WO2017037583A1

WO2017037583A1 - 表示装置

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Publication number: WO2017037583A1
Application number: PCT/IB2016/055066
Authority: WO
Inventors: 久保田大介; 西毅
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2016-08-25
Publication date: 2017-03-09

Abstract

利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。タッチセンサの機能を有する第１の表示素子と、第１の表示素子と電気的に接続される第１の導電膜と、第１の導電膜と重なる領域を備える第２の導電膜と、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える第１の絶縁膜と、第２の導電膜と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される第２の表示素子と、を含み、第１の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は第１の導電膜と開口部で電気的に接続される構成に想到した。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、入力装置に関する。本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、入出力装置に関する。本発明の一態様は、タッチパネルに関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため、より具体的に本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

　なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、入力装置、入出力装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、半導体装置を有している場合がある。

　近年、位置入力手段としてタッチセンサを搭載した表示装置（または表示モジュール）が実用化されている。タッチセンサを搭載した表示装置（または表示モジュール）は、タッチパネル、またはタッチスクリーンなどと呼ばれている場合がある（以下、これを単に「タッチパネル」とも呼ぶ場合がある）。なお、表示装置を有しておらず、タッチセンサのみで構成されている部材に対して、そのような部材のことをタッチパネルと呼ぶ場合もある。または、タッチセンサを搭載した表示装置は、タッチセンサ付表示装置、タッチセンサ内蔵型表示装置、表示装置付タッチパネル、または、表示モジュール、などとも呼ばれる場合がある。または、タッチセンサを搭載した表示装置は、単に、表示装置と呼ばれる場合もある。また、表示装置の内部にタッチセンサが組み込まれている場合には、インセル型タッチセンサ、インセル型タッチパネル（またはインセル型タッチセンサ付表示装置）、オンセル型タッチセンサ、または、オンセル型タッチパネル（またはオンセル型タッチセンサ付表示装置）などとも呼ばれる場合がある。または、表示装置の内部にタッチセンサが組み込まれている表示装置は、単に、表示装置と呼ばれる場合もある。インセル型タッチセンサは、例えば、液晶素子で用いられる電極をタッチセンサ用の電極としても用いているものである。一方、オンセル型タッチセンサは、例えば、対向基板の上側（表示素子が設けられていない面側）に、タッチセンサ用の電極が形成されているものである。例えば、これらのタッチパネルなどを備える携帯情報端末としては、スマートフォン、タブレット端末などがある。

　表示装置の一つとして、液晶素子を備える液晶表示装置がある。例えば、画素電極をマトリクス状に配置し、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてトランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めている。

　例えば、画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている（特許文献１及び特許文献２）。

　また特許文献３乃至７には、液晶素子が適用されたタッチパネルが記載されている。

特開２００７−１２３８６１号公報特開２００７−９６０５５号公報特開２０１１−１９７６８５号公報特開２０１４−４４５３７号公報特開２０１４−１７８８４７号公報米国特許第７９２０１２９号明細書米国特許出願公開第２０１３／０３２８８１２号明細書

　表示パネル（表示装置、または、表示モジュール）に、ユーザーインターフェースとして画面に指やスタイラス等で触れることで入力する機能を付加したタッチパネルが望まれている。

　また、タッチパネルが適用された電子機器の薄型化、軽量化が求められている。そのため、タッチパネル自体の薄型化、軽量化が求められている。

　例えば、タッチパネルは、表示パネルの視認側（表示面側）、つまり、人の指やペンが触る側にタッチセンサを設ける構成とすることができる。

　例えばタッチパネル（または表示モジュール）の構成として、表示パネルの表示面側にタッチセンサを有する基板を貼り付ける構成とすることができる。つまり、タッチパネル（または表示モジュール）の構成として、表示パネルとタッチセンサとが別々の部品として構成されており、表示パネルとタッチセンサと貼り合わせるような構成とすることができる。しかしながら、このような構成の場合、表示パネル用の基板とは別に、タッチセンサ用の基板が必要であるため、タッチパネル（または表示モジュール）の厚さを薄くできない、部品点数が多くなる、などの問題があった。

　本発明の一態様は、厚さの薄いタッチパネル（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供することを課題の一とする。または、構成が簡素化したタッチパネル（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供することを課題の一とする。または、電子機器に組み込みやすいタッチパネル（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供することを課題の一とする。または、部品点数の少ないタッチパネル（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供することを課題の一とする。または、軽量なタッチパネル（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供することを課題の一とする。

　または、新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置を提供することを課題の一とする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、信号線と、画素と、タッチセンサを有する表示装置である。

画素は信号線と電気的に接続され、画素は第１の表示素子と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、２の絶縁膜と、画素回路と、第２の表示素子と、を有する。

第１の導電膜は第１の表示素子と電気的に接続され、第２の導電膜は第１の導電膜と重なる領域を備え、第１の絶縁膜は第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え、画素回路は第２の導電膜と電気的に接続され、第２の表示素子は画素回路と電気的に接続される。

第１の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は開口部において第１の導電膜と電気的に接続され、画素回路は信号線と電気的に接続される。

（２）また、本発明の一態様は、上記画素回路がスイッチを備える上記の表示パネルである。スイッチはトランジスタを含み、トランジスタは、酸化物半導体を含む。

（３）また、本発明の一態様は、上記第２の表示素子が第１の表示素子が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える、上記の表示装置である。

（４）また、本発明の一態様は、上記第２の表示素子が第１の表示素子が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える、上記の表示装置である。

（５）また、本発明の一態様は、上記第１の表示素子が反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有する上記の表示装置である。

（６）また、本発明の一態様は、上記第１の表示素子はタッチセンサとしての機能を有する、上記の表示装置である。

反射膜は入射する光を反射する機能を備え、反射膜は開口部を備える。第２の表示素子は、開口部に向けて光を射出する機能を有する。

（７）また、本発明の一態様は、上記画素と、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、を有する上記の表示装置である。

一群の複数の画素は上記画素を含み、行方向に配設される。他の一群の複数の画素は上記画素を含み、行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は行方向に配設される複数の画素と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の複数の画素は、信号線と電気的に接続される。

一の画素の行方向または列方向に隣接する他の画素は、一の画素に対する開口部の配置と異なるように他の画素に配置された開口部を備える。

上記本発明の一態様の表示装置は、第１の表示素子と、第１の表示素子と電気的に接続される第１の導電膜と、第１の導電膜と重なる領域を備える第２の導電膜と、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える第１の絶縁膜と、第１の導電膜と第１の絶縁膜の間に挟まれる領域を備え、第２の導電膜と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される第２の表示素子と、を含み、第１の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は第１の導電膜と開口部で電気的に接続される。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。

また、第１の表示素子は、タッチセンサとしての機能を有する前述の表示装置も、本発明の一態様である。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

　本発明の一態様によれば、厚さの薄い表示装置（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供できる。または、構成が簡素化した表示装置（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供できる。または、電子機器に組み込みやすい表示装置（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供できる。または、部品点数の少ない表示装置（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供できる。または、軽量な表示装置（またはタッチセンサ付表示装置）などを提供できる。

　または、新規な入力装置を提供できる。または、新規な入出力装置を提供できる。または、新規なタッチパネルを提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る、表示装置のブロック図及びタイミングチャート図。実施の形態に係る、表示装置を備える画素を説明する図。実施の形態に係る、表示装置を備える画素を説明する図。実施の形態に係る、表示装置及び画素の動作を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の画素回路を示す図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する斜視図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構造を示す断面の模式図。実施の形態に係る、表示装置のブロック図。実施の形態に係る、表示装置の画素を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の画素を説明する図。実施の形態に係る、表示装置が有する液晶素子の電気光学特性を示す図。実施の形態に係る、表示装置を用いた電子機器の図。実施の形態に係る、表示装置を用いた電子機器の図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。実施の形態に係る、表示装置の構成を説明する図。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、互いに入れ替えることが可能である場合がある。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することや、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置の駆動方法、モード、及び構成例の説明を行い、さらに前述の入力装置、入出力装置の駆動方法、モードを適用した表示装置についての説明を、図面を参照して行う。

［センサの検知方法の例］
　図１（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお図１（Ａ）では、一例として、パルス電圧が与えられる電極６２１をＸ１−Ｘ６の６本の配線、電流の変化を検知する電極６２２をＹ１−Ｙ６の６本の配線として示している。なお、電極の数は、これに限定されない。また図１（Ａ）は、電極６２１および電極６２２が重畳すること、または、電極６２１および電極６２２が近接して配置されることで形成される容量６０３を図示している。なお、電極６２１と電極６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。または、パルス電圧出力回路６０１と電流検出回路６０２とは、互いに置き換えてもよい。

　パルス電圧出力回路６０１は、一例としては、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形成する電極６２１および電極６２２の間の電界に、変化が生じる。そしてパルス電圧によって容量６０３に電流が流れる。このとき、指やペンなどが近傍に存在するかどうかに応じて、この電極間に生じる電界が、指やペンなどのタッチによる遮蔽等により変化する。つまり、指やペンなどのタッチなどにより、容量６０３の容量値が変化する。その結果、パルス電圧によって容量６０３に流れる電流の大きさが変化する。このように、指やペンなどのタッチなどにより、容量値に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。

　電流検出回路６０２は、容量６０３での容量値の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により容量値が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、電流量の総和を検出してもよい。その場合には、積分回路等を用いて検出を行えばよい。または、電流のピーク値を検出してもよい。その場合には、電流を電圧に変換して、電圧値のピーク値を検出してもよい。

　次いで図１（Ｂ）には、図１（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図１（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図１（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。なお、表示パネルにおいても、表示動作が行われている。この表示動作のタイミングと、タッチセンサのタイミングとは、同期させて動作することが望ましい。なお、図１（Ｂ）では、表示動作とは同期させていない場合の例を示す。

　Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。

　このように、容量値の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。なお、指やペンなどの被検知体は、タッチセンサやタッチパネルに接触せず、近接した場合でも、信号が検出される場合がある。

