JP2018082124A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7149191B2 (ja) * 2019-01-16 2022-10-06 株式会社アルバック CoZnMn膜の形成方法、および、CoZnMnターゲット
JP2021033579A (ja) * 2019-08-22 2021-03-01 国立大学法人大阪大学 演算装置
JP7586694B2 (ja) * 2020-12-01 2024-11-19 Tdk株式会社 磁気アレイ
US11793002B2 (en) * 2021-05-05 2023-10-17 International Business Machines Corporation Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning
KR102517665B1 (ko) * 2021-07-05 2023-04-05 한국표준과학연구원 스커미온 생성, 소거 및 이동 장치
CN116820390A (zh) * 2022-03-21 2023-09-29 中电海康集团有限公司 一种存算器件、计数器、移位累加器和存内乘加结构
CN115527576A (zh) * 2022-08-30 2022-12-27 香港中文大学(深圳) 一种基于磁隧道结产生及擦除单个斯格明子的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3980990B2 (ja) * 2002-10-31 2007-09-26 株式会社東芝 磁気メモリ
FR2963152B1 (fr) 2010-07-26 2013-03-29 Centre Nat Rech Scient Element de memoire magnetique
JP5553917B2 (ja) * 2012-01-30 2014-07-23 株式会社QuantuMag Consultancy Mtj素子及びその製法、並びにmramデバイス
SE538342C2 (sv) * 2014-04-09 2016-05-24 Nanosc Ab Spinnoscillator-anordning
JP6677944B2 (ja) * 2014-07-04 2020-04-08 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置
JP6450389B2 (ja) * 2014-08-07 2019-01-09 国立研究開発法人理化学研究所 磁気記憶媒体およびデータ記録装置
JP6637427B2 (ja) 2014-09-02 2020-01-29 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置
JP2016052697A (ja) 2014-09-03 2016-04-14 インターマン株式会社 人型ロボット
JP6637429B2 (ja) * 2014-09-04 2020-01-29 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置
FR3025655B1 (fr) * 2014-09-09 2016-10-14 Thales Sa Systeme de generation de skyrmions
KR102062369B1 (ko) 2014-10-28 2020-01-03 고쿠리쓰 겐큐 가이하쓰 호징 리가가쿠 겐큐소 자기 소자, 스커미온 메모리, 스커미온 메모리 장치, 스커미온 메모리 탑재 고체 전자 장치, 데이터 기록 장치, 데이터 처리 장치 및 통신 장치
WO2016072162A1 (ja) * 2014-11-06 2016-05-12 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置
WO2016084683A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 国立研究開発法人理化学研究所 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置及び通信装置
WO2017024253A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 The Regents Of The University Of California Ground state artificial skyrmion lattices at room temperature
JP5985728B1 (ja) 2015-09-15 2016-09-06 株式会社東芝 磁気メモリ
WO2017151735A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-08 Virginia Commonwealth University Switching skyrmions with vcma/electric field for memory, computing, and information processing
JP6206688B2 (ja) * 2016-05-11 2017-10-04 セイコーエプソン株式会社 熱サイクル装置
KR101963482B1 (ko) * 2016-10-20 2019-03-28 고려대학교 산학협력단 자기 터널 접합 소자 및 자기 메모리 소자
WO2018204755A1 (en) * 2017-05-04 2018-11-08 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for making magnetic skyrmions

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