JP2018053335A - 微細構造体の製造方法、電子部品、回路モジュール及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストの形成パターンが高精細であり、且つ、機械強度が確保された微細構造体の製造方法、電子部品、回路モジュール及び電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の微細構造体の製造方法は、金属材料からなる基材の一部を陽極酸化し、基材の酸化されていない部分を除去することにより、第１の主面と、第１の主面と反対側の第２の主面と、第１の主面に連通し、第２の主面に連通していない複数の細孔と、を有する基材酸化物が形成される。第１の主面に第１の導体層が積層される。第１の導体層に第２の導体層が積層される。第２の主面の一部にレジスト層が形成される。レジスト層をマスクとして、基材酸化物を第２の主面から第１の主面までエッチングすることにより、基材酸化物に貫通孔が形成される。
【選択図】図５

Description

本発明は、微細構造体の製造方法、電子部品、回路モジュール及び電子機器に関する。

近年、アルミニウム等の金属が陽極酸化されることにより作製されたポーラス（細孔）構造を有する微細構造体が注目されており、この微細構造体を用いた様々な応用が提案されている。

例えば、特許文献１には、ポーラス構造を有する微細構造体に高いアスペクト比の貫通孔を形成する手法が記載されている。また、特許文献２には、ポーラス構造を有する微細構造体を誘電体とし、この誘電体に形成された貫通孔に貫通電極が設けられるポーラスコンデンサが記載されている。

特開２０１３−０５７１０２号公報 特開２０１６−０５８６１８号公報

特許文献１に記載の発明では、ポーラス構造を有する微細構造体に貫通孔を形成する過程において、レジストマスクがポーラスの開口側に形成される。これにより、レジスト材がポーラス内に侵入し、高精細にパターニングされたレジストを形成できないおそれがある。

そこで、レジスト材のポーラス内への侵入を防止する方法として、レジストにフィルムレジストを用いる方法がある。しかし、フィルムレジストは比較的厚みが厚いため、高精度に加工されにくく、高コストである。

また、特許文献２に記載の発明では、コンデンサの製造過程において、基材酸化物に積層される導体層が単層であるため、貫通孔の孔径を拡大するに耐え得る機械強度を確保することが困難である。

さらに、特許文献２に記載の発明では、貫通孔の形状をＵの字のように１辺のみつながった半島状形状や、貫通孔をつないだ中に島状の柱状部を作ることが開示されておらず、やはりこれらの形状を形成するに耐え得る機械強度を確保することが難しい。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、レジストの形成パターンが高精細であり、且つ、機械強度が確保された微細構造体の製造方法、電子部品、回路モジュール及び電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る微細構造体の製造方法は、金属材料からなる基材の一部を陽極酸化し、上記基材の酸化されていない部分を除去することにより、第１の主面と、上記第１の主面と反対側の第２の主面と、上記第１の主面に連通し、上記第２の主面に連通していない複数の細孔と、を有する基材酸化物が形成される。
上記第１の主面に第１の導体層が積層される。
上記第１の導体層に第２の導体層が積層される。
上記第２の主面の一部にレジスト層が形成される。
上記レジスト層をマスクとして、上記基材酸化物を上記第２の主面から上記第１の主面までエッチングすることにより、上記基材酸化物に貫通孔が形成される。

上記製造方法によれば、基材酸化物に形成されている複数の細孔は、第２の主面に連通していない。これにより、例えば液状のレジスト材が第２の主面に塗布されたとしても、複数の細孔にレジスト材が侵入することがない。従って、レジスト材に高精細にパターニングを施すことができ、レジストの形成パターンを高精細とすることができる。

また、上記製造方法によれば、第１の主面に積層される導体層が２層構造であるため、基材酸化物の機械強度が確保されている。従って、本発明により、レジストの形成パターンが高精細であり、且つ、機械強度が確保された微細構造体の製造方法を提供することができる。

