JP2017521352A - 被覆の平坦化 - Google Patents

Abstract

被覆されたガラス基板を、シラザン系層をその上に堆積させることによって平坦化するための方法が開示される。本発明に従う被覆された基板は、低減された粗さ、より低いヘイズ及びより高い可視光透過に関して向上した特性を呈し、被覆された表面は、例えば、二重ガラスユニットの表面１または表面４として外部環境に露出され得る。結果として得られる平滑表面は、マーキング及びかき傷によるダメージを受けにくく、強化された表面エネルギー（向上した疎水性）をもたらす。【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス板上の被覆の表面を平坦化する方法、そのような方法によって得られる生成物、及びガラス板上の被覆の表面を平坦化するためのシラザンの使用に関する。

本発明の文脈において、「平坦化する」という用語は、「平滑化する、または平らにする」ことを意味する。

例えば、シリカでオーバーコートすることによって、及び／または研磨することによって、ガラス上の粗被覆を平坦化する試みが以前に行われた。シリカでオーバーコートすることは、ある程度の平坦化をもたらすが、さらに平滑な表面をもたらすことが有益である。研磨は、より平らな表面を生じるが、時間がかかる。

欧州公開第０７８１８１５ Ａ１号は、固体製品の表面上に低温でセラミック膜を平滑に形成するのに有用なセラミック材料を形成するためのシラザン系ポリマーを含む組成物を開示する。

被覆されたガラス板の表面を平坦化するための強化されたアプローチを提供することが望ましい。

本発明の第１の態様に従い、ガラス板上の被覆の表面を平坦化する方法が提供され、この方法は、
ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、該下層上に堆積させることと、を含む。

発明者らは、驚くべきことに、シラザンに基づく少なくとも１つの層を、ガラス板を被覆する下層上に堆積させることによって、該下層の表面が高度に平坦化されることを見出した。結果として得られる被覆された板は、低減された粗さ、より低いヘイズ、及びより高い可視光透過を呈した。粗下層の平坦化は、二重ガラスユニットの表面１または表面４上（または実際にあらゆるガラスシートの露出表面上）の被覆の使用を可能にする。結果として得られる平滑表面は、マーキング及びかき傷によるダメージを受けにくく、強化された表面エネルギー（向上した疎水性）をもたらす。当該技術分野において従来のとおり、二重ガラスユニットが設置される構造の外部環境に面するように構成された二重ガラスユニットの表面は、表面１と称される。表面１の反対側の表面は、表面２と称される。二重ガラスユニットが設置される構造の内部に面する二重ガラスユニットの表面は、表面４と称される。表面４の反対側の表面は、表面３である。

本発明の以下の考察において、別段の記載がない限り、パラメータの許容される範囲の上限または下限についての代替値の開示は、該値のうちの１つが、その他よりも非常に好ましいという指示と併せて、該代替値のより好ましいものとあまり好ましくないものとの間にある該パラメータの各中間値は、それ自体が、該あまり好ましくない値よりも好ましく、また該あまり好ましくない値と該中間値との間にある各値よりも好ましいという含意的陳述として解釈される。

層が特定の１つまたは複数の材料「に基づく」と言われる本発明の文脈において、これは、その層が主に対応する該１つまたは複数の材料からなることを意味し、典型的に、それが少なくとも約５０ａｔ．％の該１つまたは複数の材料を含むことを意味する。

