JP2018049930A - 電子制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ノイズ対策用のコンデンサを不要にし、また、ICの端子配列の自由度を高くする。【解決手段】実施形態の電子制御装置は、プリント配線基板(2)と、プリント配線基板(2)に実装されたIC(3、22)と、プリント配線基板(2)に設けられた導体パターン(4)で形成され、IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)と対向するように設けられ、金属金属(9、23)とで容量素子(14、24)を構成する容量素子形成部(10、31)と、プリント配線基板(2)に設けられたインダクタンス部(11)と、容量素子(14、24)及びインダクタンス部(11)から構成されたノイズ減衰フィルタ装置(15)とを備えたものである。【選択図】図1

Description

本発明は、電磁ノイズの漏洩を防止する機能を備えた電子制御装置に関する。
ICから漏洩する電磁ノイズについては、ICのVcc端子とGND端子の間にコンデンサを接続し、ICから漏洩する電磁ノイズを上記コンデンサを介してIC内部に戻すように構成している。これにより、ICが実装されているプリント配線基板から外部に電磁ノイズが漏洩することを防止していた。
特開2006−237160号公報 特開2016−63094号公報 特開2008−34854号公報 特開2007−242879号公報
上記従来構成の場合、ノイズ対策用のコンデンサが追加部品として必要になることから、製造コストが高くなるという問題があった。また、ノイズ対策用のコンデンサの両端子を接続するICのVcc端子及びGND端子が近接している構成が必要であるため、ICの端子配列が制約されるという問題があった。
本発明の目的は、ノイズ対策用のコンデンサを不要にすることができ、また、ICの端子配列の自由度を高くすることができる電子制御装置を提供することにある。
請求項1の発明は、プリント配線基板(2)と、前記プリント配線基板(2)に実装されたIC(3、22)と、前記プリント配線基板(2)に設けられた導体パターン(4)で形成され、前記IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)と対向するように設けられ、前記金属(9、23)とで容量素子(14、24)を構成する容量素子形成部(10、31)と、前記プリント配線基板(2)に設けられたインダクタンス部(11)と、前記容量素子(14、24)及び前記インダクタンス部(11)から構成されたノイズ減衰フィルタ装置(15)とを備えた電子制御装置である。
請求項6の発明は、多層基板で構成されたプリント配線基板(2)と、前記プリント配線基板(2)に実装されたIC(3、22)と、前記プリント配線基板(2)の1つの配線層(28)に形成され、前記IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)に低インピーダンスで接続された導体部(29)と、前記プリント配線基板(2)の他の配線層(30)に前記導体部(29)と対向するように形成され、前記導体部(29)とで容量素子(32)を構成する前記容量素子形成部(31)と、前記プリント配線基板(2)に設けられたインダクタンス部(11)と、前記容量素子(32)及び前記インダクタンス部(11)から構成されたノイズ減衰フィルタ装置(15)とを備えた電子制御装置である。
第1実施形態を示すIC及びノイズ減衰フィルタ装置の電気回路図 プリント配線基板の1つの配線層を示す平面図 プリント配線基板の他の配線層を示す平面図 ノイズの周波数と振幅との関係を示す特性図 第2実施形態を示すIC及びノイズ減衰フィルタ装置の電気回路図 第3実施形態を示すIC及びノイズ減衰フィルタ装置の電気回路図 第4実施形態を示すIC及びノイズ減衰フィルタ装置の電気回路図 第5実施形態を示すインダクタンス部の部分斜視図 第6実施形態を示す容量素子の縦断面図
(第1実施形態)
以下、第1実施形態について、図1ないし図4を参照して説明する。本実施形態の電子制御装置1は、図2に示すように、プリント配線基板2と、このプリント配線基板2上に実装されたIC3と、上記プリント配線基板2上に実装された図示しない各種の電子部品とから構成されている。
プリント配線基板2は、例えば多層基板で構成されており、図2に示すようなVccの導体パターン4が形成された配線層5と、図3に示すようなグランドパターン6が形成された配線層7と、図示しない種々のパターンが形成された1以上の配線層とを有している。
Vccの導体パターン4は、IC3のVcc端子3a(図1参照)が接続される端子接続部8と、IC3の内部の金属である例えば矩形状のリードフレーム9(図1参照)と対向するように設けられた矩形状の容量素子形成部10と、端子接続部8と容量素子形成部10との間に設けられたインダクタンス部11と、配線層5(即ち、プリント配線基板2)の端部に設けられた端部接続部12とを有している。