　なお、図１（Ｂ）において、Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられた場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、複数の配線に同時にパルス電圧を与えてもよい。例えば、まず、Ｘ１乃至Ｘ３の配線にパルス電圧を与える。次に、Ｘ２乃至Ｘ４の配線にパルス電圧を与える。その次に、Ｘ３乃至Ｘ５の配線にパルス電圧を与える。このように、複数の配線に同時にパルス電圧を与えてもよい。そして、読み取った信号を演算処理することにより、センサの感度を高めることができる。

　またパルス電圧出力回路６０１及び電流検出回路６０２は、一例としては、１つのＩＣの中に形成されていることが好ましい。該ＩＣは、例えばタッチパネルに実装されること、若しくは電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また可撓性を有するタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大きくなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。例えばシグナル−ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。

　なお、インセル型タッチセンサの場合には、表示部を駆動するための回路が設けられている。例えば、その回路は、ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路などである。これらの回路も、ＩＣの中に形成されている場合がある。よって、パルス電圧出力回路６０１または電流検出回路６０２の少なくとも一つと、ゲート線駆動回路またはソース線駆動回路の少なくとも一つとが、１つのＩＣの中に形成されていてもよい。例えば、ソース線駆動回路は、駆動周波数が高いため、ＩＣの中に形成される場合が多い。また、電流検出回路６０２は、オペアンプなどが必要となる場合があるため、ＩＣの中に形成される場合が多い。したがって、ソース線駆動回路と電流検出回路６０２とが、１つのＩＣの中に形成されていてもよい。この場合には、ゲート線駆動回路およびパルス電圧出力回路６０１は、画素が形成されている基板上に、画素と一緒に形成されていてもよい。または、ソース線駆動回路と電流検出回路６０２とパルス電圧出力回路６０１とが、１つのＩＣの中に形成されていてもよい。

　また、図１（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量６０３のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。

　なお、図１においては、相互容量方式の場合の駆動方法について述べたが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、自己容量方式を用いてもよい。その場合には、パルス電圧出力回路６０１は、電流を検出する機能も有することとなる。同様に、電流検出回路６０２も、パルス電圧を出力する機能を有することとなる。または、状況に応じて、相互容量方式と自己容量方式とを切り替えて動作させてもよい。

［インセル型のタッチセンサの構成例］
　ここでは、表示素子やトランジスタ等が設けられる基板（以下、素子基板とも記す）上に、タッチセンサを構成する一対の電極のうちの少なくとも一つを配置する例について説明する。

　以下では、複数の画素を有する表示部にタッチセンサを組み込んだインセル型の構成例について説明する。ここでは、画素に設けられる表示素子として、液晶素子を適用した例を示す。ただし、本発明の一態様は、これに限定されず、様々な表示素子を適用することができる。

　図２（Ａ）は、本構成例で例示するインセル型のタッチセンサを組み込んだ表示装置の表示部に設けられる画素回路の一部における等価回路図である。

　一つの画素は少なくともトランジスタ６３と液晶素子６４を有する。なお、画素は、さらに、保持容量を有する場合もある。またトランジスタ６３のゲートに配線６１が、ソースまたはドレインの一方には配線６２が、それぞれ電気的に接続されている。

　画素回路は、Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７２＿１、配線７２＿２）と、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７１＿１、配線７１＿２）を有し、これらは互いに交差して設けられている。そして、配線の間に容量が形成される。

　また、一例としては、画素回路に設けられる画素のうち、一部の隣接する複数の画素は、それぞれに設けられる液晶素子の一方の電極が電気的に接続され、一つのブロックを形成する。ここで、例えば、Ｙ方向に延在するライン状の複数のブロック（例えば、ブロック６５＿１、６５＿２）が形成される。なお、図２（Ａ）では、画素回路の一部のみを示しているが、実際にはこれらのブロックがＸ方向に繰り返し配置される。ここで、液晶素子の一方の電極としては、一例としては、コモン電極、または、対向電極などがあげられる。一方、液晶素子の他方の電極としては、一例としては、画素電極などがあげられる。

なお、本明細書においては、液晶素子が有する一対の電極のうち、一方を画素電極とし、他方をコモン電極、もしくは共通電極と表す。特に「コモン電極」と「共通電極」については、一方の電極である「画素電極」に対する他方の電極を示し、断りが無い限りは、表現の置き換えが可能であり、機能等の差異はないものとする。

　また、図２（Ｂ）のように、ブロック６５＿１、６５＿２をまたいでＸ方向に隣接する複数の画素が有する液晶素子６４のコモン電極が電気的に接続され、一つのブロックを形成するような構成でも良い。図２（Ｂ）に示す配線７２＿１乃至７２＿４はＸ方向に延在して設けられ、液晶素子６４が構成される領域においてコモン電極として機能する。配線７２＿１乃至７２＿４によってコモン電極を共有する複数の画素を含むブロックをそれぞれブロック６７＿１乃至ブロック６７＿４とする。図２（Ｂ）では画素回路の一部のみを示しているが、実際にはこれらのブロックがＸ方向及びＹ方向に繰り返し配置される。

　このような構成とすることで、タッチセンサを構成する電極と、画素回路が有する液晶素子の一方の電極とを兼ねることができる。図２（Ａ）では、配線７１＿１、配線７１＿２は、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねている。一方、配線７２＿１、配線７２＿２は、タッチセンサを構成する電極として機能している。そのためタッチパネルの構成を簡略化できる。なお、図２（Ａ）では、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７１＿１、配線７１＿２）が、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねていたが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線７２＿１、配線７２＿２）が、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねていてもよい。その場合の回路図の例を、図３（Ａ）に示す。

　なお、図２（Ａ）および図３（Ａ）では、配線が、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねている場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とは、それぞれ、別の配線で構成してもよい。例えば、図３（Ｂ）に示すように、液晶素子６４の一方の電極と電気的に接続する配線６６を有する構成としてもよい。このとき配線６６、液晶素子６４を構成する一方の電極、または、液晶素子６４を構成する他方の電極の少なくとも一つと、Ｘ方向に延在する配線またはＹ方向に延在する配線の少なくとも一つと、を同一の導電膜を加工して同時に形成することで、タッチパネルの作製工程を簡略化できる。例えば、配線６６を配線７１＿１及び配線７１＿２と同時に形成してもよいし、または配線６６を配線７２＿１及び配線７２＿２などと同時に形成してもよい。

　図４（Ａ）は、Ｘ方向に延在する複数の配線７２と、Ｙ方向に延在する複数の配線７１の接続構成を示した等価回路図である。なお、一例として、タッチセンサが、投影型であり、相互容量方式である場合を示している。Ｘ方向に延在する配線７２の各々には、入力電圧（または、選択電圧）または共通電位（または、接地電位、もしくは、基準となる電位）を入力することができる。また、Ｙ方向に延在する配線７１の各々には接地電位（または、基準となる電位）を入力することができ、または配線７１と検出回路とを電気的に接続することができる。なお、配線７１と配線７２とは入れ替えることが可能である。つまり、配線７２と検出回路とを接続してもよい。

　以下、図４（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、上述したタッチパネルの動作について説明する。

　ここでは一例として、１フレーム期間を、書き込み期間と検知期間とに分ける。書き込み期間は画素への画像データの書き込みを行う期間であり、配線６１（ゲート線、または走査線ともいう）が順次選択される。一方、検知期間は、タッチセンサによるセンシングを行う期間であり、Ｘ方向に延在する配線７２が順次選択され、入力電圧が入力される。

　図４（Ｂ）は、書き込み期間における等価回路図である。書き込み期間では、Ｘ方向に延在する配線７２と、Ｙ方向に延在する配線７１の両方に、共通電位が入力される。

　図４（Ｃ）は、検知期間のある時点における等価回路図である。検知期間では、Ｙ方向に延在する配線７１の各々は、検出回路と導通する。また、Ｘ方向に延在する配線７２のうち、選択されたものには入力電圧が入力され、それ以外のものには共通電位が入力される。

　このように、画像の書き込み期間とタッチセンサによるセンシングを行う期間とを、独立して設けることが好ましい。例えば、表示の帰線期間にセンシングを行うことが好ましい。これにより、画素の書き込み時のノイズに起因するタッチセンサの感度の低下を抑制することができる。

　なお、ここでは、１フレーム期間を、書き込み期間と検知期間とに分ける場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、１水平期間（１ゲート選択期間とも言う）を、書き込み期間と検知期間とに分けて動作させてもよい。

　なお、配線７２には、順にパルス電圧が与えられた場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、複数の配線７２に同時にパルス電圧を与えてもよい。例えば、まず、１個目乃至３個目の配線７２にパルス電圧を与える。次に、２個目乃至４個目の配線７２にパルス電圧を与える。その次に、３個目乃至５個目の配線７２にパルス電圧を与える。このように、複数の配線７２に同時にパルス電圧を与えてもよい。そして、読み取った信号を演算処理することにより、センサの感度を高めることができる。

　なお、図４においては、相互容量方式の場合の駆動方法について述べたが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、自己容量方式を用いてもよい。その場合には、パルス電圧を出力する回路は、電流を検出する機能も有することとなる。同様に、検出回路も、パルス電圧を出力する機能を有することとなる。または、状況に応じて、相互容量方式と自己容量方式とを切り替えて動作させてもよい。

［タッチパネルの方式について］
　以下では、本発明の一態様のタッチパネルに適用可能ないくつかの方式について説明する。

　なお、本明細書等において、タッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、または近接することを検知するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が実装されたものを、タッチパネルモジュール、または単にタッチパネルと呼ぶ場合がある。

　本発明の一態様に適用できる静電容量方式のタッチセンサは、一対の導電層を備える。一対の導電層間には容量が形成されている。一対の導電層に被検知体が触れる、または近接することにより一対の導電層間の容量の大きさが変化することを利用して、検知を行うことができる。

　静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

　また、本発明の一態様のタッチパネルが有する表示素子としては、液晶素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍ）を利用した光学素子、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子、電気泳動素子など、様々な表示素子を用いることができる。

