CN115010607B - 有机化合物、电子元件和电子装置 - Google Patents
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Abstract
本申请属于有机发光材料领域，具体涉及一种有机化合物、电子元件和电子装置。所述有机化合物的结构如式1所示，所述有机化合物能够提高电子元件的性能。
Description
技术领域
本申请属于有机发光材料技术领域，具体提供一种有机化合物以及包含其的电子元件和电子装置。
背景技术
随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。近年来，有机电致发光器件(OLED)作为新一代显示技术逐渐进入人们的视野。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向发光层移动，阳极侧的也向发光层移动，两者在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。
目前，有机电致发光器件仍存在性能差的问题，尤其是如何在保证器件具有较低驱动电压的情况下，进一步提高器件的使用寿命和发光效率，仍是亟需解决的问题。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种有机化合物，以及包含其的电子元件和电子装置。该有机化合物用于电子元件中，可提高电子元件的性能。
为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种有机化合物，具有如式1所示的结构：
其中，L1、L2、La和Lb相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-25的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-30的取代或未取代的杂芳基；
L1、L2、La、Lb、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为1-10的氘代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为5-15的杂芳基；在Ar1、Ar2中，任选地，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环；
R1选自氢，氘，卤素基团，氰基，碳原子数为1-5的烷基，碳原子数为1-5的卤代烷基，被氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基中的一个或多个所取代的或未取代的碳原子数为6-15的芳基，碳原子数为5-12的杂芳基；
R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基；n表示1或2。
本申请第二方面提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；其中，所述功能层包含本申请第一方面所述的有机化合物。
本申请第三方面提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的电子元件。
本申请的化合物中，在萘
的1号位引入多甲基取代的苯并环烷基(如四甲基四氢化萘或四甲基茚满基)，同时在萘的8号位上引入三芳胺类基团，萘的1号位连接多甲基取代的苯并环烷基有利于提升化合物的玻璃化温度，使化合物不易结晶，更易成膜；同时控制三芳胺类基团位于该取代的苯并环烷基的相邻位置(萘的8号位)，两类基团一起可有效降低整个分子间π-π堆叠，提高材料的空穴迁移率。以本申请的有机化合物作为有机电致发光器件的第二空穴传输层材料，在保证器件具有具有较低驱动电压的情况下，能够进一步提高器件的发光效率和使用寿命。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
图4是本申请一种实施方式的第二电子装置的结构示意图。
附图标记说明
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解地是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
在本申请中，所采用的描述方式“各......独立地为”与“......分别独立地为”和“......独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，
其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q-1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
在本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者环境发生或者不发生的场合。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着任意的两个取代基可以形成环但不是必须形成环，其包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。
本申请中，“被氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基中的一个或多个所取代的或未取代的碳原子数为6-15的芳基”是指：被选自由氘、卤素基团和碳原子数为1-5的烷基所组成的组的取代基所取代的碳原子数为6-15的芳基，或者未取代的碳原子数为6-15的芳基。另外，“碳原子数为6-15”是指芳基及其上取代基(如果存在)的总数。“多个”是指一个、两个或更多个。
在本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、烷基、卤代烷基、环烷基、三烷基硅基等。在本申请中，“取代的”官能团可以被上述Rc中的1个或2个以上所取代；当同一个原子上连接有两个取代基Rc时，这两个取代基Rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基Rc时，两个相邻的取代基Rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。
