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QUERVERWEIS AUF IN BEZIEHUNG STEHENDE ANMELDUNG
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Diese Anmeldung basiert auf der am 21. September 2016 eingereichten
japanischen Patentanmeldung Nr. 2016-184260 , auf deren Offenbarung hiermit vollinhaltlich Bezug genommen ist.
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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine elektronische Steuereinheit mit einer Funktion zum Begrenzen eines Austritts von elektromagnetischem Rauschen.
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STAND DER TECHNIK
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Bekannt ist eine Konfiguration, bei der ein Kondensator zwischen einen Vcc-Anschluss (d.h. Energieversorgungsanschluss) und einen Gnd-Anschluss (d.h. Masseanschluss) eines IC geschaltet ist, um elektromagnetisches Rauschen, das aus dem IC austritt, über den Kondensator wieder dem IC zuzuführen. Auf diese Weise wird bei einer gedruckten Leiterplatte, auf der der IC montiert ist, der Austritt des elektromagnetischen Rauschens nach außerhalb der gedruckten Leiterplatte begrenzt.
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LITERATUR ZUM DEM STAND DER TECHNIK
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PATENTLITERATUR
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- Patentdokument 1: JP 2006-237160 A
- Patentdokument 2: JP 2016-63094 A
- Patentdokument 3: JP 2008-34854 A
- Patentdokument 4: JP 2007-242879 A
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Bei der vorstehend beschriebenen herkömmlichen Struktur ist der Kondensator als eine zusätzliche Komponente für das Rauschen erforderlich, was zu einem Anstieg der Herstellungskosten führt. Weiterhin müssen der Vcc-Anschluss und der Gnd-Anschluss des IC, die zur Verbindung beider Anschlüsse des Kondensators für das Rauschen dienen, nahe beieinander angeordnet sein. Daher ist die Anordnung der Anschlüsse des IC begrenzt.
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Es ist Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Steuereinheit bereitzustellen, die in der Lage ist, den Kondensator für Rauschen zu eliminieren und die Flexibilität der Anordnung der Anschlüsse des IC zu verbessern.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine elektronische Steuereinheit auf: eine gedruckte Leiterplatte; einen IC, der auf die gedruckten Leiterplatte montiert ist; einen Kapazitives-Element-Bildungsteil, der durch ein in die gedruckten Leiterplatte angeordnetes Leitermuster bereitgestellt und angeordnet ist, um einem innerhalb des IC angeordneten Metall gegenüberzuliegen, um mit dem Metall ein kapazitives Element zu bilden; einen Induktivitätsteil, der in die gedruckten Leiterplatte angeordnet ist; und eine Rauschunterdrückungsfiltervorrichtung, die durch das kapazitive Element und den Induktivitätsteil bereitgestellt ist.
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Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung weist eine elektronische Steuereinheit auf: eine gedruckte Leiterplatte, die durch eine mehrschichtige Platine bereitgestellt ist; einen IC, der auf der gedruckten Leiterplatte montiert ist; einen Leiterteil, der in einer Verdrahtungsschicht der gedruckten Leiterplatte angeordnet und mit einem innerhalb des IC angeordneten Metall niederohmig gekoppelt ist; den Kapazitives-Element-Bildungsteil, der in einer anderen Verdrahtungsschicht der gedruckten Leiterplatte angeordnet ist, um dem Leiterteil gegenüberzuliegen, um mit dem Leiterteil ein kapazitives Element zu bilden; einen Induktivitätsteil, der in der gedruckten Leiterplatte angeordnet ist; und eine Rauschunterdrückungsfiltervorrichtung, die durch das kapazitive Element und den Induktivitätsteil bereitgestellt ist.