該シラザンは、テトラメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ジエチルテトラメチルジシラザン、トリメチルトリビニルシクロトリシラザン、テトラメチルジフェニルジシランザン、及び／またはジメチルテトラフェニルジシラザンのうちの１つ以上であり得る。好ましくは、該シラザンは、ポリシラザン及び／またはオリゴマーシラザンである。該ポリシラザンは、ペルヒドロポリシラザン及び／またはオルガノポリシラザン、例えば、ポリメチルシラザン及び／またはポリジメチルシラザンであり得る。ポリシラザンは、ケイ素原子及び窒素原子が交互に骨格を形成するポリマーである。骨格内で、各ケイ素原子は、２つの別個の窒素原子に結合され、各窒素原子は、２つのケイ素原子に結合され、したがって、式［Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−ＮＲ３］_ｎの鎖及び環の両方が起こり得る。Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子または有機置換基であり得る。全てのＲ置換基がＨ原子である場合、ポリマーは、ペルヒドロポリシラザンとして指定される（ポリペルヒドリドシラザンまたは無機ポリシラザンとしても知られる、［Ｈ_２Ｓｉ−ＮＨ］_ｎ）。炭化水素置換基がケイ素原子に結合される場合、ポリマーは、オルガノポリシラザンとして指定される。分子的に、ポリシラザン［Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−ＮＨ］_ｎは、ポリシロキサン［Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−Ｏ］ｎ（シリコーン）と等電子的であり、それと近親である。好ましくは、該ポリシラザンは、ペルヒドロポリシラザン及び／またはポリジメチルシラザンである。いくつかの実施形態において、ポリシラザンは、ポリ−メタロ−シラザン及び／またはシラザンコポリマーであり得る。

好ましくは、ポリシラザンは、２００〜５００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、１０００〜２００，０００ｇ／ｍｏｌ、さらにより好ましくは、２０００〜１００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する。ポリシラザンは、０．５〜１．５ｇ／ｃｍ^３、好ましくは、０．７〜１．３ｇ／ｃｍ^３、より好ましくは、０．８〜１．２ｇ／ｃｍ^３、さらにより好ましくは、０．５〜１．５ｇ／ｃｍ^３の密度を有し得る。

好ましくは、該１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層は、スピン被覆、スロットダイ被覆、フレームスプレー被覆などの噴霧、ローラー被覆、浸漬、及び／または印刷によって堆積される。最も好ましくは、シラザンに基づく層は、噴霧によって堆積される。好ましくは、堆積前に、シラザンを溶媒和するか、または液体中に懸濁する。好ましくは、該液体は、１つ以上の炭化水素溶媒を含む。該炭化水素溶媒は、脂肪族及び／または芳香族部分を含み得る。該炭化水素溶媒は、ハロゲン化されてもよい。該溶媒は、ジブチルエーテル、キシレン、トルエン、ベンゼン、クロロホルム、及びジクロロメタンのうちの１つ以上を含み得る。

好ましくは、該１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層は、少なくとも１０ｎｍ、より好ましくは少なくとも５０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも８０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１００ｎｍであるが、好ましくは最大８００ｎｍ、より好ましくは最大４００ｎｍ、さらにより好ましくは最大２００ｎｍ、最も好ましくは最大１５０ｎｍの厚さを有する。費用の理由で、より薄い層が有利である。好ましくは、厚さは、向上した反射防止及び光透過のために４分の１波長である。

この方法は、１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換することをさらに含み得る。該シリカ及び／またはオルガノシリカは、ポリマーであり得る。該オルガノシリカは、式｛−ＳｉＯ（Ｒ_１）−Ｏ−｝_ｎを有してもよく、式中、Ｒ_１が、アルキル及び／またはフェニル部分を含む。代替として、該オルガノシリカは、式｛−Ｓｉ（Ｒ_１）（Ｒ_２）−Ｏ−｝_ｎを有してもよく、式中、Ｒ_１またはＲ_２の各々が、アルキル及び／またはフェニル部分を含む。該アルキル及び／またはフェニル部分は、１〜１０個の炭素原子、好ましくは、１〜５個の炭素原子を含み得る。該アルキル部分は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、及び／もしくはヘキシル基、及び／またはアルケンなどの重合性基（例えば、ビニル基）、及び／またはカルボニル基を含み得る。好ましくは、該オルガノシリカは、式｛−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−Ｏ−｝_ｎを有し得る。