在本申请中，“任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环”中，所形成的饱和环例如可以为环戊烷
环己烷
所形成的不饱和环例如可以为苯环、萘环或芴环
在本申请中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L1为碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子总数为12。再比如：Ar1为
则其碳原子数为10。
在本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。需要说明地是，联苯基、芴基在本申请中均视为芳基。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、苯并[9，10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
基等。
在本申请中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上的氢原子被诸如氘、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、卤代烷基、烷基、环烷基等基团取代。另外，本申请中，芴基可以是取代的，当具有两个取代基时，两个取代基可以彼此结合形成螺结构。取代的芴基的具体实例包括但不限于，
在本申请中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
在本申请中，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6-30。例如，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28。
在本申请中，杂芳基是指环中包含1个、2个、3个、4个、5个或更多个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，N-苯基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本申请中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或更高价的基团。
在本申请中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上的氢原子被诸如氘、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基等基团取代。
在本申请中，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以为5-30。例如，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25等。
本申请中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键
其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
再举例而言，如下式(X′)中所示地，式(X′)所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(X′-1)～式(X′-4)所示出的任一可能的连接方式：
本申请中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，如下式(Y)中所示地，式(Y)所表示的取代基R′通过一个不定位连接键与喹啉环连接，其所表示的含义，包括如式(Y-1)～式(Y-7)所示出的任一可能的连接方式。
在本申请中，烷基的碳原子数可以为1-10，具体可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，烷基可以包括直链烷基和支链烷基。烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、庚基、正辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基等。
在本申请中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯。
在本申请中，作为取代基的芳基的碳原子数可以为6-18，碳原子数具体如为6、10、12、13、14、15、16、18等，作为取代基的芳基的具体实例包括但不限于，苯基、萘基、联苯基、菲基、蒽基、芴基等。
在本申请中，作为取代基的杂芳基的碳原子数可以为5-15，碳原子数具体例如为5、8、9、10、12、13、14、15等，作为取代基的杂芳基的具体实例包括但不限于，吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。
在本申请中，作为取代基的三烷基硅基的碳原子数可以为3-12，例如为3、6、7、8、9等，三烷基硅基的具体实例包括但不限于，三甲基硅基、乙基二甲基硅基、三乙基硅基等。
在本申请中，作为取代基的环烷基的碳原子数可以为3-10，例如为5、6、8或10，环烷基的具体实例包括但不限于，环戊基、环己基、金刚烷基等。
在本申请中，作为取代基的卤代烷基的碳原子数可以为1-10。例如卤代烷基可以为碳原子数为1-5的氟代烷基。卤代烷基的具体实例包括但不限于，三氟甲基。
第一方面，本申请提供一种有机化合物，结构如式1所示：
其中，L1、L2、La和Lb相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-25的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-30的取代或未取代的杂芳基；
L1、L2、La、Lb、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为1-10的氘代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为5-15的杂芳基；在Ar1、Ar2中，任选地，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环；
