JP2018049268A - 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、表示パネルの作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図1乃至図5を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示パネル700LCは、基材510Aと、基材770Aと、機能層520と、機能層720と、封止材705と、構造体KBと、画素702(i,j)と、を有する(図3(A)および図4(A)参照)。
表示領域231は、一群の複数の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)と、他の一群の複数の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)と、走査線G1(i)と、信号線S1(j)と、を有する(図5参照)。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
駆動回路SDは、情報V11に基づいて画像信号を供給する機能を有する(図5参照)。
画素702(i,j)は、機能層520の一部と、表示素子750(i,j)と、を有する(図3(A)および図2(B)参照)。
機能層520は、絶縁膜と、画素回路530(i,j)と、を含む。
機能層520は、例えば、絶縁膜501C、絶縁膜521、絶縁膜518、絶縁膜516または絶縁膜510Wを含む。
画素回路530(i,j)は、絶縁膜501Cおよび絶縁膜521の間に挟まれる領域を備える(図4(A)または図3(A)参照)。例えば、画素回路530(i,j)に含まれるスイッチSW1は、絶縁膜501Cおよび絶縁膜521の間に挟まれる領域を備える。
機能層720は、絶縁膜と、着色膜CFと、遮光膜BMと、を含む。なお、例えば、近接センサを機能層720に用いることができる(図3(A)および図4(A)参照)。
機能層720は、絶縁膜701Cと、絶縁膜771と、絶縁膜770Wと、を含む。
着色膜CFは、表示素子750(i,j)および絶縁膜701Cの間に挟まれる領域を備える。着色膜CFは表示素子750(i,j)と重なる領域を備える(図3(A)および図4(A)参照)。
遮光膜BMは、表示素子750(i,j)と重なる領域に開口部を備える(図4(A)参照)。開口部は着色膜CFと重なる領域を備える。
液晶表示素子を表示素子750(i,j)に用いることができる。具体的には、透過型の液晶表示素子を表示素子750(i,j)に用いることができる。なお、半透過型の液晶表示素子または反射型の液晶表示素子を表示素子750(i,j)に用いることもできる。
本実施の形態で説明する表示パネルは、端子519Bを備える(図3(A)参照)。端子519Bは画素回路530(i,j)と電気的に接続され、端子519Bは基材510Aと重なる領域を備える。
本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜770P1および機能膜770P2を有する。機能膜770P1および機能膜770P2は、表示素子750(i,j)と重なる領域を備える。または、機能膜770P2は、機能膜770P1との間に表示素子750(i,j)を挟む領域を備える。
表示パネル700LCは、接着層510Bおよび接着層770Bを有する。
以下に、表示パネル700LCを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材510Aまたは基材770Aに用いることができる。例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を基材510Aまたは基材770Aに用いることができる。具体的には、厚さ0.1mm程度まで研磨した材料を用いることができる。
可視光について透光性を備える材料を接着層510Bまたは接着層770Bに用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜501Cまたは絶縁膜701Cに用いることができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜510W、絶縁膜770W、緩和層510Cまたは緩和層770Cに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜510W、絶縁膜770W、緩和層510Cまたは緩和層770Cに用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体KB等を挟む構成の間に設けることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705等に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521等に用いることができる。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線S1(j)、走査線G1(i)、配線CSCOM、端子519B、端子519C、導電膜511Bまたは導電膜511C等に用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、表示素子750(i,j)に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層753に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
例えば、配線等に用いる材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。具体的には、反射膜を第1の電極751(i,j)に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を、第2の電極752に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第2の電極752に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CFに用いることができる。これにより、着色膜CFを例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜CFに用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜CFに用いることができる。
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜771に用いることができる。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜770P1または機能膜770P2に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。具体的には、スイッチSW1に用いることができるトランジスタと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図5を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部238と、バックライト700BLと、表示パネル700LCと、を有する(図5参照)。
制御部238は、画像情報V1および制御情報SSを供給される機能を備える。
バックライト700BLは、表示パネル700LCに光を供給する機能を備える。具体的には、白色の発光ダイオードまたは白色の有機EL素子等を用いることができる。
表示パネル700LCは、情報V11を供給される機能を備える。また、表示パネル700LCは画素702(i,j)を備える。
伸張回路234は、圧縮された状態で供給される画像情報V1を伸張する機能を備える。伸張回路234は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。
画像処理回路235Mは領域を備え、領域は、例えば、画像情報V1に含まれる情報を記憶する機能を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネル700の構成について、図6乃至図12を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する表示パネル700の画素702(i,j)は、第1の導電膜と、第2の導電膜と、絶縁膜501Cと、画素回路530(i,j)と、第1の表示素子750(i,j)と、第2の表示素子550(i,j)と、を有する。
表示領域231は、一群の複数の画素702(i,1)乃至画素702(i,n)と、他の一群の複数の画素702(1,j)乃至画素702(m,j)と、走査線G1(i)と、信号線S1(j)と、を有する(図11または図12参照)。また、走査線G2(i)と、配線CSCOMと、導電膜ANOと、信号線S2(j)と、を有する。なお、iは1以上m以下の整数であり、jは1以上n以下の整数であり、mおよびnは1以上の整数である。
駆動回路GDは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。
駆動回路SDは、駆動回路SD1と、駆動回路SD2と、を有する。駆動回路SD1は、情報V11に基づいて画像信号を供給する機能を有し、駆動回路SD2は、情報V12に基づいて画像信号を供給する機能を有する(図11参照)。
画素702(i,j)は、機能層520の一部と、第1の表示素子750(i,j)と、第2の表示素子550(i,j)と、を有する(図7(A)および図8(A)参照)。
機能層520は、第1の導電膜と、第2の導電膜と、絶縁膜と、画素回路530(i,j)と、を含む(図7(A)、図7(B)および図10参照)。
機能層520は、例えば、絶縁膜501C、絶縁膜528、絶縁膜521、絶縁膜518または絶縁膜516を含む。
絶縁膜501Cは、第1の導電膜および第2の導電膜の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜501Cは開口部591Aを備える(図8(A)参照)。また、絶縁膜501Cは開口部591Cを備える。
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、絶縁膜501Bを有する(図7(A)参照)。
第1の導電膜は、第1の表示素子と電気的に接続される。具体的には、第1の電極751(i,j)と電気的に接続される。なお、第1の表示素子750(i,j)の第1の電極751(i,j)を、第1の導電膜に用いることができる。
第2の導電膜は、第1の導電膜と重なる領域を備える。第2の導電膜は、開口部591Aにおいて第1の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜512Bを第2の導電膜に用いることができる。ところで、絶縁膜501Cに設けられた開口部591Aにおいて第2の導電膜と電気的に接続される第1の導電膜を、貫通電極ということができる。
画素回路530(i,j)は、第1の表示素子750(i,j)および第2の表示素子550(i,j)を駆動する機能を備える(図10参照)。
機能層720は、絶縁膜と、着色膜CF1と、遮光膜BMと、を含む。なお、例えば、近接センサを機能層720に用いることができる(図7(A)参照)。
機能層720は、絶縁膜701Cと、絶縁膜771と、絶縁膜770Wと、を含む。
着色膜CF1は、第1の表示素子750(i,j)および絶縁膜701Cの間に挟まれる領域を備える。着色膜CF1は第1の表示素子750(i,j)と重なる領域を備える(図7(A)および図8(A)参照)。
遮光膜BMは、第1の表示素子750(i,j)と重なる領域に開口部を備える(図8(A)参照)。開口部は着色膜CF1と重なる領域を備える。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。または、シャッター方式のMEMS表示素子、光干渉方式のMEMS表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。または、例えば、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウエッティング方式などを用いる表示素子を、第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。