該変換は、１つ以上のシラザンに基づく層を堆積させた後に、板を熱、ＵＶ照射、及び／またはＩＲ照射で処理することを含み得る。

該熱処理は、板を少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも２００℃、さらにより好ましくは少なくとも３００℃、さらにより好ましくは少なくとも３５０℃、最も好ましくは少なくとも４５０℃であるが、好ましくは最高１０００℃、より好ましくは最高８００℃、さらにより好ましくは最高７００℃、さらにより好ましくは最高６００℃、最も好ましくは最高５５０℃で加熱することを含み得る。これらの好ましい温度は、液体として堆積されていてもよい１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層が、硬化して十分に接着された固体被覆を形成することを確実にするのを助ける。少なくとも３００℃の温度は、シラザンの、シリカ及び／またはオルガノシリカへの完全な転換を確実にするのを助ける。

好ましくは、該熱処理は、板を該温度で少なくとも３０分、より好ましくは少なくとも４５分、さらにより好ましくは少なくとも１時間、最も好ましくは少なくとも９０分であるが、好ましくは最長５時間、より好ましくは最長４時間、さらにより好ましくは最長３時間加熱することを含む。そのような期間は、シリカ及び／またはオルガノシリカへの完全な転換を確実にするのを助ける。

好ましくは、該熱処理は、板を該温度に少なくとも２０分、より好ましくは少なくとも４０分、さらにより好ましくは少なくとも５０分、最も好ましくは少なくとも１時間の期間にわたって加熱することをさらに含む。板を、そのような好ましい最小期間にわたって所望の温度へと段階的に加熱することは、急速な溶媒損失及び欠陥の形成を回避するのを助ける。

該ＵＶ及び／またはＩＲ照射処理は、１つ以上のシラザンに基づく層を、ＵＶ及び／またはＩＲ照射に露光することを含み得る。該ＵＶ及び／またはＩＲ処理は、該層を、ＵＶ及び／またはＩＲ照射に少なくとも３分間、より好ましくは少なくとも５分間、さらにより好ましくは少なくとも７分間、最も好ましくは少なくとも９分間であるが、好ましくは最長１時間、より好ましくは最長３０分間、さらにより好ましくは最長２０分間、最も好ましくは最長１５分間露光することを含み得る。そのような期間は、シリカ及び／またはオルガノシリカへの完全な転換を確実にするのを助ける。ＵＶ照射は、ＵＶＡ、ＵＶＢ、及び／またはＵＶＣ照射であってもよい。好ましくは、ＵＶ照射は、ＵＶＣ照射である。

好ましくは、該シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層は、少なくとも１０ｎｍ、より好ましくは少なくとも５０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも８０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも９０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１００ｎｍであるが、好ましくは最大８００ｎｍ、より好ましくは最大４００ｎｍ、さらにより好ましくは最大２００ｎｍ、最も好ましくは最大１５０ｎｍの厚さを有する。

シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層の表面は、少なくとも０．３ｎｍであるが、好ましくは最大３ｎｍ、より好ましくは最大２ｎｍ、さらにより好ましくは、２ｎｍ未満、さらにより好ましくは最大１．９ｎｍ、さらにより好ましくは最大１．５ｎｍ、さらにより好ましくは最大１ｎｍ、最も好ましくは最大０．８５ｎｍの算術平均表面高さ値Ｓａを有し得る。Ｓａは、表面の粗さの表示を付与する。

好ましくは、１つ以上のシラザンに基づく層を堆積させた後、及び／または１つ以上のシラザンに基づく層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換した後に、該板は少なくとも０．２％であるが、好ましくは最大１．０％、より好ましくは最大０．８％、さらにより好ましくは最大０．６％、最も好ましくは最大０．４５％のヘイズを呈する。ヘイズ値は、ＡＳＴＭ Ｄ １００３−６１標準に従って測定されるものとする。本発明に従って加工された板によって呈されるより低いヘイズは、それが、当然のことながら消費者にとって望ましくない、目に見える欠陥をほとんど表さないため有利である。