上記貫通孔は、上記第１及び第２の主面に直交する方向から見た形状が円形以外の形状であってもよい。
これにより、円形状の貫通孔では形成することが難しい円形以外の形状を有するコイル等の構造体を、貫通孔の形状を利用して作製することが可能となる。

上記細孔と上記細孔の間の上記基材酸化物を、上記細孔の並びで５列×５個以上の範囲内においてエッチングにより除去された範囲中に突出させてもよい。
これにより、例えば、半島状の貫通孔を形成することができる。

上記細孔と上記細孔の間の上記基材酸化物を、エッチングにより除去した範囲内において、上記基材酸化物を柱状にエッチング除去せず残留させてもよい
これにより、例えば、環状の貫通孔を形成することができる。

上記第１の導体層は、導電性の粘着テープであってもよい。
これにより、第１の導体層を基材酸化物の第１の主面から剥離させやすくなり、容易に第１及び第２の導体層を除去することができる。

上記第２の導体層の厚みは、互いに隣接する上記細孔の中心間距離の１０倍以上であってもよい。

上記第２の導体層の厚みは、１μｍ以上であってもよい。

本発明の一形態に係る電子部品は、微細構造体と、第１の導体層と、第２の導体層と、第３の導体層と、第１の内部導体と、第２の内部導体と、を有する。
上記微細構造体は、金属の陽極酸化によって形成され、第１の主面と、上記第１の主面と反対側の第２の主面と、上記第１の主面に連通し、上記第２の主面に連通していない複数の細孔と、上記第１及び第２の主面に連通する貫通孔と、を有する。
上記第１の導体層は、上記第１の主面に積層されている。
上記第２の導体層は、上記第２の主面に積層されている。
上記第３の導体層は、上記第２の導体層に積層されている。
上記第１の内部導体は、上記貫通孔の一部に収容され、上記第１の導体層に接続し、上記第２の導体層から離間する。
上記第２の内部導体は、上記貫通孔の他の一部に収容され、上記第２の導体層に接続し、上記第１の導体層から離間する。

本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、上記電子部品を搭載する。

本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記回路モジュールを搭載する。

本発明の一実施形態に係る微細構造体の概略斜視図である。 同微細構造体の断面図である。 同微細構造体の概略斜視図である。 同微細構造体の製造工程を示す模式図である。 同微細構造体の製造工程を示す模式図である。 同微細構造体の製造工程を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品の製造工程を示す模式図である。 同電子部品の製造工程を示す模式図である。 同電子部品の製造工程を示す模式図である。 同電子部品の製造工程を示す模式図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

［微細構造体の構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る微細構造体１００の概略斜視図であり、図２は微細構造体１００の断面図である。なお、以下の図において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は相互に直交する３方向である。

図１及び図２に示すように、微細構造体１００はポーラス構造を有し、本体１０１と、第１の孔１０１ａと、第２の孔１０１ｄと、から構成される。

図１及び図２に示す第１及び第２の孔１０１ａ，１０１ｄの数や大きさ等は便宜的なものであり、実際のものはより小さく、多数である。また、図２では、第２の孔１０１ｄを説明の便宜上、矩形柱状の貫通孔で示す。さらに、第２の孔１０１ｄの内壁は実際には平滑ではないが、図面では省略する。

本体１０１はＸ方向に平行な表面１０１ｂと、表面１０１ｂと反対側の裏面１０１ｃを有する。本体１０１は金属酸化物からなり、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｗ（タングステン）又はＳｂ（アンチモン）等の酸化物からなる。本実施形態の本体１０１は、典型的にはＡｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）からなる。

本体１０１のＺ方向の寸法Ｄ２（厚み）と、Ｘ方向の寸法Ｄ３は、特に限定されず、寸法Ｄ２は例えば数百μｍ程度であり、寸法Ｄ３は例えば数百μｍ〜数千μｍ程度である。

第１及び第２の孔１０１ａ，１０１ｄは、表面１０１ｂ及び裏面１０１ｃに垂直な方向（本体１０１の厚み方向）に沿って形成されている。第１の孔１０１ａは、表面１０１ｂに連通し、裏面１０１ｃには連通していない。一方、第２の孔１０１ｄは、表面１０１ｂ及び裏面１０１ｃに連通するように形成されている。