R1选自氢，氘，卤素基团，氰基，碳原子数为1-5的烷基，碳原子数为1-5的卤代烷基，被氘、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基中的一个或多个所取代的或未取代的碳原子数为6-15的芳基，碳原子数为5-12的杂芳基；
R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基；n表示1或2。
本申请中，式1中，当n为1时，
的结构为
当n为2时，
的结构为
该结构中的两个R2可以相同或不同，两个R3可以相同或不同。
可选地，R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。
可选地，
选自以下基团所组成的组：
可选地，R1选自氢、氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、苯基、萘基、联苯基、9，9-二甲基芴基、二苯并呋喃基。
在一种具体的实施方式中，
选自以下基团所组成的组：
可选地，L1、L2、La和Lb相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-18的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-18的取代或未取代的亚杂芳基。例如，L1、L2、La和Lb各自独立地选自单键，碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18的取代或未取代的亚芳基，或者碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18的取代或未取代的亚杂芳基。
在一种实施方式中，L1、L2、La和Lb相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-18的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为12-18的取代或未取代的亚杂芳基。
可选地，L1、L2、La和Lb相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基。
可选地，L1、L2、La和Lb中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的氟代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为3-7的三烷基硅基、碳原子数为6-10的芳基。
可选地，L1、L2、La和Lb中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、苯基、萘基。
在一种实施方式中，L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
可选地，L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
在一种实施方式中，La、Lb相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
可选地，La、Lb相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
可选地，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-20的取代或未取代的杂芳基。例如，Ar1和Ar2可以各自独立地选自：碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
在一种实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-20的取代或未取代的杂芳基。
在一种具体的实施方式中，Ar1选自碳原子数为10-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-20的取代或未取代的杂芳基，Ar2选自碳原子数为6-20的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-18的取代或未取代的杂芳基。
可选地，Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。
可选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的氟代烷基、碳原子数为3-7的三烷基硅基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为5-10的环烷基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5-15的饱和或不饱和环。例如，Ar1和Ar2中的取代基的具体实例包括但不限于，氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环已基。
可选地，Ar1、Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、环戊基、环己基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成环戊烷、环己烷或芴环。
在一种实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的基团Z，未取代的基团Z选自以下基团所组成的组：
取代的基团Z中具有一个或两个以上取代基，各取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三甲基硅基、苯基、萘基，当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
可选地，Ar1、Ar2各自独立地选自以下基团所组成的组：
进一步可选地，Ar1和Ar2各自独立地选自以下基团所组成的组：