下層は、好ましくは、透明導電被覆（ＴＣＣ）に基づく少なくとも１つの層を含む。好ましくは、ＴＣＣは、透明導電酸化物（ＴＣＯ）である。好ましくは、ＴＣＯは、フッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ_２：Ｆ）、アルミニウム、ガリウム、もしくはホウ素をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｂ）、スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）、スズ酸カドミウム、ＩＴＯ：ＺｎＯ、ＩＴＯ：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ（ＩＺＯ）、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｍｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｗ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｚｒ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｂ、Ｉｎ_２−２ｘＭ_ｘＳｎ_ｘＯ_３（ＭはＺｎもしくはＣｕである）、ＺｎＯ：Ｆ、Ｚｎ_０．９Ｍｇ_０．１Ｏ：Ｇａ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｐ、ＩＴＯ：Ｆｅ、ＳｎＯ_２：Ｃｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：（Ｓｎ，Ｎｉ）、ＺｎＯ：Ｍｎ、及び／またはＺｎＯ：Ｃｏのうちの１つ以上である。

好ましくは、ＴＣＣに基づく少なくとも１つの層の各層は、少なくとも２０ｎｍ、より好ましくは少なくとも１００ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも２００ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも２５０ｎｍ、最も好ましくは少なくとも３００ｎｍであるが、好ましくは最大６００ｎｍ、より好ましくは最大４５０ｎｍ、さらにより好ましくは最大３７０ｎｍ、最も好ましくは最大３５０ｎｍの厚さを有する。これらの厚さは、１）導電性、２）吸収（層が厚いほど、吸収はより多く、透過はより低い）、及び３）色抑制（ある特定の厚さが、中間色を得るためにより良い）という特徴間の均衡をとるために好ましい。

好ましくは、下層は少なくとも１つのさらなる層をさらに含み、該少なくとも１つのさらなる層が、金属またはメタロイドの酸化物、例えばＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、酸窒化ケイ素及び／または酸化アルミニウムに基づく。該金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つの層のうちの１つの層は、好ましくは、該ガラス板の該主表面と直接接触して位置する。追加として、または代替として、該金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つの層のうちの１つの層は、好ましくは、ＴＣＣに基づく層と直接接触して位置する。金属またはメタロイドの酸化物に基づくそのような層は、腐食の原因であり得る、ナトリウムイオンの、表面への拡散を防止するために遮断層として作用し得るか、または層の厚さの変化から生じる虹色反射色を抑制する色抑制層として作用し得る。

好ましくは、金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つのさらなる層の各層は、少なくとも５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも１５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも２０ｎｍであるが、好ましくは最大１００ｎｍ、より好ましくは最大５０ｎｍ、さらにより好ましくは最大４０ｎｍ、最も好ましくは最大３０ｎｍの厚さを有する。

いくつかの実施形態において、下層は、好ましくは、ガラス基板から順に、
ＳｎＯ_２に基づく少なくとも１つの層と、
ＳｉＯ_２に基づく少なくとも１つの層と、
ＳｎＯ_２：Ｆに基づく少なくとも１つの層と、を含み、
ＳｎＯ_２に基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１５ｎｍであるが、最大３５ｎｍの厚さを有し、
ＳｉＯ_２に基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１５ｎｍであるが、最大３５ｎｍの厚さを有し、
ＳｎＯ_２：Ｆに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも３００ｎｍであるが、最大６００ｎｍの厚さを有する。

好ましくは、ＳｎＯ_２に基づく少なくとも１つの層は、少なくとも２０ｎｍ、より好ましくは少なくとも２３ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも２４ｎｍであるが、好ましくは最大３０ｎｍ、より好ましくは最大２７ｎｍ、さらにより好ましくは最大２６ｎｍの厚さを有する。

好ましくは、ＳｉＯ_２に基づく少なくとも１つの層は、少なくとも２０ｎｍ、より好ましくは少なくとも２３ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも２４ｎｍであるが、好ましくは最大３０ｎｍ、より好ましくは最大２７ｎｍ、さらにより好ましくは最大２６ｎｍの厚さを有する。

