JP2018036618A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018036618A
JP2018036618A JP2016239988A JP2016239988A JP2018036618A JP 2018036618 A JP2018036618 A JP 2018036618A JP 2016239988 A JP2016239988 A JP 2016239988A JP 2016239988 A JP2016239988 A JP 2016239988A JP 2018036618 A JP2018036618 A JP 2018036618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
color filter
light emitting
inorganic film
color filters
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016239988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6595444B2 (ja
Inventor
チョンスン・キム
Jongsung Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020160139009A external-priority patent/KR101853390B1/ko
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of JP2018036618A publication Critical patent/JP2018036618A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6595444B2 publication Critical patent/JP6595444B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による開口率の低下や混色の発生を防止する。【解決手段】複数のカラーフィルタ、複数のカラーフィルタを覆う無機膜、および複数のカラーフィルタの間で無機膜上に配置されたブラックマトリクスを備える。また、互いに離隔して配置された第１及び第３カラーフィルタ、第１及び第３カラーフィルタを覆い、第１及び第３カラーフィルタとの間の空間に配置された無機膜、および第１及び第３カラーフィルタとの間の空間で無機膜上に配置される第２カラーフィルタを備える。さらに、第１カラーフィルタ、第１カラーフィルタの隣りに配置された第２カラーフィルタ、および第１及び第２カラーフィルタの間に配置され、反射金属を含むブラックマトリックスを具備する。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関するものである。
情報化社会が発展するにつれて映像を表示するための表示装置への要望が様々な形で高まっている。それにより、最近では、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP：Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（OLED：Organic Light Emitting Display）などの様々な表示装置が活用されている。
表示装置のうち、有機発光表示装置は、自己発光型であり、液晶表示装置（LCD）に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別個のバックライトを必要としないため軽量薄型化が可能で、消費電力において有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安価な長所がある。
有機発光表示装置は、有機発光素子をそれぞれ含む画素、および画素を定義するために画素を区画するバンクを含む。バンクは、画素定義膜として機能し得る。有機発光素子は、アノード電極、正孔輸送層（hole transporting layer）、有機発光層（organic light emitting layer）、電子輸送層（electron transporting layer）、およびカソード電極を含む。ここで、アノード電極に高電位の電圧が印加され、カソード電極に低電位の電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて有機発光層に移動して、有機発光層で互いに結合して発光することになる。
有機発光素子は、赤色、緑色、および青色光を発光する赤色、緑色、および青色有機発光素子を含むか、または、白色光を発光する白色有機発光素子だけを含むことができる。有機発光素子が白色有機発光素子のみを含む場合、赤色、緑色、および青色を具現するための赤色、緑色、青色のカラーフィルタが必要である。カラーフィルタとカラーフィルタを区画するブラックマトリックスは、すべてフォト工程で形成される。しかし、この場合、フォト工程の誤差により、開口率の低下および混色が発生し得る。
図１ａ〜図１ｃは、ブラックマトリックス、カラーフィルタ、およびバンクの工程誤差による開口率の低下や混色の発生を具体的に示した例示図である。図１ａ〜図１ｃは、説明の便宜上、アノード電極（AND）、有機発光層（OL）、カソード電極（CAT）、バンク（BANK）、ブラックマトリックス（BM）、第１及び第２カラーフィルタの（CF1、CF2）を例示した。
図１ａは、バンク（BANK）、ブラックマトリックス（BM）、第１及び第２カラーフィルタの（CF1、CF2）が工程誤差なしに正しく形成された場合を示しており、図１ｂは、バンク（BANK）と第１カラーフィルタ（CF1）が右に偏り、ブラックマトリックス（BM）と第２カラーフィルタ（CF2）が左に偏って形成され、ブラックマトリックス（BM）の幅（w2）が本来意図した幅（w1）より広く形成された場合を示している。図１ｂの場合、ブラックマトリックス（BM）がバンク（BANK）を超えて発光部（EA）と重畳する。したがって、発光部（EA）の開口率が低り得る。
図１ｃは、バンク（BANK）、ブラックマトリックス（BM）、第１カラーフィルタ（CF1）が右に偏り、第２カラーフィルタ（CF2）が左に偏って形成され、ブラックマトリックス（BM）の幅（w3）が本来意図した幅（w1）より狭く形成された場合を示している。図１ｃの場合、ブラックマトリックス（BM）が、第１および第２カラーフィルタの（CF1、CF2）が重畳した領域を覆うことができない。したがって、第１および第２カラーフィルタの（CF1、CF2）が重畳した領域を通過する光（L）によって混色が発生し得る。
すなわち、ブラックマトリックス（BM）とカラーフィルタ（CF1、CF2）の工程誤差によって発光部（EA）の開口率が低下したり、混色が発生したりし得る。
したがって、本発明は、従来技術の限界及び欠点に起因する１つ以上の問題を実質的に解消する透明な表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による開口率の低下や混色の発生を防止し得る表示装置を提供する。
本発明のさらなる利点および特徴は、以下の説明に部分的に記載され、以下の記載を検討することにより当業者に明らかになるか、または本発明の実施例から学ぶことができる。本発明の目的および他の利点は、明細書および添付の図において特に指摘された構造によって実現および達成され得る。
本発明に係る表示装置は、複数のカラーフィルタ、複数のカラーフィルタを覆う無機膜、および複数のカラーフィルタの間で無機膜上に配置されたブラックマトリクスを備える。
本発明の他の発明に係る表示装置は、所定の間隔で離隔して配置された第１及び第３カラーフィルタ、第１及び第３カラーフィルタを覆い、第１及び第３カラーフィルタの間の空間に配置された無機膜、及び第１及び第３カラーフィルタとの間の空間で無機膜上に配置される第２カラーフィルタを備える。
本発明のまた他の発明に係る表示装置は、第１カラーフィルタ、第１カラーフィルタの隣りに配置された第２カラーフィルタ、及び第１及び第２カラーフィルタの間に配置され、反射金属層からなるブラックマトリックスを備える。
前述の一般的な説明および以下の本発明の詳細な説明は、例示的および説明的なものであり、本発明の特許請求の範囲の記載に対してさらなる説明を提供することを意図していることを理解されたい。
本出願に添付された本出願の一部を構成する図は、本発明の実施例を示して本発明のさらなる理解を提供して、明細書と共に本発明の原理を説明する役割を果たす。
ブラックマトリックス、カラーフィルタ、およびバンクの設計誤差による開口率の低下や混色の発生を示した例示図である。 ブラックマトリックス、カラーフィルタ、およびバンクの設計誤差による開口率の低下や混色の発生を示した例示図である。 ブラックマトリックス、カラーフィルタ、およびバンクの設計誤差による開口率の低下や混色の発生を示した例示図である。 本発明の一実施例に係る表示装置を示した斜視図である。 図２の第１基板、ゲート駆動部、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。 表示領域の画素の一例を示した平面図である。 図４のＩ−Ｉ’の一例を示した断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。 図４のＩ−Ｉ’の別の例を示した断面図である。 図４のＩ−Ｉ’のまた別の例を示した断面図である。 散乱粒子を含むカラーフィルタを備えた他の構造を示した断面図である。 散乱粒子を含むカラーフィルタを備えた他の構造を示した断面図である。 散乱粒子を含むカラーフィルタを備えた他の構造を示した断面図である。 表示領域の画素の他の例を示した平面図である。 図１１のＩＩ−ＩＩ’の一例を示した断面図である。 本発明の他の実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 図１１のＩＩ−ＩＩ’の他の例を示した断面図である。 図１１のＩＩ−ＩＩ’のまた他の例を示した断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図とともに詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にして本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されているものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義される。
本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するに当たって、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。
本明細書で言及した「含む」、「有する」、「なされる」などが用いられている場合は、「〜のみ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
位置関係の説明の場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜の横に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
時間関係に対する説明の場合、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」など、時間的前後関係が説明されている場合、「すぐ」または「直接」が使用されていない以上、連続していない場合も含むことができる。
第１、第２など、多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得る。
「X軸方向」、「Y軸方向」および「Z軸方向」とは、互いの関係が垂直方向に成り立った幾何学的な関係だけに解釈してはならず、本発明の構成は、機能的に作用し得る範囲内より広い方向性を有することを意味し得る。
「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むことができると理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目及び第３項目の中から少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目の各々のみならず、第１項目、第２項目及び第３項目の中から2以上から提示し得るすべての項目の組み合わせを意味し得る。
本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的に、または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例は、互いに独立して実施可能であり得、連関関連によって一緒に実施することもできる。
以下、添付の図を参照して、本発明の実施例を詳細に説明することにする。
図２は、本発明の一実施例に係る表示装置を示した斜視図である。図３は図２の第１基板、ゲート駆動部、ソースドライブIC、軟性フィルム、回路基板、およびタイミング制御部を示した平面図である。以下では、本発明の一実施例に係る表示装置が有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display）であることを中心に説明したが、これに限定されない。つまり、本発明の一実施例に係る表示装置は、有機発光表示装置だけでなく、液晶表示装置（Liquid Crystal Display）、電界放出表示装置（Field Emission Display）、および電気泳動表示装置（Electrophoresis display）のいずれか一つで具現することもできる。
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、表示パネル１１０、ゲート駆動部１２０、ソースドライブ集積回路（integrated circuit,以下「IC」と称する）１３０、軟性フィルム１４０、回路基板１５０、およびタイミング制御部１６０を含む。
表示パネル１１０は、第１基板１１１と第２基板１１２を含む。第２基板１１２は、封止基板であり得る。第１基板１１１は、プラスチックフィルム（plastic film）またはガラス基板（glass substrate）であり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルムであり得る。
