JP2018137348A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の半導体装置は、半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板の上面側において形成され、配線が接続される接続領域を表面に具備する電極層と、前記接続領域以外において前記半導体基板の上面側を覆う絶縁性の保護膜と、を具備し、前記電極層は、上面側において前記接続領域を構成する配線金属層を含んで構成され、前記保護膜は、前記半導体基板側に設けられシリコン窒化物で構成される第1シリコン窒化物層と、前記第1シリコン窒化物層の上に形成されシリコン酸化物で構成されるシリコン酸化物層と、を含む積層構造を具備し、前記第1シリコン窒化物層の前記電極層側に向かう端部は、前記配線金属層の端部の外側に位置するように配置され、前記シリコン酸化物層は、前記第1シリコン窒化物層上、及び前記接続領域以外の前記配線金属層上に、連続的に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1シリコン窒化物層の前記電極層側に向かう端部と、前記配線金属層の端部が離間して配置されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記シリコン酸化物層に窒素が添加されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記シリコン酸化物層の上に、前記第1シリコン窒化物層よりも厚く形成されシリコン窒化物で構成される第2シリコン窒化物層を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記保護膜は、前記シリコン酸化物層の上に、前記シリコン酸化物層よりも厚く形成され高分子材料で構成される有機物層を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記有機物層は、前記配線金属層の上において、前記シリコン酸化物層の端部を覆って形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記有機物層は、前記電極層が形成されない領域において、前記シリコン酸化物層の端部を覆って形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記半導体素子はショットキーバリアダイオードであり、前記電極層は、前記配線金属層と、前記配線金属層の下側で前記半導体基板を構成する半導体材料と直接接することによってショットキー障壁を形成するショットキー電極層と、を含む積層構造を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記ショットキー電極層は、前記配線金属層の端部よりも外側に向かって延伸する延伸部を有し、前記第1シリコン窒化物層が前記延伸部の上面にかかるように形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記配線金属層は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする。
以下、本発明の第1の実施の形態となる半導体装置について説明する。図1は、この半導体装置1の構造を示す部分断面図である。この半導体装置1は、半導体材料として炭化珪素(SiC)を用いたショットキーバリアダイオードである。このため、SiCで構成された半導体基板10が全体の基板として用いられている。
図2は、第2の実施の形態に係る半導体装置2の構成を図1と同様に示す断面図である。この半導体装置2においても、前記の半導体装置1と同様の半導体基板10が用いられ、絶縁層15が同様に形成されている。また、ショットキー電極層21も図1と同様に形成されている。ただし、この半導体装置2において用いられる電極層120においては、平面視において配線金属層22をショットキー電極層21よりも小さく設定している。このため、配線金属層22の外側(図2における右側)において、ショットキー電極層21は、配線金属層22側よりも延伸した延伸部Eを具備する。これに伴って、ここで用いられる保護膜130の構造が、前記の保護膜30とは異なる。
図3は、第3の実施の形態に係る半導体装置3の構造を図1、2に対応させて示す断面図である。ここで用いられる半導体基板10は前記と同様であり、ショットキー電極層21、配線金属層22で構成される電極層120については前記の半導体装置2と同様である。これに対応して、ここで用いられる保護膜230の最下層となる第1シリコン窒化膜31、その上のシリコン酸化膜32の構造も、前記の半導体装置2(保護膜130)におけるものと同様である。
図4は、第4の実施の形態に係る半導体装置4の構造を図1等に対応させて示す断面図である。ここで用いられる保護膜330以外の構成については、前記の半導体装置1(保護膜30)におけるものと同様である。
図5は、第5の実施の形態に係る半導体装置5の構造を図1等に対応させて示す断面図である。ここで用いられる保護膜430以外の構成については、前記の半導体装置1、4と同様である。ここでは、図1〜4とは異なり、保護膜430の電極層20から離間した側の端部が示されている。
10 半導体基板
11 ドリフト層(半導体層)
15 絶縁層
20、120 電極層
21 ショットキー電極層
22 配線金属層
30、130、230、330、430 保護膜
31 第1シリコン窒化膜(第1シリコン窒化物層)
32 シリコン酸化膜(シリコン酸化物層)
33 有機膜(有機物層)
41 第2シリコン窒化膜(第2シリコン窒化物層)
B 接続領域
E 延伸部
Claims (10)
- 半導体素子が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上面側において形成され、配線が接続される接続領域を表面に具備する電極層と、
前記接続領域以外において前記半導体基板の上面側を覆う絶縁性の保護膜と、を具備し、
前記電極層は、上面側において前記接続領域を構成する配線金属層を含んで構成され、
前記保護膜は、
前記半導体基板側に設けられシリコン窒化物で構成される第1シリコン窒化物層と、
前記第1シリコン窒化物層の上に形成されシリコン酸化物で構成されるシリコン酸化物層と、
を含む積層構造を具備し、
前記第1シリコン窒化物層の前記電極層側に向かう端部は、前記配線金属層の端部の外側に位置するように配置され、
前記シリコン酸化物層は、前記第1シリコン窒化物層上、及び前記接続領域以外の前記配線金属層上に、連続的に形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1シリコン窒化物層の前記電極層側に向かう端部と、前記配線金属層の端部が離間して配置されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記シリコン酸化物層に窒素が添加されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記シリコン酸化物層の上に、前記第1シリコン窒化物層よりも厚く形成されシリコン窒化物で構成される第2シリコン窒化物層を具備することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、
前記シリコン酸化物層の上に、前記シリコン酸化物層よりも厚く形成され高分子材料で構成される有機物層を具備することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記有機物層は、前記配線金属層の上において、前記シリコン酸化物層の端部を覆って形成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記有機物層は、前記電極層が形成されない領域において、前記シリコン酸化物層の端部を覆って形成されたことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子はショットキーバリアダイオードであり、
