JP2010109607A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】イメージセンサの素子全体の回路面積の拡大を抑えつつも、イメージセンサ出力信号の高精細化を実現する。
【解決手段】カラムアンプ部20は、フォトダイオードを有する複数の単位画素1−nmが二次元アレイ状に配置された光電変換領域部1の出力に、信号出力線9を介して接続され、読み出された各単位画素1−nmの画素信号を順次蓄積する。カラムアンプ部20に設けられた増幅部では、信号出力線9を介して読み出された画素信号の増幅率について、画素信号が予め定められる所定の値より低輝度を示す第1の輝度範囲における第1の増幅率は、該画素信号が前記第1の輝度範囲より高輝度を示す第2の輝度範囲における第2の増幅率に比べ高く設定する。出力部40は、増幅された画素信号を順次読み出して出力する。出力された画素信号を信号変換部50がデジタル信号に変換し出力する。
【選択図】図1
【解決手段】カラムアンプ部20は、フォトダイオードを有する複数の単位画素1−nmが二次元アレイ状に配置された光電変換領域部1の出力に、信号出力線9を介して接続され、読み出された各単位画素1−nmの画素信号を順次蓄積する。カラムアンプ部20に設けられた増幅部では、信号出力線9を介して読み出された画素信号の増幅率について、画素信号が予め定められる所定の値より低輝度を示す第1の輝度範囲における第1の増幅率は、該画素信号が前記第1の輝度範囲より高輝度を示す第2の輝度範囲における第2の増幅率に比べ高く設定する。出力部40は、増幅された画素信号を順次読み出して出力する。出力された画素信号を信号変換部50がデジタル信号に変換し出力する。
【選択図】図1
Description
本発明は、CMOSイメージセンサなどの固体撮像装置に関し、特に光電変換領域部によって得られた画素信号を画素列毎に設けたカラム領域部に順次蓄積し、さらにこのカラム領域部を順次選択することにより、各画素信号を順次出力するようにした、いわゆるカラムアンプ方式の固体撮像装置に関する。
固体撮像装置として、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサが多く利用されている。CMOSイメージセンサでは、各画素が受光することにより変換した画素信号を固体撮像装置内で転送しながら増幅することができる。その増幅を行う方式として信号出力線毎に増幅部を設け、その増幅部により画素信号を増幅するカラムアンプ方式がある(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−15701号公報
ところで、特許文献1によるCMOSイメージセンサにおけるカラムアンプ方式は、下記のような特徴を有している。
図10は、カラムアンプ方式によるCMOSイメージセンサ400の構成例を示すブロック図である。また、図11は、増幅部(カラムアンプ部)の回路構成を示す。
この図に示されるCMOSイメージセンサ400は、単位画素1−nmの出力側に設けられたカラムアンプ部60に画素列ごとに容量素子が設けられている。このCMOSイメージセンサ400では、各単位画素1−nmから読み出した画素信号を順次その容量素子に記憶し、記憶された信号を順次読み出してカラムアンプ部60により増幅して出力する。このようなカラムアンプ方式では、画素信号の輝度補整などの信号処理を画素列単位で読み出した後の信号に対して行うことができる。カラムアンプ方式は、同様の信号処理を各単位画素1−nm内で行う方式のものに比べると、各単位画素1−nm内の構成を簡素化することができる。そして、カラムアンプ方式では、簡素化したことにより回路面積を小さくできるという点が有利となる。
図10は、カラムアンプ方式によるCMOSイメージセンサ400の構成例を示すブロック図である。また、図11は、増幅部(カラムアンプ部)の回路構成を示す。
この図に示されるCMOSイメージセンサ400は、単位画素1−nmの出力側に設けられたカラムアンプ部60に画素列ごとに容量素子が設けられている。このCMOSイメージセンサ400では、各単位画素1−nmから読み出した画素信号を順次その容量素子に記憶し、記憶された信号を順次読み出してカラムアンプ部60により増幅して出力する。このようなカラムアンプ方式では、画素信号の輝度補整などの信号処理を画素列単位で読み出した後の信号に対して行うことができる。カラムアンプ方式は、同様の信号処理を各単位画素1−nm内で行う方式のものに比べると、各単位画素1−nm内の構成を簡素化することができる。そして、カラムアンプ方式では、簡素化したことにより回路面積を小さくできるという点が有利となる。
図11はカラムアンプ部60における増幅部63−1の構成を示している。この増幅部63−1では、複数のスイッチ66a〜66c及びスイッチ69a〜69cを介してゲインアップ容量素子68a〜68cが増幅部63−1の帰還路に設けられている。それらのスイッチスイッチ66a〜66c及びスイッチ69a〜69cを切り換えてゲインアップ容量素子68a〜68cを選択することにより増幅部63−1の増幅率を変更する。
図12は画素信号を増幅する処理を示す図である。画素信号の出力電圧に応じて異なる増幅率が設定され、それぞれの増幅率により増幅する。例えば、画素信号の出力電圧の値に応じた増幅率を画素信号の出力電圧が0.1V(ボルト)以下の場合では「8」に設定し、0.1V(ボルト)を超え0.4V(ボルト)以下の場合では「2」に設定する。また、画素信号の出力電圧が0.4V(ボルト)を超える場合には、増福は行わずにその増幅率を「1」に設定する。これにより、出力電圧が低い画素信号ではより高い増幅率で増幅することができ、増幅後の出力信号レベルをそろえることができる。
このような構成のカラムアンプ方式を採用することにより画素信号の出力電圧に応じて増幅率を変更した増幅が可能となり、S/N比(Signal to Noise Ratio)を良好に保ちながらダイナミックレンジを拡大することができる。
このような構成のカラムアンプ方式を採用することにより画素信号の出力電圧に応じて増幅率を変更した増幅が可能となり、S/N比(Signal to Noise Ratio)を良好に保ちながらダイナミックレンジを拡大することができる。
しかしながら、上記に記載の特許文献1では、カラムアンプ部60の増幅率の切り換えは、画素信号の出力電圧に応じた増幅率とするために、画素信号の出力電圧を判定して、設けられた容量素子68a〜68cを選択することにより行われる。つまり、設定される増幅率ごとに画素信号の出力電圧を比較する比較器62−1や容量素子68a〜68cを設けることとなり、増幅部63−1の回路面積が増大する。そのため、単位画素を簡素化することで画素部の回路面積を縮小できても、カラムアンプ部60の回路面積が増大することとなり、CMOSイメージセンサ400の素子全体の回路面積は大きくなるという問題がある。