端子接続部8は、スルーホール13を介してIC3のVcc端子3aと接続されている。容量素子形成部10の大きさは、IC3の内部のリードフレーム9の大きさとほぼ同じになるように構成されている。この構成の場合、図1に示すように、容量素子形成部10と、IC3のリードフレーム9とで容量素子14が構成されている。容量素子14の容量は、例えば12pF程度になるように構成されている。また、IC3のリードフレーム9(即ち、金属)は、IC3内のグランド(即ち、IC3のGnd端子3b)に容量結合で接続されている。尚、容量素子形成部10の大きさは、IC3の内部のリードフレーム9の大きさよりも大きくても良いし、小さくても良い。
インダクタンス部11は、所定長さの細い導体パターンを矩形波状に設定回数折り返すことにより形成されている。インダクタンス部11のインダクタンス値は、例えば50nH程度になるように構成されている。インダクタンス部11の一端は、IC3のVcc端子3aに接続されていると共に、インダクタンス部11の他端は、容量素子形成部10に接続されている。
上記構成の場合、導体パターン4で容量素子形成部10とインダクタンス部11を形成することにより、図1に示すように、インダクタンス部11及び容量素子14からLC直列回路15が形成される構成となっている。このLC直列回路15が、ノイズ減衰フィルタ装置を構成している。
また、図3に示すように、グランドパターン6は、IC3のGnd端子3bが接続される端子接続部16と、上記Vccの導体パターン4の容量素子形成部10の外側に位置して容量素子形成部10を囲むように設けられた矩形枠状部17と、配線層7(即ち、プリント配線基板2)の端部に設けられた端部接続部18とを有している。
端子接続部16は、スルーホール19を介してIC3のGnd端子3bに接続されている。矩形枠状部17は、外形の大きさがIC3の外形の大きさよりも小さく構成されていると共に、内側の開口部の大きさが容量素子形成部10の大きさとほぼ同じになるように構成されている。
ここで、上記した構成のLC直列回路15のノイズ減衰機能について説明する。まず、LC直列回路15を設けていない電子制御装置1において、IC3のVcc端子3aから、図4にて実線A1で示すようなホワイトノイズが出力されるように設定する。次に、上記LC直列回路14を設けた電子制御装置1に対して、上記ホワイトノイズが出力される設定を適用すると、IC3のVcc端子3aから、図4にて実線A2で示すようなノイズが出力されることを測定した。
図4から、LC直列回路15によって、例えば200MHzの前後の周波数帯域Bの部分のノイズを十分低減できることがわかる。この構成の場合、LC直列回路15のインダクタンス部11のインダクタンス値を調整する、具体的には、インダクタンス部11の導体パターンの折りし回数や長さ等を調整することにより、上記周波数帯域Bの周波数値を変更することができる。
このような構成の本実施形態によれば、インダクタンス部11及び容量素子14からLC直列回路15を構成し、このLC直列回路15によってIC3から漏洩する電磁ノイズを減衰させるように構成したので、電磁ノイズの漏洩を防止することができる。そして、上記構成によれば、Vccの導体パターン4に、インダクタンス部11と、容量素子14を構成する容量素子形成部31とを形成するだけであるので、ノイズ対策用のコンデンサを不要にすることができ、製造コストを大幅に低減することができる。
(第2実施形態)
図5は、第2実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第1実施形態では、LC直列回路15のインダクタンスを、導体パターンから形成されたインダクタンス部11で構成したが、これに代えて、第2実施形態では、LC直列回路15のインダクタンスをコイル部品21で構成した。コイル部品21は、プリント配線基板2の一方の面、例えばIC3を実装した面に実装すれば良い。
上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第2実施形態によれば、LC直列回路15のインダクタンスをコイル部品21で構成したので、LC直列回路15のインダクタンスの値の調整、即ち、ノイズ低減対象の周波数帯域Bの周波数値の変更を容易に行なうことができる。また、第2実施形態によれば、IC3のVcc端子3aとGnd端子3bとの距離を自由に設定することができる。これにより、IC3の端子配列の自由度を高くすることができる。尚、第1実施形態の場合、IC3のVcc端子3aとGnd端子3bとの距離をある程度近接させる必要がある。
(第3実施形態)
図6は、第3実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第3実施形態では、IC22のリードフレーム23(即ち、金属)は、IC22内のVcc、即ち、IC22のVcc端子22aに容量結合で接続されている。この構成の場合、IC22のリードフレーム23と容量素子形成部10とで容量素子24が構成されており、容量素子24の容量は、例えば12pF程度になるように構成されている。