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Figurenliste
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Die obigen und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Offenbarung sind aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher ersichtlich. In den Zeichnungen zeigt:
- 1 einen elektrischen Schaltplan eines IC und einer Rauschunterdrückungsfiltervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
- 2 eine Draufsicht auf eine Verdrahtungsschicht einer gedruckten Leiterplatte;
- 3 eine Draufsicht auf eine andere Verdrahtungsschicht der gedruckten Leiterplatte;
- 4 ein Diagramm zur Veranschaulichung eines Verhältnisses zwischen Frequenz und Amplitude von Rauschen;
- 5 einen elektrischen Schaltplan eines IC und einer Rauschunterdrückungsfiltervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform;
- 6 einen elektrischen Schaltplan eines IC und eines Rauschunterdrückungsfilters gemäß einer dritten Ausführungsform;
- 7 einen elektrischen Schaltplan eines IC und eines Rauschunterdrückungsfilters gemäß einer vierte Ausführungsform;
- 8 eine partielle Perspektivansicht eines Induktivitätsteils gemäß einer fünften Ausführungsform; und
- 9 eine vertikale Querschnittsansicht eines kapazitiven Elements gemäß einer sechsten Ausführungsform.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
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(Erste Ausführungsform)
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Nachstehend ist eine erste Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 beschrieben. Wie in 2 gezeigt, weist eine elektronische Steuereinheit 1 der vorliegenden Ausführungsform eine gedruckte Leiterplatte 2, einen auf der gedruckten Leiterplatte 2 montierten IC 3 und verschiedene elektronische Komponenten (nicht gezeigt), die auf der gedruckten Leiterplatte 2 montiert sind, auf.
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Die gedruckte Leiterplatte 2 ist beispielsweise durch eine mehrschichtige Platine bereitgestellt. Die gedruckte Leiterplatte 2 weist eine Verdrahtungsschicht 5, die mit einem Leitermuster 4 von Vcc gemäß 2 gebildet ist, eine Verdrahtungsschicht 7, die mit einem Massemuster 6 gemäß 3 gebildet ist, und eine oder mehrere Verdrahtungsschichten, die mit verschiedenen Mustern (nicht gezeigt) gebildet sind, auf.
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Das Vcc-Leitermuster 4 beinhaltet einen Anschlussverbindungsabschnitt 8, mit dem ein Vcc-Anschluss 3a (siehe 1) des IC 3 verbunden ist, einen Kapazitives-Element-Bildungsteil 10, der eine rechteckige Form aufweist und einem Metall innerhalb des IC 3, wie beispielsweise ein rechteckiger Leiterrahmen 9 (siehe 1), gegenüberliegt, einen Induktivitätsteil 11, der zwischen dem Anschlussverbindungsabschnitt 8 und dem Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 angeordnet ist, und einen Endverbindungsabschnitt 12, der an einem Ende der Verdrahtungsschicht 5 (d.h. der gedruckten Leiterplatte 2) angeordnet ist.
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Der Anschlussverbindungsabschnitt 8 ist über ein Durchgangsloch 13 mit dem Vcc-Anschluss 3a des IC 3 verbunden. Der Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 ist konfiguriert, um im Wesentlichen die gleiche Größe wie der Leiterrahmen 9 innerhalb des IC 3 aufzuweisen. Bei dieser Konfiguration bilden, wie in 1 gezeigt, der Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 und der Leiterrahmen 9 des IC 3 ein kapazitives Element 14. Das kapazitive Element 14 ist konfiguriert, um eine Kapazität von beispielsweise 12 pF aufzuweisen. Der Leiterrahmen 9 des IC 3 (d.h. das Metall) ist durch kapazitive Kopplung mit der Masse innerhalb des IC 3 (d.h. dem Gnd-Anschluss 3b) verbunden. Es sollte beachtet werden, dass die Größe des Kapazitives-Element-Bildungsteils 10 größer oder kleiner als die Größe des Leiterrahmens 9 innerhalb des IC 3 sein kann.
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Der Induktivitätsteil 11 ist durch ein dünnes Leitermuster gebildet, das eine vorbestimmte Länge aufweist und eine vorgegebene Anzahl von Malen in Form einer rechteckigen Welle gebogen ist. Der Induktivitätsteil 11 ist konfiguriert, um einen Induktivitätswert von beispielsweise ungefähr 50 nH aufzuweisen. Ein Ende des Induktivitätsteils 11 ist mit dem Vcc-Anschluss 3a des IC 3 verbunden, und das andere Ende des Induktivitätsteils 11 ist mit dem Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 verbunden.