　ここで、表示装置には表示素子として横電界方式が適用された液晶素子を用いることが好ましい。なお、画素電極、および、コモン電極において、透明導電膜を用いる場合には、透過型の表示装置として使用することができる。一方、画素電極、または、コモン電極において、反射電極を用いる場合には、反射型の表示装置として使用することができる。なお、画素電極およびコモン電極の両方を反射電極としてもよい。または、画素電極およびコモン電極とは別に、反射電極を設けることによって、反射型の表示装置としてもよい。なお、反射型の表示装置において、バックライトの光が透過できる領域を設けることによって、半透過型の表示装置としてもよい。例えば、画素電極またはコモン電極の一部を透過電極とし、別の一部を反射電極としてもよい。なお、画素電極、または、コモン電極において、反射電極を用いる場合であっても、液晶の動作モードによっては、透過型の表示装置として使用する場合もある。

なお、バックライトを有する構造として、液晶素子が形成されたパネルに、パネル全体を照射するバックライトを貼り付ける構造でもよいが、表示装置の液晶素子と、液晶素子の電極を用いたタッチセンサを構成する回路ごとに発光素子を有する構成とすることで、表示装置の薄型化、軽量化が容易になり好適である。

例えば、図５に示す等価回路８５０が表示素子５５０を有していてもよい。

また、図５に示す等価回路の構成を用いることで液晶素子と、発光素子と、を独立に動作させることが可能となる。

　本発明の一態様の表示装置は、一対の基板の一方にタッチセンサを構成する一対の電極（導電膜または配線ともいう）の少なくとも一つを設けることにより、表示装置とタッチセンサとが一体となった構成を有する。そのため、表示装置の厚さが低減され、軽量な表示装置を実現できる。

　図６（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置１０のモードを説明する断面図である。

　表示装置１０は、基板１１、基板１２、ＦＰＣ１３、導電層１４、着色膜３１等を有する。また、表示装置１０は画素を有し、当該画素は液晶素子２０を有する。

　液晶素子２０は、導電層２１、導電層２２及び液晶２３により構成される。図６（Ａ）では液晶素子２０としてＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された液晶素子を用いた場合の例を示している。導電層２１上には絶縁層を介して導電層２２が配置されている。導電層２２は、一例としては、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状（平面形状ともいう）を有する。導電層２１および導電層２２は、一方が共通電極として機能し、他方が画素電極として機能する。

　タッチセンサは、基板１２側に設けられた導電層４１と、液晶素子２０の一対の電極の一方として機能する導電層２１との間に形成される容量を利用して検知することができる。ここで、一例としては、導電層４１は基板１２の基板１１側の面（つまり、基板１２の下側の面）に設けられていることが好ましい。

　基板１２側に設けられた導電層４１は、接続層１５により基板１１側に設けられた導電層１４と電気的に接続する。導電層１４は基板１１側に取り付けられたＦＰＣ１３と電気的に接続する。このような構成とすることで、１つの基板にタッチセンサを駆動するためのＦＰＣと、液晶素子２０を駆動するためのＦＰＣの両方を配置することができる。

　ここで、タッチパネルの構成として、例えば基板１２の基板１１側とは反対側の面（つまり、基板１２の上側の面）にタッチセンサの電極として機能する導電層を配置した場合、これと電気的に接続するＦＰＣを基板１２に取り付ける必要がある。また図６（Ａ）で示した接続層１５を用いない場合であっても、導電層４１と電気的に接続するＦＰＣは、基板１２に取り付ける必要がある。また、基板１１及び基板１２とは異なる基板に、タッチセンサの電極として機能する導電層を配置する場合も、当該基板にＦＰＣを取り付ける必要がある。したがってこのような構成では部品点数が増加する、また電子機器に組み込む際にＦＰＣの位置により制限が生じてしまう場合がある。一方、本発明の一態様では、一対の基板の一方にのみＦＰＣを配置することが可能であるため、部品点数を低減し、電子機器に組み込みやすい構成とすることができる。

　また、液晶素子２０の一方の電極を、タッチセンサとして機能する一対の電極と兼ねることにより、工程を簡略化することができるため歩留りの向上できまた製造コストを低減することができる。

　図６（Ｂ）では、タッチセンサの電極として機能する導電層４１を、基板１１側に配置した例を示している。導電層４１は、導電層１４と電気的に接続する。タッチセンサは、導電層４１と、液晶素子２０の一対の電極の一方（例えば、共通電極）として機能する導電層２１との間に形成される容量を利用して検知することができる。このような構成とすることでも、ＦＰＣ１３を基板１１側に配置することができる。またこのとき、基板１１側の面をタッチ面とすると、より検出感度を高めることができるため好ましい。

　図６（Ｃ）に示す構成では、導電層４１を導電層２２と同一平面上に配置した例を示している。また導電層４１は図示しない領域で導電層１４と電気的に接続している。ここで、導電層４１と導電層２２とを同一の導電膜を加工して同時に形成されていることが好ましい。タッチセンサは、導電層４１と導電層２１の間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極としての機能とを有している。

　図６（Ｄ）に示す構成は、液晶素子２０にＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した場合の例を示している。

　液晶素子２０を構成する導電層２１と導電層２２とは同一面状に設けられている。導電層２１と導電層２２とは、それぞれ櫛歯状の形状を有しており、これらが噛み合うように配置されている。タッチセンサは、導電層４１と導電層２１の間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極として機能とを有している。

　またタッチセンサの一方の電極として機能する導電層４１は、導電層２１及び導電層２２と同一面上に配置されている。また導電層４１は図示しない領域で導電層１４と電気的に接続している。ここで導電層４１、導電層２１及び導電層２２は、これらが同一の導電膜を加工して同時に形成されていることが好ましい。

　図６（Ｅ）に示す構成では、ＦＦＳモードが適用された液晶素子２０を適用した他の例を示している。タッチセンサは、導電層４１ａと導電層４１ｂとの間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１及び導電層２２は、一方が液晶素子２０の共通電極としての機能を有し、他方が液晶素子２０の画素電極としての機能を有している。

　導電層４１ａは導電層２２と同一面上に設けられている。また導電層４１ｂは導電層２１と同一面上に設けられている。ここで導電層４１ａと導電層２２とを同一の導電膜を加工して同時に形成することが好ましい。同様に導電層４１ｂと導電層２１とを同一の導電膜を加工して同時に形成することが好ましい。このような構成とすることで、液晶素子２０の一対の電極を形成する工程で、同時にタッチセンサを構成する一対の電極を形成することができるため、製造工程を増やすことなくタッチセンサとしての機能を有する表示装置１０を作製することができる。

　図７（Ａ）に示す構成では、ＦＦＳモードが適用された液晶素子２０を適用した他の例を示している。タッチセンサは、導電層４１ａと導電層４１ｂとの間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能を有している。

　導電層４１ａおよび導電層４１ｂは導電層２２と同一面上に設けられている。ここで導電層４１ａと導電層４１ｂと導電層２２とを同一の導電膜を加工して同時に形成することが好ましい。このような構成とすることで、液晶素子２０の電極を形成する工程で、同時にタッチセンサを構成する一対の電極を形成することができるため、製造工程を増やすことなくタッチセンサとしての機能を有する表示装置１０を作製することができる。

なお、導電層４１ａは、導電層２１と重なるように設けられているが、本発明の一態様は、これに限定されない。導電層２１は、導電層４１ａと重ならないように設けてもよい。その結果、導電層４１ａの寄生容量を低減することができる。なお、導電層４１ｂの場合も同様に、導電層２１は、導電層４１ｂと重ならないように設けてもよい。

　図７（Ｂ）に示す構成では、ＦＦＳモードが適用された液晶素子２０を適用した他の例を示している。タッチセンサは、導電層４１ａと導電層４１ｂとの間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１及び導電層２２は、一方が液晶素子２０の共通電極としての機能を有し、他方が液晶素子２０の画素電極としての機能を有している。

　導電層４１ａおよび導電層４１ｂは導電層２１と同一面上に設けられている。ここで導電層４１ａと導電層４１ｂと導電層２１とを同一の導電膜を加工して同時に形成することが好ましい。このような構成とすることで、液晶素子２０の電極を形成する工程で、同時にタッチセンサを構成する一対の電極を形成することができるため、製造工程を増やすことなくタッチセンサとしての機能を有する表示装置１０を作製することができる。

　図７（Ｃ）に示す構成では、ＦＦＳモードが適用された液晶素子２０を適用した他の例を示している。タッチセンサは、導電層４１と、液晶素子２０の一対の電極の一方として機能する導電層２１との間に形成される容量を利用して検知することができる。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極としての機能とを有している。

　導電層４１は、導電層２１と同一面上に設けられている。ここで導電層４１と導電層２１とを同一の導電膜を加工して同時に形成することが好ましい。このような構成とすることで、液晶素子２０の電極を形成する工程で、同時にタッチセンサを構成する一対の電極を形成することができるため、製造工程を増やすことなくタッチセンサとしての機能を有する表示装置１０を作製することができる。

なお、上側の電極が液晶素子２０の画素電極であり、下側の電極が液晶素子２０の共通電極である場合の例を多く示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。上側の電極が液晶素子２０の共通電極であり、下側の電極が液晶素子２０の画素電極となる構成としてもよい。

例えば、図６（Ｃ）において、上側の電極が液晶素子２０の共通電極となるようにした例を、図８に示す。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極としての機能とを有している。

同様に、図７（Ａ）において、上側の電極が液晶素子２０の共通電極となるようにした例を、図９（Ａ）に示す。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能を有している。

同様に、図７（Ｃ）において、上側の電極が液晶素子２０の共通電極となるようにした例を、図９（Ｂ）に示す。導電層２１は、例えば、液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極としての機能とを有している。導電層４１と導電層２１との間に容量を形成する。

図１０（Ａ）に示す構成では、ＦＦＳモードが適用された液晶素子の他の例を示している。表示装置が液晶素子に加えて発光素子を有する例である。導電層２１は光反射性を有し、開口部２５を有する。発光素子２７を導電層２１の下方に配置し、発光素子２７は導電層１４と電気的に接続している。液晶素子２０に入射した光は導電層２１にて反射され、再度、液晶素子２０を通って表示装置１０の外部へと放出される。また、表示装置１０に設けられた発光素子２７から放出される光は、前述の導電層２１により反射される光とは独立に、開口部２５を透過して表示装置１０の外部に放出できるよう制御することも可能である。