また、デジタルカメラなどの撮像装置に用いられるイメージセンサでは、撮像された信号にガンマ処理などの信号処理を施して用いられることになる。デジタルカメラなどの撮像装置で行われる一般的なガンマ処理は、入力信号の大きさに応じて予め定められる非線形な増幅率で増幅を行う処理である。その増幅率の設定は、画像の暗い部分である低輝度部の信号の増幅率が高く設定され、逆に画像の明るい高輝度部の信号の増幅率が低く設定される。このようなガンマ処理もデジタル信号処理によって実現することができる。
ここで、同じ階調幅で量子化されたデジタル信号を入力信号に基づいて、前述のデジタル信号処理によるガンマ処理を行うと画像の暗い部分の階調が粗くなる。暗い部分の階調が粗くなることにより、特に低輝度部分における輝度むらが目立ちやすくなり画像の品質が低下するという問題がある。
ここで、同じ階調幅で量子化されたデジタル信号を入力信号に基づいて、前述のデジタル信号処理によるガンマ処理を行うと画像の暗い部分の階調が粗くなる。暗い部分の階調が粗くなることにより、特に低輝度部分における輝度むらが目立ちやすくなり画像の品質が低下するという問題がある。
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、固体撮像素子全体の回路面積の拡大を抑えつつも、出力信号の高精細化を実現することにある。
上記問題を解決するために、本発明は、少なくとも光電変換素子を有する複数の単位画素が二次元アレイ状に配置された光電変換領域部と、前記光電変換領域部の各画素列に設けられ、光電変換領域部の各単位画素で生成された画素信号を順次読み出す信号出力線と、前記光電変換領域部の出力側に設けられ、前記信号出力線を介して読み出された各単位画素の画素信号を順次蓄積するカラム領域部と、前記カラム領域部に設けられ、前記信号出力線によって読み出された前記画素信号を増幅する増幅率について前記画素信号が予め定められる所定の値より低輝度を示す第1の輝度範囲における第1の増幅率を、該画素信号が予め定められる所定の値より高輝度を示す第2の輝度範囲における第2の増幅率に比べ高く設定する増幅部と、を備えることを特徴とする固体撮像装置である。
また、本発明は、上記発明において、固体撮像装置は、前記増幅部の構成に正転型を用いることを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、固体撮像装置は、前記増幅部の構成に反転型を用いることを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記信号変換部は、前記増幅部が増幅し前記第1
の輝度範囲で示される信号として変換された第1のデジタル信号の階調数は、前記第1及び第2の輝度範囲を合わせた全信号範囲によって示される信号が変換された第2のデジタル信号の階調数と同じ階調数とすることを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記信号変換部は、前記第1の輝度範囲を示す範囲の信号に、前記第1のデジタル信号の情報が示す大きさを前記第2のデジタル信号の情報が示す大きさに合わせるスケール変換によって規格化処理をした信号を出力することを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、固体撮像装置は、前記増幅部の構成に反転型を用いることを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記信号変換部は、前記増幅部が増幅し前記第1
の輝度範囲で示される信号として変換された第1のデジタル信号の階調数は、前記第1及び第2の輝度範囲を合わせた全信号範囲によって示される信号が変換された第2のデジタル信号の階調数と同じ階調数とすることを特徴とする。
また、本発明は、上記発明において、前記信号変換部は、前記第1の輝度範囲を示す範囲の信号に、前記第1のデジタル信号の情報が示す大きさを前記第2のデジタル信号の情報が示す大きさに合わせるスケール変換によって規格化処理をした信号を出力することを特徴とする。
この本発明によれば、固体撮像装置において、光電変換領域部は、光電変換素子を有する複数の単位画素が二次元アレイ状に配置される。信号出力線は、光電変換領域部の各画素列に設けられ、光電変換領域部の各単位画素で生成された画素信号を順次読み出す。カラム領域部は、光電変換領域部の出力側に設けられ、信号出力線を介して読み出された各単位画素の画素信号を順次蓄積する。増幅部は、カラム領域部に設けられ、信号出力線によって読み出された画素信号を増幅する増幅率について画素信号が予め定められる所定の値より低輝度を示す第1の輝度範囲における第1の増幅率を、その画素信号が予め定められる所定の値より高輝度を示す第2の輝度範囲における第2の増幅率に比べ高く設定する。
これにより、画素信号が第1の輝度範囲の信号を示す低輝度な画素信号を、第1の輝度範囲より高輝度を示す第2の輝度範囲の信号より高い増幅率で増幅する事が可能となる。そして、低輝度な画素信号で示される輝度範囲の階調特性を改善することができ、表示される映像の輝度むらを抑えてザラつきのない画像を得ることが可能となる。
これにより、画素信号が第1の輝度範囲の信号を示す低輝度な画素信号を、第1の輝度範囲より高輝度を示す第2の輝度範囲の信号より高い増幅率で増幅する事が可能となる。そして、低輝度な画素信号で示される輝度範囲の階調特性を改善することができ、表示される映像の輝度むらを抑えてザラつきのない画像を得ることが可能となる。
また、本発明によれば、上記発明において、固体撮像装置は、増幅部の構成に正転型を用いることとする。
また、これにより、単位画素が出力する信号が示す基準電位の設定を、増幅処理と合わせて行うことができる。
また、本発明によれば、上記発明において、固体撮像装置は、増幅部の構成に反転型を用いることとする。
また、これにより、単位画素が出力する信号が示す基準電位の設定を、増幅処理と合わせて行うことができる。
また、これにより、単位画素が出力する信号が示す基準電位の設定を、増幅処理と合わせて行うことができる。
また、本発明によれば、上記発明において、固体撮像装置は、増幅部の構成に反転型を用いることとする。
また、これにより、単位画素が出力する信号が示す基準電位の設定を、増幅処理と合わせて行うことができる。
また、本発明によれば、上記発明において、信号変換部は、増幅部が増幅し第1の輝度範囲で示される信号として変換された第1のデジタル信号の階調数は、第1及び第2の輝度範囲を合わせた全信号範囲によって示される信号が変換された第2のデジタル信号の階調数と同じ階調数とすることとする。