第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上にゲートライン、データライン、および画素が形成される。画素は、ゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に設けられる。
画素のそれぞれは、薄膜トランジスタと、第１電極、有機発光層、及び第２電極を備える有機発光素子を含むことができる。画素のそれぞれは、薄膜トランジスタを用いて、ゲートラインからゲート信号が入力される場合は、データラインのデータ電圧によって、有機発光素子に所定の電流を供給する。これにより、画素それぞれの有機発光素子は、所定の電流に応じて所定の明るさで発光し得る。画素それぞれの構造の説明は、図４、図５、図８、図９、図１１、図１２、図１５、及び図１６をまとめて後述する。
表示パネル１１０は、図３のように画素が形成されて画像を表示する表示領域（DA）と画像を表示しない非表示領域（NDA）に区分し得る。表示領域（DA）には、ゲートライン、データライン、および画素が形成され得る。非表示領域（NDA）には、ゲート駆動部１２０とパッドが形成され得る。
ゲート駆動部１２０は、タイミング制御部１６０から入力されるゲート制御信号に応じてゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域（DA）の一側または両側の外側の非表示領域（DA）にGIP（gate driver in panel）方式で形成し得る。または、ゲート駆動部１２０は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してTAB（tape automated bonding）方式で表示パネル１１０の表示領域（DA）の一側または両側外側の非表示領域（DA）に付着することもできる。
ソースドライブIC１３０は、タイミング制御部１６０からデジタルビデオデータとソース制御信号が入力する。ソースドライブIC１３０は、ソース制御信号に応じて、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブIC１３０を駆動チップに製作する場合、COF（chip on film）またはCOP（chip on plastic）方式で軟性フィルム１４０に実装し得る。
表示パネル１１０の非表示領域（NDA）には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム１４０には、パッドとソースドライブIC１３０を接続する配線、パッドと回路基板１５０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム１４０は、異方性導電フィルム（antisotropic conducting film）を用いて、パッド上に付着され、これにより、パッドと軟性フィルム１４０の配線が接続し得る。
回路基板１５０は、軟性フィルム１４０に付着し得る。回路基板１５０は、駆動チップで具現された多数の回路が実装され得る。例えば、回路基板１５０には、タイミング制御部１６０が実装され得る。回路基板１５０は、プリント回路基板（printed circuit board）またはフレキシブルプリント回路基板（flexible printed circuit board）であり得る。
タイミング制御部１６０は、回路基板１５０のケーブルを通じて外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が入力する。タイミング制御部１６０は、タイミング信号に基づいて、ゲート駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号とソースドライブIC１３０を制御するためのソース制御信号を発生する。タイミング制御部１６０は、ゲート制御信号をゲート駆動部１２０に供給して、ソース制御信号をソースドライブIC１３０に供給する。
図４は、表示領域の画素の一例を示した平面図である。図４では説明の便宜上、画素の発光部（RE、GE、BE、WE）、カラーフィルタ（RF、GF、BF）、透明有機膜（WF）、およびブラックマトリックス（BM）のみを示した。
図４を参照すると、発光部（RE、GE、BE、WE）のそれぞれは、アノード電極に対応する第１電極、有機発光層、およびカソード電極に対応する第２電極が順次積層されて、第１電極からの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して発光する領域を示す。
発光部（RE、GE、BE、WE）の有機発光層は、発光部（RE、GE、BE、WE）に共通層として形成されて白色光を発光する。第１カラーフィルタ（RF）は、赤色発光部（RE）に対応するように配置され、第２カラーフィルタ（GF）は、緑色発光部（GE）に対応するように配置され、第３カラーフィルタ（BF）は、青色発光部（BE）に対応するように配置され得る。また、透明有機膜（WF）は、白色発光部（WE）に対応するように配置され得る。これにより、赤色発光部（RE）は、第１カラーフィルタ（RF）によって赤色光を発光し、緑色発光部（GE）は、第２カラーフィルタ（GF）によって緑色光を発光し、青色発光部（BE）は、第３カラーフィルタ（CF）によって青色光を発光し得る。また、白色発光部（WE）は、カラーフィルタがなく、透明有機膜（WF）に重畳するため、白色光を発光し得る。
図４で、赤色発光部（RE）を含む赤色サブ画素、緑色発光部（GE）を含む緑色サブ画素、青色発光部（BE）を含む青色サブ画素、および白色発光部（WE）を含む白色サブ画素を一つの単位画素と定義し得る。しかし、本発明の実施例は、これに限定されず、白色サブ画素を省略し得る。この場合、赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素が一つの単位画素として定義し得る。
ブラックマトリックス（BM）は、カラーフィルタ（RF、GF、BF）と透明有機膜（WF）を区画する。そのため、ブラックマトリックス（BM）は、カラーフィルタ（RF、GF、BF）と透明有機膜（WF）との間に配置され得る。
図５は、図４のＩ−Ｉ’Ｉ−Ｉ’の一例を示した断面図である。
図５を参照すると、第２基板１１２と向き合う第１基板１１１の一面上にバッファ膜が形成される。バッファ膜は透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２２０と、有機発光素子２６０を保護するために、第１基板１１１の一面上に形成される。バッファ膜は、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONのいずれかまたは一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成し得る。バッファ膜は省略し得る。
バッファ膜上には、薄膜トランジスタ２１０が形成される。薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３およびドレイン電極２１４を含む。図５では、薄膜トランジスタ２１０が、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、top gate）方式で形成された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。つまり、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、bottom gate）方式またはゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部と下部の両方に位置するダブルゲート（double gate）方式で形成し得る。
バッファ膜上には、アクティブ層２１１が形成される。アクティブ層２１１は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成し得る。バッファ膜とアクティブ層２１１との間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
アクティブ層２１１上には、ゲート絶縁膜２２０が形成され得る。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
ゲート絶縁膜２２０上には、ゲート電極２１２とゲートラインが形成され得る。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成し得る。
ゲート電極２１２とゲートライン上には、層間絶縁膜２３０が形成され得る。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
層間絶縁膜２３０上には、ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインが形成され得る。ソース電極２１３とドレイン電極２１４のそれぞれは、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを通じてアクティブ層２１１に接続し得る。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインは、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）と銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成し得る。
ソース電極２２３、ドレイン電極２２４、およびデータライン上には、薄膜トランジスタ２２０を絶縁するための保護膜２４０が形成され得る。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
保護膜２４０上には、薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦にするための平坦化膜２５０が形成され得る。平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成し得る。
平坦化膜２５０上には、有機発光素子２６０とバンク２７０が形成される。有機発光素子２６０は、第１電極２６１、有機発光層２６２、及び第２電極２６３を含む。第１電極２６１は、アノード電極であり、第２電極２６３は、カソード電極であり得る。
第１電極２６１は、平坦化膜２５０上に形成し得る。第１電極２６１は、保護膜２４０と平坦化膜２５０を貫通するコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタ２１０のソース電極２２３に接続される。第１電極２６１は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質で形成し得る。APC合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pd）、および銅（Cu）の合金である。
バンク２７０は、発光部（RE、GE、BE、WE）を区画するために平坦化膜２５０上で第１電極２６１の端を覆うように形成し得る。つまり、バンク２７０は、発光部を定義する役割をする。また、バンク２７０が形成された領域は、光を発光しないので、非発光部として定義し得る。バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成し得る。
第１電極２６１とバンク２７０上には、有機発光層２６２が形成される。有機発光層２６２は、発光部（RE、GE、BE、WE）に共通して形成される共通層であり、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、有機発光層２６２は、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成し得る。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
また、スタックの間には、電荷生成層が形成され得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷生成層とn型電荷生成層上に形成されて、上部スタックと隣接して位置するp型電荷生成層を含むことができる。n型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、p型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷生成層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。p型電荷生成層は、正孔輸送能力がある有機物質にドーパントをドーピングして成し得る。
第２電極２６３は、有機発光層２６２上に形成される。第２電極２６３は、発光部（RE、GE、BE、WE）に共通して形成される共通層である。第２電極２６３は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成し得る。第２電極２６３上には、キャッピング層（capping layer）を形成し得る。
第２電極２６３上には、封止膜２８０が形成される。封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２８０は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
例えば、封止膜２８０は、第１無機膜２８１、有機膜２８２、及び第２無機膜２８３を含むことができる。この場合、第１無機膜２８１は、第２電極２６３を覆うように形成される。有機膜２８２は、第１無機膜２８１を覆うように形成される。有機膜２８２は、異物（particles）が第１無機膜２８１を突破し、有機発光層２６２と第２電極２６３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することが好ましい。第２無機膜２８３は、有機膜２８２を覆うように形成される。
第１および第２無機膜の２８１、２８３のそれぞれは、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成し得る。有機膜２８２は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成し得る。