第2の表示素子550(i,j)は、絶縁膜501Cに向けて光を射出する機能を備える(図7(A)参照)。
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子519Bおよび端子519Cを有する。
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、機能膜770Pと、機能膜770Dと、を有する。
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層505と、封止材705と、構造体KBと、を有する。
また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基材570と、基材770Aと、を有する。
表示パネル700は、接着層770Bを有する。接着層770Bは基材770Aおよび機能層720の間に挟まれる領域を備え、接着層770Bは基材770Aおよび機能層720を貼り合わせる機能を備える。
表示パネル700は、基材570、基材770A、構造体KB、封止材705または接合層505を有する。
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材570等に用いることができる。例えば、厚さ0.7mm以下厚さ0.1mm以上の材料を基材570に用いることができる。具体的には、厚さ0.1mm程度まで研磨した材料を用いることができる。
例えば、基材570に用いることができる材料を基材770Aに用いることができる。例えば、基材570に用いることができる材料から選択された透光性を備える材料を、基材770Aに用いることができる。または、基材570に用いることができる材料から選択された複屈折が抑制された材料を、基材770Aに用いることができる。
可視光について透光性を備える材料を接着層770Bに用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜701Cに用いることができる。
例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を絶縁膜770Wまたは緩和層770Cに用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、絶縁膜770Wまたは緩和層770Cに用いることができる。
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体KB等に用いることができる。これにより、所定の間隔を、構造体KB等を挟む構成の間に設けることができる。
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材705等に用いることができる。
例えば、封止材705に用いることができる材料を接合層505に用いることができる。
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜521等に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜528等に用いることができる。具体的には、厚さ1μmのポリイミドを含む膜を絶縁膜528に用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Bに用いることができる。また、例えば、水素を供給する機能を備える材料を絶縁膜501Bに用いることができる。
例えば、絶縁膜521に用いることができる材料を絶縁膜501Cに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜501Cに用いることができる。これにより、画素回路または第2の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備える材料を、信号線S1(j)、信号線S2(j)、走査線G1(i)、走査線G2(i)、配線CSCOM、第3の導電膜ANO、端子519B、端子519C、導電膜511Bまたは導電膜511C等に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を第1の導電膜または第2の導電膜に用いることができる。
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のMEMS表示素子等を用いることができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第1の表示素子750(i,j)に用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。
例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を、液晶材料を含む層753に用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。
例えば、配線等に用いる材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。具体的には、反射膜を第1の電極751(i,j)に用いることができる。例えば、透光性を備える導電膜と、開口部を備える反射膜と、を積層した材料を第1の電極751(i,j)に用いることができる。
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。
例えば、配線等に用いることができる材料を、第2の電極752に用いることができる。例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、透光性を備える材料を、第2の電極752に用いることができる。
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜AF1または配向膜AF2に用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配向するようにラビング処理された材料または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。
