KR20220109811A - 보호층이 구비된 양극산화막 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양극산화막의 다공층으로 에칭용액이 침투하는 것을 방지하여 에칭용액에 의해 형성되는 에칭 공간의 하부벽 모서리 부분에서의 직각도를 확보할 수 있는 보호층이 구비된 양극산화막 및 그 제조방법을 제공한다.

Description

보호층이 구비된 양극산화막 및 그 제조방법{ANODIC OXIDE FILM INCLUDING PROTECTIVE LAYER AND THE METHOD OF MANUFACTURING SAME}
본 발명은 보호층이 구비된 양극산화막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막이 형성된다. 본 출원인은 양극산화막을 이용한 유체투과성 부재, 가스감지장치, 커패시터, 마스크 등 다양한 기술들을 개발하고 있다.
도 1을 참조하면, 양극산화막(10)은 수직적으로 내부에 포어(P)가 형성되지 않은 배리어층(12)과, 내부에 포어(P)가 형성된 다공층(11)으로 구분된다. 배리어층(12)과 다공층(11)을 갖는 양극산화막(10)이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만(10)이 남게 된다.
이러한 양극산화막(10)이 구조체의 전부 또는 적어도 일부를 형성하거나 구조체를 형성하기 위한 몰드로 이용되기 위해서는 양극산화막(10)의 일부 영역을 패터닝하는 과정을 거쳐야 한다.
도 2를 참조하면, 양극산화막(10)의 배리어층(12)의 상면에 포토레지스트(20)를 구비한 후 이를 패터닝하여 오픈 영역을 형성한다.
여기서 배리어층(12)의 상면에 포토레지스트(20)를 형성하는 이유는, 다공층(11)의 상면에 포토레지스트(20)를 형성할 경우에는 패터닝 공정 이후에 포토레지스트(20)의 제거가 용이하지 않고, 포토레지스트(20)의 제거시 완벽하게 제거되지 못한 포토제지스트(20) 찌꺼기들이 다공층(11)의 포어(P) 내부에 잔존하고 있다가 추후에 방출되는 것을 방지하기 위함이다.
이후 패터닝된 오픈 영역에 양극산화막(10)과 반응하는 에칭용액을 이용하여 에칭함으로써 오픈 영역과 대응되는 에칭 공간을 형성할 수 있게 된다.
그런데 이때 하부에 존재하는 다공층(11)으로 에칭용액이 침투하여 양극산화막(10)의 하부벽이 추가적으로 에칭됨에 따라 에칭 공간의 하부벽 모서리 부분에서의 직각도를 확보하지 못하게 된다. 이처럼 에칭 공간의 하부벽 모서리 부분에서 직각도를 확보하지 못할 경우에는, 양극산화막을 이용한 구조체 또는 몰드에 있어서 제품 품질 및 형상이 불량하게 되는 문제점이 발생하게 된다.
한국 공개특허공보 공개번호 제10-2017-0068241호
이에 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 양극산화막의 다공층으로 에칭용액이 침투하는 것을 방지하여 에칭용액에 의해 형성되는 에칭 공간의 하부벽 모서리 부분에서의 직각도를 확보할 수 있는 보호층이 구비된 양극산화막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 보호층이 구비된 양극산화막은, 다공층과 상기 다공층의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층을 포함하는 양극산화막; 및 상기 양극산화막의 다공층상에 형성되는 보호층;을 포함한다.
또한, 상기 보호층은 상기 양극산화막과는 반응하는 에칭용액에는 반응하지 않는다.
한편, 본 발명에 따른 보호층이 구비된 양극산화막의 제조방법은, 다공층과 상기 다공층의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층을 포함하는 양극산화막의 다공층상에 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 보호층에는 반응하지 않고 상기 양극산화막과는 반응하는 에칭용액을 이용하여 상기 양극산화막을 에칭하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 에칭용액에 의해 형성된 에칭공간에 대응되는 위치의 보호층을 제거하는 단계를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 보호층이 구비된 양극산화막은, 양극산화시 형성되는 다공층의 일단부는 양극산화시 상기 다공층과 함께 형성되는 배리어층에 의해 밀폐되고 상기 다공층의 타단부는 상기 양극산화막을 에칭하는 에칭용액과 반응하지 않는 보호층에 의해 밀폐된다.