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Da der Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 und der Induktivitätsteil 11 durch die Leitermuster 4 bereitgestellt werden, bilden der Induktivitätsteil 11 und das kapazitive Element 14 in der vorstehend beschriebenen Konfiguration, wie 1 gezeigt, eine LC-Reihenschaltung 15. Diese LC-Reihenschaltung 15 bildet eine Rauschunterdrückungsfiltervorrichtung.
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Wie in 3 gezeigt, beinhaltet das Massemuster 6 einen Anschlussverbindungsabschnitt 16, mit dem der Gnd-Anschluss 3b des IC 3 verbunden ist, einen rechteckigen Rahmenabschnitt 17, der außerhalb des Vcc-Leitermusters 4 angeordnet ist und den Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 umgibt, und einen Endverbindungsabschnitt 18, der an einem Ende der Verdrahtungsschicht 7 (d.h. der gedruckten Leiterplatte 2) angeordnet ist.
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Der Anschlussverbindungsabschnitt 16 ist über ein Durchgangsloch 19 mit dem Gnd-Anschluss 3b des IC 3 verbunden. Der rechteckige Rahmenabschnitt 17 ist konfiguriert, um eine Außenform aufzuweisen, die kleiner als diejenige des IC 3 ist, und um eine innere Öffnung aufzuweisen, die im Wesentlichen gleich der Größe des Kapazitives-Element-Bildungsteils 10 ist.
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Nachstehend ist eine Rauschunterdrückungsfunktion der LC-Reihenschaltung 15 mit der vorstehend beschriebenen Konfiguration beschrieben. Zunächst wurde, in einer elektronischen Steuereinheit 1 ohne die LC-Reihenschaltung 15, eine Einstellung derart vorgenommen, dass weißes Rauschen, wie durch eine durchgezogene Linie A1 in 4 gezeigt, vom Vcc-Anschluss 3a des IC 3 ausgegeben wird. Anschließend wurde, in der elektronischen Steuereinheit 1 mit der vorstehend beschriebenen LC-Reihenschaltung 15, wenn die Einstellung zum Ausgeben des vorstehend beschriebenen weißen Rauschens angewandt wurde, gemessen, dass Rauschen gemäß einer durchgezogenen Linie A2 in 4 vom Vcc-Anschluss 3a des IC 3 ausgegeben wird.
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Gemäß 4 ist zu beachten, dass das Rauschen in einem Frequenzband B um beispielsweise 200 MHz durch die LC-Reihenschaltung 15 ausreichend unterdrückt wird. Bei dieser Konfiguration kann der Frequenzwert in dem vorstehend beschriebenen Frequenzband B geändert werden, indem ein Induktivitätswert des Induktivitätsteils 11 der LC-Reihenschaltung 15 abgestimmt wird, und insbesondere, indem die Anzahl von Biegungen oder die Länge des Leitermusters des Induktivitätsteils abgestimmt werden.
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In der vorliegenden Ausführungsform mit einer solchen Konfiguration wird die LC-Reihenschaltung 15 durch den Induktivitätsteil 11 und das kapazitive Element 14 bereitgestellt und das aus dem IC austretende elektromagnetische Rauschen durch die LC-Reihenschaltung 15 unterdrückt bzw. abgeschwächt. Dadurch kann der Austritt des elektromagnetischen Rauschens begrenzt werden. Weiterhin sind, in der vorstehend beschriebenen Konfiguration, der Induktivitätsteil 11 und der Kapazitives-Element-Bildungsteil 31, der das kapazitive Element 14 bildet, lediglich in den Vcc-Leitermustern 4 gebildet. Dadurch entfällt der Kondensator für das Rauschen und können die Herstellungskosten deutlich reduziert werden.
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(Zweite Ausführungsform)
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5 zeigt eine zweite Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Strukturen wie in der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. In der ersten Ausführungsform wird die Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 durch den aus dem Leitermuster gebildeten Induktivitätsteil 11 bereitgestellt. In der zweiten Ausführungsform wird die Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 durch eine Spulenkomponente 21 anstelle des Induktivitätsteils 11 bereitgestellt. Die Spulenkomponente 21 kann auf einer Oberfläche der gedruckten Leiterplatte 2 montiert sein, wie beispielsweise auf einer Oberfläche der gedruckten Leiterplatte 2, auf der der IC 3 montiert ist.