封止膜２９０上に第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４が配置される。封止膜２９０上に第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３を直接形成する場合、第１基板１１１と第２基板１１２を合着時に整列する必要がなく、別個の接着層が必要ない。第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４は、所定の間隔離隔して配置し得る。
第１カラーフィルタ２９１は、図５で赤色発光部（RE）に対応するように配置される赤色カラーフィルタであり、第２カラーフィルタ２９２は、緑色発光部（GE）に対応するように配置される緑色カラーフィルタであり、第３カラーフィルタ２９３は、青色発光部（BE）に対応するように配置される青色カラーフィルタであり得る。透明有機膜２９４は、白色発光部（WE）に対応するように配置し得る。
第１カラーフィルタ２９１は、赤色顔料を含む有機膜で形成され、第２カラーフィルタ２９２は、緑色顔料を含む有機膜で形成され、第３カラーフィルタ２９３は、青色顔料を含む有機膜で形成し得る。透明有機膜２９４は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成し得る。
第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４上には、無機膜３１０が形成される。つまり、無機膜３１０は、図５に示したように、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、及び第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と透明有機膜２９４との間の空間を覆うように形成される。無機膜３１０は、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）で形成したり、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、シリコンオキシナイトライド（SiON）、アルミニウム酸化膜（Al2O3）またはこれらの多重膜で形成し得る。
ブラックマトリクス３００は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間で無機膜３１０上に形成し得る。ブラックマトリックス３００は、ブラック顔料を含む有機膜で形成し得る。
ブラックマトリックス（BM）は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間に充たすことができる。ブラックマトリックス３００は、ドライエッチングで形成されるので、ブラックマトリックス３００の厚さ（D1）は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３のそれぞれの厚さ（D2）より薄いことがあり得る。ブラックマトリックス３００は、発光部（EA）ではない非発光部に形成されるので、バンク２７０と、重畳するように配置し得る。
以上で説明したように、ブラックマトリックス（BM）を、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間に形成するので、ブラックマトリックス（BM）の工程誤差は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４の工程誤差によって決定される。つまり、従来はブラックマトリックスとカラーフィルタ形成時のブラックマトリックスの工程誤差とカラーフィルタの工程誤差の両方を考慮しなければならなかったが、本発明の実施例は、カラーフィルタのブラックマトリックスの形成位置が決定されるので、カラーフィルタの工程誤差だけを考慮すればよい。
また、本発明の実施例は、ブラックマトリックス（BM）を、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間に形成するので、ブラックマトリックス（BM）が発光部（RE、GE、BE、WE）に重畳するように形成される可能性が小さい。したがって、本発明の実施例は、ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による発光部の開口率の低下を防止し得る。
また、本発明の実施例は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３の間にブラックマトリックス（BM）を充たす空間が必要になるため、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３が互いに重畳して形成される可能性が小さい。したがって、本発明の実施例は、ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による混色の発生を防止し得る。
さらに、本発明の実施例は、ブラックマトリックス（BM）を、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間に形成するので、ブラックマトリックス３００を第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。したがって、本発明の実施例は、ブラックマトリックス３００と無機膜３１０上にカラーフィルタの段差を平坦化するためのオーバーコート層（overcoat layer）を形成する必要がない。
第２基板１１２は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３と無機膜３１０上に付着し得る。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る。
図６は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。図７ａ〜図７ｇは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩ−Ｉ’の断面図である。
図７ａ〜図７ｇに示された断面図は、前述した図６に示された表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。以下では、図６及び図７ａ〜図７ｇを一緒に、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を詳細に説明する。
最初に、図７ａに示したように、薄膜トランジスタ２１０、有機発光素子２６０、および封止膜２７０を形成する。
詳細には、薄膜トランジスタを形成する前に、基板１００を通じて浸透する水分から第１基板１１１上にバッファ膜を形成し得る。バッファ膜は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２１０と、有機発光素子２６０を保護するためのもので、交互に層された複数の無機膜とからなり得る。たとえば、バッファ膜は、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、SiONの一つ以上の無機膜を交互に積層した多重膜で形成し得る。バッファ膜は、CVD法（Chemical Vapor Deposition）を用いて形成し得る。
そして、バッファ膜上に薄膜トランジスタのアクティブ層２１１を形成する。詳細には、スパッタリング法（Sputtering）またはMOCVD法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）などを用いて、バッファ膜上の全面に、アクティブ金属層を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングして、アクティブ層２１１を形成する。アクティブ層２１１は、シリコン系半導体物質や酸化物系半導体物質で形成し得る。
そして、アクティブ層２１１上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
そして、ゲート絶縁膜２２０上に薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２を形成する。詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて、ゲート絶縁膜２２０上の全面に第１金属層を形成する。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で、第１金属層をパターニングしてゲート電極２１２を形成する。ゲート電極２１２は、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成し得る。
そして、ゲート電極２１２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
そして、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通して、アクティブ層２１１を露出させるコンタクトホールを形成する。
そして、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソースおよびドレイン電極２１３、２１４を形成する。詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成する。次に、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングして、ソースおよびドレイン電極２１３、２１４を形成する。ソースおよびドレイン電極２１３、２１４のそれぞれは、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを通じてアクティブ層２１１に接続し得る。ソースおよびドレイン電極２１３、２１４は、モリブデン（Mo）、アルミニウム（Al）、クロム（Cr）、金（Au）、チタン（Ti）、ニッケル（Ni）、ネオジム（Nd）、銅（Cu）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成し得る。
そして、薄膜トランジスタ２１０のソースおよびドレイン電極２１３、２１４上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。保護膜２４０は、CVD法を用いて形成し得る。
そして、保護膜２４０上に薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための平坦化膜２５０を形成する。平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成し得る。
そして、平坦化膜２５０上に有機発光素子２６０の第１電極２６１を形成する。詳細には、スパッタリング法やMOCVD法などを用いて平坦化膜２８０上の全面に第３金属層を形成する。そして、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第３金属層をパターニングして第１電極２６１を形成する。第１電極２６１は、保護膜２４０と平坦化膜２５０を貫通するコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３に接続し得る。第１電極２６１は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとITOの積層構造（ITO/Al/ITO）、APC合金、およびAPC合金とITOの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質で形成し得る。
そして、発光部（RE、GE、BE、WE）を区画するために平坦化膜２５０上で第１電極２６１の端部を覆うようにバンク２７０を形成する。バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成し得る。
そして、第１電極２６１とバンク２７０上に有機発光層２６２を蒸着工程または溶液工程で形成する。有機発光層２６２は、発光部（RE、GE、BE、WE）に共通に形成される共通層であり得る。この場合、有機発光層２６２は、白色光を発光する白色発光層で形成し得る。
有機発光層２６２が白色発光層である場合、2スタック（stack）以上のタンデム構造で形成し得る。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
また、スタックの間には、電荷生成層が形成され得る。電荷生成層は、下部スタックと隣接して位置するn型電荷生成層とn型電荷生成層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するp型電荷生成層を含むことができる。n型電荷生成層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、p型電荷生成層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。n型電荷生成層は、Li、Na、K、またはCsなどのアルカリ金属、またはMg、Sr、Ba、またはRaなどのアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。p型電荷生成層は、正孔輸送能力がある有機物質にドーパントをドーピングしてなし得る。
そして、有機発光層２６２上に第２電極２６３を形成する。第２電極２６３は、発光部（RE、GE、BE、WE）に共通に形成される共通層であり得る。第２電極２６３は、光を透過させることができるITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成し得る。第２電極２６３は、スパッタリング法などの物理気相蒸着法（physics vapor deposition）で形成し得る。第２電極２６３上にキャッピング層（capping layer）を形成し得る。
そして、第２電極２６３上に封止膜２８０を形成する。封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２８０は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