在一种具体的实施方式中，
选自以下基团所组成的组：
在一种具体的实施方式中，
选自以下基团所组成的组：
在一种优选的实施方式中，式1所示的有机化合物中，Lb为亚苯基，Ar1选自取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；取代基如上文所述。该实施方式中，萘基的8号位通过亚苯基连接包括二苯并五元环的芳胺基，使得所述有机化合物应用到有机电致发光器件中，能进一步提高器件的使用寿命并保证器件具有较低的驱动电压。
可选地，所述有机化合物选自权利要求10所列举的化合物所组成的组。即所述有机化合物选自化合物1至289所组成的组。
本申请对提供的有机化合物的合成方法没有特别限定，本领域技术人员可以根据本申请的有机化合物结合合成例部分提供的制备方法确定合适的合成方法。换言之，本发明的合成例部分示例性地提供了有机化合物的合成方法，所采用的原料可通过商购获得或本领域熟知的方法获得。本领域技术人员可以根据这些示例性的合成方法得到本申请提供的所有有机化合物，在此不再详述制备该有机化合物的所有具体制备方法，本领域技术人员不应理解为对本申请的限制。
本申请第二方面提供一种电子元件，包括阳极、阴极，以及设置在所述阳极与所述阴极之间的功能层，其中，所述功能层可以含有本申请第一方面所述的有机化合物。
可选地，功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层包含本申请所提供的有机化合物。
可选地，所述电子元件选自有机电致发光器件或光电转换器件。
可选地，所述有机电致发光器件可以为绿光器件、红光器件或蓝光器件。优选地，所述有机电致发光器件为红光器件。
在一种优选的实施方式中，所述电子元件为有机电致发光器件，所述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，且相对所述第二空穴传输层，所述第一空穴传输层更靠近所述阳极，所述第二空穴传输层包含所述有机化合物。
按照一种实施方式，所述有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层320、作为能量转化层的有机发光层330、电子传输层340和阴极200。
可选地，所述空穴传输层320包括层叠设置的第一空穴传输层321和第二空穴传输层322，且相对所述第二空穴传输层322，所述第一空穴传输层321更靠近所述阳极。
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料的具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物，例如如ZnO∶Al或SnO2∶Sb；或导电聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3，4-(亚乙基-1，2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
可选地，所述有机发光层330包含主体材料和客体材料，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。可选地，所述主体材料选自8-羟基喹啉基金属(如Alq3、BAlq)、金属苯氧基苯并噻唑化合物、芳基咔唑类化合物(例如CBP)芳香族稠合环类化合物等。在一种具体的实施方式中，所述主体材料为CBP。
所述有机发光层330的客体材料可参照现有技术选择，例如可以选自铱(III)有机金属络合物、铂(II)有机金属络合物、钌(II)络合物。具体地，所述客体材料可以选自以下化合物的至少一种：
在一种具体的实施方式中，所述客体材料为RD-1，即Ir(piq)2(acac)。
本申请中，所述第一空穴传输层321的材料可以选自酞菁衍生物、萘菁衍生物、卟啉衍生物、联苯胺型三芳胺、苯乙烯胺型三芳胺、二胺型三芳胺或者其他类型的材料，本领域技术人员可参照现有技术选择。例如，所述第一空穴传输层321的材料选自以下化合物所组成的组：
在一种具体的实施方式中，所述第一空穴传输层321的材料为HT-5。
可选地，所述第二空穴传输层321选自本申请的有机化合物。
可选地，电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料通常可以包含金属络合物和/或含氮杂环衍生物，其中，所述金属络合物材料例如可以选自LiQ、Alq3、Bepq2等；所述含氮杂环衍生物可以为具有含氮六元环或五元环骨架的芳香族环、具有含氮六元环或五元环骨架的稠合芳香族环化合物等，具体实例包括但不限于，BCP、Bphen、NBphen、DBimiBphen、BimiBphen等1，10-菲咯啉类化合物，或者结构如下所示的含杂氮芳基的蒽类化合物、三嗪类或嘧啶类化合物：
在一种具体的实施方式中，所述电子传输层340包含LiQ和ET-16。
可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但不限于此。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
可选地，如图1所示，在阳极100和第一空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。例如，空穴注入层310可以选自以下化合物所组成的组：
在一种具体的实施方式中，空穴注入层310的材料为F4-TCNQ。
可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层340之间还可以设置有电子注入层350，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层350的材料可以选自LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、LiQ、NaCl、CsF、Cs2CO3、Na、Li、Ca、Al、Yb中的一种或两种以上等。在一种具体的实施方式中，所述电子注入层350的材料可以包括LiQ或Yb。
按照另一种实施方式，电子元件为光电转化器件。该光电转化器件可以包括相对设置的阳极和阴极，以及设于阳极和阴极之间的功能层；其中，功能层包含本申请所提供的有机化合物。