そして、インダクタンス部11の一端は、IC22のGnd端子22bに接続されていると共に、インダクタンス部11の他端は、容量素子形成部10に接続されている。インダクタンス部11のインダクタンス値は、例えば50nH程度になるように構成されている。この構成の場合、上記容量素子24とインダクタンス部11とからLC直列回路15が構成されている。
尚、上述した以外の第3実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第3実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
(第4実施形態)
図7は、第4施形態を示すものである。尚、第3実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第3実施形態では、LC直列回路15のインダクタンスを、導体パターンから形成されたインダクタンス部11で構成したが、これに代えて、第4実施形態では、第2実施形態と同様にして、LC直列回路15のインダクタンスをコイル部品21で構成した。
尚、上述した以外の第4実施形態の構成は、第3実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第4実施形態においても、第3実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
(第5実施形態)
図8は、第5実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第1ないし第4実施形態では、インダクタンス部11を、Vccの導体パターン4が形成された配線層5に形成したが、これに代えて、第5実施形態では、プリント配線基板2の2つの配線層、例えば上記配線層5及び他の配線層にまたがって、インダクタンス部11を形成するように構成した。
具体的には、図8に示すように、1つの配線層5に形成したインダクタンス部11用の導体パターン4aと、他の1つの配線層25に形成した導体パターン26aを、ビア27を介して(即ち、利用して)接続することにより、インダクタンス部11を形成している。これにより、インダクタンス部11を、プリント配線基板2の2つの配線層5、25にまたがって形成することができる。尚、インダクタンス部11を、プリント配線基板2の3層以上の配線層にまたがって形成するように構成しても良い。
上述した以外の第5実施形態の構成は、第1ないし第4実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第5実施形態においても、第1ないし第4実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第5実施形態によれば、インダクタンス部11を、ビア27を利用してプリント配線基板2の複数の配線層にまたがって形成するように構成したので、インダクタンス部11のインダクタンス値を幅広く調整することが可能となる。
尚、上記各実施形態では、LC直列回路15のインダクタンス部11のインダクタンス値を調整するように構成したが、これに限られるものではなく、容量素子14、24の容量値を調整するように構成しても良い。この場合、容量素子14、24の容量値を調整するに際しては、IC3、22の内部のリードフレーム9、23と容量素子形成部10との距離を変えるために、プリント配線基板2の複数の配線層の中において、容量素子形成部10を形成する配線層の位置を変更することが好ましい。また、容量素子形成部10の面積を変更することも好ましい。また、プリント配線基板2の絶縁部材(即ち、誘電体)の材質を変更することも好ましい。
また、上記各実施形態では、容量素子14、24を構成する一方の金属部材として、IC3、22の内部のリードフレーム9、23を用いるように構成したが、これに限られるものではなく、ICに一体に設けられた金属部材例えば放熱シンク等を用いるように構成しても良い。
(第6実施形態)
図9は、第6実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第1ないし第5実施形態では、IC3、22の内部のリードフレーム9、23とプリント配線基板2の容量素子形成部10とから容量素子14、24を構成したが、これに代えて、第6実施形態では、プリント配線基板2の内部に容量素子を作り込むように構成した。
具体的には、図9に示すように、プリント配線基板2の1つの配線層である例えばIC3の実装面28に矩形状の導体部29を形成し、この導体部29をIC3の内部のリードフレーム9、即ち、Gnd端子3bに低インピーダンスで接続している。そして、プリント配線基板2の他の配線層30に矩形状の容量素子形成部31を上記導体部29と対向するように形成し、この容量素子形成部31と上記導体部29とで容量素子32を構成している。