所定の色の光を透過する材料を着色膜CF1または着色膜CF2に用いることができる。これにより、着色膜CF1または着色膜CF2を例えばカラーフィルターに用いることができる。例えば、青色、緑色または赤色の光を透過する材料を着色膜CF1または着色膜CF2に用いることができる。また、黄色の光または白色の光等を透過する材料を着色膜CF1または着色膜CF2に用いることができる。
例えば、光の透過を抑制する材料を遮光膜BMに用いることができる。これにより、遮光膜BMを例えばブラックマトリクスに用いることができる。
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜771に用いることができる。
例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜770Pまたは機能膜770Dに用いることができる。
例えば、光を射出する機能を備える表示素子を第2の表示素子550(i,j)に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはQDLED(Quantum Dot LED)等を、第2の表示素子550(i,j)に用いることができる。
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路GDに用いることができる。例えば、トランジスタMD、容量素子等を駆動回路GDに用いることができる。具体的には、スイッチSW1に用いることができるトランジスタまたはトランジスタMと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。
例えば、同一の工程で形成することができる半導体膜を駆動回路および画素回路のトランジスタに用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図15乃至図18を参照しながら説明する。
本実施の形態で説明する入出力装置は、表示部230と、入力部240と、を有する(図15参照)。なお、入出力装置は、入出力パネル700TP2を備える。
入力部240は、検知領域241、発振回路OSCおよび検知回路DCを備える(図15参照)。
検知素子775(g,h)は、制御線CL(g)および検知信号線ML(h)と電気的に接続される。
発振回路OSCは、制御線CL(g)と電気的に接続され、制御信号を供給する機能を備える。例えば、矩形波、のこぎり波また三角波等を制御信号に用いることができる。
検知回路DCは、検知信号線ML(h)と電気的に接続され、検知信号線ML(h)の電位の変化に基づいて検知信号を供給する機能を備える。なお、検知信号は、例えば、位置情報P1を含む。
例えば、実施の形態2において説明する表示装置を表示部230に用いることができる。
入出力パネル700TP2は、機能層720を備える点およびトップゲート型のトランジスタを有する点が、例えば、実施の形態3において説明する表示パネル700とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。
機能層720は、例えば、基材770A、絶縁膜501Cおよび封止材705に囲まれる領域を備える(図17または図18参照)。
また、本実施の形態で説明する入出力パネル700TP2は、導電膜511Dを有す(図18参照)。
また、本実施の形態で説明する入出力パネル700TP2は、端子519Dを有する。端子519Dは、導電膜511Dと電気的に接続する。
スイッチSW1に用いることができるトランジスタ、トランジスタMおよびトランジスタMDは、絶縁膜501Cと重なる領域を備える導電膜504と、絶縁膜501Cおよび導電膜504の間に挟まれる領域を備える半導体膜508と、を備える。なお、導電膜504はゲート電極の機能を備える(図17(B)参照)。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを有する電子機器について、図19を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの作製方法について、図20乃至図30を参照しながら説明する。具体的には、実施の形態1で説明する表示パネルの作製方法について説明する。
なお、本実施の形態で説明する表示パネルの作製方法は、第1の加工部材10と、第2の加工部材20と、を用いる。
第1の領域31および第2の領域32を、封止材705および封止材705Bを用いて第1の加工部材10に形成する(図20(V1)、図21(A)および図21(B)参照)。
液晶材料45を、第1の領域31に滴下する(図20(V2)、図21(A)および図21(B)参照)。
圧力が常圧より低い減圧環境において、封止材705および封止材705Bを用いて第1の加工部材10および第2の加工部材20を貼り合わせる(図20(V3)、図22(A)および図22(B)参照)。
圧力が減圧環境より高い環境において、第1の加工部材10から工程用基板11を分離する(図20(V4)、図23(A)および図23(B)参照)。なお、第1の加工部材10から工程用基板11を取り除いた部分を残部10Bという。
接着層510Bを用いて、第1の加工部材10の残部10Bおよび基材510Aを貼り合わせる(図20(V5)および図24(A)参照)。
圧力が減圧環境より高い環境において、第2の加工部材20から工程用基板21を分離する(図20(V6)、図24(A)および図24(B)参照)。なお、第2の加工部材20から工程用基板21を取り除いた部分を残部20Bという。
接着層770Bを用いて、第2の加工部材20の残部20Bおよび基材770Aを貼り合わせる(図20(V7)および図25(A)参照)。
第1の領域31を含む部分を切り取る(図20(V8)、図25(A)および図25(B)参照)。例えば、炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切り出すことができる。これにより、例えば、複数の表示パネルを切り出すことができる。
第2の領域32と重なる基材770Aなどを切除する(図20(V9)および図26参照)。例えば、出力が調整された炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切除することができる。なお、封止材705は第2の領域32に形成されていない。これにより、第2の領域32に設けられた端子を容易に露出させることができる。