前記電極層は、
前記配線金属層と、
前記配線金属層の下側で前記半導体基板を構成する半導体材料と直接接することによってショットキー障壁を形成するショットキー電極層と、
を含む積層構造を具備することを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ショットキー電極層は、前記配線金属層の端部よりも外側に向かって延伸する延伸部を有し、
前記第1シリコン窒化物層が前記延伸部の上面にかかるように形成されたことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記配線金属層は、アルミニウム(Al)、金(Au)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023067926A1 (ja) * | 2021-10-21 | 2023-04-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP7487094B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-05-20 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10535590B2 (en) * | 2017-12-29 | 2020-01-14 | Intel Corporation | Multi-layer solder resists for semiconductor device package surfaces and methods of assembling same |
JP7131155B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-09-06 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US10957664B2 (en) * | 2019-05-29 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
JP2022043997A (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-16 | エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. | 信頼性を改善した電子装置の要素の製造方法、及び関連要素、電子装置、及び電子機器 |
EP3975265A1 (en) * | 2020-09-28 | 2022-03-30 | Nexperia B.V. | A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device |
IT202100029939A1 (it) | 2021-11-26 | 2023-05-26 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di un elemento di ancoraggio di un dispositivo elettronico basato su sic, elemento di ancoraggio, e dispositivo elettronico |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04184932A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Sony Corp | パッシベーション膜の形成方法 |
JP2000091338A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004281491A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014500620A (ja) * | 2010-11-10 | 2014-01-09 | クリー インコーポレイテッド | コンタクトパッドおよびその製造方法 |
WO2016162987A1 (ja) * | 2015-04-08 | 2016-10-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および半導体モジュール |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI245345B (en) * | 2005-02-17 | 2005-12-11 | Touch Micro System Tech | Method of forming a wear-resistant dielectric layer |
US9991399B2 (en) * | 2012-10-04 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Passivation structure for semiconductor devices |
US20150255362A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor Device with a Passivation Layer and Method for Producing Thereof |
-
2017
- 2017-02-22 JP JP2017031102A patent/JP6528793B2/ja active Active
- 2017-03-05 US US15/450,008 patent/US10020373B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04184932A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Sony Corp | パッシベーション膜の形成方法 |
JP2000091338A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004281491A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014500620A (ja) * | 2010-11-10 | 2014-01-09 | クリー インコーポレイテッド | コンタクトパッドおよびその製造方法 |
WO2016162987A1 (ja) * | 2015-04-08 | 2016-10-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および半導体モジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7487094B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-05-20 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
WO2023067926A1 (ja) * | 2021-10-21 | 2023-04-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US10020373B1 (en) | 2018-07-10 |
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