第１の孔１０１ａは、微細構造体１００のポーラス（細孔）を構成する貫通孔である。本実施形態に係る第１の孔１０１ａは、図１に示すように、微細構造体１００の層面方向に六法規則配列をとる。六法規則配列は、各第１の孔１０１ａの中心が正六角形の頂点に位置する配列である。第１の孔１０１ａが六方規則配列となるのは、微細構造体１００を構成する金属酸化物の自己組織化作用（後述）による。

第１の孔１０１ａの形状（孔形状）は特に限定されず、例えば内径が数十ｎｍ〜数千ｎｍの略円形であるものとすることができる。また、互いに隣接する第１の孔１０１ａ間の間隔Ｄ１（中心間距離Ｄ１）も特に限定されず、例えば、数十ｎｍ〜数千ｎｍ程度とすることができる。

第２の孔１０１ｄは、図１及び図２に示すように、第１の孔１０１ａよりも内径が大きい貫通孔である。第２の孔１０１ｄの形状は特に限定されず、例えば内径が数十ｎｍ〜数千ｎｍの円形又は略円形であるものとすることができる。互いに隣接する第２の孔１０１ｄ間の間隔も特に限定されず、例えば、数十ｎｍ〜数千ｎｍ程度とすることができる。

ここで、本実施形態に係る第２の孔１０１ｄの形状は、円形又は略円形以外の形状であってもよく、図１に示すように、Ｚ方向から見た形状が半島状又は環状であってもよい。これにより、微細構造体１００を利用することで、半島状又は環状のコイル部品や配線回路部品等を製造することが可能となる。

図３は、微細構造体１００の概略斜視図であり、第２の孔１０１ｄの形状を示す図である。本実施形態に係る第２の孔１０１ｄは、後述するように複数の孔Ｈ１（第１の孔１０１ａ）を有する基材酸化物３０２をエッチングすることによって形成される（図６参照）。このため、第２の孔１０１ｄは、複数の第１の孔１０１ａがつながった貫通孔となる。従って、第２の孔１０１ｄの内壁面１１１ｄは、図３に示すように、複数の第１の孔１０１ａの形状に由来するひだ状の曲面となる。

［微細構造体の製造方法］
微細構造体１００の製造方法について説明する。図４〜図６は、微細構造体１００の製造方法の一例を示す模式図である。

図４（ａ）は、本体１０１の元となる基材３０１を示す。本体１０１を金属酸化物（例えば酸化アルミニウム）とする場合、基材３０１はその酸化前の金属（例えばアルミニウム）である。なお、基材３０１の表面には、ピットを設けてもよい。ピットは、規則的に配列された凹状構造であり、後述する金属酸化物の成長の際に基点となるものである。ピットは、任意の方法によって形成することが可能であり、例えば基材３０１へのモールド（型）の押圧や、基材３０１の表面のエッチングによって形成することができる。

次に、基材３０１を陽極として電解液溶液中で電圧を印加する。これにより、図４（ｂ）に示すように、基材３０１の金属表面が酸化（陽極酸化）され、基材酸化物３０２が生成する。この際、基材酸化物３０２の自己組織化作用によって、基材酸化物３０２に孔Ｈ１が形成される。孔Ｈ１は図４（ｂ）に示すように、基材３０１の厚み方向（Ｚ方向）に沿って形成される。なお、陽極酸化に用いる溶液は、例えば、１５℃〜２０℃に調整されたシュウ酸（０．１ｍｏｌ／Ｌ）とすることができる。

続いて、図４（ｃ）に示すように、酸化されていない基材３０１を除去する。基材３０１の除去は、例えばウェットエッチングによって行われる。以降、基材酸化物３０２の孔Ｈ１と連通している面を第１主面３０２ａとし、その反対側の孔Ｈ１に連通していない面を第２主面３０２ｂとする。