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図27および図28を参照しながら説明する。
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図29および図30を参照しながら説明する。
本発明の一態様の表示パネルの別の作製方法について、図31乃至図37を参照しながら説明する。
第1の領域31および第2の領域32を、封止材705および封止材705Bを用いて第2の加工部材20に形成する(図32(A)および図32(B)参照)。
液晶材料45を、第1の領域31に滴下する(図32(A)および図32(B)参照)。
圧力が常圧より低い減圧環境において、封止材705および封止材705Bを用いて第1の加工部材10および第2の加工部材20を貼り合わせる(図33(A)および図33(B)参照)。
圧力が減圧環境より高い環境において、第1の加工部材10から工程用基板11を分離する(図34(A)および図34(B)参照)。なお、第1の加工部材10から工程用基板11を取り除いた部分を残部10Bという。
接着層510Bを用いて、第1の加工部材10の残部10Bおよび基材510Aを貼り合わせる(図35(A)参照)。
圧力が減圧環境より高い環境において、第2の加工部材20から工程用基板21を分離する(図35(A)および図35(B)参照)。なお、第2の加工部材20から工程用基板21を取り除いた部分を残部20Bという。
接着層770Bを用いて、第2の加工部材20の残部20Bおよび基材770Aを貼り合わせる(図36(A)参照)。
第1の領域31を含む部分を切り取る(図36(A)および図36(B)参照)。例えば、炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切り出すことができる。これにより、例えば、複数の表示パネルを切り出すことができる。
第2の領域32と重なる基材770Aなどを切りぬく(図37参照)。例えば、出力が調整された炭酸ガス・レーザー発振器などを用いて切りぬくことができる。なお、環状の構造体KBの開口部と重なる第2の領域32の領域に、封止材705は形成されていない。これにより、第2の領域32の当該領域に設けられた端子を容易に露出させることができる。
GDA 駆動回路
GDB 駆動回路
SD 駆動回路
CP 導電材料
KB 構造体
CL(g) 制御線
ML(h) 信号線
CF 着色膜
BM 遮光膜
ANO 導電膜
BR 導電膜
CSCOM 配線
SS 制御情報
C(g) 電極
M(h) 電極
510C 緩和層
510W 絶縁膜
770C 緩和層
770W 絶縁膜
AF1 配向膜
AF2 配向膜
C11 容量素子
C12 容量素子
CF1 着色膜
CF2 着色膜
G1 走査線
G2 走査線
P1 位置情報
S1 信号線
S2 信号線
SD1 駆動回路
SD2 駆動回路
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
V1 画像情報
V11 情報
V12 情報
VCOM1 配線
VCOM2 導電膜
10 加工部材
11 工程用基板
20 加工部材
21 工程用基板
31 領域
32 領域
38 ディスペンサー
38A ディスペンサー
38B ディスペンサー
38C ディスペンサー
40 光源
45 液晶材料
230 表示部
231 表示領域
234 伸張回路
235M 画像処理回路
238 制御部
240 入力部
241 検知領域
501B 絶縁膜
501C 絶縁膜
504 導電膜
505 接合層
506 絶縁膜
508 半導体膜
508A 領域
508B 領域
508C 領域
510A 基材
510B 接着層
511B 導電膜
511C 導電膜
511D 導電膜
512A 導電膜
512B 導電膜
516 絶縁膜
518 絶縁膜
519B 端子
519C 端子
519D 端子
520 機能層
521 絶縁膜
522 接続部
524 導電膜
528 絶縁膜
530(i,j) 画素回路
550(i,j) 第2の表示素子
551(i,j) 第3の電極
552 第4の電極
553 発光性の材料を含む層
570 基材
591A 開口部
591C 開口部
592A 開口部
592B 開口部
592C 開口部
700 表示パネル
700BL バックライト
700LC 表示パネル
700TP2 入出力パネル
701C 絶縁膜
702 画素
705 封止材
705B 封止材
705C 封止材
706 絶縁膜
720 機能層
732 開口部
750(i,j) 表示素子
751(i,j) 第1の電極
751A 導電膜
751B 反射膜
751C 導電膜
751H 領域
752 第2の電極
753 液晶材料を含む層
770A 基材
770B 接着層
770D 機能膜
770P 機能膜
770P1 機能膜
770P2 機能膜
771 絶縁膜
775 検知素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
7302 筐体
7304 表示パネル
7305 アイコン
7306 アイコン
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
Claims (8)
- 第1の基材と、第2の基材と、第1の機能層と、第2の機能層と、封止材と、構造体と、画素と、を有し、
前記第2の基材は、前記第1の基材と重なる領域を備え、
前記第1の機能層は、前記第1の基材および前記第2の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記第1の機能層は、画素回路を備え、
前記第1の機能層は、第1の絶縁膜を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記第1の基材および前記画素回路の間に挟まれる領域を備え、
前記第1の絶縁膜は、0.5μm以上3μm以下の厚さを備え、
前記第1の絶縁膜は、3GPa以上12GPa以下のヤング率を備え、
前記第2の機能層は、前記第1の機能層および前記第2の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記第2の機能層は、着色膜を備え、
