JP2018113369A5 - - Google Patents
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Description
酸素透過防止膜１３は、基板１１および絶縁膜１２から酸化物半導体膜１５への酸素の移動を遮るためのものである。本実施の形態では、積層部１０Ｌに、この酸素透過防止膜１３が設けられ、酸素透過防止膜１３が第１配線領域１５Ｗの酸化物半導体膜１５を間にして第２配線１８に対向している。詳細は後述するが、これにより、下層（基板１１および絶縁膜１２）から酸化物半導体膜１５への酸素の供給が抑えられるので、第１配線領域１５Ｗの導電性を安定して維持することが可能となる。
本実施の形態の半導体装置１では、積層部１０Ｌの絶縁膜１２と第１配線領域１５Ｗの酸化物半導体膜１５との間に、酸素透過防止膜１３が設けられている。これにより、基板１１および絶縁膜１２から酸化物半導体膜１５への酸素の供給が抑えられるので、第１配線領域１５Ｗの導電性を安定して維持することが可能となる。以下、これについて比較例を用いて説明する。
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