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Die Konfigurationen der zweiten Ausführungsform verschieden von den obigen sind die gleichen wie in der ersten Ausführungsform. Somit können auch in der zweiten Ausführungsform die vorteilhaften Effekte erzielt werden, die im Wesentlichen denen der ersten Ausführungsform entsprechen. Insbesondere kann in der zweiten Ausführungsform, da die Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 durch die Spulenkomponente 21 bereitgestellt wird, der Wert der Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 auf einfache Weise abgestimmt werden, d.h. der Frequenzwert im Frequenzband B für die Rauschunterdrückung auf einfache Weise geändert werden. Darüber hinaus kann, in der zweiten Ausführungsform, der Abstand zwischen dem Vcc-Anschluss 3a und dem Gnd-Anschluss 3b des IC 3 frei bestimmt werden. Dadurch kann die Flexibilität in der Anordnung der Anschlüsse des IC 3 verbessert werden. Es sollte beachtet werden, dass, in der ersten Ausführungsform, der Abstand zwischen dem Vcc-Anschluss 3a und dem Gnd-Anschluss 3b des IC 3 bis zu einem gewissen Grad verkürzt werden muss.
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(Dritte Ausführungsform)
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6 zeigt eine dritte Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Strukturen wie in der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. In der dritten Ausführungsform ist ein Leiterrahmen 23 (d.h. ein Metall) des IC 22 durch kapazitive Kopplung mit dem Vcc in einem IC 22, d.h. einem Vcc-Anschluss 22a des IC 22 gekoppelt. Bei dieser Konfiguration wird ein kapazitives Element 24 durch den Leiterrahmen 23 des IC 22 und einen Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 bereitgestellt. Das kapazitive Element 24 ist konfiguriert, um eine Kapazität von beispielsweise ungefähr 12 pF aufzuweisen.
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Ein Ende des Induktivitätsteils 11 ist mit einem Gnd-Anschluss 22b des IC 22 verbunden, und das andere Ende des Induktivitätsteils 11 ist mit dem Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 verbunden. Der Induktivitätsteil 11 ist konfiguriert, um einen Induktivitätswert von beispielsweise ungefähr 50 nH aufzuweisen. In dieser Konfiguration wird die LC-Reihenschaltung 15 durch das vorstehend beschriebene kapazitive Element 24 und den Induktivitätsteil 11 bereitgestellt.
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Es sollte beachtet werden, dass die Konfigurationen der dritten Ausführungsform verschieden von den obigen die gleichen wie in der ersten Ausführungsform sind. Somit können, auch in der dritte Ausführungsform, die vorteilhaften Effekte erzielt werden, die im Wesentlichen denen der ersten Ausführungsform entsprechen.
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(Vierte Ausführungsform)
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7 zeigt eine vierte Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Strukturen wie in der dritten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. In der dritten Ausführungsform wird die Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 durch den aus dem Leitermuster bestehenden Induktivitätsteil 11 bereitgestellt. In der vierte Ausführungsform wird die Induktivität der LC-Reihenschaltung 15 stattdessen, ähnlich der zweiten Ausführungsform, durch die Spulenkomponente 21 bereitgestellt.
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Es sollte beachtet werden, dass die Konfigurationen der vierten Ausführungsform verschieden von den obigen die gleichen wie in der dritten Ausführungsform sind. Somit können, auch in der vierten Ausführungsform, die vorteilhaften Effekte erzielt werden, die im Wesentlichen denen der dritten Ausführungsform entsprechen.
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(Fünfte Ausführungsform)
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8 zeigt eine fünfte Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Strukturen wie in der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. In der ersten bis vierten Ausführungsform ist der Induktivitätsteil 11 in der Verdrahtungsschicht 5 gebildet, auf der die Vcc-Leitermuster 4 gebildet sind. In der fünften Ausführungsform hingegen ist der Induktivitätsteil 11 in zwei Verdrahtungsschichten der gedruckten Leiterplatte 2 gebildet, beispielsweise über die vorstehend beschriebene Verdrahtungsschicht 5 und eine andere Verdrahtungsschicht.