続いて、図５（ａ）に示すように、基材酸化物３０２の第１主面３０２ａに導電性材料からなる第１導体層３０３を積層する。本実施形態に係る第１導体層３０３は、典型的にはスパッタ膜である。第１導体層３０３を積層する方法はスパッタ法に限られず、例えば、真空蒸着法等の任意の方法により形成されてもよい。

第１主面３０２ａに第１導体層３０３が積層することにより、後述の工程で形成される孔Ｈ２に電解めっき等で導体等を形成する場合に、第１導体層３０３をシード層として機能させることが可能となる。

本実施形態では、第１導体層３０３は、例えば、導電性を有する粘着テープ等であってもよい。この場合、当該粘着テープは、第１主面３０２ａに糊を残さないものが好ましい。

続いて、図５（ｂ）に示すように、第１導体層３０３に導電性材料からなる第２導体層３０４を積層する。これにより、基材酸化物３０２の機械強度が向上する。第２導体層３０４は、第１導体層３０３より厚いことが好ましい。

本実施形態に係る第２導体層３０４の厚みは、互いに隣接する孔Ｈ１の中心間距離（Ｄ１）の１０倍以上であることが好ましく、具体的には、例えば１μｍ以上とするのが好ましい。

第２導体層３０４は、典型的にはめっき膜である。第１導体層３０３にめっき膜を積層する場合は、例えば、電気めっき法、無電解めっき法、溶融めっき法又は真空蒸着法等の任意の方法により形成可能である。

続いて、基材酸化物３０２の第２主面３０２ｂにレジスト層Ｒ２を形成する。レジスト層Ｒ２は、例えば、フォトリソグラフィにより形成可能である。

具体的には、基材酸化物３０２を洗浄し、図５（ｃ）に示すように、第２主面３０２ｂの全面にレジスト材Ｒ１（フォトレジスト）を塗布する。基材酸化物３０２の洗浄には、例えば、エタノールや、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）との混合溶液（Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２=４：１）等を用いた洗浄方法が採用される。

次に、レジスト材Ｒ１が塗布された基材酸化物３０２をプリベークし、フォトマスク越しにレジスト材Ｒ１に紫外線を照射する。これにより、レジスト材Ｒ１にパターニングが施される。続いて、現像液等でレジスト材Ｒ１にパターニングされたパターンを現像し、リンス、ポストベークすることで、図６（ａ）に示すように、第２主面３０２ｂに部分的にレジスト層Ｒ２が形成される。

ここで、第２主面３０２ｂは孔Ｈ１に連通していないことから、レジスト材Ｒ１が第２主面３０２ｂに塗布されたとしても、孔Ｈ１にレジスト材Ｒ１が侵入することがない。これにより、後述のエッチング工程が、孔Ｈ１に侵入したレジスト材Ｒ１に干渉されることなく行われることが可能となる。

また、レジスト材Ｒ１が例えば液状であることにより、例えばフィルムレジストを用いるよりも、より高精細にレジスト材Ｒ１をパターニングすることができる。よって、第２主面３０２ｂに高精細にパターニングされたレジスト層Ｒ２を形成することができる。具体的には、レジスト層Ｒ２のパターンサイズを例えば数μｍ程度とすることができる。

続いて、図６（ｂ）に示すように、レジスト層Ｒ２をマスクとして、基材酸化物３０２を第２主面３０２ｂから第１主面３０２ａまで除去する。これはウェットエッチング（湿式エッチング）によってすることができる。ウェットエッチングは、例えば、基材酸化物３０２を３０℃に調整されたリン酸溶液（３０ｗｔ％）に３時間浸漬させることによってすることができる。以下、この除去工程によって形成された第１主面３０２ａ及び第２主面３０２ｂに連通する貫通孔を孔Ｈ２とする。