また、これにより、信号変換部ではデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換を、入力信号の全範囲にわたって階調数が多く高精度とすることなく入力信号の電圧範囲に応じて必要な精度の階調のデジタル信号に変換することができる。
また、これにより、信号変換部ではデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換を、入力信号の全範囲にわたって階調数が多く高精度とすることなく入力信号の電圧範囲に応じて必要な精度の階調のデジタル信号に変換することができる。
また、本発明によれば、上記発明において、信号変換部は、第2のデジタル信号のうち第1の輝度範囲を示す信号に、第1のデジタル信号の情報が示す大きさを第2のデジタル信号の情報が示す大きさに合わせるスケール変換によって規格化処理をした信号を出力することとする。
また、これにより、信号変換部で変換されたスケールの異なるデジタル信号に対し、スケール変換を行い合成することができる。それにより、入力信号の電圧範囲に応じて、必要とされる階調数で示されるデジタル信号を得ることができる。
また、これにより、信号変換部で変換されたスケールの異なるデジタル信号に対し、スケール変換を行い合成することができる。それにより、入力信号の電圧範囲に応じて、必要とされる階調数で示されるデジタル信号を得ることができる。
以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置100は、光電変換領域部1、垂直走査回路8、信号出力線9、負荷電流源10、カラムアンプ部20、出力部40、信号変換部50、高輝度信号読出し線15、低輝度信号読出し線16を備える。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置100は、光電変換領域部1、垂直走査回路8、信号出力線9、負荷電流源10、カラムアンプ部20、出力部40、信号変換部50、高輝度信号読出し線15、低輝度信号読出し線16を備える。
固体撮像装置100において光電変換領域部1は、n行m列の2次元のマトリックス状に配置された光電気信号変換を行う単位画素1−11〜1−nm(代表して1つの単位画素を示すときには「単位画素1−nm」という。)を備える。単位画素1−nmは、選択信号によって選択され、選択された単位画素1−nmは、出力に接続されている信号出力線9に信号を出力する。
図2は、その単位画素1−nmの構成例を示すブロック図である。
この図に示される単位画素1−nmは、フォトダイオード2、転送スイッチ3、リセットスイッチ4、蓄積領域(以下、「フロ−ティングディフュージョン」ともいう)5、増幅MOS(Metal Oxide Semiconductor)アンプ6、選択スイッチ7を備える。
単位画素1−nmにおいてフォトダイオード2は、アノードが基準電位に接続され、カソードから信号が出力される。フォトダイオード2が出力する信号は、受光した光信号の輝度に応じてその光の量を変換された電気信号である。転送スイッチ3は、ドレインがフォトダイオード2のカソードに接続され、ソースが蓄積領域5に接続され、ゲートが信号線φTX1に接続される。転送スイッチ3は、ON(オン)状態時にフォトダイオード2によって出力された電気信号を蓄積領域5に転送する。リセットスイッチ4は、一端が電源VDD、他端が蓄積領域5に、ゲートが信号線φRS1に接続される。リセットスイッチ4は、入力されるリセット信号により端子間をON(オン)状態にさせ蓄積領域5に蓄積する電荷を放電する。蓄積領域5は、一端が基準電位に、他端が転送スイッチ3を介して、フォトダイオード2に接続される容量を備え、入力される光信号の輝度情報に応じた電気信号に対応する電荷を蓄積する。増幅MOSアンプ6は、ドレインが電源VDDに、ゲートが蓄積領域5に接続され、蓄積領域5の端子電圧を増幅する。選択スイッチ7は、ドレインが増幅MOSアンプ6のソースに接続され、ソースが信号出力線9に接続され、ゲートが信号線φSEL1に接続される。選択スイッチ7は、信号線φSEL1を介して選択信号が入力されると増幅MOSアンプ6で増幅された信号を信号出力線9に出力する。
この図に示される単位画素1−nmは、フォトダイオード2、転送スイッチ3、リセットスイッチ4、蓄積領域(以下、「フロ−ティングディフュージョン」ともいう)5、増幅MOS(Metal Oxide Semiconductor)アンプ6、選択スイッチ7を備える。
単位画素1−nmにおいてフォトダイオード2は、アノードが基準電位に接続され、カソードから信号が出力される。フォトダイオード2が出力する信号は、受光した光信号の輝度に応じてその光の量を変換された電気信号である。転送スイッチ3は、ドレインがフォトダイオード2のカソードに接続され、ソースが蓄積領域5に接続され、ゲートが信号線φTX1に接続される。転送スイッチ3は、ON(オン)状態時にフォトダイオード2によって出力された電気信号を蓄積領域5に転送する。リセットスイッチ4は、一端が電源VDD、他端が蓄積領域5に、ゲートが信号線φRS1に接続される。リセットスイッチ4は、入力されるリセット信号により端子間をON(オン)状態にさせ蓄積領域5に蓄積する電荷を放電する。蓄積領域5は、一端が基準電位に、他端が転送スイッチ3を介して、フォトダイオード2に接続される容量を備え、入力される光信号の輝度情報に応じた電気信号に対応する電荷を蓄積する。増幅MOSアンプ6は、ドレインが電源VDDに、ゲートが蓄積領域5に接続され、蓄積領域5の端子電圧を増幅する。選択スイッチ7は、ドレインが増幅MOSアンプ6のソースに接続され、ソースが信号出力線9に接続され、ゲートが信号線φSEL1に接続される。選択スイッチ7は、信号線φSEL1を介して選択信号が入力されると増幅MOSアンプ6で増幅された信号を信号出力線9に出力する。
また、固体撮像装置100において垂直走査回路8は、光電変換領域部1にマトリックス状に配置された単位画素1−nmを順次切り換える選択信号を出力する。選択信号によって選択された単位画素1−nmは、それぞれ受光して蓄積された電荷に応じた出力電圧の信号を出力する。信号出力線9は、垂直走査回路8から出力された選択信号に基づいて選択された単位画素1−nmが出力する画素信号を転送する。信号出力線9は、複数の信号出力線9−1、9−2、・・・、9−n(以下、複数の信号線9−1、9−2、・・・、9−nをまとめて示すときには、「信号出力線9」という。)からなり、それぞれ接続されている単位画素1−nmの信号を転送する。負荷電流源10は、信号出力線9ごとに設けられる負荷電流源10−1、10−2、・・・、10−n(以下、負荷電流源10−1、10−2、・・・、10−nをまとめて示すときには、「負荷電流源10」という。)からなり、それぞれ信号出力線9に接続される。負荷電流源10は、信号出力線9のバイアス電位を設定する。
