JP2018082464A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】撮像素子は、入射光に対応した画素信号を出力する撮像チップ113と、撮像チップに積層された画素信号を処理する信号処理チップとを備える。撮像チップの複数の画素150は、単位グループ131−1〜8の8つの単位グループに分けられる。信号処理チップには複数のA/Dコンバータがそれぞれの単位グループに一つずつ設けられる。撮像チップは、複数の画素からの画素信号を行毎に読み出す垂直デコーダ170を有する。選択された行から読み出された画素信号は、それぞれ対応する出力配線308−1〜8およびバンプ109−1〜8を介して並列に伝送され、信号処理チップに設けられた対応するA/Dコンバータにそれぞれ入力される。垂直デコーダ170は、二以上のA/Dコンバータを並列動作させる
【選択図】図4
Description
[非特許文献1]"A Very Low Area ADC for 3-D Stacked CMOS Image Processing System" K. Kiyoyama 他, IEEE 3DIC 2012.
Claims (11)
- 複数の画素を含む第1撮像領域と、前記第1撮像領域に対して第1の方向に配置された複数の画素を含む第2撮像領域と、前記第1撮像領域に対して前記第1の方向と交差する第2の方向に配置された複数の画素を含む第3撮像領域とを有する画素部と、
前記複数の画素からの信号の読み出しを制御する制御信号を前記撮像領域毎に供給可能な制御部と、
複数の信号処理回路を有し、前記撮像領域毎に供給された前記制御信号により読み出された前記撮像領域の複数の画素からの信号を、前記複数の信号処理回路の異なる信号処理回路で信号処理する、前記画素部に積層された信号処理部と
を備え、
前記第1撮像領域の第1画素からの信号と前記第2撮像領域の第2画素からの信号とは第1信号処理回路で信号処理され、
前記第1撮像領域の第3画素からの信号と前記第2撮像領域の第4画素からの信号とは第2信号処理回路で信号処理される
撮像素子。 - 前記画素部の下に前記信号処理部が積層され、
前記第1撮像領域に対応した前記画素部の下の位置に、前記第1信号処理回路が配置され、
前記第2撮像領域に対応した前記画素部の下の位置に、前記第2信号処理回路が配置される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記複数の信号処理回路は、入力された信号をデジタル信号に変換するA/Dコンバータである
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素部と前記信号処理部とは複数のバンプにより接続され、
前記撮像領域毎に前記複数のバンプが配置されている
請求項1から3のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記複数のバンプは、前記第1の方向と前記第2の方向とにおいて等間隔に配置されている
請求項4に記載の撮像素子。 - 複数の画素を含む第1撮像領域と、前記第1撮像領域に対して第1の方向に配置された複数の画素を含む第2撮像領域と、前記第1撮像領域に対して前記第1の方向と交差する第2の方向に配置された複数の画素を含む第3撮像領域と、前記複数の画素からの信号の読み出しを制御する制御信号を前記撮像領域毎に供給可能な制御部と、を有する撮像チップと、
一つ又は複数の画素列毎または一つ又は複数の画素行毎に設けられ、画素から出力される画素信号を信号処理する複数の素子を有し、前記撮像領域毎に供給された前記制御信号により読み出された前記撮像領域の複数の画素からの信号を、前記信号処理する複数の素子の異なる素子で信号処理し、前記撮像チップに積層された信号処理チップと
を備え、
前記第1撮像領域の第1画素からの信号と前記第2撮像領域の第2画素からの信号とは第1の信号処理する素子で信号処理され、
前記第1撮像領域の第3画素からの信号と前記第2撮像領域の第4画素からの信号とは第2の信号処理する素子で信号処理される撮像素子。 - 前記撮像チップの下に前記信号処理する素子が積層され、
前記第1撮像領域に対応した前記撮像チップの下の位置に、前記第1の信号処理する素子が配置され、
前記第2撮像領域に対応した前記撮像チップの下の位置に、前記第2の信号処理する素子が配置される
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記信号処理する素子は、前記画素から出力される画素信号をデジタル信号に変換するA/Dコンバータである
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記撮像チップと前記信号処理する素子とは複数のバンプにより接続され、
前記撮像領域毎に前記複数のバンプが配置されている
請求項6から8のいずれか一項に記載の撮像素子。 - 前記複数のバンプは、前記第1の方向と前記第2の方向とにおいて等間隔に配置されている
請求項9に記載の撮像素子。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の撮像素子を備える電子機器。
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JP6217458B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-10-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
WO2016046685A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
JP6608185B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-11-20 | キヤノン株式会社 | 積層型イメージセンサおよび撮像装置 |
JP7020783B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2022-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
US10720465B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-07-21 | Nikon Corporation | Image sensor and image capture device |
EP3324545B1 (en) * | 2016-11-22 | 2024-04-24 | ams AG | Image sensor and method for readout of an image sensor |
WO2018109821A1 (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6869847B2 (ja) * | 2017-08-01 | 2021-05-12 | 株式会社日立製作所 | アナログデジタル変換器及びそれを用いた超音波診断装置用プローブ |
JP7102119B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-07-19 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
US10587278B2 (en) * | 2018-02-20 | 2020-03-10 | F.S. Brainard & Company | Sensor to encoder signal converter |
SE542767C2 (en) * | 2018-05-15 | 2020-07-07 | Xcounter Ab | Sensor unit and radiation detector |
JP7384212B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-11-21 | 株式会社ニコン | 撮像素子、及び、撮像装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151375A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2012054876A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP2012104684A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6608296B1 (en) * | 1998-10-07 | 2003-08-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | High-speed vision sensor having a parallel processing system |
JP4232755B2 (ja) * | 2005-04-05 | 2009-03-04 | 株式会社デンソー | イメージセンサ及びイメージセンサの制御方法 |
TW201101476A (en) | 2005-06-02 | 2011-01-01 | Sony Corp | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
CN101228631A (zh) * | 2005-06-02 | 2008-07-23 | 索尼株式会社 | 半导体图像传感器模块及其制造方法 |
JP2007096633A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 映像信号処理装置およびデジタルカメラ |
JP4752447B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP5106092B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2012-12-26 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
TWI504256B (zh) * | 2008-04-07 | 2015-10-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備 |
JP5392533B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、光学装置、信号処理装置及び信号処理システム |
JP5359611B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-12-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
ATE543215T1 (de) * | 2009-03-24 | 2012-02-15 | Sony Corp | Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
JP5272860B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2013-08-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5521721B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびカメラシステム |
JP5853351B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2016-02-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
JP5521758B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5504065B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-05-28 | 日本放送協会 | 撮像装置 |
JP5716347B2 (ja) * | 2010-10-21 | 2015-05-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP5581982B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2014-09-03 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP5862126B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2016-02-16 | ソニー株式会社 | 撮像素子および方法、並びに、撮像装置 |
US8890047B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-11-18 | Aptina Imaging Corporation | Stacked-chip imaging systems |
US8730081B2 (en) * | 2012-03-19 | 2014-05-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Calibration in multiple slope column parallel analog-to-digital conversion for image sensors |
JP6265120B2 (ja) | 2012-06-08 | 2018-01-24 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
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JP2012104684A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
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