例えば、封止膜２８０は、第１無機膜２８１、有機膜２８２及び第２無機膜２８３を含むことができる。この場合、第１無機膜２８１は、第２電極２６３を覆うように形成される。有機膜２８２は、第１無機膜を覆うように形成される。有機膜２８２は、異物（particles）が第１無機膜を突き抜けて、有機発光層２６２と第２電極２６３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成されていることが好ましい。第２無機膜２８３は、有機膜を覆うように形成される。
第１及び第２無機膜の２８１、２８３のそれぞれは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコンオキシナイトライド、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、または酸化チタンで形成し得る。有機膜２８２は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成し得る（図６のS101）。
第二に、図７ｂに示したように封止膜２８０上に赤色発光部（RE）に対応するように、第１カラーフィルタ２９１を形成して、緑色発光部（GE）に対応するように、第２カラーフィルタ２９２を形成し、青色発光部（BE）に対応するように、第３カラーフィルタ２９３を形成する。第１カラーフィルタ２９１は、赤色カラーフィルタであり、第２カラーフィルタ２９２は、緑色カラーフィルタであり、第３カラーフィルタ２９３は、青色カラーフィルタであり得る。
詳細には、封止膜２８０上に赤色顔料を含む有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、赤色発光部（RE）に第１カラーフィルタ２９１を形成する。そして、封止膜２８０上に緑色顔料を含む有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、緑色発光部（GE）に第２カラーフィルタ２９２を形成する。そして、封止膜２８０上に青色顔料を含む有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、青色発光部（BE）に第３カラーフィルタ２９３を形成する。
上では赤色、緑色、および青色のカラーフィルタの順に形成することを例に示したが、カラーフィルタの形成順序は、これに限定されない（図６のS102）。
第三に、図７ｃに示したように封止膜２８０上に白色発光部（WE）に対応するように、透明有機膜２９４を形成する。
詳細には、封止膜２８０上に透明な有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、白色発光部（WE）に透明有機膜２９４を形成する。透明有機膜２９４は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成し得る。
一方、赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素が一つの単位画素として定義される場合、白色サブ画素は省略し得る。この場合、透明有機膜２９４を形成するS103工程は省略し得る。また、S102とS103の工程では、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３を形成した後、透明有機膜２９４を形成する例を示したが、これに限定されない。つまり、透明有機膜２９４を形成した後、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３を形成することもできる。または、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３の一部のカラーフィルタを形成し、透明有機膜２９４を形成した後、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３の残りのカラーフィルタを形成し得る。例えば、第１カラーフィルタ２９１を形成して、透明有機膜２９４を形成した後、第２および第３カラーフィルタ２９２、２９３を順次形成し得る（図６のS103）。
第四に、図７ｄに示したように、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４上に無機膜３１０を形成する。
無機膜３１０は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、及び第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と透明有機膜２９４との間の空間を覆うように形成する。無機膜３１０は、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）で形成したり、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。無機膜３１０を透明な金属物質で形成する場合、スパッタリング法で形成し得る。無機膜３１０をシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成する場合、CVD法で形成し得る（図６のS104）。
5番目に、図７ｅに示したように無機膜３１０を覆うようにブラックマトリックス層３０１を形成する。ブラックマトリックス層３０１は、ブラック顔料を含む有機物質であり得る（図６のS105）。
第六に、図7fに示したように、マスクなしでドライエッチング（dry etch）を用いて、ブラックマトリックス層３０１をエッチングしてブラックマトリックス３００を形成する。
ドライエッチングに用いられる物質は、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスであり得る。たとえば、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の重量比（wt％）は、60：150であり得るが、これらに限定されない。酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスを用いて、有機膜と無機膜をドライエッチングする場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約100：1〜10：1であり得る。例えば、無機膜３１０が透明な金属物質（TCO）で形成される場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約100：1であり得る。無機膜３１０がシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成される場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約10：1であり得る。
したがって、マスクなしにブラックマトリックス層３０１をドライエッチングしても、有機物質に該当するブラックマトリックス層３０１が、主にエッチングされ、無機膜３１０は、ほとんどエッチングされない。つまり、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４は、無機膜３１０によってエッチングされずに保護し得る。
また、ドライエッチング時間を調整することにより、ブラックマトリックス３００が、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。ドライエッチング時間が短い場合、無機膜３１０上にブラックマトリックス３００が残存することがあり得、発光部（RE、GE、BE、WE）からの光がブラックマトリックス３００によってブロックされることがあり得る。また、ドライエッチング時間が長い場合、ブラックマトリックス３００の厚さが薄くなるので、ブラックマトリックス３００の遮光率が低くなり得る。つまり、ブラックマトリックス３００が適切に役割をしないことがあり得る。適切なドライエッチング時間は、事前の実験を通じて事前に決定し得る。
また、ブラックマトリックス３００は、無機膜３１０によって保護されないのに対し、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４は、無機膜３１０によって保護されるため、ドライエッチング時間を調整しても、ブラックマトリックス３００の厚さ（D1）は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３のそれぞれの厚さ（D2）より薄いことがあり得る。
また、ブラックマトリックス３００は、マスクを必要とするフォト工程で形成されないで、マスクなしにドライエッチングによって形成され得るので、製造コストや製造時間を短縮し得る。
また、ブラックマトリックス３００は、フォト工程で形成されないので、光開始剤を含まないことがあり得る。
また、ブラックマトリックス３００は、発光部（EA）ではない非発光部に形成されるので、バンク２７０と、重畳するように配置し得る。
さらに、ブラックマトリックス３００は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４との間のスペースを埋めるために、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３と、透明有機膜２９４上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。したがって、本発明の実施例は、図７ｇに示したようにブラックマトリックス３００と無機膜３１０上にオーバーコート層（overcoat layer）を形成する必要がなく、第２基板１１２を付着することができる。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る（図６のS106）。
一方、図７ａ〜図７ｅに示された第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、無機膜３１０、およびブラックマトリックス３００を形成する工程は、有機発光素子２６０を覆う封止膜２８０上に形成される工程なので、有機発光素子２６０が損傷するのを防止するために100℃以下の低温工程であり得る。
一方、図６及び図７ａ〜図７ｇは、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および無機膜３１０が封止膜２８０上に形成された例を中心に説明した。しかし、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および無機膜３１０は、図６及び図７ａ〜図７ｇで説明したよう実質的に同一に、第２基板１１２上に形成することもできる。この場合、接着層３２０を用いて、第１基板１１１と第２基板１１２を合着する工程が追加され得る。
図８は、図４のＩ−Ｉ’のまた他の例を示した断面図である。図８に示された断面図は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、ブラックマトリックス３００、および無機膜３１０が封止膜２８０ではない第２基板１１２上に形成され、接着層３２０を用いて、第１基板１１１と第２基板１１２を合着したことを除いては、図５で説明したのと実質的に同一である。
また、図８は、第１基板１１１と第２基板１１２を合着するための接着層３２０が必要である。接着層３２０は、透明な接着フィルムまたは透明な接着レジンであり得る。さらに、図８は、第１基板１１１と第２基板１１２を合着時にブラックマトリックス３００がバンク２７０と重畳するように第１基板１１１と第２基板１１２を整列する必要がある。
また、第２基板１１２上に第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、ブラックマトリックス３００、および無機膜３１０を形成するする工程は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、透明有機膜２９４、ブラックマトリックス３００、および無機膜３１０を封止膜２８０ではない第２基板１１２上に形成することを除いて、図１６のS102〜S106の工程と実質的に同一である。
図９は、図４のＩ−Ｉ’のまた他の例を示した断面図である。
図９に示された断面図は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および透明有機膜２９４が散乱粒子３３０を含むことを除いては、図５で説明したのと実質的に同一である。
散乱粒子３３０は、酸化チタン（TiO2）または二酸化ケイ素（SiO2）であり得る。散乱粒子３３０の大きさは、0.05μｍ〜1μｍであり得る。散乱粒子３３０のサイズが大きいほど、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および透明有機膜２９４のそれぞれの透過度が低くなるが、散乱度は高くなり得る。したがって、散乱粒子３３０の大きさは、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および透明有機膜２９４のそれぞれの透過度と散乱度を考慮して、事前に決定し得る。
一方、ヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display,HMD）は、眼鏡やヘルメットの形態で着用して、使用者の目の前の近い距離に焦点が形成される仮想現実（Virtual Reality,VR）または拡張現実（Augmented Reality）のメガネ型モニター装置で、高解像度の小型有機発光表示装置が適用される。本発明の実施例は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および透明有機膜２９４が散乱粒子３３０を含むことにより、発光部（RE、GE、BE、WE）の光を拡散して出力し得る。その結果、本発明の実施例は、有機発光表示装置がヘッドマウントディスプレイに適用される場合は、ブラックマトリクスが格子形状に視認されることを防止し得る。
図１０ａ〜図１０ｃは、散乱粒子を含むカラーフィルタを備えた他の構造を示した断面図である。
図１０ａには、ブラックマトリックス３００上にカラーフィルタ２９１、２９２、２９３を配置した構造が示されている。図１０ａを参照すると、赤色発光部（RE）の有機発光層２６２から発光された光（L）は、第１カラーフィルタ２９１の散乱粒子３３０によって散乱され、第２カラーフィルタ２９２に進行して、第２カラーフィルタ２９２の散乱粒子３３０によって散乱され、第２カラーフィルタ２９２の上部に出光し得る。つまり、いずれかの発光部の有機発光層２６２の光が、それに隣接する発光部のカラーフィルタに進むことにより、混色が発生し得る。
