JP2018040791A5 - - Google Patents
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Description
実施例1の撮像装置において、第1の基板は第2の基板に形成された被覆層と接合されており、温度検出素子の下方に位置するシリコン層は、シリコン層よりもエッチングされ難い被覆層及び隔壁の側壁によって囲まれている。従って、温度検出素子と被覆層との間に、確実に、しかも、高い精度で空所を設けることができる。その結果、例えば、赤外線吸収層に、所望の波長を有する赤外線を、確実に、高い効率で吸収させることができ、温度検出素子における検出感度の向上を図ることができる。また、任意の公知の駆動回路、信号処理回路を備えた第2構造体を組み合わせることが可能となるため、撮像装置の製造コストの低減、設計自由度の向上、設計時間の短縮化を図ることができるし、入出力ピン数の削減、入出力信号帯域の低減が可能となる。
[工程−240]
駆動回路が設けられた第2構造体40を準備する。尚、被覆層43には、赤外線反射層62を形成しておく。そして、周知の方法で、隔壁123と被覆層43とを、真空雰囲気下で接合する。次いで、周辺領域12,14において、駆動線72及び信号線71を、駆動回路と、例えば、図示しないスルーシリコンビヤ(TSV)によって電気的に接続する。こうして、図5Aに示した撮像装置10Aを得ることができる。その後、得られた撮像装置10Aをパッケージする。
駆動回路が設けられた第2構造体40を準備する。尚、被覆層43には、赤外線反射層62を形成しておく。そして、周知の方法で、隔壁123と被覆層43とを、真空雰囲気下で接合する。次いで、周辺領域12,14において、駆動線72及び信号線71を、駆動回路と、例えば、図示しないスルーシリコンビヤ(TSV)によって電気的に接続する。こうして、図5Aに示した撮像装置10Aを得ることができる。その後、得られた撮像装置10Aをパッケージする。
実施例7にあっては、より具体的には、U0=2とした。従って、uの値は、1又は2である。即ち、駆動線の数は2S0本である。奇数番目の駆動線72A(721,1,722,1,723,1・・・)に接続された温度検出素子を参照番号715Aで示し、偶数番目の駆動線72B(721,2,722,2,72 3,2 ・・・)に接続された温度検出素子を参照番号715Bで示す。
実施例9は、本開示の第7の態様に係る撮像装置に関する。実施例9の撮像装置は、
第1構造体20及び第2構造体40から構成されており、
第1構造体20は、
第1基板21、
第1基板21に設けられ、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に(具体的には、2次元マトリクス状に)配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子15、
第1の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子15が接続された複数の駆動線72、及び、
第2の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子15が接続された複数の信号線71、
を備えている。そして、第2構造体40は、
第2基板41、及び、
第2基板41に設けられた駆動回路、
を備えており、
第1構造体20は、複数の温度検出素子15を備えた温度検出素子アレイ領域11、及び、温度検出素子アレイ領域11を取り囲む周辺領域12を備えており、
第2構造体40は、赤外線が入射する第1基板の側に取り付けられており、
周辺領域12において、駆動線72及び信号線71は、駆動回路と電気的に接続されている。
第1構造体20及び第2構造体40から構成されており、
第1構造体20は、
第1基板21、
第1基板21に設けられ、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に(具体的には、2次元マトリクス状に)配列され、赤外線に基づき温度を検出する複数の温度検出素子15、
第1の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子15が接続された複数の駆動線72、及び、
第2の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子15が接続された複数の信号線71、
を備えている。そして、第2構造体40は、
第2基板41、及び、
第2基板41に設けられた駆動回路、
を備えており、
第1構造体20は、複数の温度検出素子15を備えた温度検出素子アレイ領域11、及び、温度検出素子アレイ領域11を取り囲む周辺領域12を備えており、
第2構造体40は、赤外線が入射する第1基板の側に取り付けられており、
周辺領域12において、駆動線72及び信号線71は、駆動回路と電気的に接続されている。
ここで、実施例1〜実施例10の撮像装置において、各信号線71における電圧は、アナログ・フロント・エンド(AFE)83を構成する差動積分回路83Aの一方の入力部に入力される。また、差動積分回路83Aの他方の入力部には基準電圧(参照電圧)が、配線83Bを介して入力される。配線83Bは、また、定電流回路83Cに接続されている。更には、各信号線71と配線83Bとを短絡するためのスイッチ手段83Dが、各信号線71と配線83Bとの間に配設されている。尚、定電流回路83Cを信号線毎に配設した構成により、配線抵抗による電圧降下に起因した誤差を低減することができる。即ち、定電流回路83Cを信号線毎に配設すると、配線83Bの電流分布と駆動線72の電流分布を概ね同等にすることができる。電流分布が同等で、なおかつ、配線83Bと駆動線72の長さ当たりの配線抵抗値を概ね同等にすると、配線抵抗と電流の積による電圧降下を列毎にほぼ等しくすることができる。配線83Bの電圧降下は差動積分回路83Aのプラス側の端子電圧を低下させ、駆動線72の電圧降下は差動積分回路83Aのマイナス側の端子電圧を低下させるが、プラス側の端子とマイナス側の端子の等しい電圧降下は差動積分によって相殺されるため、差動積分回路83Aの出力端子に現れる誤差が低減される。
10,10A・・・撮像装置、11・・・温度検出素子アレイ領域、13・・・中央領域、12,14・・・周辺領域、15,115,15A,15B,15C,615A,615B,715A,715B・・・温度検出素子、20・・・第1構造体、21,121・・・第1基板(温度検出素子用基板)、121A・・・第1基板の第2面、122・・・保護基板、21B,121B・・・第1基板の第2面、22・・・シリコン層、22A・・・シリコン層から延びる凸部、23,123・・・隔壁、24・・・隔壁の側壁、24A・・・凸部の側壁、25A・・・ダイヤフラム部(架空部、架空薄層部)、25B・・・絶縁材料層、25C・・・第1スタッド部、25D・・・第2スタッド部、26・・・絶縁膜、30・・・pn接合ダイオード、31・・・配線、40・・・第2構造体、41・・・第2基板、42・・・駆動回路が形成された層、43・・・被覆層(層間絶縁層)、50・・・空所、51・・・空洞、61,61A,61B,61C,61D・・・赤外線吸収層、62,62A,62B・・・赤外線反射層、63・・・熱伝導層、64・・・温度制御層(ヒータ)、71,71A,711,1,712,1,713,1,71B,711,2,712,2,713,2・・・信号線、72,72A,721,1,722,1,723,1,72B,721,2,722,2,723,3・・・駆動線、73・・・コンタクトホール、81・・・垂直走査回路、82・・・定電流回路、83,83a,83b・・・アナログ・フロント・エンド(AFE)、83A・・・差動積分回路、83B・・・配線、83C・・・定電流回路、83D・・・スイッチ手段、84・・・サンプルホールド回路、85,85a,85b・・・アナログ−デジタル変換回路(ADC)、86・・・水平走査回路、90・・・SOI基板、91・・・第1シリコン層、92・・・SiO2層、93・・・第2シリコン層、94・・・第1犠牲層、95・・・第2犠牲層、96・・・支持基板、97・・・犠牲層、101,102,103・・・集光素子(レンズ)、111・・・遮光部、201・・・温度検出素子用基板、202・・・駆動回路チップ、203・・・半田バンプ、301・・・レンズ、302・・・シャッター、303・・・撮像装置、304・・・駆動回路、305・・・電源部、306・・・記憶媒体、307・・・ビデオ出力部、308・・・各種インターフェース
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