また、上述の表示装置の例と同様に、上側の電極が液晶素子２０の共通電極としての機能と、タッチセンサの電極としての機能とを有してもよい（図１０（Ｂ））。

　図１１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、上面から見た本発明の一態様のタッチパネルの概念図である。したがって、タッチセンサ以外の部分については、大幅に省略して示している。また、画素電極５１において、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状を有している場合があるが、ここでは、省略している。

　図１１（Ａ）に示す構成では、タッチセンサはセンサ電極５５とセンサ電極５６とを有する。ここで、センサ電極５５及びセンサ電極５６は、画素電極５１と同一の導電膜により形成されている。または、センサ電極５５及びセンサ電極５６は、画素電極５１と同一面上に設けられている。Ｘ方向に配列する複数のセンサ電極５５は電気的に接続された構成を有する。このとき、センサ電極５５は、配線５７により、接続されている。また、センサ電極５６は、Ｙ方向に延在して設けられている。つまり、図１１（Ａ）は、図７（Ａ）の平面図を示しているとも言える。なお、センサ電極５５及びセンサ電極５６は、画素電極ではなく、コモン電極と同一の導電膜により形成されてもよい。

　図１１（Ｂ）に示す構成では、共通電極５２とセンサ電極５５が同一の導電膜により形成されている例を示している。または、共通電極５２とセンサ電極５５は、同一面上に設けられている。ここで共通電極５２及びセンサ電極５５はＸ方向に伸びた帯状の形状を有し、各センサ電極５６と交差する構成を有する。つまり、図１１（Ｂ）は、図７（Ｃ）の平面図を示しているとも言える。

　図１１（Ｃ）では、図１１（Ｂ）で示した共通電極５２が、センサ電極５５を兼ねる構成の例を示している。つまり、図１１（Ｃ）は、図６（Ｃ）の平面図を示しているとも言える。

なお、センサ電極５６は、Ｙ方向に延在して設けられている場合の例を示したが、Ｘ方向に延在して設けられてもよい。図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）において、Ｙ方向に延在した場合の例を、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１２（Ｃ）にそれぞれ示す。

なお、図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）では、上側の電極（液晶層に近い側の電極、つまり、指やペンなどの被検知体に近い側の電極）が画素電極であり、下側の電極（液晶層から遠い側の電極、つまり、指やペンなどの被検知体から遠い側の電極）が共通電極である場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。上側の電極（液晶層に近い側の電極、つまり、指やペンなどの被検知体に近い側の電極）が共通電極であり、下側の電極（液晶層から遠い側の電極、つまり、指やペンなどの被検知体から遠い側の電極）が画素電極となるような構成としてもよい。図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）に適用した場合の例を、それぞれ、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示す。なお、共通電極５２において、櫛歯状の上面形状、またはスリットが設けられた上面形状を有している場合があるが、ここでは、省略している。

　以上が、表示装置が有するタッチパネルの方式についての説明である。

　図１４（Ａ）は、本発明の一態様のタッチパネル３１０の斜視図である。また図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）を展開した斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。また図１４（Ｂ）では、一部の構成要素（基板３７２）を破線で輪郭のみ明示している。

　タッチパネル３１０は、対向して設けられた基板３７１と基板３７２とを有する。

　基板３７１上には、表示部３８１、駆動回路３８２、配線３８３、駆動回路３８４等が設けられている。また表示部３８１には、タッチセンサの一方の電極として機能する導電層３３２が形成されている。基板３７１には、配線３８３と電気的に接続されるＦＰＣ３７３が設けられている。また図１４（Ａ）（Ｂ）では、ＦＰＣ３７３上にＩＣ３７４が設けられている例を示している。

　タッチセンサは、導電層３３１と、後述する導電層３３２と、により構成される。導電層３３１と導電層３３２の間に形成される容量を利用して、タッチセンサは検出することができる。

　基板３７１に導電層３３２を有する場合、基板３７２の基板３７１と対向する面側には、複数の導電層３３１、複数の導電層３３５、導電層３４１等が形成されている。導電層３４１は複数の導電層３３１のいずれかと電気的に接続する。また導電層３４１は接続部３８５を介して基板３７１に設けられたＦＰＣ３７３と電気的に接続する。

　導電層３３５は、２つの導電層３３１の間に配置される。導電層３３５を設けることで導電層３３１が設けられている領域と設けられていない領域の間で透過率に差が生じることを抑制する機能を有する。また導電層３３５は電気的にフローティングであることが好ましい。こうすることで、導電層３３５を介して、導電層３３１及び導電層３３２の一方の電位の変化を他方に効率よく伝達することができ、検知感度を高めることができる。なお導電層３３５は不要である場合には設けなくてもよい。

　表示部３８１は、少なくとも複数の画素を有する。画素は、少なくとも一つの表示素子を有する。また、画素は、トランジスタ及び表示素子を備えることが好ましい。表示素子としては、代表的には有機ＥＬ素子などの発光素子や液晶素子などを用いることができる。

　駆動回路３８２は、例えば走査線駆動回路、信号線駆動回路等として機能する回路を用いることができる。

　配線３８３は、表示部３８１や駆動回路３８２に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や電力は、ＦＰＣ３７３を介して外部、またはＩＣ３７４から配線３８３に入力される。

　駆動回路３８４は、導電層３３２を順次選択する機能を有する。または、導電層３３２ではなく導電層３３１を順次選択することによりタッチセンサを駆動する場合には、駆動回路３８４は、導電層３３２に固定電位またはセンシングに用いる信号を切り替えて供給する機能を有する。なお、ＩＣ３７４や外部によりタッチセンサを駆動する信号が供給される場合には、駆動回路３８４を設けなくてもよい。

　また、図１４（Ａ）（Ｂ）では、ＦＰＣ３７３上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式により実装されたＩＣ３７４が設けられている例を示している。ＩＣ３７４は、例えば走査線駆動回路、または信号線駆動回路などとしての機能を有するＩＣを適用できる。なおタッチパネル３１０が走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、ＦＰＣ３７３を介して表示部３８１を駆動するための信号を入力する場合などでは、ＩＣ３７４を設けない構成としてもよい。また、ＩＣ３７４を、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等により、基板３７１に直接実装してもよい。

　このような構成とすることで、タッチパネル３１０に接続するＦＰＣを１つの基板側（ここでは基板３７１側）にのみ配置することができる。また、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、タッチパネル３１０には１つのＦＰＣ３７３を設け、当該ＦＰＣ３７３が、表示パネルとタッチセンサの両方に信号を供給する機能を有する構成とすると、より構成を簡略化できるため好ましい。

　またこのとき、ＩＣ３７４はタッチセンサを駆動する機能を有していてもよいし、タッチセンサを駆動するＩＣをさらに設けてもよい。または、タッチセンサを駆動するＩＣを基板３７１上に実装してもよい。

また、前述の構成は基板３７２に導電層３３１、３３５、３４１を有する場合を例示したものだが、導電層３３１、３３５、３４１等、タッチセンサの他方の電極、およびタッチセンサを機能させるためにタッチセンサの他方の電極に電気的に接続した導電層は、基板３７１に形成してもよい。この場合には、導電層３３１、３３５等は、絶縁層を介して基板３７１に設けられた導電層３３２の上部に設けてもよい。このような構成とすることで同一基板上にタッチセンサを構成する一対の導電層を配置することが可能となる。

　図１５は、図１４とは異なる構成を有するタッチパネル３１０の上面図を示している。

　図１５に示すタッチパネルは、基板３７１に複数のＦＰＣ３７３ａと、ＦＰＣ３７３ｂとを有している場合の例を示している。ＦＰＣ３７３ａは表示部３８１を駆動するための信号を供給する機能を有する。またＦＰＣ３７３ｂは基板３７２側に配置された導電層３３１に信号等を供給する機能を有する。

　このように、タッチパネル３１０の表示部３８１の２以上の辺に沿ってＦＰＣ３７３ａを配置することで、多くの信号をタッチパネル３１０に供給できる。例えば表示部３８１が高解像度である場合には、このように表示部３８１の２以上の辺から信号を供給する構成とすることで、配線の密度が高まることによる配線間の寄生容量を低減できる。また大型の表示装置とする場合には、このような構成とすることで配線の長さを短くできるため、配線抵抗を削減し、信号の遅延などの影響を抑制することができる。

〔断面構成例１〕
　以下では、本発明の一態様の表示装置の断面構成の例について、図面を参照して説明する。

図１６は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。ここではタッチパネルの機能を有する液晶素子を有する表示装置に、発光素子を利用した構成の例を示す。

図１６（Ａ）は本発明の一態様の表示装置７００の下面図である。図１６（Ｂ−１）は図１６（Ａ）の一部を説明する下面図である。さらに図１６（Ｂ−２）は図１６（Ｂ−１）に図示する一部の構成を省略して説明する下面図である。

図１７は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。図１７（Ａ）は図１６（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４、Ｘ５−Ｘ６、Ｘ７−Ｘ８、Ｘ９−Ｘ１０、Ｘ１１−Ｘ１２における断面図である。図１７（Ｂ）は表示パネルの一部の構成を説明する断面図であり、図１７（Ｃ）は表示装置の他の一部の構成を説明する断面図である。

図５は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。図５は本発明の一態様の表示装置７００が備える画素回路に用いることができる画素回路５３０（ｉ，ｊ）および画素回路５３０（ｉ，ｊ＋１）の回路図である。

図１８は本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する図である。図１８は本発明の一態様の表示装置７００に用いることができる画素および配線等の配置を説明するブロック図である。図１８（Ｂ−１）および図１８（Ｂ−２）は本発明の一態様の表示装置７００に用いることができる開口部７５１Ｈの配置を説明する模式図である。

＜表示装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、信号線Ｓ１（ｊ）と、画素７０２（ｉ，ｊ）と、を有する（図１６（Ｂ−１）および図１６（Ｂ−２）参照）。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）は後述のようにタッチパネルの機能も有する。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第１の絶縁膜５０１Ｃと、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、を有する（図１７（Ａ）および図１８参照）。