図１０ｂには、カラーフィルタの２９１、２９２、２９３上に散乱粒子３３０を含む散乱層３４０を配置した構造が示されている。図１０ｂを参照すると、赤色発光部（RE）の有機発光層２６２から発光した光（L）は、第１カラーフィルタ２９１を通過して散乱層３４０の散乱粒子３３０によって散乱して緑色発光部（GE）に進行して、緑色発光部（GE）の散乱粒子３３０によって散乱して出光し得る。つまり、いずれかの発光部の有機発光層２６２の光が、隣接する発光部に進行することによって、ぼかし（blur）が発生することがあり、これにより、画像の視認性と透明度が低くなることがある。
図１０ｃには、封止膜２８０上に散乱粒子３３０を含む散乱層３４０を配置して、散乱層３４０上にブラックマトリックス３００と、カラーフィルタ２９１、２９２、２９３を配置した構造が示されている。図１０ｃを参照すると、赤色発光部（RE）の有機発光層２６２から発光した光（L）は、散乱層３４０の散乱粒子３３０によって散乱して緑色発光部（GE）に進行して、緑色発光部（GE）の散乱粒子３３０によって散乱して、第２カラーフィルタ２９２を通過し得る。つまり、いずれかの発光部の有機発光層２６２の光が、それに隣接する発光部のカラーフィルタに進むことにより、混色が発生し得る。
これに対し、本発明の実施例は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および透明有機膜２９４との間にブラックマトリックス３００が配置されるので、図９に示したように、ある一つの発光部（RE）の有機発光素子２６０の光がそのカラーフィルタ２９１の散乱粒子３３０によって散乱して、それに隣接する発光部のカラーフィルタに進行することを防止し得る。つまり、本発明の実施例は、混色やぼかし（blur）が発生することを防止し得る。
図１１は、表示領域の画素のまた他の例を示した平面図である。図１１は、説明の便宜上、画素の発光部（RE、GE、BE）、カラーフィルタ（RF、GF、BF）のみを示した。
図１１を参照すると、発光部（RE、GE、BE）のそれぞれは、アノード電極に該当する第１電極、有機発光層、およびカソード電極に該当する第２電極が順次に積層されて、第１電極からの正孔と第２電極からの電子が有機発光層で互いに結合して発光する領域を示す。
発光部（RE、GE、BE）の有機発光層は、発光部（RE、GE、BE）に共通層として形成されて白色光を発光する。第１カラーフィルタ（RF）は、赤色発光部（RE）に対応するように配置され、第２カラーフィルタ（GF）は、緑色発光部（GE）に対応するように配置され、第３カラーフィルタ（BF）は、青色発光部（BE）に対応するように配置され得る。これにより、赤色発光部（RE）は、第１カラーフィルタ（RF）によって赤色光を発光し、緑色発光部（GE）は、第２カラーフィルタ（GF）によって緑色光を発光し、青色発光部（BE）は、第３カラーフィルタ（BF）により青色光を発光し得る。赤色サブ画素は赤色発光部（RE）を含み、緑色サブ画素は、緑色発光部（GE）を含み、青色サブ画素は青色発光部（BE）を含むことができる。
本発明の実施例は、いずれかのカラーフィルタの間に、他のカラーフィルタを形成する。例えば、図１１に示したように、第k（kは正の整数）行では、緑色サブ画素の間に赤色サブ画素が配置され、第k+1行では、緑色サブ画素の間に青色サブ画素が配置され得る。つまり、第k行には、赤色と緑色のサブ画素のみが配置され、第k+1行には、緑色および青色のサブ画素が配置され得る。
また、第k行の赤色サブ画素と第k+1行の緑色サブ画素は隣り合って配置され、第k行の緑色サブ画素と第k+1行の青色サブ画素は、隣り合うように配置し得る。つまり、第k行の緑色サブ画素と第k+1行の緑色サブ画素は、対角方向に配置し得る。
本発明の実施例では、このような配置により、一つの赤色サブ画素、2つの緑色サブ画素、および１つの青色サブ画素が一つの単位画素として定義し得る。
一方、本発明の実施例は、図１１に示された実施例に限定されない。つまり、第j（jは正の整数）列には、緑色サブ画素の間に赤色サブ画素が配置され、第j+1行では、緑色サブ画素の間に青色サブ画素が配置され得る。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２との間に第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を形成するので、図１１のように赤色、緑色、および青色カラーフィルタ（RF、GF、BF）を区画するブラックマトリックスがなくても、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３は、互いに区画し得る。
図１２は、図１１のＩＩ−ＩＩ’の一例を示した断面図である。
図１２に示された断面図は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、無機膜３１０、及び第２基板１１２を除いては、図５で説明したのと実質的に同一である。
図１２を参照すると、封止膜２９０上には第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３が配置される。第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、所定の間隔離隔して配置され得る。
第１カラーフィルタ２９１は、赤色発光部（RE）に対応するように配置される赤色カラーフィルタであり、第３カラーフィルタ２９３は、青色発光部（BE）に対応するように配置される青色カラーフィルタであり得る。第１カラーフィルタ２９１は、赤色顔料を含む有機膜で形成され、第３カラーフィルタ２９３は、青色顔料を含む有機膜で形成され得る。
第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上には、無機膜３１０が形成される。つまり、無機膜３１０は、図１２に示したように、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３だけでなく、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間の空間を覆うように形成される。無機膜３１０は、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）で形成されたり、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。
第２カラーフィルタ２９２は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３の間で無機膜３１０上に形成し得る。第２カラーフィルタ２９２は、緑色発光部（GE）に対応するように配置される緑色カラーフィルタであり得る。第２カラーフィルタ２９２は、緑色顔料を含む有機膜で形成し得る。
第２カラーフィルタ２９２は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間に充たすことができる。また、第２カラーフィルタ２９２は、ドライエッチングで形成されるので、第２カラーフィルタ２９２の厚さ（D3）は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの厚さ（D4）より薄いことがあり得る。
以上で説明したように、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２を、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間に形成するので、ブラックマトリックス（BM）がなくても、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３を区画し得る。したがって、本発明の実施例は、ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による発光部の開口率の低下を防止し得る。
また、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２を、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間に形成するため、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３が互いに重畳するように形成される可能性が小さい。したがって、本発明の実施例は、ブラックマトリックスとカラーフィルタの工程誤差による混色の発生を防止し得る。
さらに、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２を、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間に形成するため、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を第２カラーフィルタ２９２の上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。したがって、本発明の実施例は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３と無機膜３１０上にカラーフィルタの段差を平坦化するためのオーバーコート層（overcoat layer）を形成する必要がない。
第２基板１１２は、第２カラーフィルタ２９２と無機膜３１０上に付着し得る。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る。
図１３は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。図１４ａ〜図１４ｆは、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
図１４ａ〜図１４ｆに示された断面図は、前述した図１２に示された表示装置の製造方法に関するもので、同一の構成に対しては同一の符号を付与した。以下では、図１３および図１４ａ〜図１４ｆをまとめて、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を詳細に説明する。
第一に、図１４ａに示したように、薄膜トランジスタ２１０、有機発光素子２６０、および封止膜２７０を形成する。図１３のS201の工程は、図６のS101工程と実質的に同じなので、図１３のS201の工程に対する説明は省略する（図１３のS201）。
第二に、図１４ｂに示したように封止膜２８０上に赤色発光部（RE）に対応するように第１カラーフィルタ２９１を形成して、青色発光部（BE）に対応するように第３カラーフィルタ２９３を形成する。
詳細には、封止膜２８０上に赤色顔料を含む有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、赤色発光部（RE）に第１カラーフィルタ２９１を形成する。第１カラーフィルタ２９１は、赤色カラーフィルタ（RF）であり得る。また、封止膜２８０上に青色顔料を含む有機物質を塗布して、フォト工程を実行して、青色発光部（BE）に第３カラーフィルタ２９３を形成する。第３カラーフィルタ２９３は、青色カラーフィルタ（BF）であり得る（図１３のS202）。
第三に、図１４ｃに示したように、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上に無機膜３１０を形成する。
無機膜３１０は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を覆うおり、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３との間の空間を覆うように形成される。無機膜３１０は、ITO、IZOのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）で形成されたり、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成し得る。無機膜３１０が透明な金属物質で形成される場合、スパッタリング法で形成し得る。無機膜３１０がシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成される場合、CVD法で形成し得る（図１３のS203）。
第四に、図１４ｄに示したように無機膜３１０を覆うように、第２カラーフィルタ層２９２aを形成する。第２カラーフィルタ層２９２aは、緑色顔料を含む有機物質であり得る（図１３のS204）。
第五に、図１４ｅに示したように、マスクなしでドライエッチング（dry etch）を用いて、第２カラーフィルタ層２９２aをエッチングして第２カラーフィルタ２９２を形成する。
ドライエッチングに用いられる物質は、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスであり得る。たとえば、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の重量比（wt％）は、60：150であり得るが、これらに限定されない。酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスを用いて、有機膜と無機膜をドライエッチングする場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約100：1〜10：1であり得る。例えば、無機膜３１０が透明な金属物質（TCO）で形成される場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約100：1であり得る。また、無機膜３１０がシリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはこれらの多重膜で形成される場合、有機膜と無機膜のエッチング率は約10：1であり得る。
したがって、マスクなしで第２カラーフィルタ層２９２aをドライエッチングしても、有機物質に該当する第２カラーフィルタ層２９２aが主にエッチングされ、無機膜３１０は、ほとんどエッチングされない。つまり、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、無機膜３１０によってエッチングされずに保護し得る。