ここで、本実施形態では、基材酸化物３０２をエッチングする工程において、孔Ｈ１と孔Ｈ１の間の基材酸化物３０２を、孔Ｈ１の並びで５列×５個以上の範囲内でエッチングにより除去された範囲中に突出させてもよい。これにより、Ｚ方向から見た形状が例えば半島状である孔Ｈ２を形成することが可能である（図１参照）。

あるいは、孔Ｈ１と孔Ｈ１の間の基材酸化物３０２を、エッチング除去した範囲内に、基材酸化物３０２を柱状にエッチング除去せず残留させてもよい。これにより、Ｚ方向からみた形状が例えば環状である孔Ｈ２を形成することが可能である（図１参照）。

孔Ｈ２は、図６に示すように、予め孔Ｈ１が形成されている基材酸化物３０２をウェットエッチングすることによって形成される。これにより、ウェットエッチングの異方性が向上する。即ち、基材酸化物３０２にウェットエッチングでエッチングを施しても、孔径が第２主面３０２ｂから第１主面３０２ａに向かってＸ方向に広がることが孔Ｈ１により抑制され、アスペクト比の高い孔Ｈ２を形成することが可能となる。

また、本実施形態に係る孔Ｈ２の内壁面は、複数の孔Ｈ１間をウェットエッチングにより接合することにより、その接合境界部分がひだ状に残留した形状になる（図３参照）。

続いて、図６（ｃ）に示すようにレジスト層Ｒ２を除去し、第１及び第２導体層３０３，３０４を除去する。第１及び第２導体層３０３，３０４を除去は、例えばウェットエッチング法、ドライエッチング法、イオンミリング法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等によって除去することができる。

第１導体層３０３が導電性を有する粘着テープである場合は、第１導体層３０３を基材酸化物３０２の第１主面３０２ａから剥離させやすくなる。これにより、容易に第１及び第２導体層３０３，３０４を除去することができる。

以上のようにして、微細構造体１００を製造することが可能である。微細構造体１００の製造方法は上述のものに限定されず、異なる方法によっても微細構造体１００を製造することが可能である。

なお、基材酸化物３０２は本体１０１に、孔Ｈ１は第１の孔１０１ａに、孔Ｈ２は第２の孔１０１ｄに対応する。また、第１主面３０２ａは表面１０１ｂに、第２主面３０２ｂは裏面１０１ｃに対応する。図６（ｂ）では、孔Ｈ２を説明の便宜上、矩形柱状の貫通孔で示す。また、孔Ｈ２の内壁は実際には平滑ではないが、図面では省略する。

［上記製造方法の作用］
本実施形態に係る微細構造体１００の製造方法では、図５に示すように、基材酸化物３０２の第１主面３０２ａに第１導体層３０３が積層された後、更に第１導体層３０３に第２導体層３０４が積層される。即ち、第１主面３０２ａに積層される導体層が単層ではなく、２層構造となっており、基材酸化物３０２の機械強度が高められている。

これにより、例えば、図６（ｂ）に示す構造体の孔Ｈ２に導体等が充填され、基材酸化物３０２を選択的に除去することによって孔Ｈ２の形状に応じたピラー等の構造体を得る場合に、当該構造体を第１導体層３０３上で自立させやくなる。

つまり、第１主面３０２ａに積層される導体層を２層構造とすることは、図６（ｂ）に示す構造体を鋳型として利用し、孔Ｈ２の形状に応じた構造体を得る上で有利となる。なお、上述の基材酸化物３０２の選択的な除去には、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、イオンミリング法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等が採用されてもよい。

［上記製造方法の応用］
微細構造体１００の製造方法は、種々の用途に応用可能である。例えば、上記製造方法は、コンデンサ等の電子部品の製造方法に応用可能である。以下、上記製造方法を応用して電子部品２００を製造する場合の製造方法について説明する。

（電子部品の製造方法）
図７〜図１０は、電子部品２００の製造方法の一例を示す模式図である。

先ず、図７（ａ）に示すように、微細構造体１００の製造方法で説明した方法と同様の方法により、微細構造体１００に第１及び第２導体層３０３，３０４が積層された構造体を作製する。