カラムアンプ部20は、信号出力線9を介して接続される単位画素1−nmが出力する画像信号を増幅し出力する。出力部40は、水平走査回路41と水平選択スイッチ42からなる。水平走査回路41は、カラムアンプ部20が出力する信号を順次選択する選択信号を出力する。水平選択スイッチ42は、水平出力回路41によって出力されたカラムアンプ部20が出力する信号を順次選択する信号に基づいて、高輝度信号読出し線15及び低輝度信号読出し線16接続する選択回路である。高輝度信号読出し線15は、カラムアンプ部20で増幅された高輝度領域の信号を転送す信号線である。低輝度信号読出し線16は、カラムアンプ部20で増幅された低輝度領域の信号を転送する信号線である。
信号変換部(以下「ADC」という)50には、カラムアンプ部20で増幅された信号が出力部40で選択され、高輝度信号読出し線15及び低輝度信号読出し線16を介して入力される。ADC50は、入力された信号をデジタル信号に変換し出力する。
図3は、第1実施形態におけるカラムアンプ部の構成を示すブロック図である。
この図に示されるカラムアンプ部20は、スイッチ21、24、27、29、31、33、42−1、42−2、コンデンサ22、25、26、28、32、34、アンプ23を備える。
この図に示されるカラムアンプ部20は、スイッチ21、24、27、29、31、33、42−1、42−2、コンデンサ22、25、26、28、32、34、アンプ23を備える。
信号出力線9には、信号φSH1で制御されるスイッチ21と直列に接続されたコンデンサ22を介してアンプ23の非反転入力端子が接続される。アンプ23の非反転入力端子には、信号φCL1によって制御されるスイッチ24を介して基準電位VCL(クランプ電圧)に接続される。アンプ23の反転入力端子には、信号φGによって制御されるスイッチ27と直列に接続されたコンデンサ26を介し、またそれらと並列に接続されるコンデンサ25を介して接地電位に接続される。アンプ23の出力端子は、並列に接続された信号φCL1によって制御されるスイッチ29とコンデンサ28を介し、アンプ23の反転入力端子に接続される。また、アンプ23の出力端子には、信号φSH2によって制御されるスイッチ31の一端と、信号φSH3によって制御されるスイッチ33の一端とが接続される。スイッチ31の他端は、コンデンサ32を介して接地電位に接続されるとともに、スイッチ42−1を介して高輝度信号読出し線15に接続される。スイッチ33の他端は、コンデンサ34を介して接地電位に接続されるとともに、スイッチ42−2を介して低輝度信号読出し線16に接続される。高輝度信号読出し線15と低輝度信号読出し線16は、ADC50の入力端子にそれぞれ接続される。
この構成において増幅はアンプ23によって行われ、その増幅率は負帰還路に設けられた容量CF1を有するコンデンサ28と容量CIN1を有するコンデンサ25によって決定される。このときスイッチ27は、OFF(オフ)状態とする。この増幅率Ahiは以下の式(1)によって示される。
Ahi=1+CIN1/CF1 …(1)
また、スイッチ27を介して容量CIN2を有するコンデンサ26がコンデンサ25と並列に接続されている。スイッチ21をOFF(オフ)状態にするとともにスイッチ27をON(オン)状態にさせることによってコンデンサ25(容量CIN1)とコンデンサ26(容量CIN2)が並列接続となる。コンデンサ25に蓄積されていた電荷は、コンデンサ25とコンデンサ26に配分されることになる。ここで、コンデンサ26の容量CIN2を式(2)のように設定する。
CIN2=3(CF1+CIN1) …(2)
式(2)の条件を考慮すると、増幅率Aloは式(3)のようになる。
Alo=4(1+CIN1/CF1) …(3)
式(1)〜式(3)によって示されるように、高輝度側の増幅率をAhiとし低輝度側の増幅率をAloとすると、低輝度側の増幅率は高輝度側の増幅率と比較して4倍となる。
図4は、信号変換部50の構成を示すブロック図である。
この図に示される信号変換部50は、ADC50a、ADC50b、スケール変換部50cを備える。
信号変換部50におけるADC50aとADC50bは、入力されるアナログ信号を12bit(ビット)のデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換部である。ADC50aは、入力端子に接続される高輝度信号読出し線15を介して、高輝度側の増幅率Ahiによって増幅された画素信号が入力され、12bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。ADC50bは、入力端子に接続される低輝度信号読出し線16を介して、低輝度側の増幅率Aliによって増幅された画素信号が入力され、12bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。スケール変換部50cは、ADC50aとADC50bが出力した12bit(ビット)のデジタル信号を入力し、14bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。
この図に示される信号変換部50は、ADC50a、ADC50b、スケール変換部50cを備える。
信号変換部50におけるADC50aとADC50bは、入力されるアナログ信号を12bit(ビット)のデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換部である。ADC50aは、入力端子に接続される高輝度信号読出し線15を介して、高輝度側の増幅率Ahiによって増幅された画素信号が入力され、12bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。ADC50bは、入力端子に接続される低輝度信号読出し線16を介して、低輝度側の増幅率Aliによって増幅された画素信号が入力され、12bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。スケール変換部50cは、ADC50aとADC50bが出力した12bit(ビット)のデジタル信号を入力し、14bit(ビット)のデジタル信号に変換し出力する。
図を参照し、スケール変換部50cにおける変換処理について示す。
図5は、信号変換部50の信号処理を示す図である。
図5(a)は、信号変換部50による出力信号、すなわちスケール変換部50cによる出力信号を示す表である。