また、ドライエッチング時間を調整することにより、第２カラーフィルタ層２９２aが第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。ドライエッチング時間が短い場合、無機膜３１０上に第２カラーフィルタ２９２が残存することがあるので、混色が発生し得る。また、ドライエッチング時間が長い場合、第２カラーフィルタ２９２の厚さが薄くなるので、第２カラーフィルタ２９２が、カラーフィルタとして適切な役割をなし得ないことがある。適切なドライエッチングの時間は、事前の実験を通じて事前に決定し得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、無機膜３１０によって保護されないのに対し、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、無機膜３１０によって保護されるため、ドライエッチングの時間を調整しても、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの厚さは、第２カラーフィルタ２９２の厚さよりも薄いことがあり得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、マスクを必要とするフォト工程で形成されないで、マスクなしにドライエッチングによって形成することができるので、製造コストおよび製造時間を短縮し得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、フォト工程で形成されないので、光開始剤を含まないことがあり得る。
さらに、第２カラーフィルタ２９２は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３の間に充たされるため、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上の無機膜３１０と平坦に形成し得る。したがって、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２と無機膜３１０上にカラーフィルタの段差を平坦化するためのオーバーコート層（overcoat layer）を形成する必要がない。
第２カラーフィルタ２９２と無機膜３１０上には、図１４ｆに示したように、第２基板１１２を付着し得る。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る（図１３のS205）。
図１５は、図１１のＩＩ−ＩＩ’の他の例を示した断面図である。図１５に示された断面図は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および無機膜３１０が封止膜２８０ではない第２基板１１２上に形成され、接着層３２０を用いて、第１基板１１１と第２基板１１２を合着したことを除いては、図１２で説明したのと実質的に同一である。
図１５において、第２基板１１２は、ガラス基板またはプラスチックフィルムであり得る。また、図１５は、第１基板１１１と第２基板１１２を合着するための接着層３２０が必要である。接着層３２０は、透明な接着フィルムまたは透明な接着レジンであり得る。さらに、図１５は、第１基板１１１と第２基板１１２を合着時、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３が赤色、緑色、および青色の発光部（RE、GE、BE）に対応するように、第１基板１１１と第２基板１１２を整列する必要がある。
また、第２基板１１２上に、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および無機膜３１０を形成する工程は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、および無機膜３１０を封止膜２８０ではなく第２基板１１２上に形成することを除いては、図１３のS202〜S205の工程と実質的に同一である。
図１６は、図１１のＩＩ−ＩＩ’のまた他の例を示した断面図である。
図１６に示された断面図は、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３、ブラックマトリックス３００、及び第２基板１１２を除いては、図５で説明したのと実質的に同一である。
図１６を参照すると、封止膜２９０上に第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３が配置される。第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、所定の間隔離隔して配置され得る。
第１カラーフィルタ２９１は、赤色発光部（RE）に対応するように配置される赤色カラーフィルタであり、第３カラーフィルタ２９３は、青色発光部（BE）に対応するように配置される青色カラーフィルタであり得る。第１カラーフィルタ２９１は、赤色顔料を含む有機膜で形成され、第３カラーフィルタ２９３は、青色顔料を含む有機膜で形成され得る。第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３のそれぞれは、図９のように散乱粒子３３０を含むことができるが、本発明の実施例は、これに限定されない。つまり、散乱粒子３３０は、省略し得る。
第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３の間には、第２カラーフィルタ２９２が形成される。第２カラーフィルタ２９２は、緑色発光部（GE）に対応するように配置される緑色カラーフィルタであり得る。第２カラーフィルタ２９２は、緑色顔料を含む有機膜で形成し得る。第２カラーフィルタ２９２は、図９のように散乱粒子３３０を含むことができるが、本発明の実施例は、これに限定されない。つまり、散乱粒子３３０は、省略し得る。
また、第２カラーフィルタ２９２は、ドライエッチングで形成されるので、第２カラーフィルタ２９２の厚さ（D3）は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの厚さ（D4）より薄いことあり得る。
第１及び第２カラーフィルタの２９１、２９１間と、第２および第３カラーフィルタ２９２、２９３間にはブラックマトリックス３００が形成される。ブラックマトリックス３００は、反射率の高い金属であるアルミニウム（Al）または銀（Ag）で形成し得る。本発明の実施例は、ブラックマトリックス３００を反射金属層で形成することにより、ブラックマトリックス３００に進行する光（L）を全反射して出光させることができるので、ブラックマトリックス３００を光吸収物質で形成する場合に比べて光効率を改善することができる。
また、ブラックマトリックス３００は、ブラックマトリックス３００の下部から延長された尾部３０１を含むことができる。尾部３０１は、封止膜２８０上に形成され、第２カラーフィルタ２９２によって覆うように形成され得る。
第２基板１１２は、第２カラーフィルタ２９２と無機膜３１０上に付着し得る。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る。
図１７は、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を示した流れ図である。図１８ａ〜図１８ｈは、本発明のまた他の実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのＩＩ−ＩＩ’の断面図である。
第一に、薄膜トランジスタ２１０、有機発光素子２６０、および封止膜２７０を形成する。図１７のS301の工程は、図６のS101工程と実質的に同一なので、図１７のS301の工程の説明は省略する（図１７のS301）。
第二に、封止膜２８０上に赤色発光部（RE）に対応するように、第１カラーフィルタ２９１を形成して、青色発光部（BE）に対応するように、第３カラーフィルタ２９３を形成する。図１７のS302の工程は、図１３のS202工程と実質的に同一なので、図１７のS302の工程の説明は省略する（図１７のS302）。
第三に、図１８ａに示したように封止膜２８０と、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を覆う反射金属層３００aを形成する。
詳細には、反射金属層３００aは、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を覆い、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間の空間を覆うように形成される。反射金属層３００aは、アルミニウム（Al）または銀（Ag）で形成され得、スパッタリング法で形成し得る（図１７のS303）。
第四に、図１８ｂに示したように、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３と重畳するように反射金属層３００a上にフォトレジストパターン（PR）を形成する。フォトレジストパターン（PR）の幅（W1）は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの幅（W2）より広く形成し得る（図１７のS304）。
第五に、図１８ｃに示したようにフォトレジストパターン（PR）によって覆われないで露出した反射金属層３００aをウェットエッチングする。一方、フォトレジストパターン（PR）の幅を第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの幅よりも広く形成するため、反射金属層３００aは、エッチング後に尾部３０１を含むことができる。
そして、図１８ｄに示したようにフォトレジストパターン（PR）を除去する（図１７のS305）。
第六に、図１８ｅに示したように、反射金属層３００aと反射金属層３００aによって覆われない封止膜２８０上に第２カラーフィルタ層２９２aを形成する。第２カラーフィルタ層２９２aは、緑色顔料を含む有機物質であり得る（図１７のS306）。
第七に、図１８ｆに示したように、マスクなしにドライエッチング（dry etch）を用いて、第２カラーフィルタ層２９２aをエッチングして第２カラーフィルタ２９２を形成する。
ドライエッチングに用いられる物質は、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスであり得る。たとえば、酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の重量比（wt％）は、60：150であり得るが、これらに限定されない。酸素（O2）と四フッ化炭素（CF4）の混合ガスを用いて有機膜と反射金属層３００aをドライエッチングする場合、有機物質に該当する第２カラーフィルタ層２９２aが主にエッチングされ、反射金属層３００aは、ほとんどエッチングされない。つまり、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、反射金属層３００aによってエッチングされずに保護され得る。
また、ドライエッチング時間を調整することにより、第２カラーフィルタ層２９２aが第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上の反射金属層３００aと平坦に形成し得る。ドライエッチング時間が短い場合、反射金属層３００a上に第２カラーフィルタ２９２が残存し得る。また、ドライエッチング時間が長い場合、第２カラーフィルタ２９２の厚さが薄くなるので、第２カラーフィルタ２９２が、カラーフィルタとして適切な役割をなし得ないことがある。適切なドライエッチングの時間は、事前の実験を通じて事前に決定し得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、反射金属層３００aによって保護されないのに対し、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３は、反射金属層３００aによって保護されるため、乾式エッチング時間を調整しても、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３それぞれの厚さは、第２カラーフィルタ２９２の厚さよりも薄いことがあり得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、マスクを必要とするフォト工程で形成されておらず、マスクなしドライエッチングによって形成され得るので、製造コストや製造時間を短縮し得る。
また、第２カラーフィルタ層２９２aは、フォト工程で形成されていないので、光開始剤を含まないことがあり得る。
さらに、第２カラーフィルタ２９２は、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３間に充たされるため、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上の反射金属層３００aと平坦に形成し得る。したがって、本発明の実施例は、第２カラーフィルタ２９２と反射金属層３００a上にカラーフィルタの段差を平坦化するためのオーバーコート層（overcoat layer）を形成する必要がない（図１３のS307）。
第八に、図１８ｇに示したように、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３上部の反射金属層３００aをエッチングする。
詳細には、第１及び第３カラーフィルタ２９１、２９３を除く領域にフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンによって覆われないで露出した反射金属層３００aをウェットエッチングする。そして、フォトレジストパターンを除去する。
そして、第１〜第３カラーフィルタ２９１、２９２、２９３上には、図１４ｆに示したように、第２基板１１２が付着し得る。第２基板１１２は、封止フィルム（encapsulation film）であり得る（図１３のS308）。
以上、添付した図を参照して、本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施し得る。したがって、本発明の開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、これらの実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈され、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