第１の導電膜は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図１７（Ａ）参照）。例えば、第１の導電膜を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部に用いることができる。なお、図１７（Ａ）では、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を導電膜７５１Ａ、導電膜７５１Ｂ、導電膜７５１Ｃ、導電膜７５１Ｄの４層で構成する例を示している。例えば、導電膜７５１Ａ及び導電膜７５１Ｂを透光性の導電膜で形成し、導電膜７５１Ｃ及び導電膜７５１Ｄを光反射性の導電膜で形成した場合、導電膜７５１Ｃ及び導電膜７５１Ｄが第１の導電膜として機能することができる。

第２の導電膜は、第１の導電膜と重なる領域を備える。例えば、第２の導電膜を、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いることができる。

第１の絶縁膜５０１Ｃは、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、第２の導電膜と電気的に接続される。例えば、第２の導電膜をソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜５１２Ｂに用いたトランジスタを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のスイッチＳＷ１に用いることができる（図１７（Ａ）および図１８参照）。

第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

第１の絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ａを備える（図１７（Ａ）参照）。

第２の導電膜は、開口部５９１Ａにおいて第１の導電膜と電気的に接続される。例えば、導電膜５１２Ｂは、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１８参照）。なお、導電膜５１２Ａは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される（図１７（Ａ）および図１８参照）。

第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は、第１の絶縁膜５０１Ｃに埋め込まれた側端部を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１を備える。スイッチＳＷ１はトランジスタを含み、トランジスタは、酸化物半導体を含む。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える。例えば、外光を反射する強度を制御して第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、破線の矢印で図中に示す。また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）が表示をする方向を、実線の矢印で図中に示す（図１７（Ａ）参照）。

なお、図５においては、第２の表示素子５５０とスイッチＳＷ２、トランジスタＭ、容量素子Ｃ２にて構成される等価回路を、等価回路８５０で示している。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える（図１８（Ｂ−１）または図１８（Ｂ−２）参照）。なお、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と重なる領域に表示をし、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈと重なる領域に表示をする。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、入射する光を反射する機能を備える反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有する。そして、反射膜は、開口部７５１Ｈを備える。なお、例えば、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の反射膜に、第１の導電膜または第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部を用いることができる。具体的には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）のうち、反射膜として機能する導電膜７５１Ｃ及び導電膜７５１Ｄは開口部７５１Ｈを備える構成としてもよい（図１７（Ａ）参照）。

また、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、開口部７５１Ｈに向けて光を射出する機能を有する。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、画素７０２（ｉ，ｊ）と、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、を有する（図１８（Ａ）参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、走査線Ｇ２（ｉ）と、配線ＣＳＣＯＭと、配線ＡＮＯと、を有する。

一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒで示す方向）に配設される。

また、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃで示す方向）に配設される。

走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

列方向に配設される他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）の行方向に隣接する画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、画素７０２（ｉ，ｊ）に対する開口部７５１Ｈの配置と異なるように画素７０２（ｉ，ｊ＋１）に配置される開口部を備える（図１８（Ｂ−１）参照）。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）の列方向に隣接する画素７０２（ｉ＋１，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）に対する開口部７５１Ｈの配置と異なるように画素７０２（ｉ＋１，ｊ）に配置される開口部を備える（図１８（Ｂ−２）参照）。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部を反射膜に用いることができる。

上記本発明の一態様の表示パネルは、第１の表示素子と、第１の表示素子と電気的に接続される第１の導電膜と、第１の導電膜と重なる領域を備える第２の導電膜と、第２の導電膜と第１の導電膜の間に挟まれる領域を備える絶縁膜と、第２の導電膜と電気的に接続される画素回路と、画素回路と電気的に接続される第２の表示素子と、を含み、第１の絶縁膜は開口部を備え、第２の導電膜は第１の導電膜と開口部で電気的に接続される。

これにより、例えば同一の工程を用いて形成することができる画素回路を用いて、第１の表示素子と、第１の表示素子とは異なる方法を用いて表示をする第２の表示素子と、を駆動することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｂと、導電膜５１１Ｂと、を有する（図１７（Ａ）参照）。

第１の絶縁膜５０１Ｃは、端子５１９Ｂおよび導電膜５１１Ｂの間に挟まれる領域を備える。また、第１の絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ｂを備える。

端子５１９Ｂは、開口部５９１Ｂにおいて導電膜５１１Ｂと電気的に接続される。また、導電膜５１１Ｂは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。なお、例えば、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部または第１の導電膜を反射膜に用いる場合、端子５１９Ｂの接点として機能する面は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）に入射する光に向いている面と同じ方向を向いている。

これにより、端子を介して電力または信号を、画素回路に供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）は、液晶材料を含む層７５３と、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）および第２の電極７５４と、を備える。なお、第２の電極７５４は、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）との間に液晶材料の配向を制御する電界が形成されるように配置される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、配向膜ＡＦ１および配向膜ＡＦ２を備える。配向膜ＡＦ２は、配向膜ＡＦ１との間に液晶材料を含む層７５３を挟むように配設される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と、第４の電極５５２と、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）と、を備える。

第４の電極５５２は、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）は、第３の電極５５１および第４の電極５５２の間に配設される。そして、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）は、接続部５２２において、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルの画素７０２（ｉ，ｊ）は、着色膜ＣＦ１と、遮光膜ＢＭと、絶縁膜７７１と、機能膜７７０Ｐと、を有する。

着色膜ＣＦ１は、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。遮光膜ＢＭは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

絶縁膜７７１は、着色膜ＣＦ１と液晶材料を含む層７５３の間または遮光膜ＢＭと液晶材料を含む層７５３の間に配設される。これにより、着色膜ＣＦ１の厚さに基づく凹凸を平坦にすることができる。または、遮光膜ＢＭまたは着色膜ＣＦ１等から液晶材料を含む層７５３への不純物の拡散を、抑制することができる。

機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。機能膜７７０Ｐは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）との間に基板７７０を挟むように配設される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、基板５７０と、基板７７０と、機能層５２０と、を有する。

基板７７０は、基板５７０と重なる領域を備える。機能層５２０は、基板５７０および基板７７０の間に配設される。

機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と、絶縁膜５２１と、絶縁膜５２８と、を含む。また、機能層５２０は、絶縁膜５１８および絶縁膜５１６を含む。

絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に配設される。

絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基板５７０の間に配設され、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。第３の電極５５１の周縁に沿って形成される絶縁膜５２８は、第３の電極５５１および第４の電極の短絡を防止することができる。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備え、絶縁膜５１６は、絶縁膜５１８および画素回路５３０（ｉ，ｊ）の間に配設される領域を備える。

さらに、第１の表示素子は、タッチセンサの電極を有する。図５にタッチセンサの電極を有した画素回路を示す。図１８は前述のように本発明の一態様の表示装置７００に用いることができる画素および配線等の配置を説明するブロック図であるが、図５のタッチセンサの電極を有する画素回路を参酌してタッチセンサの電極を配置した例も示している。以下にタッチセンサの構成について説明する。さらに図１９はタッチセンサの電極を画素に配置した例を示す。

　画素回路は、図５に示すようにＸ方向に延在する配線（例えば、配線８２＿１）と、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線８１＿１、配線８１＿２）を有し、これらは互いに交差して設けられている。そして、配線の間に容量が形成される。

　このような構成とすることで、タッチセンサを構成する電極と、画素回路が有する液晶素子の一方の電極とを兼ねることができる。図５では、配線８１＿１、配線８１＿２は、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねている。一方、配線８２＿１は、タッチセンサを構成する電極として機能している。そのためタッチパネルの構成を簡略化できる。

なお、図５では、Ｙ方向に延在する複数の配線（例えば、配線８１＿１、配線８１＿２）が、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねていたが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、Ｘ方向に延在する複数の配線（例えば、配線８２＿１）が、液晶素子の一方の電極と、タッチセンサを構成する電極とを兼ねていてもよい。

また、図１８に示すようにＸ方向に延在する配線（例えば、配線８２＿１）はパルス電圧出力回路６０１に接続し、Ｙ方向に延在する配線（例えば８１＿１）電流検出回路６０２に接続する。

また、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）の有する反射膜は画素電極として用いることが可能であり、さらに画素電極の上方には第２の電極７５４を有する。図１９に第２の電極７５４の例を示す。図１９では前述の、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）と第２の電極７５４以外の構成要素等は省略して記載している。

図１９では画素電極がスリットを有していてスリットが形成された方向がＹ方向に平行な方向になっているが、これに限定されるものではなく、９０°回転してＸ軸に平行な方向に形成されてもよい。

図２０は図５の等価回路を適用した、図１６に示す表示装置の、画素を拡大した模式図である。図２０では、第２の電極７５４が有するスリットは省略して示している。また、図２０に示す画素は図１６に示す表示装置の上面、つまり、第２の電極７５４の側が上方になるように配置した場合の、表示装置の画素の拡大図である。図２０において、第２の電極７５４、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、タッチセンサを構成する電極以外は省略して示す。図５はＸ方向に延在する画素の１行分の模式図であるが、図２０はそれをＹ方向に２行繰り返した状態である。

Ｙ方向に延在する第２の電極７５４と、Ｘ方向に延在する配線９０６が、点線で囲んだ領域９０８で重なっており、容量が形成されている。

第２の電極は、表示装置に形成された導電膜と電気的に接続し、電圧の印加が可能となっている。

図２４（Ａ）には第２の電極７５４に電圧を印加できるよう、表示装置７００に形成された導電膜と電気的に接続する方法を例示する。端子５１９ＢにてＦＰＣ等と電気的に接続する導電膜７５５は接続部７５８にて第２の電極と電気的に接続する。図２４（Ｂ）は接続部７５８のＷ１−Ｗ２断面の模式図である。

図２５（Ａ）、（Ｂ）には、図２４に示した表示装置７００のタッチセンサを構成する電極が形成された画素を拡大した状態を示す。図２５においては第２の電極７５４、接続部７６２、配線７６４、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）が有する反射膜７６６、第１の電極（ｉ，ｊ）に形成された開口部７５１Ｈ以外は省略している。特に図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）に示す模式図からさらに第２の電極７５４、接続部７６２を省略し、配線７６４、反射膜７６６、開口部７５１Ｈのみ示した。前述のように、第２の電極７５４は、接続部７５８において導電膜７５５と電気的に接続している。