この表の列に示される項目は、出力信号の各ビットを示しb13(MSB:Most Significant Bit)からb0(LSB:Least Significant Bit)までの14ビットのうち一部を抜粋して示したものである。この表の列に示される項目は、この表の上の行に示される最大値から、下の行に示される最小値0までの値を4分割した範囲によって示されている。4分割された各範囲は、上位のb13とb12の2bit(ビット)によって、「11」、「10」、「01」、「00」で表すことができる。ここで、それぞれの範囲について、範囲11、範囲10、範囲01、範囲00と定義する。
図5は、信号変換部50の信号処理を示す図である。
図5(a)は、信号変換部50による出力信号、すなわちスケール変換部50cによる出力信号を示す表である。
この表の列に示される項目は、出力信号の各ビットを示しb13(MSB:Most Significant Bit)からb0(LSB:Least Significant Bit)までの14ビットのうち一部を抜粋して示したものである。この表の列に示される項目は、この表の上の行に示される最大値から、下の行に示される最小値0までの値を4分割した範囲によって示されている。4分割された各範囲は、上位のb13とb12の2bit(ビット)によって、「11」、「10」、「01」、「00」で表すことができる。ここで、それぞれの範囲について、範囲11、範囲10、範囲01、範囲00と定義する。
範囲00では、上位のb13とb12の2bit(ビット)が「00」であり、14bitの信号であっても、下位の12bit(ビット)によって全範囲を示すことができる。
また、範囲11、範囲10及び範囲01において下位のb1とb0の2bit(ビット)を「00」とすることによって、上位の12bit(ビット)だけで表すこととする。これにより、示すことができる階調の数が1/4に少なくなるが、入力される信号の全範囲を示すことができる。このような変換処理により出力信号として示すことができる最大値は、16380(=(212−1)×4)となる。
また、範囲11、範囲10及び範囲01において下位のb1とb0の2bit(ビット)を「00」とすることによって、上位の12bit(ビット)だけで表すこととする。これにより、示すことができる階調の数が1/4に少なくなるが、入力される信号の全範囲を示すことができる。このような変換処理により出力信号として示すことができる最大値は、16380(=(212−1)×4)となる。
図5(b)は、信号変換部50に入力されるアナログ信号をデジタル信号に変換して出力するときの変換処理を示したグラフである。
このグラフの横軸は、入力されるアナログ信号の大きさを示し、低輝度範囲の信号と高輝度範囲の信号のそれぞれの範囲が示されている。低輝度範囲の信号は、原点0から高輝度範囲の信号範囲の1/4までの範囲が、入力される信号範囲となる。また縦軸は、入力されるアナログ信号に対応して示されるデジタル信号の値が示される。出力信号範囲のうち、原点からその範囲の1/4までの範囲は、14bit(ビット)階調による出力に相当する信号を得ることができる範囲を示し、その範囲以上では、12bit(ビット)階調による出力信号を得ることができる。
このグラフの横軸は、入力されるアナログ信号の大きさを示し、低輝度範囲の信号と高輝度範囲の信号のそれぞれの範囲が示されている。低輝度範囲の信号は、原点0から高輝度範囲の信号範囲の1/4までの範囲が、入力される信号範囲となる。また縦軸は、入力されるアナログ信号に対応して示されるデジタル信号の値が示される。出力信号範囲のうち、原点からその範囲の1/4までの範囲は、14bit(ビット)階調による出力に相当する信号を得ることができる範囲を示し、その範囲以上では、12bit(ビット)階調による出力信号を得ることができる。
前述の図5(a)の表によって示されたデジタル値がこのグラフの縦軸の値に対応する。
上記の出力信号を生成するには、ADC50aとADC50bの出力信号の12bit(ビット)のデジタル信号を用いることで実現することができる。出力信号の大きさが低輝度を示す「0」から1/4までの範囲、すなわち「範囲00」では、下位の12bitにADC50bの出力信号を充当する。また、出力信号の大きさが低輝度を示す「0」から1/4の範囲を超える範囲、すなわち範囲01、範囲10及び範囲11では、上位の12bitにADC50aの出力信号を充当する。これにより、用いたアナログ・デジタル変換器が12bit(ビット)であっても、低輝度の範囲では、14bit(ビット)のアナログ・デジタル変換に相当する変換処理が行えたことになる。この処理により、デジタル信号に変換する前に高い増幅率で増幅されデジタル信号に変換された「範囲00」の信号は、14bit(ビット)で出力する信号の下位12bit(ビット)で出力する。これにより、他の範囲が14bit(ビット)で出力する信号の上位12bit(ビット)で出力するのに比べると、「範囲00」の範囲に割りつけた信号は、相対的に1/4倍されて出力され規格化処理されたことになる。
上記の出力信号を生成するには、ADC50aとADC50bの出力信号の12bit(ビット)のデジタル信号を用いることで実現することができる。出力信号の大きさが低輝度を示す「0」から1/4までの範囲、すなわち「範囲00」では、下位の12bitにADC50bの出力信号を充当する。また、出力信号の大きさが低輝度を示す「0」から1/4の範囲を超える範囲、すなわち範囲01、範囲10及び範囲11では、上位の12bitにADC50aの出力信号を充当する。これにより、用いたアナログ・デジタル変換器が12bit(ビット)であっても、低輝度の範囲では、14bit(ビット)のアナログ・デジタル変換に相当する変換処理が行えたことになる。この処理により、デジタル信号に変換する前に高い増幅率で増幅されデジタル信号に変換された「範囲00」の信号は、14bit(ビット)で出力する信号の下位12bit(ビット)で出力する。これにより、他の範囲が14bit(ビット)で出力する信号の上位12bit(ビット)で出力するのに比べると、「範囲00」の範囲に割りつけた信号は、相対的に1/4倍されて出力され規格化処理されたことになる。
次に、図を参照し入力された画素信号をデジタル信号に変換する処理について説明する。
図6は、図1〜図3に示した撮像素子100におけるサンプリング動作のタイミングチャートである。
この図に示されるタイミングチャートでは、単位画素1−nmにおいて光信号による電荷蓄積期間が終了し、特定の行における信号電荷を読み出すときの回路の動作を示すタイミングを示している。
図6は、図1〜図3に示した撮像素子100におけるサンプリング動作のタイミングチャートである。