본 발명은 양극산화막의 다공층으로 에칭용액이 침투하는 것을 방지하여 에칭용액에 의해 형성되는 에칭 공간의 하부벽 모서리 부분에서의 직각도를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 착상의 배경이 된 양극산화막을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 착상의 배경이 된 양극산화막 에칭시 문제점을 도시한 도면.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층이 구비된 양극산화막의 제조방법을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층이 구비된 양극산화막을 도시한 도면.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 성형물의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층이 구비된 양극산화막의 제조방법을 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층이 구비된 양극산화막을 도시한 도면이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층이 구비된 양극산화막은, 다공층(110)과 상기 다공층(110)의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층(120)을 포함하는 양극산화막(100); 및 상기 양극산화막(100)의 다공층(110)상에 형성되는 보호층(300);을 포함한다.
양극산화막(100)은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어(P)는 금속을 양극산화하여 양극산화막(100)을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막(100)이 형성된다. 양극산화막(100)은 수직적으로 내부에 포어(P)가 형성되지 않은 배리어층(120)과, 내부에 포어(P)가 형성된 다공층(110)으로 구분된다. 배리어층(120)과 다공층(110)을 갖는 양극산화막(100)이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만(100)이 남게 된다.
금속을 양극산화하여 양극산화막(100)을 형성하는 과정에서 금속에 가까운 위치에서 배리어층(120)이 형성되고 배리어층(120)의 상부에 다공층(110)이 형성된다. 배리어층(120)이 양극산화막(100)의 하부에만 위치하기 때문에 양극산화막(100)은 비대칭 구조가 된다. 다공층(110)의 일단부는 배리어층(120)에 의해 밀폐되고, 다공층(110)의 타단부는 포어(P)가 그대로 노출되는 형태가 된다.
본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 보호층(300)이 구비된 양극산화막(100)은 다공층(110)과 상기 다공층의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층(120)을 포함하는 양극산화막(100)의 다공층(110)상에 보호층(300)을 형성하는 단계; 및 상기 보호층(300)에는 반응하지 않고 상기 양극산화막(100)과는 반응하는 에칭용액을 이용하여 상기 양극산화막(100)을 에칭하는 단계를 포함한다. 이하에서 구체적으로 설명한다.
먼저, 알루미늄 모재를 구비한 다음, 알루미늄 모재의 표면에 전해 연마를 수행할 수 있다. 알루미늄 모재는 표면이 매끄럽지 않은 형태로 구비될 수 있다. 이러한 알루미늄 모재의 표면에 전해 연마 과정이 수행될 수 있다. 전해 연마 과정이 수행된 알루미늄 모재는 평활한 형태의 표면이 형성될 수 있다.
전해 연마가 수행된 알루미늄 모재를 양극산화하는 과정이 수행될 수 있다. 양극산화시 사용되는 제1전해질 용액은 황산, 옥살산 및 인산 중 적어도 하나일 수 있다. 구체적으로, 제1전해질 용액은 황산을 이용하여 수행될 수 있다. 이 경우, 1M(mol)의 황산에 알루미늄 모재를 담그고, 5℃의 전해 온도에서 20V의 전압을 형성하여 양극산화 과정이 수행될 수 있다. 제1전해질 용액으로서 옥살산이 이용되어 양극산화 과정이 수행될 수 있다. 이 경우, 0.3M의 옥살산에 알루미늄 모재를 담그고, 5℃의 전해 온도에서 40V의 전압을 형성하여 양극산화 과정이 수행될 수 있다. 제1전해질 용액으로서 인산이 이용되어 양극산화 과정이 수행될 수도 있다. 이 경우, 0.25M의 인산에 알루미늄 모재를 담그고, 5℃의 전해 온도에서 100V의 전압을 형성하여 양극산화 과정이 수행될 수있다. 위와 같이 양극산화 과정은 제1전해질 용액의 종류에 따라 다른 양극산화 조건(구체적으로, M의 기준, 전해 온도 및 전압)에서 수행될 수 있다. 전해질 용액은 공통적으로 pH가 5이하일 수 있다.