好ましくは、ＳｎＯ_２：Ｆに基づく少なくとも１つの層は、少なくとも３２０ｎｍ、より好ましくは少なくとも３３０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも３３５ｎｍであるが、好ましくは最大４００ｎｍ、より好ましくは最大３６０ｎｍ、さらにより好ましくは最大３５０ｎｍ、さらにより好ましくは最大３４５ｎｍの厚さを有する。

いくつかの実施形態において、下層は、好ましくは、ガラス板から順に、
下部反射防止層と、
銀系機能層と、
少なくとも１つのさらなる反射防止層と、を含む。

下部及び／またはさらなる反射防止層は、Ｓｉの（オキシ）窒化物及び／もしくはＡｌの（オキシ）窒化物、及び／もしくはそれらの合金に基づく、ならびに／またはＴｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＮｂのうちの１つ以上の酸化物、例えば、Ｚｎ及びＳｎの酸化物などの酸化金属に基づく、少なくとも１つの誘電層を含み得る。該誘電層は、好ましくは少なくとも１ｎｍ、より好ましくは少なくとも２ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも５ｎｍ、最も好ましくは少なくとも１０ｎｍであるが、好ましくは最大７０ｎｍ、より好ましくは最大５０ｎｍ、さらにより好ましくは最大４０ｎｍ、最も好ましくは最大３０ｎｍの厚さを有し得る。

少なくとも１つのさらなる反射防止層は、好ましくは少なくとも１つの障壁層をさらに含む。好ましくは、該障壁層は、銀系機能層と直接接触して位置する。好ましくは、該障壁層は、ＮｉＣｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及び／もしくはＣｒ、ならびに／またはそれらの酸化物及び／もしくは窒化物に基づく。少なくとも１つの障壁層は、好ましくは少なくとも０．５ｎｍ、より好ましくは少なくとも１ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも３ｎｍ、最も好ましくは少なくとも５ｎｍであるが、好ましくは最大１２ｎｍ、より好ましくは最大１０ｎｍ、さらにより好ましくは最大８ｎｍ、最も好ましくは最大７ｎｍの全厚を有し得る。これらの好ましい厚さは、機械的耐久性を維持しながら、さらに容易な堆積、及びヘイズなどの光学特徴の向上を可能にする。

いくつかの実施形態において、下層は、複数の銀系機能層を含む。例えば、下層は、２つ、３つ、またはそれ以上の銀系機能層を含んでもよい。下層が複数の銀系機能層を含む場合、各銀系機能層は、中心反射防止層によって隣接した銀系機能層から間隔を空けて置かれ得る。

いくつかの実施形態において、方法は、少なくとも１つの上層を、１つ以上のシラザンに基づく、ならびに／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層上に堆積させることをさらに含み得る。該少なくとも１つの上層は、下層、金属もしくはメタロイドの酸化物に基づく層、下部反射防止層、銀系機能層、さらなる反射防止層、ならびに／または１つ以上のシラザンに基づく、及び／もしくはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく層について上に列挙される材料のうちの１つ以上に基づき得る。

いくつかの実施形態において、方法は、少なくとも１つの反対側の層を、ガラス板の反対側の主表面（すなわち、下層で被覆された主表面ではない）上に堆積させることをさらに含んでもよい。該少なくとも１つの反対側の層は、下層、金属もしくはメタロイドの酸化物に基づく層、下部反射防止層、銀系機能層、さらなる反射防止層、ならびに／または１つ以上のシラザンに基づく、及び／もしくはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく層について上に列挙される材料のうちの１つ以上に基づき得る。該少なくとも１つの反対側の層は、該下層及び／または該１つ以上のシラザンに基づく層の前または後に堆積され得る。