さらに図２５（Ａ）に示すようにＹ方向に延在する第２の電極７５４は接続部７６２にて配線７６４と接続している。

表示装置７００において、画像を表示する場合と、タッチセンサ動作する場合は、例えば上述の図４に示す方法を適用することができる。すなわち、画像の書き込み期間では、Ｘ方向に延在する配線７６４と、Ｙ方向に延在する配線７５６＿１の両方に、共通電位が入力される。なお、配線７５６は、第２の電極７５４と同様の要素を示す。

次に、検知期間では、Ｙ方向に延在する配線７５６の各々は、検出回路と導通する。また、Ｘ方向に延在する配線７６４のうち、選択されたものには入力電圧が入力され、それ以外のものには共通電位が入力される。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、接合層５０５と、封止材７０５と、構造体ＫＢ１と、を有する（図１７参照）。

接合層５０５は、機能層５２０および基板５７０の間に配設され、機能層５２０および基板５７０を貼り合せる機能を備える。

封止材７０５は、機能層５２０および基板７７０の間に配設され、機能層５２０および基板５７０を貼り合わせる機能を備える。

構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基板５７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、端子５１９Ｃと、導電膜５１１Ｃと、構造体ＣＰと、を有する。

第１の絶縁膜５０１Ｃは、端子５１９Ｃおよび導電膜５１１Ｃの間に挟まれる領域を備える。また、第１の絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ｃを備える。

端子５１９Ｃは、開口部５９１Ｃにおいて導電膜５１１Ｃと電気的に接続される。また、導電膜５１１Ｃは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

構造体ＣＰは、端子５１９Ｃと絶縁膜７７１の間に挟まれる。

また、本実施の形態で説明する表示パネルは、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤを有する（図１６（Ａ）および図１８（Ａ）参照）。さらにパルス電圧出力回路６０１と、電流検出回路６０２を有する（図１８（Ａ）参照）。

駆動回路ＧＤは、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続される。駆動回路ＧＤは、例えばトランジスタＭＤを備える（図１７（Ａ）参照）。具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる半導体膜を含むトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１７（Ａ）および図１７（Ｃ）参照）。

駆動回路ＳＤは、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される。駆動回路ＳＤは、例えば端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同一の工程で形成することができる端子に導電材料を用いて電気的に接続される。

パルス電圧出力回路６０１と電流検出回路６０２は図１８では表示部と同一の回路に形成することを例示しているが、図１６に示すようにパルス電圧出力回路と電流検出回路の機能を有するＩＣ３７４を用いれば、表示部を有する基板上に形成する必要が無くなる。

以下に、表示パネルを構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば第１の導電膜を、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、第１の導電膜を、反射膜に用いることができる。

また、第２の導電膜を、トランジスタのソース電極またはドレイン電極の機能を備える導電膜５１２Ｂに用いることができる。

《構成例１．》
本発明の一態様の表示パネルは、基板５７０、基板７７０、構造体ＫＢ１封止材７０５または接合層５０５、を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、機能層５２０、絶縁膜５２１、絶縁膜５２８、を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第１の導電膜または第２の導電膜を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、画素回路５３０（ｉ，ｊ）、スイッチＳＷ１、を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）、反射膜、開口部７５１Ｈ、液晶材料を含む層７５３、第２の電極７５４、を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２、着色膜ＣＦ１、遮光膜ＢＭ、絶縁膜７７１、機能膜７７０Ｐを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）、３の電極５５１（ｉ，ｊ）、第４の電極５５２または発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）を有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、第１の絶縁膜５０１Ｃを有する。

また、本発明の一態様の表示パネルは、駆動回路ＧＤまたは駆動回路ＳＤを有する。

《基板５７０》
作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスを用いることができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等の面積が大きなガラス基板を基板５７０等に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基板５７０等に用いることができる。例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、石英またはサファイア等を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を、基板５７０等に用いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、アルミナ膜等を、基板５７０等に用いることができる。ＳＵＳまたはアルミニウム等を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基板５７０等に用いることができる。これにより、半導体素子を基板５７０等に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基板５７０等に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、基板５７０等に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、基板５７０等に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を、基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくは、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基板５７０等に用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはアクリル等を基板５７０等に用いることができる。

また、紙または木材などを基板５７０等に用いることができる。

例えば、可撓性を有する基板を基板５７０等に用いることができる。

なお、トランジスタまたは容量素子等を基板に直接形成する方法を用いることができる。また、例えば作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用の基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を基板５７０等に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《基板７７０》
例えば、透光性を備える材料を基板７７０に用いることができる。具体的には、基板５７０に用いることができる材料から選択された材料を基板７７０に用いることができる。具体的には厚さ０．７ｍｍまたは厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した無アルカリガラスを用いることができる。

《構造体ＫＢ１》
例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を構造体ＫＢ１等に用いることができる。これにより、構造体ＫＢ１等を挟む構成の間に所定の間隔を設けることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の複合材料などを構造体ＫＢ１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

《封止材７０５》
無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５等に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５等に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５等に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５等に用いることができる。

《接合層５０５》
例えば、封止材７０５に用いることができる材料を接合層５０５に用いることができる。

《絶縁膜５２１》
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１等に用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１等に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１等に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。

これにより、例えば絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

《絶縁膜５２８》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８等に用いることができる。具体的には、厚さ１μｍのポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《第１の絶縁膜５０１Ｃ》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を第１の絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を第１の絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または第２の表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜を第１の絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。

なお、第１の絶縁膜５０１Ｃは、開口部５９１Ａ、開口部５９１Ｂまたは開口部５９１Ｃを有する。

《配線、端子、導電膜》
導電性を備える材料を配線等に用いることができる。具体的には、導電性を備ええる材料を、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭ、配線ＡＮＯ、端子５１９Ｂ、端子５１９Ｃ、導電膜５１１Ｂまたは導電膜５１１Ｃ等に用いることができる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

《第１の導電膜、第２の導電膜》
例えば、配線等に用いることができる材料を第１の導電膜または第２の導電膜に用いることができる。

また、第１の電極５７１（ｉ，ｊ）または配線等を第１の導電膜に用いることができる。

また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタの導電膜５１２Ｂまたは配線等を第２の導電膜に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、信号線Ｓ１（ｊ）、信号線Ｓ２（ｊ）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび配線ＡＮＯと電気的に接続される（図５参照）。

画素回路５３０（ｉ，ｊ＋１）は、信号線Ｓ１（ｊ＋１）、信号線Ｓ２（ｊ＋１）、走査線Ｇ１（ｉ）、走査線Ｇ２（ｉ）、配線ＣＳＣＯＭおよび配線ＡＮＯと電気的に接続される。

なお、信号線Ｓ２（ｊ）に供給する信号に用いる電圧が、信号線Ｓ１（ｊ＋１）に供給する信号に用いる電圧と異なる場合、信号線Ｓ１（ｊ＋１）を信号線Ｓ２（ｊ）から離して配置する。具体的には、信号線Ｓ２（ｊ＋１）を信号線Ｓ２（ｊ）に隣接するように配置する。

画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２を含む。

例えば、走査線Ｇ１（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ１（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ１に用いることができる。

容量素子Ｃ１は、スイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極に電気的に接続される第１の電極と、配線ＣＳＣＯＭに電気的に接続される第２の電極と、を有する。

例えば、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続されるゲート電極と、信号線Ｓ２（ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、を有するトランジスタを、スイッチＳＷ２に用いることができる。

トランジスタＭは、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極に電気的に接続されるゲート電極と、配線ＡＮＯと電気的に接続される第１の電極と、を有する。

なお、半導体膜をゲート電極との間に挟むように設けられた導電膜を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる。例えば、トランジスタＭの第１の電極と同じ電位を供給することができる配線と電気的に接続された導電膜を用いることができる。

容量素子Ｃ２は、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタの第２の電極に電気的に接続される第１の電極と、トランジスタＭの第１の電極に電気的に接続される第２の電極と、を有する。

なお、第１の表示素子７５０の第１の電極をスイッチＳＷ１に用いるトランジスタの第２の電極と電気的に接続し、第１の表示素子７５０の第２の電極を配線８１または配線８２と電気的に接続する。これにより、第１の表示素子７５０を駆動することができる。

また、第２の表示素子５５０の第１の電極をトランジスタＭの第２の電極と電気的に接続し、第２の表示素子５５０の第２の電極を配線ＶＣＯＭ２と電気的に接続する。これにより、第２の表示素子５５０を駆動することができる。

《スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ》
例えば、ボトムゲート型またはトップゲート型等のトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ等に用いることができる。

例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコンなどを半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

例えば、酸化物半導体を半導体膜に用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタと比較して、オフ状態におけるリーク電流が小さいトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ等に用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜５０８に用いたトランジスタをスイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、トランジスタＭ、トランジスタＭＤ等に用いることができる。

これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタは、半導体膜５０８および半導体膜５０８と重なる領域を備える導電膜５０４を備える（図１７（Ｂ）参照）。また、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタは、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える。

なお、導電膜５０４はゲート電極の機能を備え、絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。また、導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟むように設けられた導電膜５２４を備えるトランジスタを、トランジスタＭに用いることができる（図１７（Ｃ）参照）。

タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。

シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した材料を絶縁膜５０６に用いることができる。

インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。

《第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）》
例えば、光の反射または透過を制御する機能を備える表示素子を、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）等に用いることができる。例えば、液晶素子と偏光板を組み合わせた構成またはシャッター方式のＭＥＭＳ表示素子等を用いることができる。反射型の表示素子を用いることにより、表示パネルの消費電力を抑制することができる。具体的には、反射型の液晶表示素子を第１の表示素子７５０に用いることができる。

ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ　Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ　ａｌｉｇｎｅｄ　Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

また、例えば垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　Ｐｉｎｗｈｅｅｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる液晶素子を用いることができる。

例えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることができる。

反射型の液晶素子でＦＦＳモードを利用する場合、液晶素子が有する液晶層の初期の配向状態が垂直配向である動作モードを利用することが好ましい。なお、この動作モードをＶＡ−ＦＦＳモードと示すこともある。以下の説明でもＶＡ−ＦＦＳモードと示すこととする。