続いて、第１導体層３０３をシード層として基材酸化物３０２に電解めっきを施す。これにより、図７（ｂ）に示すように、孔Ｈ２に所定の長さの内部導体Ｍ１が形成される。内部導体Ｍ１は、同図に示すように、第２主面３０２ｂに露出していない。また、孔Ｈ１は第２主面３０２ｂに連通してないため、孔Ｈ１にはめっき液が侵入せず、内部導体Ｍ１は形成されない。

続いて、微細構造体１００の製造方法で説明した方法と同様の方法により、図７（ｃ）に示すように第２主面３０２ｂにレジスト材Ｒ３を塗布した後、図８（ａ）に示すように、第２主面３０２ｂに部分的にレジスト層Ｒ４を形成する。レジスト層Ｒ４は、図８（ａ）に示すように、孔Ｈ２に侵入し、内部導体Ｍ１の先端を被覆している。

続いて、図８（ｂ）に示すように、レジスト層Ｒ４をマスクとして、基材酸化物３０２を第２主面３０２ｂから第１主面３０２ａまで除去する。これはウェットエッチング（湿式エッチング）によってすることができる。以下、この除去工程によって形成された第１主面３０２ａ及び第２主面３０２ｂに連通する貫通孔を孔Ｈ３とする。

孔Ｈ３は、同図に示すように、予め孔Ｈ１が形成されている基材酸化物３０２を加工することによって形成されるため、微細構造体１００の製造方法で説明したように、アスペクト比の高い貫通孔となる。また、図８（ｂ）では、孔Ｈ３を説明の便宜上、矩形柱状の貫通孔で示す。さらに、孔Ｈ３の内壁は実際には平滑ではないが、図面では省略する。

続いて、図８（ｃ）に示すようにレジスト層Ｒ４を除去し、図９（ａ）に示すように第２主面３０２ｂに導電性材料からなる第３導体層３０５を積層し、図９（ｂ）に示すように第３導体層３０５に導電性材料からなる第４導体層３０６を積層する。第３及び第４導体層３０５，３０６は、例えばスパッタ法、真空蒸着法又はめっき法等の任意の方法により形成可能である。

第４導体層３０６の厚みは、互いに隣接する孔Ｈ１の中心間距離（Ｄ１）の１０倍以上であることが好ましく、具体的には、例えば１μｍ以上とするのが好ましい。

続いて、図９（ｃ）に示すように、第１及び第２導体層３０３，３０４を除去する。第１及び第２導体層３０３，３０４の除去は、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、イオンミリング法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing)法等によってすることができる。

続いて、第３導体層３０５をシード層として基材酸化物３０２に電解めっきを施す。これにより、図１０（ａ）に示すように、孔Ｈ３に所定の長さの内部導体Ｍ２が形成される。内部導体Ｍ２は、同図に示すように、第１主面３０２ａに露出していない。

続いて、図１０（ｂ）に示すように、第１主面３０２ａに第５導体層３０７を積層する。第５導体層３０７は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等、任意の方法によって形成可能である。

以上のようにして、電子部品２００を製造することが可能である。電子部品２００の製造方法は上述のものに限定されず、異なる方法によっても製造することが可能である。

なお、基材酸化物３０２は電子部品２００の誘電体に対応し、内部導体Ｍ１，Ｍ２は電子部品２００の内部電極に対応する。また、導体層３０５〜３０７は、電子部品２００の外部電極に対応する。電子部品２００は、第２主面３０２ｂに積層された導体層が２層構造であるため、機械強度が向上している。

（電子部品の応用）
本実施形態に係る電子部品２００は、回路基板等の実装対象物に搭載され、回路モジュールとなることができる。また、電子部品２００を搭載する回路モジュールは他の電子部品と共に電子機器を構成可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の用途に応用可能である。

上記実施形態の微細構造体１００の製造方法は、コンデンサ、コイル等の電子部品の製造方法に応用可能であるだけではなく、例えば、絶縁体である酸化アルミニウム等からなるパターン基板の製造方法に応用可能である。

