JP2018067690A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018067690A5
JP2018067690A5 JP2016207266A JP2016207266A JP2018067690A5 JP 2018067690 A5 JP2018067690 A5 JP 2018067690A5 JP 2016207266 A JP2016207266 A JP 2016207266A JP 2016207266 A JP2016207266 A JP 2016207266A JP 2018067690 A5 JP2018067690 A5 JP 2018067690A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
semiconductor substrate
type impurity
concentration
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016207266A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018067690A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2016207266A priority Critical patent/JP2018067690A/ja
Priority claimed from JP2016207266A external-priority patent/JP2018067690A/ja
Priority to PCT/IB2017/001168 priority patent/WO2018073638A1/en
Priority to US16/339,223 priority patent/US10985241B2/en
Priority to CN201780062414.9A priority patent/CN109844954B/zh
Publication of JP2018067690A publication Critical patent/JP2018067690A/ja
Publication of JP2018067690A5 publication Critical patent/JP2018067690A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2016207266A 2016-10-21 2016-10-21 半導体装置とその製造方法 Pending JP2018067690A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016207266A JP2018067690A (ja) 2016-10-21 2016-10-21 半導体装置とその製造方法
PCT/IB2017/001168 WO2018073638A1 (en) 2016-10-21 2017-09-26 Semiconductor device and production method thereof
US16/339,223 US10985241B2 (en) 2016-10-21 2017-09-26 Semiconductor device and production method thereof
CN201780062414.9A CN109844954B (zh) 2016-10-21 2017-09-26 半导体器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016207266A JP2018067690A (ja) 2016-10-21 2016-10-21 半導体装置とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018067690A JP2018067690A (ja) 2018-04-26
JP2018067690A5 true JP2018067690A5 (https=) 2019-06-13

Family

ID=60782249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016207266A Pending JP2018067690A (ja) 2016-10-21 2016-10-21 半導体装置とその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10985241B2 (https=)
JP (1) JP2018067690A (https=)
CN (1) CN109844954B (https=)
WO (1) WO2018073638A1 (https=)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7103154B2 (ja) * 2018-10-19 2022-07-20 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
JP2020119922A (ja) * 2019-01-18 2020-08-06 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP7107284B2 (ja) * 2019-07-08 2022-07-27 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
JP7635524B2 (ja) * 2020-09-08 2025-02-26 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7689930B2 (ja) 2022-03-15 2025-06-09 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
TWI910528B (zh) * 2023-12-27 2026-01-01 台亞半導體股份有限公司 積體電路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0311816A1 (de) * 1987-10-15 1989-04-19 BBC Brown Boveri AG Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2000114549A (ja) 1998-09-30 2000-04-21 Meidensha Corp 半導体素子
JP4538870B2 (ja) * 1999-09-21 2010-09-08 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP2005135972A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5358963B2 (ja) * 2008-02-04 2013-12-04 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2009289904A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Toshiba Corp 半導体装置
EP2341528A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-06 ABB Technology AG Power Semiconductor Device and its manufacturing method
WO2011141981A1 (ja) * 2010-05-10 2011-11-17 株式会社日立製作所 半導体装置
TWM410990U (en) * 2011-02-11 2011-09-01 Pynmax Technology Co Ltd High Antistatic capability schottky diode
US8937319B2 (en) * 2011-03-07 2015-01-20 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Schottky barrier diode
JP5812029B2 (ja) * 2012-06-13 2015-11-11 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
WO2014054319A1 (ja) * 2012-10-02 2014-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9412809B2 (en) 2013-02-15 2016-08-09 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN204257659U (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 扬州国宇电子有限公司 一种半导体晶体管的终端隔离结构
JP2016201448A (ja) 2015-04-09 2016-12-01 トヨタ自動車株式会社 ダイオード及びダイオードの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018067690A5 (https=)
JP4375439B2 (ja) ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
JP4420062B2 (ja) ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
JP2015153787A5 (https=)
US9466735B2 (en) Junction barrier schottky diode and method for manufacturing the same
US20160315203A1 (en) Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region
JP2016201448A (ja) ダイオード及びダイオードの製造方法
JP3632344B2 (ja) 半導体装置
CN106165103B (zh) 半导体器件及半导体器件的制造方法
JP2015201557A5 (https=)
WO2016158015A1 (ja) 半導体装置
JP6146097B2 (ja) 半導体装置
JP2016522578A5 (https=)
JP2015118989A (ja) 半導体装置
WO2011101956A1 (ja) Ｐｉｎダイオード
CN104078502A (zh) 半导体功率器件及其制作方法
US10985241B2 (en) Semiconductor device and production method thereof
US20180019301A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5827020B2 (ja) 高耐圧半導体装置
JP6267108B2 (ja) ショットキーバリアダイオードとその製造方法
TWI584466B (zh) A wide band gap semiconductor device, and a wide band gap semiconductor device
CN103904131B (zh) 肖特基势垒二极管及其制造方法
JP2016115882A5 (https=)
WO2016071969A1 (ja) 半導体素子
JP5680460B2 (ja) 電力用半導体装置