反射型のＶＡ−ＦＦＳモードの特性について図２１を用いて説明する。

図２１（Ａ）は反射型のＶＡ−ＦＦＳモードの電気光学特性である。図２１（Ａ）の横軸は液晶素子に印加する電圧を、縦軸は反射率をそれぞれ模式的に示したものである。図２１（Ｂ）、図２１（Ｃ）はＶＡ−ＦＦＳモードの液晶素子の概略図である。液晶層８００を基板８０６と基板８０８が挟持している。基板８０８は光透過性を有する領域を一部、あるいは全部に有する。基板８０６は電極８０２、電極８０４を有する。基板８０６、電極８０２、電極８０４は光反射性を有する。また、基板８０６、電極８０２、電極８０４が光透過性を有し、基板８０６の下方に図示しない反射板等を配置してもよい。基板８０６および／または基板８０８の、液晶層８００の側の液晶層８００が接触する面の一部、または全面には配向膜が形成されていてもよい。配向膜は液晶層が有する液晶分子の異方性を示す軸が配向膜の表面に対して垂直に配向するような特性を示す材料を有する。図２１（Ｂ）、図２１（Ｃ）には液晶分子の模式的な図として液晶分子８１０を示す。液晶分子８１０の長軸が基板８０６、８０８に対して垂直な方向に配向している。

ここで「垂直」は基板８０６、基板８０８の表面の法線方向のみならず、そこから、３°程度の傾き角を示していてもよいこととする。すなわち液晶分子８１０の、基板８０６、８０８の表面の法線方向からの傾き角は−３°以上、３°以下とすることが可能である。

さらに液晶素子の外部には円偏光板８１２を有する。

電極８０２、８０４は導電性を有する。電極８０２、電極８０４には図示しない電源装置等が電気的に接続されており、電圧を印加することが可能になっている。

次に反射型のＶＡ−ＦＦＳモードの電気光学特性を説明する。

電極８０２、電極８０４の間に電界を印加して、液晶分子８１０が電界との相互作用で配向方向を変化させ始めるまでの電圧（図２１（Ａ）の横軸に示したＶｍｉｎは）以下では反射率に変化はない。

液晶素子の外部から入射する光は円偏光板８１２を通過する。円偏光板は直線偏光の偏光板と１／４波長板を組み合わせた構成となっている。入射した光はまず直線偏光の偏光板を通過することで直線偏光となり、続いて波長板を通過することで円偏光となる。

Ｖｍｉｎ以下では液晶層８００の液晶分子８１０が基板８０６、８０８の表面に垂直な方向に対する傾き角がほとんど変化しないため、液晶層８００の複屈折性は無い、あるいはほとんど無い状態であり、光は偏光状態を変化させることなく基板８０６に到達する。

基板８０６、電極８０２、電極８０４が光反射性を有する場合、到達した光は反射され、再度液晶層８００を通過して、円偏光板８１２に到達する。

続いて円偏光板８１２が有する１／４波長板を通過し、さらに直線偏光の偏光板に到達する。このとき、入射光が直線偏光の偏光板を通過して得られた直線偏光の振動方向に対して、９０°回転した状態で再び直線偏光の偏光板に入射する為、直線偏光の偏光板で光が遮断され、外部に光が放出されることは無い。

なお、基板８０６、電極８０２、電極８０４が光透過性を有し、基板８０６の下方に反射板等を配置した場合も同様の結果となる。

次に、電極８０２、電極８０４の間にＶｍｉｎよりも大きい電圧を印加すると、液晶分子８１０の傾き角が大きくなり、その結果、液晶層８００において複屈折性を示すようになる。この場合、液晶素子に入射した光は、偏光状態を変化させる。

基板８０６、電極８０２、電極８０４が光反射性を有する場合、到達した光は反射され、再度液晶層８００を通過して、円偏光板８１２に到達するが、液晶層８００の示す複屈折性により偏光状態が変化しているため、円偏光板の有する直線偏光の偏光板に光が到達しても、遮断し切れない。その結果、液晶素子の外部に反射光が放出される。

電極８０２、電極８０４の間に印加する電圧の大きさをさらに大きくすることで、より高い反射率が得られるようになる。

なお、図２１（Ａ）に示す電気光学特性は液晶層８００の特性に依存する。電極８０２、電極８０４の間に印加する電圧範囲が大きくなると消費電力が増大してしまう。適切な大きさの電圧で動作できるように液晶層８００の特性として、屈折率異方性、誘電率異方性、弾性定数、さらには液晶層８００の厚みなどを、適宜選択する。

《第１の電極７５１（ｉ，ｊ）》
例えば、配線等に用いる材料を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部に用いることができる。具体的には、反射膜を第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部に用いることができる。

《反射膜》
例えば、可視光を反射する材料を反射膜に用いることができる。具体的には、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。

反射膜は、例えば、液晶材料を含む層７５３を透過してくる光を反射する。これにより、第１の表示素子７５０を反射型の液晶素子にすることができる。また、例えば、表面に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざまな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

なお、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の一部を反射膜に用いる構成に限られない。例えば、液晶材料を含む層７５３と第１の電極７５１（ｉ，ｊ）の間に反射膜を配設する構成を用いることができる。または、反射膜と液晶材料を含む層７５３の間に透光性を有する第１の電極７５１（ｉ，ｊ）を配置する構成を用いることができる。

たとえば、後述の第２の電極７５４にて光反射性の導電膜を用いる場合には、第１の電極７５１（ｉ，ｊ）は光透過性の導電膜を用いてもよい。

《開口部７５１Ｈ》
非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が大きすぎると、第１の表示素子７５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口部７５１Ｈの総面積の比の値が小さすぎると、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）を用いた表示が暗くなってしまう。

また、反射膜に設ける開口部７５１Ｈの面積が小さすぎると、第２の表示素子５５０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。

多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状を開口部７５１Ｈの形状に用いることができる。また、開口部７５１Ｈを隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部７５１Ｈを同じ色を表示する機能を備える他の画素に寄せて配置する。これにより、第２の表示素子５５０が射出する光が隣接する画素に配置された着色膜に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制できる。

　このような構成を用いることで、表示装置としてのコントラストや、色再現性が向上する。

《第２の電極７５４》
例えば、可視光について透光性を有し且つ導電性を備える材料を、第２の電極７５４に用いることができる。

例えば、導電性酸化物、光が透過する程度に薄い金属膜または金属ナノワイヤーを第２の電極７５４に用いることができる。

具体的には、インジウムを含む導電性酸化物を第２の電極７５４に用いることができる。または、厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の金属薄膜を第２の電極７５４に用いることができる。または、銀を含む金属ナノワイヤーを第２の電極７５４に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを、第２の電極７５４に用いることができる。

《配向膜ＡＦ１、配向膜ＡＦ２》
例えば、ポリイミド等を含む材料を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。具体的には、所定の方向に配向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができる。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜ＡＦ１または配向膜ＡＦ２に用いることができる。

《着色膜ＣＦ１》
所定の色の光を透過する材料を着色膜ＣＦ１に用いることができる。これにより、着色膜ＣＦ１を例えばカラーフィルターに用いることができる。

例えば、青色の光を透過する材料、緑色の光を透過する材料、赤色の光を透過する材料、黄色の光を透過する材料または白色の光を透過する材料などを着色膜ＣＦ１に用いることができる。

《遮光膜ＢＭ》
光の透過を妨げる材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、遮光膜ＢＭを例えばブラックマトリクスに用いることができる。

《絶縁膜７７１》
例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を絶縁膜７７１に用いることができる。

《機能膜７７０Ｐ》
例えば、偏光板、位相差板、拡散フィルム、反射防止膜または集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。７７０Ｐは円偏光板としての機能を有していてもよい。または、２色性色素を含む偏光板を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

《第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）》
例えば、発光素子を第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードなどを、第２の表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、青色の光を射出するように積層された積層体、緑色の光を射出するように積層された積層体または赤色の光を射出するように積層された積層体等を、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、信号線Ｓ１（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。また、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）とは異なる色の光を射出する信号線Ｓ１（ｊ＋１）に沿って列方向に長い帯状の積層体を、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ＋１）に用いることができる。

また、例えば、白色の光を射出するように積層された積層体を、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）および発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ＋１）に用いることができる。具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の有機化合物を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層体を、発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ）および発光性の有機化合物を含む層５５３（ｊ＋１）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）または第４の電極５５２に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された、可視光について透光性を有する材料を、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを、第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を第３の電極５５１（ｉ，ｊ）に用いることができる。

例えば、配線等に用いることができる材料から選択された可視光について反射性を有する材料を、第４の電極５５２に用いることができる。

　また、第２の表示素子は、第１の表示素子に対して独立に駆動させることが可能である。

《駆動回路ＧＤ》
シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、トランジスタＭＤ、容量素子等を駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭと同一の工程で形成することができる半導体膜を備えるトランジスタを用いることができる。

または、スイッチＳＷ１に用いることができるトランジスタと異なる構成をトランジスタＭＤに用いることができる。具体的には、導電膜５２４を有するトランジスタをトランジスタＭＤに用いることができる（図１７（Ｃ）参照）。

導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟むように、導電膜５２４を配設し、導電膜５２４および半導体膜５０８の間に絶縁膜５１６を配設し、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に絶縁膜５０６を配設する。例えば、導電膜５０４と同じ電位を供給する配線に導電膜５２４を電気的に接続する。

なお、トランジスタＭと同一の構成を、トランジスタＭＤに用いることができる。

《駆動回路ＳＤ》
例えば、集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。具体的には、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ）法を用いて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続されるパッドに駆動回路ＳＤを実装することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。

なお、パッドは、端子５１９Ｂまたは端子５１９Ｃと同一の工程で形成することができる。

《パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２》
　またパルス電圧出力回路６０１及び電流検出回路６０２は、一例としては、１つのＩＣの中に形成されていることが好ましい。該ＩＣは、例えばタッチパネルに実装されること、若しくは電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また可撓性を有するタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大きくなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。例えばシグナル−ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高める駆動方法が適用されたＩＣを用いることが好ましい。