好ましくは、１つ以上のシラザンに基づく、ならびに／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく該少なくとも１つの層は、１つ以上の領域において不在である。好ましくは、該少なくとも１つの層が不在である領域は、繰り返しパターンで配置される。好ましくは、該領域の少なくとも一部分は、少なくとも１つのサインを形成する。好ましくは、少なくとも該下層、ならびに１つ以上のシラザンに基づく、及び／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層で被覆された該ガラス板を透過した及び／または反射した光は、１つ以上のシラザンに基づく、及び／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく該少なくとも１つの層が不在である領域内で少なくとも該下層で被覆された該ガラス板を透過した及び／または反射した光とは異なる。そのような配置は、１つ以上のシラザンに基づく、ならびに／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が存在する領域と、該少なくとも１つの層が不在である領域との間の視覚的に認識できる区別を観察者に提供する。この目に見える区別は、日光及び／または人工光源などの通常の光条件下で明らかであり得る。該領域間の区別は、目立たず、かつ容易に明白である透かし模様の外観を有し得る。このサインは、例えば、部屋番号を示すための付番またはレタリングを含み得る。代替として、または追加として、このサインは、板またはその板が組み込まれるドアが、火災避難装置／火災出口、及び／または建物にアクセスするための緊急サービス用経路として、例えば、火災避難装置／出口を示す記号、例えば、走っている人もしくはエクスクラメーションマークの記号を組み込むこと、緊急サービス用のアクセスポイントを描くこと、及び／または「火災避難装置」、「火災出口」、もしくは「緊急アクセス」という言葉を組み込むことによって使用され得ることを示し得る。

１つ以上の領域内の１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層の不在は、該１つ以上のシラザンに基づく層を、マスクを通して堆積させることによって、及び／または堆積後に該１つ以上のシラザンに基づく層を部分的に除去することによって達成され得る。１つ以上のシラザンに基づく層の部分的除去は、化学的、レーザー、及び／またはサンドブラスト手段を使用して行われてもよい。化学的手段は、フッ化水素酸の濃縮溶液による除去を含み得る。
ガラス板は、透明酸化金属系ガラス板であり得る。好ましくは、このガラス板は、透明フロートガラス板、好ましくは低鉄フロートガラス板である。透明フロートガラスとは、ＢＳ ＥＮ ５７２−１及びＢＳ ＥＮ ５７２−２（２００４）において定義される組成物を有するガラスを意味する。透明フロートガラスの場合、Ｆｅ_２Ｏ_３レベルは、典型的に０．１１重量％である。約０．０５重量％未満のＦｅ_２Ｏ_３含有量を有するフロートガラスは、典型的に低鉄フロートガラスと称される。そのようなガラスは、通常、他の成分酸化物の同じ塩基性組成物を有し、すなわち、低鉄フロートガラスは、透明フロートガラスと同様に、ソーダライム−ケイ酸塩ガラスでもある。典型的に、低鉄フロートガラスは、０．０２重量％未満のＦｅ_２Ｏ_３を有する。代替として、ガラス板は、ホウケイ酸塩系ガラス板、アルカリ−アルミノケイ酸塩系ガラス板、または酸化アルミニウム系結晶ガラス板である。このガラス板は、熱的及び／または化学的強靭化プロセスなどの任意の好適な手段によって、ある程度強靭化され得る。

本発明の第２の態様に従い、第１の態様の方法に従って生成される被覆されたガラス板が提供される。

本発明の第３の態様に従い、ガラス板上の被覆の表面を平坦化するためのシラザンの使用が提供され、この方法は、
ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、該下層上に堆積させることと、を含む。

好ましくは、該使用は、１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換することをさらに含む。

本発明の第４の態様に従い、被覆されたガラス板によって呈されるヘイズを低減するためのシラザンの使用が提供され、この使用は、
ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、該下層上に堆積させることと、を含む。

好ましくは、該使用は、１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換することをさらに含む。

本発明の第５の態様に従い、少なくとも以下の層、すなわち
ガラス板と、
下層と、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む被覆されたガラス板が提供され、該シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく層の表面が、最大２ｎｍの算術平均表面高さ値Ｓａを有する。

本発明の第６の態様に従い、少なくとも以下の層、すなわち
ガラス板と、
下層と、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む被覆されたガラス板が提供され、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有し、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を部分的にまたは完全に変換することによって得られる。

