナフチル基の活性点である８位の炭素にアリール基が置換されていないため、実施例化合物に比べて電荷耐性が低下する。したがって、比較例５及び６は、実施例に比べて発光効率及び素子寿命が低下している。
比較例４及び７は化学式１のＡｒ3に対応する部分がヘテロアリール基である化合物を使用し、実施例１〜１３と比較すると、発光効率及び素子寿命が低下している。実施例４及び７等でもヘテロアリール基を含む化合物を使用しているが、構造的差異によって効率等で差がある。より具体的には、比較例４及び７の場合、比較的不安定なヘテロアリール基は、１−ナフチル基の８位に置換しており、アリールアミノ基と離れている。このような構造によってアリールアミノ基の窒素によるヘテロアリール基の安定化効果が十分ではなく、結果的に効率が低下していることが分かる。
以上、添付された図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明がその技術的思想や必須的な特徴と変形しなく、他の具体的な形態に実施できることは理解するべきである。したがって、以上で記述した実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではない。
１０ 有機ＥＬ素子
ＥＬ１ 第１電極
ＨＴＲ 正孔輸送領域
ＥＭＬ 発光層
ＥＴＲ 電子輸送領域
ＥＬ２ 第２電極
ＨＴＬ 正孔輸送層
ＨＴＬ１ 第１正孔輸送層
ＨＴＬ２ 第２正孔輸送層

Claims (16)

  1. 下記の化学式１で表わされるアミン化合物。
    前記化学式１で、
    Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立的に置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、
    Ａｒ3は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、
    Ｌ1は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリーレン基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリーレン基である。
  2. 前記Ａｒ3は、置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、又は置換若しくは無置換のフェナントリル基である請求項１に記載のアミン化合物。
  3. 前記Ｌ1は、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニレン基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニレン基である請求項１に記載のアミン化合物。
  4. 前記Ｌ1は、下記化学式２−１又は２−２で表わされる請求項１に記載のアミン化合物。
    前記化学式２−１及び２−２で、
    Ｒ1〜Ｒ3は、各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、又は置換若しくは無置換の環形成炭素数２以上３０以下のヘテロアリール基であり、
    ｎ1〜ｎ3は各々独立的に０以上４以下の整数である。
  5. 前記Ｌ1は、下記化学式２−３又は２−４で表わされる請求項４に記載のアミン化合物。
  6. 前記Ｌ1は、下記化学式２−５又は２−６で表わされる請求項４に記載のアミン化合物。
  7. 前記Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立的に置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のナフチル基、置換若しくは無置換のビフェニル基、置換若しくは無置換のターフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基である請求項１に記載のアミン化合物。
  8. Ａｒ3が置換される場合、置換基は、重水素、シリル基、アルキル基、及びアリール基の中で少なくとも１つである請求項１に記載のアミン化合物。
  9. Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは前記ヘテロアリール基、又はＡｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは多環構造を含む請求項１に記載のアミン化合物。
  10. Ａｒ1及びＡｒ2の中で少なくとも１つは、置換若しくは無置換のナフチルフェニル基、置換若しくは無置換のフェナントリル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基、置換若しくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換若しくは無置換のジベンゾチオフェニル基である請求項１に記載のアミン化合物。
  11. 前記化学式１は、下記化学式１−１〜１−４の中でいずれか１つで表わされる請求項１に記載のアミン化合物。
    前記化学式１−１で、
    Ａｒ4は、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上２０以下のアリール基であり、
    前記化学式１−２で、
    Ｙ1及びＹ2は、各々独立的に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、又はアリール基であるか、又は隣接する基と互いに結合して環を形成し、
    ｍ1及びｍ2は、各々独立的に０以上５以下の整数であり、
    前記化学式１−３で、
    Ｘ1はＯ又はＳであり、
    前記化学式１−４で、
    Ｘ1及びＸ2は、各々独立的にＯ又はＳである。
  12. 前記化学式１で表わされるアミン化合物は下記化合物群１〜５で表わされる化合物の中から選択されるいずれか１つである請求項１に記載のアミン化合物。
    ［化合物群１］
    ［化合物群２］
    ［化合物群３］
    ［化合物群４］
    ［化合物群５］
  13. 第１電極と、
    前記第１電極上に配置された正孔輸送領域と、
    前記正孔輸送領域上に配置された発光層と、
    前記発光層上に配置された電子輸送領域と、
    前記電子輸送領域上に配置された第２電極と、を含み、
    前記正孔輸送領域は、
    請求項１乃至１２のいずれか１つに記載のアミン化合物を含む有機ＥＬ素子。
  14. 前記正孔輸送領域は、
    前記第１電極上に配置される正孔注入層と、
    前記正孔注入層上に配置される正孔輸送層と、を含み、
    前記正孔輸送層は、前記アミン化合物を含む請求項１３に記載の有機ＥＬ素子。
  15. 前記正孔輸送層は、前記発光層と接触する請求項１４に記載の有機電界発光素子。
  16. 前記正孔輸送領域は、
    前記第１電極上に配置される正孔注入層と、
    前記正孔注入層上に配置される第１正孔輸送層と、
    前記第１正孔輸送層上に配置され、前記発光層と隣接する第２正孔輸送層と、を含み、
    前記第２正孔輸送層は、前記アミン化合物を含む請求項１３に記載の有機電界発光素子。
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