この図に示されるタイミングチャートでは、単位画素1−nmにおいて光信号による電荷蓄積期間が終了し、特定の行における信号電荷を読み出すときの回路の動作を示すタイミングを示している。
ここで、信号φSEL1、φRS1及びφTX1は図2の単位画素1−nmにおいて以下の役割を果たす。信号φSEL1、φRS1及びφTX1は、第1行目に設けられた単位画素1−1mに対する制御信号であり、第1行目の信号を例として示し説明する。信号φSEL1、φRS1及びφTX1は、垂直操作回路8によって生成され、出力される。
信号φSEL1は、画素行を選択する選択スイッチをON(オン)状態にするパルス信号である。信号φRS1は、フローティングディフュージョン5をリセットするリセットスイッチ4をON(オン)状態にするパルス信号である。信号φTX1は、フォトダイオード2からフローティングディフュージョン5へと信号電荷を転送する転送スイッチ3をON(オン)状態にするパルス信号である。
信号φSEL1は、画素行を選択する選択スイッチをON(オン)状態にするパルス信号である。信号φRS1は、フローティングディフュージョン5をリセットするリセットスイッチ4をON(オン)状態にするパルス信号である。信号φTX1は、フォトダイオード2からフローティングディフュージョン5へと信号電荷を転送する転送スイッチ3をON(オン)状態にするパルス信号である。
まず、サイクルT11では、読出し行の画素を選択するために信号φSEL1をハイレベルとして選択スイッチ3をON(オン)状態にする。また、信号φRS1、φG、φSH1及びφCL1をハイレベルとして、単位画素1−nmのリセットスイッチ4によって、フローティングディフュージョン5に蓄積された電荷を放電(リセット)する。また、カラムアンプ部20では、コンデンサ25(CIN1)及びコンデンサ27(CIN2)に蓄積された電荷を放電する。この放電は、コンデンサ28(CIN2)に接続されるスイッチ26をON(オン)状態にして、アンプ23の増幅率を低輝度の信号を増幅する時の増幅率を使用して行われる。
その後、信号φRS1をローレベルとして、単位画素1−nmのフローティングディフュージョン5に蓄積された電荷の放電を終了する。
その後、信号φRS1をローレベルとして、単位画素1−nmのフローティングディフュージョン5に蓄積された電荷の放電を終了する。
この後、サイクルT12では、フローティングディフュージョン5の電荷が放電された状態の電位(リセットレベル)をサンプリングする。このリセットレベルのサンプリングは、コンデンサ28(CIN2)に接続されるスイッチ26をON(オン)状態にして、アンプ23の増幅率を低輝度の信号を増幅する時の増幅率を使用する。その後、信号φG、φCLをローレベルとして、スイッチ26をOFF(オフ)状態にしてアンプ23の増幅率を標準に戻し、リセットレベルのサンプリングを終了する。
次にサイクルT13では、信号φTX1をハイレベルにして、転送スイッチ3をON(オン)状態にして、フォトダイオード2に蓄積されている電荷をフローティングディフュージョン5に転送し、完了したら信号φTX1をローレベルとして転送動作を完了する。
次にサイクルT13では、信号φTX1をハイレベルにして、転送スイッチ3をON(オン)状態にして、フォトダイオード2に蓄積されている電荷をフローティングディフュージョン5に転送し、完了したら信号φTX1をローレベルとして転送動作を完了する。
この後、サイクルT14では、信号φSH2をハイレベルにして、アンプ23で増幅された画素信号をコンデンサ32にサンプリングする。このサンプリングでは、コンデンサ22を信号出力線9に接続し、入力される画素信号をアンプ23で増幅する。本サイクルT14において先に行われるサンプリングは、高輝度用信号のサンプリング処理である。このサンプリングにおけるアンプ23の増幅率は、増幅率を控えた高輝度用の増幅率に設定され、アンプ23で増幅された信号は、高輝度用の信号としてコンデンサ32にサンプリングされる。その後、信号φSH2をローレベルにして、アンプ23の出力からコンデンサ32への接続をスイッチ31によってOFF(オフ)状態にし、高輝度用サンプリングのサンプリング処理を終了する。
続けてサイクルT15では、信号φG及びφSH3をハイレベルにして、アンプ23で増幅された画素信号をコンデンサ34にサンプリングする。このサンプリングでは、コンデンサ22を介して信号出力線9から入力される信号を遮断してアンプ23の増幅が行われる。サイクルT14ですでにコンデンサ25は、入力された画素信号に応じた電荷が蓄積されている。この蓄積された電荷に基づいて、コンデンサ25に並列に接続されるコンデンサ26による合成容量により蓄積された電荷が分散し、新たな端子電圧が発生する。この端子電圧が、低輝度用の増幅率によってアンプ23で増幅される。この低輝度用の増幅率で増幅された低輝度用の画素信号が、コンデンサ34にサンプリングされる。その後、信号φSH3をローレベルにして、アンプ23の出力からコンデンサ34への接続をスイッチ33によって遮断し、低輝度用サンプリングのサンプリング処理を終了する。
サイクルT16では、信号φSEL1、φSH3をローレベルとして選択された第1行目の単位画素1−nmからの画素信号のサンプリング処理を完了する。コンデンサ32及びコンデンサ34に蓄積されている画素信号を変換処理部50に入力し、ADC50b及びADC50aでそれぞれアナログ・デジタル変換処理を行う。
高輝度用の信号と低輝度用の信号に分けてサンプリングされた画素信号は、それぞれ別々にアナログ・デジタル変換処理されることによって、別々のデジタル信号に変換される。その2つのデジタル信号は、スケール変換部50cによるスケール変換と、信号電圧範囲に応じた合成処理により、高精度のデジタル信号を得ることが可能となる。
以上のように低輝度側増幅用の容量と低輝度用信号のサンプル用容量を追加するだけで、上述したように駆動することで低輝度用信号を4倍の分解能で取得することが可能となり、後の画像処理においてガンマ処理を施した場合でも画像の低輝度部分のザラつきを抑えることが可能となる。
なお、上記では、第1行目の単位画素1−1mに対してのアナログ・デジタル変換について示した。この変換処理は、行ごとに順次繰り返し行われ、1画面分の情報が変換される。
(第2実施形態)
図を参照し、第2実施形態における固体撮像装置について説明する。
図7は、本発明の第2実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置200は、単位画素1−nm、垂直走査回路8、信号出力線9、負荷電流源10、カラムアンプ部20a、出力部40、信号変換部50、高輝度信号読出し線15、低輝度信号読出し線16を備える。
この図において、図1と同じ構成には同じ符号を付し、異なるカラムアンプ部20aについて示す。