本発明の第７の態様に従い、少なくとも以下の層、すなわち
ガラス板と、
下層と、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む被覆されたガラス板が提供され、
下層が、透明導電被覆（ＴＣＣ）に基づく少なくとも１つの層を含み、ＴＣＣが、透明導電酸化物（ＴＣＯ）であり、ＴＣＯが、フッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ_２：Ｆ）、アルミニウム、ガリウム、もしくはホウ素をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｂ）、スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）、スズ酸カドミウム、ＩＴＯ：ＺｎＯ、ＩＴＯ：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ（ＩＺＯ）、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｍｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｗ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｚｒ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｂ、Ｉｎ_２−２ｘＭ_ｘＳｎ_ｘＯ_３（ＭはＺｎもしくはＣｕである）、ＺｎＯ：Ｆ、Ｚｎ_０．９Ｍｇ_０．１Ｏ：Ｇａ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｐ、ＩＴＯ：Ｆｅ、ＳｎＯ_２：Ｃｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：（Ｓｎ，Ｎｉ）、ＺｎＯ：Ｍｎ、及び／またはＺｎＯ：Ｃｏのうちの１つ以上であり、
ＴＣＣに基づく少なくとも１つの層の各層が、少なくとも２０ｎｍであるが、最大６００ｎｍの厚さを有し、
下層が、少なくとも１つのさらなる層をさらに含み、該少なくとも１つのさらなる層が、金属またはメタロイドの酸化物、例えばＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、酸窒化ケイ素及び／または酸化アルミニウムに基づき、
金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つのさらなる層の各層が、少なくとも１０ｎｍであるが、最大５０ｎｍの厚さを有し、
シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する。

本発明の１つの態様に適用可能な随意の特徴は、任意の組み合わせで、及び任意の数で使用され得ることが理解されるであろう。さらに、それらは、本発明の他の態様のうちのいずれかと、任意の組み合わせで、及び任意の数で使用することもできる。これは、本出願の特許請求の範囲内の任意の他の請求項に対して従属項として使用される、任意の請求項からの従属項が挙げられるが、これらに限定されない。

読者の注意は、本出願に関連して本明細書と同時に、またはその前に提出され、本明細書と共に縦覧のために公開されている全ての論文及び文書に向けられ、そのような論文及び文書の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

本明細書（あらゆる付随する特許請求の範囲、要約、及び図面を含む）において開示される特徴の全て、及び／またはそのように開示されるあらゆる方法またはプロセスの工程の全ては、そのような特徴及び／または工程のうちの少なくともいくつかが、互いに排他的である組み合わせを除いて、いずれの組み合わせで組み合わされてもよい。

本明細書（あらゆる付随する特許請求の範囲、要約、及び図面を含む）において開示される各特徴は、別途明示されない限り、同じ、同等、または類似の目的を果たす代替特徴によって置き換えられてもよい。したがって、別途明示されない限り、開示される各特徴は、一般的な一連の同等または類似の特徴の単なる一例である。

本発明はここで、以下の付随する図面を参照して、限定ではなく、例証によって付与される、以下の特定の実施形態によってさらに説明される。

いくつかの比較の被覆されたガラス板、及び前駆体ＰＨＰＳを使用して調製された本発明に従う多くの被覆されたガラス板について、算術平均表面高さ値Ｓａ対シリカ層の厚さを示すグラフである。 比較参照の被覆されたガラス板、及び前駆体ＰＤＭＳを使用して調製された本発明に従う多くの被覆されたガラス板について、算術平均表面高さ値Ｓａ対オルガノシリカ層の厚さを示すグラフである。 比較参照の被覆されたガラス板、及び前駆体ＰＨＰＳを使用して調製された本発明に従う多くの被覆されたガラス板について、ヘイズ値のパーセント対シリカ層の厚さを示すグラフである。