前記第2の機能層は、第2の絶縁膜を備え、
前記第2の絶縁膜は、前記第2の基材および前記着色膜の間に挟まれる領域を備え、
前記第2の絶縁膜は、0.5μm以上3μm以下の厚さを備え、
前記第2の絶縁膜は、3GPa以上12GPa以下のヤング率を備え、
前記封止材は、前記第1の基材および前記第2の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記封止材は、前記第1の基材および前記第2の基材を貼り合わせる機能を備え、
前記構造体は、前記第1の基材および前記第2の基材の間に挟まれる領域を備え、
前記構造体は、前記第1の基材および前記第2の基材の間に所定の間隔を設ける機能を備え、
前記画素は、前記第1の基材、前記第2の基材および前記封止材に囲まれる領域を備え、
前記画素は、第1の表示素子、前記画素回路および前記着色膜を備え、
前記第1の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第1の表示素子は、前記着色膜と重なる領域を備え、
前記第1の表示素子は、液晶材料を含む層を備え、
前記液晶材料を含む層は、前記間隔を満たす、表示パネル。 - 前記第1の機能層は、前記画素回路および前記第1の絶縁膜の間に第1の緩和層を備え、
前記第2の機能層は、前記画素回路および前記第2の絶縁膜の間に第2の緩和層を備え、
前記第1の緩和層は、7μm以上9.5μm以下の厚さを備え、
前記第2の緩和層は、7μm以上9.5μm以下の厚さを備える、請求項1に記載の表示パネル。 - 一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、信号線と、を有し、
前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
前記走査線は、一群の複数の画素と電気的に接続され、
前記信号線は、他の一群の複数の画素と電気的に接続され、
前記一群の複数の画素及び他の一群の複数の画素は、220ppi以上の精細度を備え、
前記第1の基材は、1GPa以上12GPa以下のヤング率を備え、
前記第2の基材は、1GPa以上12GPa以下のヤング率を備える、請求項1または請求項2に記載の表示パネル。 - 前記画素は、
第1の導電膜と、
第2の導電膜と、
絶縁膜と、
前記画素回路と、
第2の表示素子と、を有し、
前記第2の導電膜は、前記第1の導電膜と重なる領域を備え、
前記絶縁膜は、前記第1の導電膜および前記第2の導電膜の間に挟まれる領域を備え、
前記絶縁膜は、開口部を備え、
前記第1の導電膜は、前記第1の表示素子と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記開口部において前記第1の導電膜と電気的に接続され、
前記第2の導電膜は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第2の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第2の表示素子は、前記絶縁膜に向けて光を射出する機能を備え、
前記第2の表示素子は、前記第1の表示素子を用いた表示を視認できる範囲の一部において前記第2の表示素子を用いた表示を視認できるように配設される、請求項1乃至請求項3のいづれか一に記載の表示パネル。 - 端子を有し、
前記端子は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記端子は、前記第1の基材と重なる領域を備え、
前記第2の基材は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記封止材は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記構造体は、前記端子と重ならない形状を備え、
前記構造体は、前記端子と重なる領域および前記封止材の間に挟まれる領域を備える、請求項1乃至請求項4のいづれか一に記載の表示パネル。 - 表示部と、入力部と、を有し、
前記表示部は、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示パネルを備え、
前記入力部は、前記表示パネルと重なる領域を備え、
前記入力部は、制御線と、検知信号線と、検知素子と、を備え、
前記制御線は、制御信号を供給する機能を備え、
前記検知信号線は、検知信号を供給される機能を備え、
前記検知素子は、前記制御線および前記検知信号線と電気的に接続され、
前記検知素子は、透光性を備え、
前記検知素子は、第1の電極と、第2の電極と、を備え、
前記第1の電極は、前記制御線と電気的に接続され、
前記第2の電極は、前記検知信号線と電気的に接続され、
前記第2の電極は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものによって一部が遮られる電界を、前記第1の電極との間に形成するように配置され、
前記検知素子は、前記表示パネルと重なる領域に近接するものとの距離および前記制御信号に基づいて変化する前記検知信号を供給する機能を備える入出力装置。 - キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
- 第1の領域および第2の領域を、封止材を用いて第1の加工部材に形成するステップと、
液晶材料を、前記第1の領域に滴下するステップと、
圧力が常圧より低い減圧環境において、前記封止材を用いて前記第1の加工部材および第2の加工部材を貼り合わせるステップと、
圧力が前記減圧環境より高い環境において、前記第1の加工部材から工程用基板を分離するステップと、
第1の接着層を用いて、前記第1の加工部材の残部および第1の基材を貼り合わせるステップと、
圧力が前記減圧環境より高い環境において、前記第2の加工部材から工程用基板を分離するステップと、
第2の接着層を用いて、前記第2の加工部材の残部および第2の基材を貼り合わせるステップと、
第1の領域を含む部分を切り取るステップと、
第2の領域と重なる第2の基材および第2の加工部材の残部を切除するステップと、を有する、表示パネルの作製方法。
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