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Insbesondere ist, wie in 8 gezeigt, der Induktivitätsteil 11 so konfiguriert, dass ein Leitermuster 4a für den Induktivitätsteil 11, das in einer Verdrahtungsschicht 5 gebildet ist, und ein Leitermuster 26a, das in einer anderen Verdrahtungsschicht 25 gebildet ist, über eine Durchkontaktierung 27 (d.h. unter Verwendung der Durchkontaktierung 27) verbunden sind. Auf diese Weise wird der Induktivitätsteil 11 über die beiden Verdrahtungsschichten 5 und 25 der gedruckten Leiterplatte 2 gebildet. Es sollte beachtet werden, dass der Induktivitätsteil 11 in und über drei oder mehr als drei Verdrahtungsschichten der gedruckten Leiterplatte 2 konfiguriert bzw. gebildet sein kann.
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Die Konfigurationen der fünften Ausführungsform verschieden von den vorstehend beschriebenen Konfigurationen sind gleich denjenigen der ersten bis vierten Ausführungsform. Somit können, auch in der fünften Ausführungsform, die vorteilhaften Effekte erzielt werden, die im Wesentlichen denen der ersten bis vierten Ausführungsform entsprechen. Insbesondere ist, gemäß der fünften Ausführungsform, der Induktivitätsteil 11 über die mehreren Verdrahtungsschichten der gedruckten Leiterplatte 2 durch die Durchkontaktierungen 27 gebildet. Daher ist es möglich, den Induktivitätswert des Induktivitätsteils 11 in einem weiten Bereich abzustimmen.
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Es sollte beachtet werden, dass jede der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen so konfiguriert ist, dass der Induktivitätswert des Induktivitätsteils 11 der LC-Reihenschaltung 15 abgestimmt wird. Die Konfiguration ist jedoch nicht auf das vorstehend beschriebene Beispiel beschränkt, und die LC-Reihenschaltung 15 kann so konfiguriert sein, dass der Kapazitätswert des kapazitiven Elements 14, 24 abgestimmt wird. In diesem Fall ist werden zur Abstimmung des Kapazitätswerts des kapazitiven Elements 14, 24 vorzugsweise die Positionen der Verdrahtungsschichten, in denen der Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 gebildet ist, unter den mehreren Verdrahtungsschichten der gedruckten Leiterplatte 2 geändert, um den Abstand zwischen dem Leiterrahmen 9, 23 innerhalb des IC 3, 22 und dem Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 zu ändern. Als weiteres Beispiel wird vorzugsweise die Fläche des Kapazitives-Element-Bildungsteils 10 geändert. Als noch ein weiteres Beispiel wird vorzugsweise das Material des Isolierelements (d.h. die dielektrische Substanz) der gedruckten Leiterplatte 2 geändert.
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Jede der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ist so konfiguriert, dass der Leiterrahmen 9, 23 innerhalb des IC 3, 22 als eines der das kapazitive Element 14, 24 bildenden Metallelemente verwendet wird. Die Konfiguration ist jedoch nicht auf das vorstehend beschriebene Beispiel beschränkt, und es kann ein integriert im IC vorgesehenes Metallelement, wie beispielsweise ein Kühlkörper, verwendet werden.
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(Sechste Ausführungsform)
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9 zeigt eine sechste Ausführungsform. Es sollte beachtet werden, dass die gleichen Strukturen wie in der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. In der ersten bis fünften Ausführungsform wird das kapazitive Element 14, 24 durch den Leiterrahmen 9, 23 innerhalb des IC 3, 22 und den Kapazitives-Element-Bildungsteil 10 der gedruckten Leiterplatte 2 bereitgestellt. In der sechsten Ausführungsform ist das kapazitive Element alternativ im Inneren der gedruckten Leiterplatte 2 gebildet.