可选地，所述功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层包含本申请的有机化合物。其中，空穴传输层既可以为本申请所提供的有机化合物组成，也可以由本申请所提供的有机化合物和其他材料共同组成。
按照一种具体的实施方式，如图3所示，光电转化器件可包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层320、光电转化层360、电子传输层340和阴极200。
可选地，光电转化器件可以为太阳能电池，尤其是可以为有机薄膜太阳能电池。
第三方面，本申请提供一种电子装置，该电子装置包括上述电子元件。
按照一种实施方式，如图2所示，所述电子装置为第一电子装置400，包括所述有机电致发光器件。所述第一电子装置400可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
按照另一种实施方式，如图4所示，所述电子装置为第二电子装置500，包括所述光电转换器件。第二电子装置500例如可以为太阳能发电设备、光检测器、指纹识别设备、光模块、CCD相机或则其他类型的电子装置。
下面通过实施例来进一步说明本发明，但是本发明并不因此而受到任何限制。
本申请中未提到合成方法的化合物可通过商业途径获得的原料产品。
1、中间体IM A-1-1的合成：
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入6-溴-1，1，4，4-四甲基-1，2，3，4-四氢化萘(53g，198.35mmol)、N-氟代双苯磺酰胺(125.1g，396.7mmol)、乙腈(424mL)、2-氯-1，10-菲咯啉(1.70g，7.93mmol)和四(乙腈)四氟硼酸钯(II)(1.76g，3.97mmol)，升温至50℃，搅拌反应24h后反应结束，待反应将至室温，采用水洗，二氯乙烷萃取，收集有机相后旋干，采用柱层析法进行纯化，得到中间体IM A-1-1(24.07g，收率42.6％)。
2、中间体IM A-2-1的合成∶
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入6-溴-1，1，4，4-四甲基-1，2，3，4-四氢化萘(30.0g，112.27mmol)、TBAB(180.96g，561.35mmol)、NaN3(9.49g，145.95mmol)和二氯乙烷(300mL)，在室温下搅拌24h，然后加入2，3-二氯-5，6-二氰基苯醌(38.23g，168.41mmol)，升温至回流并搅拌0.5h后反应结束，待反应降至室温，进行水洗，二氯乙烷萃取，收集有机相后旋干，采用乙酸乙酯和正庚烷对产品进行纯化，得到中间体IM A-2-1(25.67g，收率78.3％)。
3、中间体IM A-3-1的合成：
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入6，7-二溴-1，1，4，4-四甲基-2，3-二氢萘(48g，138.68mmol)、苯硼酸(25.36g，208.02mmol)和TBAB(0.89g，2.77mmol)，加入碳酸钾(28.71g，208.02mmol)、四(三苯基膦)钯(1.60g，1.39mmol)、THF(280mL)和水(90mL)，搅拌并升温至回流反应24h，终止反应，将有机层水洗3次，并采用二氯甲烷进行萃取，乙醇煮洗，然后采用柱层析法纯化，得到中间体IM A-3-1(24.82g，收率52.1％)。
4、中间体IM A-4-X的合成：
以IM A-4-1为例说明IM A-4-X的合成。
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入6-溴-1，1，4，4-四甲基-1，2，3，4-四氢化萘(32.64g，122.15mmol)、对氯苯硼酸(24.83g，158.8mmol)和TBAB(0.79g，2.43mmol)，加入碳酸钾(25.29g，183.23mmol)、四(三苯基膦)钯(1.44g，1.22mmol)、THF(180mL)和水(60mL)，搅拌并升温至回流反应24h后，终止反应，将有机层水洗3次，并采用乙酸乙酯进行萃取，乙醇煮洗，然后采用柱层析法纯化，得到中间体IM A-4-1(24.05g，收率65.9％)。
参照中间体IM A-4-1的合成方法合成其它中间体IM A-4-X，不同的是，以原料1代替6-溴-1，1，4，4-四甲基-1，2，3，4-四氢化萘，原料2代替对氯苯硼酸，合成如下表1所示的中间体IM A-4-X。
表1
5、中间体IM A-5-X的合成：
以IM A-5-1为例说明IM A-5-X的合成。
向装有机械搅拌、温度计、球形冷凝管的三口瓶中通入氮气置换15min，依次加入IM A-4-1(23.23g，77.73mmol)、联硼酸频哪醇酯(23.68g，93.28mmol)、乙酸钾(19.04g，194.33mmol)，x-Phos(1.48g，3.116mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(1.42g，1.55mmol)和二氧六环(185mL)，加热至回流反应3h，反应结束后，冷却至室温。萃取反应溶液，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤后将滤液减压除去溶剂，使用二氯乙烷对粗品进行重结晶提纯，过滤得到中间体IM A-5-1(22.30g，收率73.5％)。
参照中间体IM A-5-1的合成方法，合成下表2所示的其它IM A-5-x，不同的是，以IM A-4-X代替IM A-4-1。
表2
6、中间体IM A-6-X的合成：
以IM A-6-1为例说明IM A-6-X的合成。
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入1，8二溴萘(21.35g，74.66mmol)、5，5，8，8-四甲基-5，6，7，8-四氢萘-2-硼酸(20.8g，89.59mmol)和TBAB(0.48g，1.49mmol)，加入碳酸钾(15.45g，111.99mmol)，四(三苯基膦)钯(0.86g，0.75mmol)、THF(126mL)和水(40mL)搅拌升温至回流，反应24h后，终止反应，将有机层水洗3次，并采用二氯甲烷进行萃取，乙醇煮洗，然后采用柱层析法纯化，得到中间体IM A-6-1(16.25g，收率55.3％)。