Claims (17)

  1. 複数のカラーフィルタ;
    前記複数のカラーフィルタを覆う無機膜;および
    前記複数のカラーフィルタの間で前記無機膜上に配置されたブラックマトリックスを具備する表示装置。
  2. 第１基板;
    前記第１基板上に配置された第１電極;
    前記第１電極上に配置された有機発光層;
    前記有機発光層上に配置された第２電極;および
    前記第２電極を覆う封止膜をさらに具備する請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記複数のカラーフィルタが、前記封止膜上に配置されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記無機膜と前記封止膜との間に配置された接着層をさらに具備する請求項２に記載の表示装置。
  5. 前記複数のカラーフィルタが、散乱粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記ブラックマトリックスの厚さが、前記複数のカラーフィルタそれぞれの厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記第２電極を覆う第１無機膜;
    前記第１無機膜上に配置された有機膜;および
    前記有機膜を覆う第２無機膜を含み、
    前記無機膜は、前記第１無機膜または前記第２無機膜と同じ物質からなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  8. 前記第２電極を覆う第１無機膜;
    前記第１無機膜上に配置された有機膜;および
    前記有機膜を覆う第２無機膜を含み、
    前記無機膜は、前記第１無機膜または前記第２無機膜と異なる物質からなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  9. 互いに離隔して配置された第１及び第３カラーフィルタ;
    前記第１及び第３カラーフィルタを覆い、前記第１及び第３カラーフィルタとの間の空間に配置された無機膜;および
    前記第１及び第３カラーフィルタとの間の空間で前記無機膜上に配置される第２カラーフィルタを備える表示装置。
  10. 第１基板;
    前記第１基板上に配置された第１電極;
    前記第１電極上に配置された有機発光層;
    前記有機発光層上に配置された第２電極;および
    前記第２電極を覆う封止膜をさらに具備する請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記第２カラーフィルタが、前記封止膜上に配置されたことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  12. 前記第２カラーフィルタが、前記第１基板と対向する第２基板上に配置され、
    前記無機膜と前記封止膜との間に配置された接着層をさらに具備する請求項１０に記載の表示装置。
  13. 前記第１カラーフィルタの厚さが、前記第２カラーフィルタの厚さよりも薄いことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  14. 前記第２電極を覆う第１無機膜;
    前記第１無機膜上に配置された有機膜;および
    前記有機膜を覆う第２無機膜を含み、
    前記無機膜は、前記第１無機膜または前記第２無機膜と異なる物質からなることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  15. 第１カラーフィルタ;
    前記第１カラーフィルタの隣りに配置された第２カラーフィルタ;および
    前記第１及び第２カラーフィルタの間に配置され、反射金属を含むブラックマトリックスを具備する表示装置。
  16. 前記ブラックマトリックスが、前記第２カラーフィルタによって覆われた尾部を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
  17. 前記第２カラーフィルタの厚さが、前記第１カラーフィルタの厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
JP2016239988A 2016-08-31 2016-12-12 表示装置 Active JP6595444B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0111872 2016-08-31
KR20160111872 2016-08-31
KR10-2016-0139009 2016-10-25
KR1020160139009A KR101853390B1 (ko) 2016-08-31 2016-10-25 표시장치와 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018036618A true JP2018036618A (ja) 2018-03-08
JP6595444B2 JP6595444B2 (ja) 2019-10-23