한편, 양극산화시 제2전해질 용액이 사용될 수 있다. 제2전해질 용액은 시트르산 수용액을 포함하여 구성될 수 있다. 시트르산 수용액은 제1전해질을 이용한 양극산화 과정에 의해 형성된 양극산화막을 용해시키지 않는 전해질 용액이다. 이 경우, 시트르산 수용액의 pH는 바람직하게는 pH5이상, 보다 더 바람직하게는 pH7.3이다. 보다 구체적으로 설명하면, 제1전해질 용액을 이용한 양극산화 과정에 의해 표면에 제1배리어층 및 다공층을 갖는 양극산화막이 형성된 알루미늄 모재(BM)는, 시트르산 수용액이 담긴 전해 욕조에 담궈진다. 이 때 시트르산 수용액의 pH는 일 예로서, pH7.3이고, 전해 욕조에 적용된 전압은 10㎃/cm2의 정전류로 20V에서 300V로 증가된다. 제2전해질을 이용한 양극산화 과정에 의해 제1전해질을 이용한 양극산화 과정에 의해 생성된 다공층의 포어(P)의 적어도 일부를 채우면서 배리어층이 성장할 수 있다. 이로 인해, 제2전해질을 이용한 양극산화 과정에 의해 형성된 양극산화막은 제1전해질을 이용한 양극산화 과정에 의해 형성된 양극산화막보다 배리어층의 존재 영역이 더 크게 형성될 수 있다.
이와 같이 형성된 양극산화막(100)은 내부에 포어(P)가 형성된 다공층(110)과 내부에 포어(P)가 형성되지 않은 배리어층(120)으로 구분된다. 배리어층(120)은 다공층(110)의 일면에 구비된다. 배리어층(120)은 알루미늄 모재의 상부에 위치하고, 다공층(110)은 배리어층(120)의 상부에 위치할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 알루미늄 모재를 양극산화할 경우, 배리어층(120)이 먼저 생성될 수 있다. 배리어층(120)의 두께(b)는 수십㎚이상 ~ 수㎛이하로 형성된다. 배리어층(120)이 소정의 두께(b)를 이루게 되면 다공층(120)이 형성된다. 다공층(110)의 두께는 수십㎚이상 ~ 수백㎛이하로 형성된다. 다공층(120)에 포함되는 포어(P)의 직경은 수㎚이상 ~ 수백㎚이하로 형성된다. 포어(P)는 소정의 피치 간격을 갖고 형성되고, 포어(P) 사이에는 소정의 두께를 갖는 격벽이 형성된다.
양극산화막(100)의 포어(P)들 사이의 격벽의 두께는 배리어층(120)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 그런 다음 배리어층(120) 및 다공층(110)을 갖는 양극산화막(100)이 표면에 형성된 알루미늄 모재에서, 알루미늄 모재만을 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al2O3) 재질의 양극산화막(100)만이 남게 된다.
양극산화막(100)은 다공층(110)이 배리어층(120)의 상부 또는 하부에 위치하는 구조로 구비되어 상, 하부 표면이 비대칭되는 구조가 된다.
이러한 양극산화막(100)은 구조체의 전부 또는 적어도 일부를 형성하거나 구조체를 형성하기 위한 몰드로 이용되기 위해서 양극산화막(100)의 일부 영역을 패터닝하는 과정을 거친다. 도 3을 참조하면, 양극산화막(100)의 배리어층(120)의 상면에 포토레지스트(200)가 도포된다.
여기서 포토레지스트(200)를 배리어층(120)의 상면에 형성하는 이유는, 다공층(110)의 상면에 포토레지스트(200)를 형성할 경우에는 패터닝 공정 이후에 포토레지스트(200)의 제거가 용이하지 않고, 포토레지스트(200)의 제거시 완벽하게 제거되지 못한 포토제지스트(200) 찌꺼기들이 다공층(110)의 포어(P) 내부에 잔존하고 있다가 추후에 방출되는 것을 방지하기 위함이다.