図を参照し、第2実施形態における固体撮像装置について説明する。
図7は、本発明の第2実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置200は、単位画素1−nm、垂直走査回路8、信号出力線9、負荷電流源10、カラムアンプ部20a、出力部40、信号変換部50、高輝度信号読出し線15、低輝度信号読出し線16を備える。
この図において、図1と同じ構成には同じ符号を付し、異なるカラムアンプ部20aについて示す。
図8は、カラムアンプ部20aの構成を示すブロック図である。
この図に示されるカラムアンプ20aは、スイッチ21a、27a、29a、31a、33a、コンデンサ25a、26a、28a、32a、34a、アンプ23aを備える。
この図に示されるカラムアンプ20aは、スイッチ21a、27a、29a、31a、33a、コンデンサ25a、26a、28a、32a、34a、アンプ23aを備える。
信号φSH1で制御されるスイッチ21aと直列に接続されたコンデンサ25a、及び、信号φGで制御されるスイッチ27aと直列に接続されたコンデンサ26aが並列に接続されて、それらを介して信号出力線9とアンプ23aの反転入力端子とが接続される。アンプ23aの非反転入力端子は、基準電位VCLに接続される。アンプ23aの出力端子は、信号φCL1で制御されるスイッチ29aとそれと並列に接続されたコンデンサ28aを介してアンプ23aの反転入力端子に接続される。また、アンプ23aの出力端子には、信号φSH2で制御されるスイッチ31aの一端、及び、信号φSH3で制御されるスイッチ33aの一端が接続される。スイッチ31aの他端は、コンデンサ32aを介して接地電位に接続されるとともに、スイッチ42−1を介して高輝度信号読出し線15に接続される。スイッチ33aの他端は、コンデンサ34aを介して接地電位に接続されるとともに、スイッチ42−2を介して低輝度信号読出し線16に接続される。高輝度信号読出し線15と低輝度信号読出し線16は、ADC50の入力端子にそれぞれ接続される。
なお、単位画素1−nmの回路構成は第1実施形態と同じとする。
なお、単位画素1−nmの回路構成は第1実施形態と同じとする。
第1実施形態がカラムアンプ部の構成が正転型の増幅回路であったのに対して、本実施形態では反転型の増幅回路を用いた構成となる。
この構成において増幅はアンプ23aによって行われ、その増幅率は負帰還路に設けられた容量CF1を有するコンデンサ28aと容量CIN1を有するコンデンサ25aによって決定される。この増幅率Ahiは以下の式(4)によって示される。
この構成において増幅はアンプ23aによって行われ、その増幅率は負帰還路に設けられた容量CF1を有するコンデンサ28aと容量CIN1を有するコンデンサ25aによって決定される。この増幅率Ahiは以下の式(4)によって示される。
Ahi=−CIN1/CF1 …(4)
アンプ23aは、スイッチト・キャパシタ型の増幅回路であり、コンデンサ28には、繰り返し入力される信号を蓄積し、蓄積された電荷に応じた電位が出力される。
また、式(4)の条件では、スイッチを介して容量CIN1を有するコンデンサ25aが接続されていたが、信号φSH1をローレベル及び信号φGをハイレベルとすることによって、コンデンサ25a(容量CIN1)からコンデンサ26a(容量CIN2)に切り換えることとなる。ここで、コンデンサ26aの容量CIN2を式(5)のように設定する。
また、式(4)の条件では、スイッチを介して容量CIN1を有するコンデンサ25aが接続されていたが、信号φSH1をローレベル及び信号φGをハイレベルとすることによって、コンデンサ25a(容量CIN1)からコンデンサ26a(容量CIN2)に切り換えることとなる。ここで、コンデンサ26aの容量CIN2を式(5)のように設定する。
CIN2=3CIN1 …(5)
先に式(4)の条件でコンデンサ28が充電されていて、さらに式(5)の条件でコンデンサ28を充電することを考慮すると、増幅率Aloは式(6)のようになる。
Alo= Ahi−3CIN1/CF1=−CIN1/CF1−3CIN1/CF1=−4CIN1/CF1 …(6)
式(4)〜式(6)によって示されるように、高輝度側の増幅率をAhiとし低輝度側の増幅率をAloとすると、低輝度側の増幅率は高輝度側の増幅率と比較して4倍となる。
駆動タイミングについては第1実施形態の説明と同じであるので、下記の構成の対比を補足して、説明は第1実施形態の説明を参照する。
本実施形態のカラムアンプ20aにおけるスイッチ21a、27a、29a、31a、33a、コンデンサ25a、26a、28a、32a、34a及びアンプ23aは、第1実施形態のカラムアンプ20におけるスイッチ21、27、29、31、33、コンデンサ25、26、28、32、34及びアンプ23から読み替えることとする。
本実施形態も第1実施形態と同様に低輝度用の画素信号の分解能は4倍の14bit(ビット)精度とすることが可能となる。
本実施形態のカラムアンプ20aにおけるスイッチ21a、27a、29a、31a、33a、コンデンサ25a、26a、28a、32a、34a及びアンプ23aは、第1実施形態のカラムアンプ20におけるスイッチ21、27、29、31、33、コンデンサ25、26、28、32、34及びアンプ23から読み替えることとする。
本実施形態も第1実施形態と同様に低輝度用の画素信号の分解能は4倍の14bit(ビット)精度とすることが可能となる。
(第3実施形態)
図9は、第3実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置では、出力される信号はアナログ信号で出力される。
前述の図1に示した構成と同じ構成には、同じ符号を付し、構成の異なるバッファ増幅部14について説明する。
図9は、第3実施形態における固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される固体撮像装置では、出力される信号はアナログ信号で出力される。
前述の図1に示した構成と同じ構成には、同じ符号を付し、構成の異なるバッファ増幅部14について説明する。
固体撮像装置300におけるバッファ増幅部14は、入力端が高輝度信号読出し線15と低輝度信号読出し線16に接続され、出力端が、固体撮像装置300の出力端子に接続される。バッファ増幅部14は、高輝度信号読出し線15と低輝度信号読出し線16を介してサンプリングされた画素信号が入力され、予め定められる所定の電圧増幅を行ってアナログ信号によって出力する。
本実施形態で示される固体撮像装置300では、出力される信号をデジタル信号に変換せずにアナログ信号で出力するので、第1実施形態で示した信号変換部50に相当するアナログ・デジタル変換処理を固体撮像装置300の外部で実現する必要がある。