この構成の場合、導体部29の形状及び大きさは、容量素子形成部31の形状及び大きさとほぼ同じに設定されており、容量素子32として必要な容量値が得られるように形状及び大きさが設定されている。尚、導体部29を、プリント配線基板2の実装面28とは異なる配線層に設けても良い。また、容量素子形成部31を、プリント配線基板2の配線層30とは異なる配線層であって導体部29が設けられていない配線層に設けても良い。
上述した以外の第6実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第6実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第6実施形態によれば、プリント配線基板2の内部に容量素子32を作り込むように構成したので、容量素子32の容量値を比較的自由に設定することができる。
尚、上記第1〜第5実施形態では、容量素子14、24を構成する一方の金属部材として、IC3、22の内部の1つのリードフレーム9、23を用いるように構成したが、これに限られるものではなく、ICの内部に複数の金属部材(例えば複数のリードフレーム)が配設されている構成の場合には、これら複数の金属部材と対向するように複数の容量素子形成部を形成し、複数の容量素子を形成するように構成することが好ましい。
また、上記各実施形態では、ノイズを漏洩する電源端子として、ICのVcc端子(即ち、正電源端子)に適用したが、これに限られるものではなく、他の電源端子、例えばVdd端子、Vss端子、Vee端子、V+端子、V−端子等に適用しても良い。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
図面中、1は電子制御装置、2はプリント配線基板、3はIC、4は導体パターン、5は配線層、6は導体パターン、7は配線層、8は端子接続部、9はリードフレーム、10は容量素子形成部、11はインダクタンス部、12は端部接続部、14は容量素子、15はLC直列回路(ノイズ減衰フィルタ装置)、16は端子接続部、17は矩形枠状部、18は端部接続部、21はコイル部品、22はIC、23はリードフレーム、24は容量素子、25は配線層、27はビア、28は実装面、29は導体部、30は配線層、31は容量素子形成部、32は容量素子である。

Claims (6)

  1. プリント配線基板(2)と、
    前記プリント配線基板(2)に実装されたIC(3、22)と、
    前記プリント配線基板(2)に設けられた導体パターン(4)で形成され、前記IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)と対向するように設けられ、前記金属金属(9、23)とで容量素子(14、24)を構成する容量素子形成部(10、31)と、
    前記プリント配線基板(2)に設けられたインダクタンス部(11)と、
    前記容量素子(14、24)及び前記インダクタンス部(11)から構成されたノイズ減衰フィルタ装置(15)と、
    を備えた電子制御装置。
  2. 前記インダクタンス部(11)は、前記プリント配線基板(2)の配線層(5)の導体パター(4)で構成され、前記導体パターン(4)の形状または長さを変更することにより、インダクタンス値を調整するように構成された請求項1記載の電子制御装置。
  3. 前記プリント配線基板(2)は、多層基板で構成され、
    前記インダクタンス部(11)は、ビア(27)を利用して前記プリント配線基板(2)の複数の配線層(5、25)にまたがって形成された請求項1または2記載の電子制御装置。
  4. 前記インダクタンス部(11)は、前記プリント配線基板(2)に実装されたコイル部品(21)で構成された請求項1記載の電子制御装置。
  5. 前記プリント配線基板(2)は、多層基板で構成され、
    前記プリント配線基板(2)の1つの配線層(28)に形成され、前記IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)に低インピーダンスで接続された導体部(29)と、
    前記容量素子形成部(31)は、前記プリント配線基板(2)の他の配線層(30)に前記導体部(29)と対向するように形成されている請求項1記載の電子制御装置。
  6. 多層基板で構成されたプリント配線基板(2)と、
    前記プリント配線基板(2)に実装されたIC(3、22)と、
    前記プリント配線基板(2)の1つの配線層(28)に形成され、前記IC(3、22)の内部に設けられた金属(9、23)に低インピーダンスで接続された導体部(29)と、
    前記プリント配線基板(2)の他の配線層(30)に前記導体部(29)と対向するように形成され、前記導体部(29)とで容量素子(32)を構成する前記容量素子形成部(31)と、
    前記プリント配線基板(2)に設けられたインダクタンス部(11)と、
    前記容量素子(32)及び前記インダクタンス部(11)から構成されたノイズ減衰フィルタ装置(15)と、
    を備えた電子制御装置。
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