あるいは、上記実施形態の微細構造体１００の製造方法は、高アスペクト比構造体を形成するための鋳型を製造する方法にも応用可能である。

また、複数の第２の孔１０１ｄの形状は、上記実施形態で挙げた形状に限られず、例えば、平面スパイラル状であってもよい。これにより、微細構造体１００をコイル形成のための構造体とすることができる。

具体的には、先ず、互いに隣接する第１の孔１０１ａ間の間隔Ｄ１を例えば１００ｎｍ程度の狭ピッチに設定し、微細構造体１００の内部に導体を充填することで得られる平面のコイル状の周回する導体についても、狭ピッチとする。

そして、コイル導体の両端部を除いて上下面に絶縁層を形成し、コイル導体の両端部からは、各々引き出し導体を形成後、外部電極を形成する。これにより、高アスペクト比且つ狭ピッチのコイル部品を製造することができる。

１００・・・微細構造体
１０１・・・本体
１０１ａ・・・第１の孔
１０１ｂ・・・表面
１０１ｃ・・・裏面
１０１ｄ・・・第２の孔
２００・・・電子部品
３０３・・・第１導体層
３０４・・・第２導体層
３０５・・・第３導体層
３０６・・・第４導体層
３０７・・・第５導体層
Ｒ１，Ｒ３・・・レジスト材
Ｒ２，Ｒ４・・・レジスト層

Claims (10)

1. 金属材料からなる基材の一部を陽極酸化し、
   前記基材の酸化されていない部分を除去することにより、第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面と、前記第１の主面に連通し、前記第２の主面に連通していない複数の細孔と、を有する基材酸化物を形成し、
   前記第１の主面に第１の導体層を積層し、
   前記第１の導体層に第２の導体層を積層し、
   前記第２の主面の一部にレジスト層を形成し、
   前記レジスト層をマスクとして、前記基材酸化物を前記第２の主面から前記第１の主面までエッチングすることにより、前記基材酸化物に貫通孔を形成する
   微細構造体の製造方法。
2. 請求項１に記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記貫通孔は、前記第１及び第２の主面に直交する方向から見た形状が円形以外の形状である
   微細構造体の製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記細孔と前記細孔の間の前記基材酸化物を、前記細孔の並びで５列×５個以上の範囲内においてエッチングにより除去された範囲中に突出させる
   微細構造体の製造方法。
4. 請求項１又は２に記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記細孔と前記細孔の間の前記基材酸化物を、エッチングにより除去した範囲内において、前記基材酸化物を柱状にエッチング除去せず残留させる
   微細構造体の製造方法。
5. 請求項１から４のいずれか１つに記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記第１の導体層は、導電性の粘着テープである
   微細構造体の製造方法。
6. 請求項１から５のいずれか１つに記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記第２の導体層の厚みは、互いに隣接する前記細孔の中心間距離の１０倍以上である
   微細構造体の製造方法。
7. 請求項１から６のいずれか１つに記載の微細構造体の製造方法であって、
   前記第２の導体層の厚みは、１μｍ以上である
   微細構造体の製造方法。
8. 金属の陽極酸化によって形成され、第１の主面と、前記第１の主面と反対側の第２の主面と、前記第１の主面に連通し、前記第２の主面に連通していない複数の細孔と、前記第１及び第２の主面に連通する貫通孔と、を有する微細構造体と、
   前記第１の主面に積層された第１の導体層と、
   前記第２の主面に積層された第２の導体層と、
   前記第２の導体層に積層された第３の導体層と、
   前記貫通孔の一部に収容され、前記第１の導体層に接続し、前記第２の導体層から離間する第１の内部導体と、
   前記貫通孔の他の一部に収容され、前記第２の導体層に接続し、前記第１の導体層から離間する第２の内部導体と、
   を具備する電子部品。
9. 請求項８に記載の電子部品を搭載した回路モジュール。
10. 請求項９に記載の回路モジュールを搭載した電子機器。

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