その外部における処理を合わせて行うことにより、第1実施形態に示した処理と同じ階調特性を得ることが可能となる。そのデジタル変換処理に合わせて、階調変換とガンマ処理などの信号変換処理を合わせて行うことも可能である。そのような信号変換処理では、CPU((Central Processing Unit)またはDSP(Digital Signal Processor)などを用いる処理プログラムによって実行させることも容易である。
その外部における処理を合わせて行うことにより、第1実施形態に示した処理と同じ階調特性を得ることが可能となる。そのデジタル変換処理に合わせて、階調変換とガンマ処理などの信号変換処理を合わせて行うことも可能である。そのような信号変換処理では、CPU((Central Processing Unit)またはDSP(Digital Signal Processor)などを用いる処理プログラムによって実行させることも容易である。
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。本発明の単位画素1−nmにおける構成は基本回路を示したものであり、この構成に限らず同様の画素信号が得られる回路構成を有するものであればあらゆる種類の単位画素1−nmの回路を使用することがでる。また、単位画素1−nmの構成数や接続形態についても特に限定されるものではない。
なお、本発明の撮像装置は、撮像装置100、200、300である。また、本発明の単位画素は、単位画素1−nmである。また、本発明の光電変換領域部は、光電変換領域部1である。また、本発明の信号出力線は、信号出力線9である。また、本発明のカラム領域部は、カラムアンプ部20、20aである。また、本発明の増幅部は、増幅部23、23aである。また、本発明の信号変換部は、信号変換部50である。
100 固体撮像装置
1 光電変換領域部
1−11〜1−nm 単位画素
2 フォトダイオード
3 転送スイッチ
4 リセットスイッチ
5 蓄積領域
6 増幅MOSアンプ
7 選択スイッチ
8 垂直走査回路
9 信号出力線
10 負荷電流源
20、20a カラムアンプ部
40 出力部
41 水平走査回路
42 水平選択スイッチ
50 信号変換部
15 高輝度信号読出し線
16 低輝度信号読出し線
1 光電変換領域部
1−11〜1−nm 単位画素
2 フォトダイオード
3 転送スイッチ
4 リセットスイッチ
5 蓄積領域
6 増幅MOSアンプ
7 選択スイッチ
8 垂直走査回路
9 信号出力線
10 負荷電流源
20、20a カラムアンプ部
40 出力部
41 水平走査回路
42 水平選択スイッチ
50 信号変換部
15 高輝度信号読出し線
16 低輝度信号読出し線
Claims (5)
- 少なくとも光電変換素子を有する複数の単位画素が二次元アレイ状に配置された光電変換領域部と、
前記光電変換領域部の各画素列に設けられ、前記光電変換領域部の各単位画素で生成された画素信号を順次読み出す信号出力線と、
前記光電変換領域部の出力側に設けられ、前記信号出力線を介して読み出された各単位画素の画素信号を順次蓄積するカラム領域部と、
前記カラム領域部に設けられ、前記信号出力線によって読み出された前記画素信号を増幅する増幅率について前記画素信号が予め定められる所定の値より低輝度を示す第1の輝度範囲における第1の増幅率を、該画素信号が予め定められる所定の値より高輝度を示す第2の輝度範囲における第2の増幅率に比べ高く設定する増幅部と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅部の構成に正転型を用いたこと
を特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅部の構成に反転型を用いたこと
を特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅部が増幅し前記第1の輝度範囲で示される信号として変換された第1のデジタル信号の階調数は、前記第1及び第2の輝度範囲を合わせた全信号範囲によって示される信号が変換された第2のデジタル信号の階調数と同じ階調数とする信号変換部と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記信号変換部は、
前記第1の輝度範囲を示す信号として、前記第1のデジタル信号の情報が示す大きさを前記第2のデジタル信号の情報が示す大きさに合わせるスケール変換によって規格化処理をした信号を出力すること
を特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016105571A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-06-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
CN111314632A (zh) * | 2013-03-14 | 2020-06-19 | 株式会社尼康 | 摄像单元、摄像装置及摄像控制程序 |
CN113574408A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-10-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
-
2008
- 2008-10-29 JP JP2008278736A patent/JP2010109607A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111314632A (zh) * | 2013-03-14 | 2020-06-19 | 株式会社尼康 | 摄像单元、摄像装置及摄像控制程序 |
CN111314632B (zh) * | 2013-03-14 | 2023-04-21 | 株式会社尼康 | 摄像单元及摄像装置 |
JP2016105571A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-06-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
CN113574408A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-10-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
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