参照中间体IM A-6-1的合成方法合成下表3所示的中间体IM A-6-X，不同的是，以原料3代替5，5，8，8-四甲基-5，6，7，8-四氢萘-2-硼酸。
表3
7、中间体IM A-7-X的合成：
以IM A-7-1为例说明IM A-7-X的合成。
在氮气保护下，向三口烧瓶中加入IM A-6-1(15.32g，38.95mmol)、对氯苯硼酸(9.14g，58.43mmol)和TBAB(0.50g，1.56mmol)，加入碳酸钾(10.75g，77.9mmol)、四(三苯基膦)钯(0.9g，0.78mmol)、THF(90mL)和水(30mL)，搅拌并升温至回流，反应24h后，终止反应，将有机层水洗3次，并采用乙酸乙酯进行萃取，乙醇煮洗，然后采用柱层析法纯化，得到中间体IM A-7-1(10.24g，收率61.9％)。
参照IM A-7-1的方法合成下表4所示的其它中间体IM A-7-X，不同的是，以各IMA-6-X代替IM A-6-1，以原料4代替对氯苯硼酸。
表4
8、中间体IM A-8-X的合成：
以IM A-8-1为例说明IM A-8-X的合成。
将中间体IM A-7-1(9.58g，22.54mmol)、4-氨基联苯(3.81g，22.54mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.21g，0.2254mmol)、2-二环己基磷-2’，4’，6’-三异丙基联苯(0.21g，0.4508mmol)、叔丁醇钠(3.25g，33.81mmol)加入到甲苯(100mL)中，氮气保护下加热至108℃，搅拌1h，而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用二氯甲烷/正庚烷体系对粗品进行重结晶提纯，得到类白色固体，即中间体IM A-8-1(9.29g，收率73.9％)。
参照IM A-8-1的方法合成下表5所示的IM A-8-x，不同的是，以IM A-7-X代替IMA-7-1，以原料5代替4-氨基联苯，合成如下表5所示的IM A-8-X。
表5
合成例1：化合物13的合成
将IM A-8-1(7.48g，13.41mmol)、4-溴联苯(3.13g，13.41mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.12g，0.1341mmol)、2-二环己基磷-2’，6’-二甲氧基联苯(0.11g，0.2682mmol)和叔丁醇钠(1.93g，20.12mmol)加入到甲苯(70mL)中，氮气保护下加热至108℃，搅拌2h；而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂，使用二氯甲烷/正庚烷体系对粗品进行重结晶提纯，得到白色固体，即化合物13(6.78g，收率71.2％)，质谱：m/z＝710.36[M+H]+。
合成例2-37
参照化合物13的合成方法合成化合物，不同的是，以各IM A-8-X代替IM A-8-1，以原料6代替4-溴联苯，所采用的主要原料、合成的化合物及其收率、质谱表征结果如表6所示。
表6
部分化合物的核磁数据如表7所示：
表7
有机电致发光器件制备及评估：
实施例1：红色有机电致发光器件的制备
通过以下过程制备阳极：将厚度依次为
的ITO/Ag/ITO基板切割成40mm×40mm×0.7mm的尺寸，采用光刻工艺，将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板，利用O2∶N2等离子气体进行表面处理，以增加阳极的功函数的和清除浮渣。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀F4-TCNQ，以形成厚度为
的空穴注入层(HIL)，并且在空穴注入层蒸镀HT-5，形成厚度为
的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层上真空蒸镀化合物13，形成厚度为
的第二空穴传输层。
在第二空穴传输层上，将RH-1∶RD-1以100∶3的膜厚比例进行共同蒸镀，形成厚度为
的红光有机发光层。
将ET-16和LiQ以1∶1膜厚比共同蒸镀在有机发光层上，形成
厚的电子传输层，将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为
的电子注入层，然后将镁(Mg)和银(Ag)以1∶9的膜厚比真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为
的阴极。
此外，在上述阴极上蒸镀厚度为
的CP-01，形成有机覆盖层(CPL)。
实施例2-37
除了在形成第二空穴传输层时，分别以表8所列举的化合物替代化合物13以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例1-4
除了在形成第二空穴传输层时，分别以化合物A、化合物B、化合物C和化合物D替代化合物13以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
以上实施例和比较例中，制备有机电致发光器件所采用的主要材料的结构如下：
对实施例和比较例制得的有机电致发光器在20mA/cm2的条件下分析了器件的性能，结果如表8所示。
表8
根据上表结果可知，在色坐标相当的情况下，实施例1-37以本申请的有机化合物作为第二空穴传输层所制备的有机电致发光器件与比较例1-4以采用已知的化合物作为第二空穴传输层材料制备的有机电致发光器件相比，实施例1-37的有机电致发光器件的发光效率(Cd/A)至少提高了15.0％，器件的T95寿命至少提高10.4％；并且，实施例1-37的器件也兼具较低的驱动电压。可见，本申请的有机化合物作为空穴传输层材料应用到有机电致发光器件中，在保证器件具有较低驱动电压的情况下，可提高器件效率和使用寿命。
以上结合附图详细描述了本申请的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (16)
1.一种有机化合物，其特征在于，该有机化合物的结构如式1所示：
其中，La独立地选自单键、碳原子数为6-25的未取代的亚芳基；