배리어층(120)의 상면에 구비된 포토레지스트(200)는 노광 및 현상 공정을 통해 패터닝됨으로써, 양극산화막(100)의 상부에는 오픈 영역(210)이 구비된다.
보호층(300)은 다공층(100) 상에 형성된다. 도 3을 참조하면, 보호층(300)은 양극산화막(100)의 하면에 구비되어 다공층(110)의 노출된 포어(P)를 밀폐한다. 보호층(300)은 양극산화막(100)을 에칭할 때 사용되는 에칭용액에는 반응하지 않는 재질로 구성된다. 보호층(300)은 금속 또는 비금속 물질일 수 있으며, 도전성 또는 비도전성 물질일 수 있다. 보호층(300)은 바람직하게는 탄탈 옥사이드(Ta2O5), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지코늄 옥사이드(ZrO2), 하프늄 옥사이드(HfO2)중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보호층(300)은 스퍼터링, CVD, PVD, ALD, 스프레이 도포, 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 보호층(300)의 필름형으로 제작되어 양극산화막(300)에 부착될 수도 있다.
보호층(300)은 증착 공정 중 사용되는 반응 가스, 에칭 가스 또는 클리닝 가스를 포함하는 공정 가스에 대한 내식성을 구비할 수 있다.
보호층(300)은 전구체 가스와 반응물 가스를 교대로 공급함으로써 복수의 원자층이 증착되어 형성될 수 있다. 양극산화막(100)의 표면에 전구체 가스를 흡착하는 전구체 가스 흡착 단계, 불활성 기체 공급 단계, 반응체 가스 흡착 및 치환 단계 및 불활성 기체 공급 단계를 순차적으로 수행하는 단원자층 생성 사이클을 반복하여 수행하여 복수층의 단원자층을 생성하여 보호층(300)을 형성한다. 전구체 가스(PG) 및 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성되는 보호층(300)은, 전구체 가스(PG) 및 반응물 가스의 구성에 따라 알루미늄 산화물층, 이트륨 산화물층, 하프늄 산화물층, 실리콘 산화물층, 에르븀 산화물층, 지르코늄 산화물층, 플루오르화층, 전이금속층, 티타늄 질화물층, 탄탈륨 질화물층 및 지르코늄 질화물층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 패터닝된 오픈 영역(210)에 양극산화막(10)과 반응하는 에칭용액을 이용하여 에칭함으로써 오픈 영역과 대응되는 에칭 공간(150)을 형성한다. 에칭용액은 양극산화막(100)에만 반응하고 보호층(300)에는 반응하지 않는 선택성을 가진 물질이다.
에칭용액으로 양극산화막(100)을 에칭할 때에, 다공층(110)의 노출면은 보호층(300)에 의해 보호되고 있고, 양극산화막(100)의 하부에 위치한 포어(P)는 보호층(300)에 의해 밀폐되어 있기 때문에 에칭용액이 양극산화막(100)의 하부측에서 다공층(110)의 내부로 침투하지 못하게 된다.
양극산화막(100)과 선택적으로 반응하는 에칭용액에 의해 에칭공간(150)의 상부에서 중앙까지 수직한 벽을 형성하게 되고, 또한 에칭 공간(150)의 하부벽 모서리 부분에서도 직각도를 유지할 수 있게 된다. 따라서 에칭 공간(150)은 그 하부벽 모서리 부분에서 직각도를 가지게 되고, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 양극산화막(100)이 특정한 구조체의 전부 또는 적어도 일부를 형성할 경우에는 해당 구조체의 형상 신뢰성을 높이게 된다. 또한, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 양극산화막(100)이 특정한 구조체를 형성하기 위한 몰드로 이용될 경우에는 해당 구조체의 형상을 보다 정확하게 취득할 수 있게 된다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 양극산화막(100)의 상면에 구비된 포토레지스트(200)는 제거된다. 포토레지스트(200)의 제거는 공지된 방법에 의해 적절하게 제거될 수 있다.
다음으로 에칭용액에 의해 형성된 에칭공간(150)에 대응되는 위치의 보호층(300)을 박형화하는 단계를 수행한다.