　またタッチセンサとして配線の交差部に容量のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。

＜酸化物半導体の抵抗率の制御方法＞
酸化物半導体膜の抵抗率を制御する方法について説明する。

所定の抵抗率を備える酸化物半導体膜を、半導体膜５０８または導電膜５２４等に用いることができる。

例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素、水等の不純物の濃度及び／又は膜中の酸素欠損を制御する方法を、酸化物半導体の抵抗率を制御する方法に用いることができる。

具体的には、プラズマ処理を水素、水等の不純物濃度及び／又は膜中の酸素欠損を増加または低減する方法に用いることができる。

具体的には、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、水素、ボロン、リン及び窒素の中から選ばれた一種以上を含むガスを用いて行うプラズマ処理を適用できる。例えば、Ａｒ雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、または窒素雰囲気下でのプラズマ処理などを適用できる。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、イオン注入法、イオンドーピング法またはプラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いて、水素、ボロン、リンまたは窒素を酸化物半導体膜に注入して、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

または、水素を含む絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に水素を拡散させる方法を用いることができる。これにより、酸化物半導体膜のキャリア密度を高め、抵抗率を低くすることができる。

例えば、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の絶縁膜を酸化物半導体膜に接して形成することで、効果的に水素を酸化物半導体膜に含有させることができる。具体的には、窒化シリコン膜を酸化物半導体膜に接して形成する絶縁膜に用いることができる。

酸化物半導体膜に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子（または酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。これにより、キャリア密度が高く、抵抗率が低い酸化物半導体膜にすることができる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物半導体を導電膜５２４に好適に用いることができる。

一方、抵抗率の高い酸化物半導体をトランジスタのチャネルが形成される半導体膜に用いることができる。具体的には半導体膜５０８に好適に用いることができる。

例えば、酸素を含む絶縁膜、別言すると、酸素を放出することが可能な絶縁膜を酸化物半導体に接して形成し、絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素を供給させて、膜中または界面の酸素欠損を補填することができる。これにより、抵抗率が高い酸化物半導体膜にすることができる。

例えば、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を、酸素を放出することが可能な絶縁膜に用いることができる。

酸素欠損が補填され、水素濃度が低減された酸化物半導体膜は、高純度真性化、又は実質的に高純度真性化された酸化物半導体膜といえる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体膜のキャリア密度が、８×１０^１１／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１１／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１０／ｃｍ^３未満であることを指す。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度を低減することができる。

また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が１×１０^６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０^−１３Ａ以下という特性を備えることができる。

上述した高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜をチャネル領域に用いるトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。

具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度が、２×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を、トランジスタのチャネルが形成される半導体に好適に用いることができる。

なお、半導体膜５０８よりも水素濃度及び／又は酸素欠損量が多く、抵抗率が低い酸化物半導体膜を、導電膜５２４に用いる。

また、半導体膜５０８に含まれる水素濃度の２倍以上、好ましくは１０倍以上の濃度の水素を含む膜を、導電膜５２４に用いることができる。

また、半導体膜５０８の抵抗率の１×１０^−８倍以上１×１０^−１倍未満の抵抗率を備える膜を、導電膜５２４に用いることができる。

具体的には、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^４Ωｃｍ未満、好ましくは、１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−１Ωｃｍ未満である膜を、導電膜５２４に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、または表示システムを有する表示モジュール及び電子機器について、図２２、図２３を用いて説明を行う。

図２２（Ａ）乃至（Ｈ）及び図２３は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することができる。

図２２（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図２２（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２２（Ｃ）はテレビジョン装置であり、上述したものの他に、スタンド５０１２等を有することができる。また、テレビジョン装置の操作は、筐体５０００が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機５０１３により行うことができる。リモコン操作機５０１３が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５００１に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機５０１３に、当該リモコン操作機５０１３から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。図２２（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２２（Ｅ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図２２（Ｆ）は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図２２（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。図２２（Ｈ）は腕時計型情報端末であり、上述したもののほかに、バンド５０１８、留め金５０１９、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体５０００に搭載された表示部５００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部５００１は、時刻を表すアイコン５０２０、その他のアイコン５０２１等を表示することができる。図２３（Ａ）はデジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）である。図２３（Ｂ）は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。

図２２（Ａ）乃至（Ｈ）及び図２３に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２２（Ａ）乃至（Ｈ）及び図２３に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

本実施の形態の電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有することを特徴とする。該表示部に、本発明の一態様のタッチパネルを適用することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１０　　表示装置
１１　　基板
１２　　基板
１３　　ＦＰＣ
１４　　導電層
１５　　接続層
２０　　液晶素子
２１　　導電層
２２　　導電層
２３　　液晶
２５　　開口部
２７　　発光素子
３１　　着色膜
４１　　導電層
４１ａ　　導電層
４１ｂ　　導電層
５１　　画素電極
５２　　共通電極
５５　　センサ電極
５６　　センサ電極
５７　　配線
６１　　配線
６２　　配線
６３　　トランジスタ
６４　　液晶素子
６５＿１　　ブロック
６５＿２　　ブロック
６６　　配線
６７＿１　　ブロック
６７＿４　　ブロック
７１　　配線
７１＿１　　配線
７１＿２　　配線
７２　　配線
７２＿１　　配線
７２＿２　　配線
７２＿４　　配線
８１　　配線
８１＿１　　配線
８１＿２　　配線
８２　　配線
８２＿１　　配線
３１０　　タッチパネル
３３１　　導電層
３３２　　導電層
３３５　　導電層
３４１　　導電層
３７１　　基板
３７２　　基板
３７３　　ＦＰＣ
３７３ａ　　ＦＰＣ
３７３ｂ　　ＦＰＣ
３７４　　ＩＣ
３８１　　表示部
３８２　　駆動回路
３８３　　配線
３８４　　駆動回路
３８５　　接続部
５０１Ｃ　　絶縁膜
５０４　　導電膜
５０５　　接合層
５０６　　絶縁膜
５０８　　半導体膜
５１１Ｂ　　導電膜
５１１Ｃ　　導電膜
５１２Ａ　　導電膜
５１２Ｂ　　導電膜
５１６　　絶縁膜
５１８　　絶縁膜
５１９Ｂ　　端子
５１９Ｃ　　端子
５２０　　機能層
５２１　　絶縁膜
５２２　　接続部
５２４　　導電膜
５２８　　絶縁膜
５３０　　画素回路
５５０　　表示素子
５５１　　電極
５５２　　電極
５５３　　層
５７０　　基板
５７１　　電極
５９１Ａ　　開口部
５９１Ｂ　　開口部
５９１Ｃ　　開口部
６０１　　パルス電圧出力回路
６０２　　電流検出回路
６０３　　容量
６２１　　電極
６２２　　電極
７００　　表示装置
７０２　　画素
７０５　　封止材
７５０　　表示素子
７５１　　電極
７５１Ａ　導電膜
７５１Ｂ　導電膜
７５１Ｃ　導電膜
７５１Ｄ　導電膜
７５１Ｈ　　開口部
７５３　　層
７５４　　電極
７５５　　導電膜
７５６　　配線
７５６＿１　　配線
７５８　　接続部
７６２　　接続部
７６４　　配線
７６６　　反射膜
７７０　　基板
７７０Ｐ　　機能膜
７７１　　絶縁膜
８００　　液晶層
８０２　　電極
８０４　　電極
８０６　　基板
８０８　　基板
８１０　　液晶分子
８１２　　円偏光板
８５０　　等価回路
９０６　　配線
９０８　　領域
５０００　　筐体
５００１　　表示部
５００２　　表示部
５００３　　スピーカ
５００４　　ＬＥＤランプ
５００５　　操作キー
５００６　　接続端子
５００７　　センサ
５００８　　マイクロフォン
５００９　　スイッチ
５０１０　　赤外線ポート
５０１１　　記録媒体読込部
５０１２　　スタンド
５０１３　　リモコン操作機
５０１４　　アンテナ
５０１５　　シャッターボタン
５０１６　　受像部
５０１７　　充電器
５０１８　　バンド
５０１９　　留め金
５０２０　　アイコン
５０２１　　アイコン

Claims

　信号線と、画素と、タッチセンサを有し、
　前記画素は、前記信号線と電気的に接続され、
　前記画素は、第１の表示素子と、第１の導電膜と、第２の導電膜と、第１の絶縁膜と、画素回路と、第２の表示素子と、を有し、
　前記第１の導電膜は、前記第１の表示素子と電気的に接続され、
　前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜と重なる領域を備え、
　前記第１の絶縁膜は、前記第２の導電膜と前記第１の導電膜の間に挟まれる領域を備え
　前記第１の絶縁膜は、開口部を備え。
　前記第２の導電膜は、前記開口部において前記第１の導電膜と電気的に接続され、
　前記画素回路は、前記第２の導電膜と電気的に接続され、
　前記画素回路は、前記信号線と電気的に接続され、
　前記第１の表示素子は、前記タッチセンサとしての機能を有し、
　前記第２の表示素子は、前記画素回路と電気的に接続される、表示装置。
　前記画素回路は、スイッチを備え、
　前記スイッチはトランジスタを含み、
　前記トランジスタは、酸化物半導体を含む、請求項１に記載の表示装置。
　前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子が表示をする方向と同一の方向に表示をする機能を備える、請求項１に記載の表示装置。
　前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子が表示をする領域に囲まれた領域に表示をする機能を備える、請求項１に記載の表示装置。
　前記第１の表示素子は、反射膜と、反射する光の強さを制御する機能と、を有し、
　前記反射膜は、入射する光を反射する機能を備え、
　前記反射膜は、開口部を備え、
　前記第２の表示素子は、
　前記開口部に向けて光を射出する機能を有する、請求項１に記載の表示装置。
　前記画素と、一群の複数の画素と、他の一群の複数の画素と、走査線と、を有し、
　前記一群の複数の画素は、前記画素を含み、
　前記一群の複数の画素は、行方向に配設され、
　前記他の一群の複数の画素は、前記画素を含み、
　前記他の一群の複数の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
　前記走査線は、前記行方向に配設される複数の画素と電気的に接続され、
　前記列方向に配設される他の一群の複数の画素は、前記信号線と電気的に接続され、
　一の画素の行方向または列方向に隣接する他の画素は、前記一の画素に対する前記開口部の配置と異なるように前記他の画素に配置された開口部を備える、請求項１に記載の表示装置。