Family

ID=57614239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016239988A Active JP6595444B2 (ja) 2016-08-31 2016-12-12 表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10181500B2 (ja)
EP (1) EP3291324A1 (ja)
JP (1) JP6595444B2 (ja)
CN (2) CN107785393B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6581329B1 (ja) * 2018-05-14 2019-09-25 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
WO2019220774A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
WO2019220775A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
JP2020034900A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置
WO2020067046A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 デンカ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6685675B2 (ja) * 2015-09-07 2020-04-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US10418585B2 (en) * 2016-05-12 2019-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Cover unit and display device having the same
KR20180061467A (ko) 2016-11-28 2018-06-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 헤드 장착 전자 장치
WO2018179914A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
CN107632453B (zh) * 2017-10-31 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及制造方法和显示装置
JP6642604B2 (ja) * 2018-03-01 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
US20210036254A1 (en) * 2018-03-22 2021-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting element and display device
CN108364994A (zh) * 2018-04-04 2018-08-03 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制备方法
CN108766980B (zh) * 2018-05-28 2021-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102561299B1 (ko) * 2018-08-28 2023-08-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109192762B (zh) 2018-09-06 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111146353A (zh) * 2018-11-06 2020-05-12 广东聚华印刷显示技术有限公司 彩膜基板及其制备方法、显示器件及其制备方法
KR20200055846A (ko) * 2018-11-13 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109671871A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 用于制造有机发光显示装置的封装结构的方法
CN110265568B (zh) * 2019-06-04 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示器件及其制备方法
KR20210005368A (ko) * 2019-07-03 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210005453A (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110444574B (zh) * 2019-08-14 2022-01-25 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板以及显示装置
US11600750B2 (en) 2019-09-20 2023-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110729240A (zh) * 2019-09-29 2020-01-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种pi基板及其制备方法
CN110970479A (zh) * 2019-12-12 2020-04-07 捷开通讯(深圳)有限公司 一种显示屏及终端
KR20210085495A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220011378A (ko) * 2020-07-21 2022-01-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220027605A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN112447931B (zh) * 2020-11-20 2023-07-14 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113629206A (zh) * 2021-07-20 2021-11-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6077804A (ja) * 1983-10-13 1985-05-02 山本　惣一 穀物計量袋詰装置
JPS6079331A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Citizen Watch Co Ltd カラ−液晶表示装置の製造方法
JPS6177804A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Kyodo Printing Co Ltd カラ−フィルタの製造方法
JPS6179331A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Toshiba Corp 発光素子の駆動制御回路
JP2000172188A (ja) * 1998-11-30 2000-06-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> フラット・パネル・ディスプレイ用のカラ―・フィルタおよび製造方法
JP2007287697A (ja) * 2007-06-15 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置
US20090147188A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-11 Yang Byung-Duk Display and method of manufacturing the same
JP2010212235A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2012194550A (ja) * 2011-03-02 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光装置、表示装置、照明装置
JP2013020744A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US20130050864A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Color Filter and Manufacturing Method Thereof
US20130320842A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2014026831A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Japan Display Inc 表示装置及びその製造方法
JP2014049436A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Lg Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2014107266A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光装置
WO2014175681A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 LG Display Co.,Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
JP2015069861A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法
JP2015072827A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2015187635A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 色変化部材、光装置、表示装置および電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4696385B2 (ja) 2001-04-05 2011-06-08 ソニー株式会社 カラー固体撮像素子の製造方法
TWI396464B (zh) * 2007-01-22 2013-05-11 Innolux Corp 有機電致發光顯示裝置及其製作方法
KR101094298B1 (ko) 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6194233B2 (ja) * 2013-01-08 2017-09-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
US20160131937A1 (en) 2013-06-17 2016-05-12 Apple Inc. Display With Color Mixing Prevention Structures
KR20160130466A (ko) * 2014-03-07 2016-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6596224B2 (ja) * 2014-05-02 2019-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び入出力装置
KR102189578B1 (ko) * 2014-07-30 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR102326807B1 (ko) * 2014-11-26 2021-11-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102381647B1 (ko) * 2015-10-29 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101730537B1 (ko) * 2015-11-30 2017-04-26 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6079331A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Citizen Watch Co Ltd カラ−液晶表示装置の製造方法
JPS6077804A (ja) * 1983-10-13 1985-05-02 山本　惣一 穀物計量袋詰装置
JPS6177804A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Kyodo Printing Co Ltd カラ−フィルタの製造方法
JPS6179331A (ja) * 1984-09-27 1986-04-22 Toshiba Corp 発光素子の駆動制御回路
JP2000172188A (ja) * 1998-11-30 2000-06-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> フラット・パネル・ディスプレイ用のカラ―・フィルタおよび製造方法
JP2007287697A (ja) * 2007-06-15 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置
US20090147188A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-11 Yang Byung-Duk Display and method of manufacturing the same
JP2010212235A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
JP2012194550A (ja) * 2011-03-02 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光装置、表示装置、照明装置
JP2013020744A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
US20130050864A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Color Filter and Manufacturing Method Thereof
US20130320842A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2014026831A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Japan Display Inc 表示装置及びその製造方法
JP2014049436A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Lg Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2014107266A (ja) * 2012-11-29 2014-06-09 Samsung Display Co Ltd 有機電界発光装置
WO2014175681A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 LG Display Co.,Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
JP2015069861A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法
JP2015072827A (ja) * 2013-10-03 2015-04-16 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2015187635A (ja) * 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 色変化部材、光装置、表示装置および電子機器

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821284B (zh) * 2018-05-14 2023-11-11 日商巴川製紙所股份有限公司 頭戴式顯示器
CN112074771A (zh) * 2018-05-14 2020-12-11 株式会社巴川制纸所 头戴式显示器
WO2019220775A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
JP6616921B1 (ja) * 2018-05-14 2019-12-04 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
US11126002B2 (en) 2018-05-14 2021-09-21 Tomoegawa Co., Ltd. Head-mounted display
US11874481B2 (en) 2018-05-14 2024-01-16 Tomoegawa Co., Ltd. Head-mounted display
WO2019220774A1 (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
JP6581329B1 (ja) * 2018-05-14 2019-09-25 株式会社巴川製紙所 ヘッドマウントディスプレイ
CN112074771B (zh) * 2018-05-14 2022-06-17 株式会社巴川制纸所 头戴式显示器
JP2020034900A (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置
JP7417377B2 (ja) 2018-08-28 2024-01-18 三星ディスプレイ株式會社 表示装置
JPWO2020067046A1 (ja) * 2018-09-26 2021-10-07 デンカ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
JP7270635B2 (ja) 2018-09-26 2023-05-10 デンカ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
CN112470551A (zh) * 2018-09-26 2021-03-09 电化株式会社 有机电致发光显示元件用密封剂
WO2020067046A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 デンカ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤
CN112470551B (zh) * 2018-09-26 2024-05-14 电化株式会社 有机电致发光显示元件用密封剂

Also Published As

Publication number Publication date
CN107785393B (zh) 2022-03-15
JP6595444B2 (ja) 2019-10-23
CN114551552A (zh) 2022-05-27
US20180061894A1 (en) 2018-03-01
US10181500B2 (en) 2019-01-15
EP3291324A1 (en) 2018-03-07
CN107785393A (zh) 2018-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6595444B2 (ja) 表示装置
KR102663231B1 (ko) 유기발광 표시장치
JP6568180B2 (ja) 有機発光表示装置
JP6612305B2 (ja) 発光表示装置とその製造方法
KR102611500B1 (ko) 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR102626690B1 (ko) 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
JP6605441B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR101853390B1 (ko) 표시장치와 그의 제조방법
JP6995581B2 (ja) 発光表示装置及びその製造方法
KR102395860B1 (ko) 표시장치와 그의 제조방법
KR102466918B1 (ko) 칩 온 필름 패키지 및 칩 온 필름 패키지를 포함하는 표시 장치
KR102593332B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20180069367A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20180061843A (ko) 유기발광 표시장치
CN115734664A (zh) 透明显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171205

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180427

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180628

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180702

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180705

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190521

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190917

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6595444

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250