Lb独立地选自单键、碳原子数为6-25的未取代的亚芳基、碳原子数为5-25的未取代的亚杂芳基；
L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-25的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-25的取代或未取代的亚杂芳基；
L1和L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-18的芳基；
Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5-20的取代或未取代的杂芳基；
Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为1-10的氘代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为5-15的杂芳基；在Ar1、Ar2中，任选地，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为3-15的饱和或不饱和环；
R1选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、未取代的碳原子数为6-15的芳基；
R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基；n表示1或2。
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，式1中，
选自以下基团所组成的组：
3.根据权利要求2所述的有机化合物，其中，
选自以下基团所组成的组：
4.根据权利要求1或2所述的有机化合物，其中，R1选自氢、氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、苯基、萘基、联苯基。
5.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，La独立地选自单键、碳原子数为6-18的未取代的亚芳基；
Lb相独立地选自单键、碳原子数为6-18的未取代的亚芳基、碳原子数为5-18的未取代的亚杂芳基；
L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6-18的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-18的取代或未取代的亚杂芳基；
L1和L2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6-10的芳基。
6.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，La独立地选自单键、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、未取代的亚联苯基、未取代的亚芴基；
Lb独立地选自单键、未取代的亚苯基、未取代的亚萘基、未取代的亚联苯基、未取代的亚芴基、未取代的亚吡啶基、未取代的亚二苯并呋喃基、未取代的亚二苯并噻吩基；
L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基；
L1、L2中的取代基各自独立地选自苯基、萘基。
7.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，L1、L2相同或不同，且各自独立地选自单键或以下基团所组成的组：
La独立地选自单键或以下基团所组成的组：
Lb独立地选自单键或以下基团所组成的组：
8.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的氟代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为5-10的环烷基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成碳原子数为5-15的饱和或不饱和环。
9.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1、Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；
Ar1、Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、环戊基、环己基；任选地，在Ar1、Ar2中，任意两个相邻的取代基形成环戊烷、环己烷或芴环。
10.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的基团Z，未取代的基团Z选自以下基团所组成的组：
取代的基团Z中具有一个或两个以上取代基，各取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、苯基、萘基，当取代基的个数大于1时，各取代基相同或不同。
11.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，所述有机化合物选自以下化合物所组成的组：
12.一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；其特征在于，所述功能层包含权利要求1～11任一项所述的有机化合物。
13.根据权利要求12所述的电子元件，其中，所述功能层包括空穴传输层，所述空穴传输层包含所述有机化合物。
14.根据权利要求13所述的电子元件，其中，所述电子元件选自有机电致发光器件或光电转换器件。
15.根据权利要求13所述的电子元件，其中，所述电子元件为有机电致发光器件，所述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，且相对所述第二空穴传输层，所述第一空穴传输层更靠近所述阳极；所述第二空穴传输层包含所述有机化合物。
16.一种电子装置，包括权利要求12～15任一项所述的电子元件。
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