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Insbesondere ist, wie in 9 gezeigt, ein rechteckiger Leiterabschnitt 29 auf einer der Verdrahtungsschichten der gedruckten Leiterplatte 2, wie beispielsweise auf einer Montagefläche 28, auf der der IC 3 montiert wird, gebildet. Der Leiterabschnitt 29 ist mit dem Leiterrahmen 9 innerhalb des IC 3, d.h. dem Gnd-Anschluss 3b, niederohmig gekoppelt. Ferner ist ein Kapazitives-Element-Bildungsteil 31 mit einer rechteckigen Form auf einer anderen Verdrahtungsschicht 30 der gedruckten Leiterplatte 2 gebildet, um dem Leiterabschnitt 29 gegenüberzuliegen. Somit wird ein kapazitives Element 32 durch den Kapazitives-Element-Bildungsabschnitt 31 und den Leiterabschnitt 29 bereitgestellt.
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In dieser Konfiguration sind die Form und Größe des Leiterabschnitts 29 im Wesentlichen gleich der Form und Größe des Kapazitives-Element-Bildungsabschnitts 31, und diese Form und Größe sind so bestimmt, dass ein Kapazitätswert erhalten wird, der als das kapazitive Element 32 erforderlich ist. Es sollte beachtet werden, dass der Leiterabschnitt 29 auf einer von der Montagefläche 28 der gedruckten Leiterplatte 2 verschiedenen Verdrahtungsschicht angeordnet sein kann. Als weiteres Beispiel kann der Kapazitives-Element-Bildungsteil 31 auf einer Verdrahtungsschicht angeordnet sein, die sich von der Verdrahtungsschicht 30 der gedruckten Leiterplatte 2 unterscheidet und nicht den Leiterabschnitt 29 darauf aufweist.
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Die Konfigurationen der sechsten Ausführungsform verschieden von den vorstehend beschriebenen Konfigurationen sind die gleichen wie in der ersten Ausführungsform. Somit können, auch in der sechsten Ausführungsform, die vorteilhaften Effekte erzielt werden, die im Wesentlichen denen der ersten Ausführungsform entsprechen. Insbesondere kann in der sechsten Ausführungsform, da das kapazitive Element 32 innerhalb der gedruckten Leiterplatte 2 gebildet ist, der Kapazitätswert des kapazitiven Elements 32 relativ flexibel bestimmt werden.
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Es sollte beachtet werden, dass jede der vorstehend beschriebenen ersten bis fünften Ausführungsform so konfiguriert ist, dass der Leiterrahmen 9, 23 innerhalb des IC 3, 22 als eines der Metallelemente verwendet wird, die das kapazitive Element 14, 24 bilden. Die Konfiguration ist jedoch nicht auf das vorstehend beschriebene Beispiel beschränkt. In einem Fall, in dem mehrere Metallelemente (z.B. mehrere Leiterrahmen) innerhalb des IC vorgesehen sind, ist die Konfiguration vorzugsweise derart, dass mehrere Kapazitives-Element-Bildungsteile gebildet sind, um den mehreren Metallelementen gegenüberzuliegen, um mehrere kapazitive Elemente zu bilden.
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In jeder der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen verwendet der Energieversorgungsanschluss, von dem das Rauschen austritt bzw. entweicht, den Vcc-Anschluss des IC (d.h. einen positiven Energieversorgungsanschluss). Die Konfiguration ist jedoch nicht auf ein solches Beispiel beschränkt, und der Energieversorgungsanschluss kann ein beliebiger anderer Energieversorgungsanschluss sein, wie z.B. ein Vdd-Anschluss, ein Vss-Anschluss, ein Vee-Anschluss, ein V+-Anschluss oder ein V--Anschluss.
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Obgleich die vorliegende Offenbarung vorstehend anhand ihrer Ausführungsformen beschrieben ist, sollte wahrgenommen werden, dass sie nicht auf die Ausführungsformen und Konstruktionen beschränkt ist. Die vorliegende Offenbarung soll verschiedene Modifikationen und äquivalente Anordnungen abdecken. Darüber hinaus sollen die verschiedenen Kombinationen und Konfigurationen, aber auch andere Kombinationen und Konfigurationen, einschließlich mehr, weniger oder nur eines einzigen Elements, als im Sinne und Umfang der vorliegenden Offenbarung beinhaltet verstanden werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2016184260 [0001]
- JP 2006237160 A [0003]
- JP 2016063094 A [0003]
- JP 2008034854 A [0003]
- JP 2007242879 A [0003]