보호층(300)은 다공층(110)의 포어(P)가 외부로 노출되는 것을 방지하는 기능을 수행할 정도이면 충분하고 남아 있는 보호층(300)의 두께가 두꺼우면 오히려 양극산화막(100)의 특성을 변화시킬 수 있다. 따라서 보호층(300)이 남아 있는 두께가 얇아지도록 박형화하는 과정이 수행된다. 보호층(300)을 박형화하는 방법은 습식 에칭과 건식 에칭을 포함한다. 다만, 습식 에칭법은 습식 에칭하는 과정에서 양극산화막(100)을 손상시킬 수 있기 때문에 건식 에칭법이 보다 바람직하다. 건식 에칭법은 드라이 에처를 이용하여 수행될 수 있다.
한편 보호층(300)의 두께가 얇아지는 박형화 단계에 의해, 후술하는 보호층(300)의 파단 단계가 보다 쉽게 진행될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 초음파 충격 등의 충격법을 이용하여 에칭 공간(150)에 대응되는 영역의 보호층(300) 부분을 파단시켜 제거한다.
그 결과 도 8에 도시된 바와 같이, 에칭 공간(150)에 대응되는 영역의 보호층(300)은 제거되고 양극산화막(100)의 다공층(110) 영역에 대응되는 보호층(300)은 그대로 남아 포어(P)가 외부로 노출되지 않도록 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 보호층(300)이 구비된 양극산화막(100)은, 양극산화시 형성되는 다공층(110)의 일단부는 양극산화시 다공층(110)과 함께 형성되는 배리어층(120)에 의해 밀폐되고 다공층(110)의 타단부는 양극산화막(100)을 에칭하는 에칭용액과 반응하지 않는 보호층(300)에 의해 밀폐된다.
양극산화막(100)은 절연 물질이면서 열팽창계수가 낮고 내부에 수직한 포어(P)들이 다수 형성되어 있다는 점이 장점으로 작용할 수 있으나, 포어(P)가 외부로 노출된다는 점은 단점으로 작용할 수 있다. 포어(P)가 외부로 노출된 경우에는 포어(P) 내부에 외부의 파티클이 유입될 수 있고 포어(P) 내부에 유입된 파티클은 이후에 다시 아웃가싱될 수 있다. 아웃가싱된 파티클은 양극산화막(100) 표면에 부착되어 양극산화막(100) 품질에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 반면에, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 양극산화막(100)은 다공층(110)상에 형성되는 보호층(300)을 포함하고 있는 구성이기 때문에 외부의 파티클이 포어(P) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 다공층(110) 상에 형성된 보호층(300)은 보호층(300)의 적어도 일부가 포어(P) 내부에 침투하여 앵커링되어 있기 때문에 보호층(300)이 양극산화막(100)으로부터 박리되는 것이 최소화된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.

Claims (5)

  1. 다공층과 상기 다공층의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층을 포함하는 양극산화막; 및
    상기 양극산화막의 다공층상에 형성되는 보호층;을 포함하는, 보호층이 구비된 양극산화막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 양극산화막과는 반응하는 에칭용액에는 반응하지 않는, 보호층이 구비된 양극산화막.
  3. 다공층과 상기 다공층의 일단부를 밀폐하도록 형성되는 배리어층을 포함하는 양극산화막의 다공층상에 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 보호층에는 반응하지 않고 상기 양극산화막과는 반응하는 에칭용액을 이용하여 상기 양극산화막을 에칭하는 단계;를 포함하는, 보호층이 구비된 양극산화막의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 에칭용액에 의해 형성된 에칭공간에 대응되는 위치의 보호층을 제거하는 단계를 포함하는, 보호층이 구비된 양극산화막의 제조방법.
  5. 양극산화시 형성되는 다공층의 일단부는 양극산화시 상기 다공층과 함께 형성되는 배리어층에 의해 밀폐되고 상기 다공층의 타단부는 상기 양극산화막을 에칭하는 에칭용액과 반응하지 않는 보호층에 의해 밀폐되는, 보호층이 구비된 양극산화막.
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