JP2018174586A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2006−49361号公報
Claims (29)
- 光を電荷に変換する光電変換部と、
前記光電変換部の電荷により生成された第1信号が格納される格納部と、
前記格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記光電変換部において、前記第1信号よりも後に生成される第2信号のための電荷蓄積を行うように制御する制御部と、
を備える撮像素子。 - 前記格納部は、前記第1信号と前記第2信号とにより生成される第3信号が格納される請求項1に記載の撮像素子。
- 前記光電変換部の電荷を転送するための転送部を備え、
前記制御部は、前記格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記転送部を制御する請求項1又は請求項2に記載の撮像素子。 - 前記転送部に接続され、前記転送部を制御するための転送制御信号が出力される転送配線を備え、
前記制御部は、前記格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記転送部への前記転送制御信号の出力を制御する請求項3に記載の撮像素子。 - 前記光電変換部は、複数配置され、
前記転送部は、前記光電変換部ごとに配置され、
前記光電変換部ごとに配置された前記転送部それぞれに接続された転送制御線を備える請求項4に記載の撮像素子。 - 前記光電変換部は、第1方向と前記第1方向と交差する第2方向とにおいて複数配置される請求項5に記載の撮像素子。
- 前記光電変換部は、行方向と列方向とにおいて複数配置される請求項5又は請求項6に記載の撮像素子。
- 前記光電変換部からの電荷が転送されるフローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセット部を備え、
前記制御部は、前記格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記リセット部を制御する請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記リセット部に接続され、前記リセット部を制御するためのリセット制御信号が出力されるリセット配線を備え、
前記制御部は、前記格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記リセット部への前記リセット制御信号の出力を制御する請求項8に記載の撮像素子。 - 前記リセット部は、複数配置され、
前記リセット配線は、前記リセット部それぞれに接続される請求項9に記載の撮像素子。 - 前記光電変換部は、第1半導体チップに配置され、
前記格納部は、前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップに配置される請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップに積層されている請求項11に記載の撮像素子。
- 前記制御部は、前記第2半導体チップに配置される請求項11又は請求項12に記載の撮像素子。
- 光が入射される第1領域に配置され、光を電荷に変換する第1光電変換部と、
光が入射される前記第1領域とは異なる第2領域に配置され、光を電荷に変換する第2光電変換部と、
前記第1光電変換部の電荷により生成された第1信号が格納される第1格納部と、
前記第2光電変換部の電荷により生成された第2信号が格納される第2格納部と、
前記第1格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記第1光電変換部において、前記第1信号よりも後に生成される第3信号のための電荷蓄積を行うように制御し、前記第2格納部に格納された前記第2信号に基づいて、前記第2光電変換部において、前記第2信号よりも後に生成される第4信号のための電荷蓄積を行うように制御する制御部と、
を備える撮像素子。 - 前記第1格納部は、前記第1信号と前記第2信号とにより生成される第5信号が格納され、
前記第2格納部は、前記第3信号と前記第4信号とにより生成される第6信号が格納される請求項14に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部の電荷を転送するための第1転送部と、
前記第2光電変換部の電荷を転送するための第2転送部と、を備え、
前記制御部は、前記第1格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記第1光電変換部において、前記第3信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第1転送部を制御し、前記第2格納部に格納された前記第2信号に基づいて、前記第2光電変換部において、前記第4信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第2転送部を制御する請求項14又は請求項15に記載の撮像素子。 - 前記第1転送部に接続され、前記第1転送部を制御するための第1転送制御信号が出力される第1転送配線と、
前記第2転送部に接続され、前記第2転送部を制御するための第2転送制御信号が出力される第2転送配線と、を備え、
前記制御部は、前記第1格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記第1光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第1転送部への第1転送制御信号の出力を制御し、前記第2格納部に格納された前記第3信号に基づいて、前記第2光電変換部において、前記第4信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第2転送部への第2転送制御信号の出力を制御する請求項16に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部は、前記第1領域において複数配置され、
前記第2光電変換部は、前記第2領域において複数配置され、
前記第1転送部は、前記第1光電変換部ごとに配置され、
前記第2転送部は、前記第2光電変換部ごとに配置され、
前記第1光電変換部ごとに配置された前記第1転送部それぞれに接続された第1転送制御線と、前記第2光電変換部ごとに配置された前記第2転送部それぞれに接続された第2転送制御線とを備える請求項17に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部は、前記第1領域において第1方向と前記第1方向と交差する第2方向とに複数配置され、
前記第2光電変換部は、前記第2領域において前記第1方向と前記第2方向とに複数配置される請求項18に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部は、前記第1領域において行方向と列方向とに複数配置され、
前記第2光電変換部は、前記第2領域において前記行方向と前記列方向とに複数配置される請求項18又は請求項19に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部からの電荷が転送される第1フローティングディフュージョンの電位をリセットするための第1リセット部と、
前記第2光電変換部からの電荷が転送される第2フローティングディフュージョンの電位をリセットするための第2リセット部と、を備え、
前記制御部は、前記第1格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記第1光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第1リセット部を制御し、前記第2格納部に格納された前記第3信号に基づいて、前記第2光電変換部において、前記第4信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第2リセット部を制御する請求項14から請求項20のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記第1リセット部に接続され、前記第1リセット部を制御するための第1リセット制御信号が出力される第1リセット配線
前記第2リセット部に接続され、前記第2リセット部を制御するための第2リセット制御信号が出力される第2リセット配線と、を備え、
前記制御部は、前記第1格納部に格納された前記第1信号に基づいて、前記第1光電変換部において、前記第2信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第1リセット部への前記第1リセット制御信号の出力を制御し、前記第2格納部に格納された前記第3信号に基づいて、前記第2光電変換部において、前記第4信号を生成するための電荷蓄積を行うように前記第2リセット部への前記第2リセット制御信号の出力を制御する請求項21に記載の撮像素子。 - 前記第1リセット部は、複数配置され、
前記第2リセット部は、複数配置され、
前記第1リセット配線は、前記第1リセット部それぞれに接続され、
前記第2リセット配線は、前記第2リセット部それぞれに接続される請求項22に記載の撮像素子。 - 前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部は、第1半導体チップに配置され、
前記第1格納部及び前記第2格納部は、前記第1半導体チップとは異なる第2半導体チップに配置される請求項14から請求項23のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップに積層されている請求項24に記載の撮像素子。
- 前記制御部は、前記第2半導体チップに配置される請求項24又は請求項25に記載の撮像素子。
- 請求項1から請求項26のいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子に接続され、画像データを生成する生成部と、
を備える撮像装置。 - 前記生成部により生成された画像データの画像が表示される表示部を備える請求項27に記載の撮像装置。
- 前記生成部により生成された画像データが記録される記録部を備える請求項27又は請求項28に記載の撮像装置。
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