ＮＳＧ ＴＥＣ（ＲＴＭ）１５（ガラス（厚さ＝３．２ｍｍ）／酸化スズ（２５ｎｍ）／二酸化ケイ素（２５ｎｍ）／フッ素をドープした酸化スズ（３４０ｎｍ））ガラス（試料サイズ＝７５ｍｍ×７５ｍｍ）の試料を、全ての実施例において使用した。

本発明に従う実施例は、ペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）またはポリジメチルシラザン（ＰＤＭＳ）を用いるスピン被覆試料によって調製した。

ＰＨＰＳまたはＰＤＭＳ溶液を、下の表１に示される希釈の範囲を使用して、ジブチルエーテル（ＤＢＥ）と混合した。

スピン被覆プロセスパラメータは、以下のとおりであった。
被覆溶液分注量 約２ｍＬ
スピン速度 ２０００ｒｐｍ
加速 １０００ｒｐｍ／秒。

次に試料を５００℃で１時間硬化させて（所望の温度まで約１時間の加熱、該温度で１時間の保持、及び室温への約８時間の冷却を必要とする）、シリカ（ＰＨＰＳ前駆体から）またはオルガノシリカ（ＰＤＭＳ前駆体から）の外層をもたらした。

比較例は、化学的蒸着（ＣＶＤ）を介して、２０〜１５０ｎｍ厚のＳｉＯ_２層を多くのＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料上に堆積させることによって調製した。

粗さデータ（算術平均表面高さ値Ｓａ）は、原子力顕微鏡を使用し、ＩＳＯ２５１７８に従って得た。ヘイズ値のパーセントは、ＡＳＴＭ Ｄ １００３−６１標準に従って測定した。

図１及び２は、下層をペルヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）またはポリジメチルシラザン（ＰＤＭＳ、ＭＱ７０（ＲＴＭ））でそれぞれ被覆することに続いて、外側被覆を硬化させて、シリカ層またはオルガノシリカ層をそれぞれ形成する平坦化効果を示す。

図１において、いくつかのデータ点は、グラフのｙ軸上にあり、これらは比較参照例、すなわち、さらなる被覆のないＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料である。データシリーズＢによって表されるものとは異なる他の試料の全ては比較例であり、気圧ＣＶＤを使用してシリカで被覆されたＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料である。

比較データシリーズＡは、ジ−ｔ−ブトキシジアセトキシシラン（ＤＢＤＡＳ）をシリカ前駆体として使用し、６インチ（１５ｃｍ）気圧熱ＣＶＤコーター上でシリカにより被覆されたＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料を表す（ｙ軸上に示される参照試料とは異なる）。シリカ被覆を、典型的に０．４％のＤＢＤＡＳガス相濃度、０．２２３ｍｏｌ／分の酸素、及び最大１１Ｌ／分の窒素担体流を使用して、ＮＳＧ ＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の上に６５０℃で堆積させた。

データシリーズＢは、ＰＨＰＳをシリカ前駆体層として使用し、上に詳述されるように調製された本発明に従う試料を表す（ｙ軸上に示される参照試料とは異なる）。曲線Ｅは、データシリーズＢを通して最良適合である。

比較データシリーズＣは、ＥｔＯＡｃ中のＳｉＣｌ_４を使用して気圧熱ＣＶＤコーター上でシリカにより被覆されたＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料を表す。シリカ被覆を、典型的にＳｉＣｌ_４噴出装置を通る０．５〜２Ｌ／分の窒素流、２Ｌ／分のＯ_２、３〜７Ｌ／分のＮ_２担体ガス、１００〜３００Ｌ／分のＥｔＯＡｃを使用して、５８０℃〜６５０℃で保持されたＮＳＧ ＴＥＣ（ＲＴＭ）１５基材の上に堆積させた。堆積時間は、１５〜１２０秒の範囲であった。

比較データシリーズＤは、ＳｉＨ_４を使用して、気圧熱ＣＶＤコーター上でシリカにより被覆されたＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料を表す（ｙ軸上に示される参照試料とは異なる）。その後、これらの試料を、研磨ブラシ（Ｂｏｔｅｃｈにより供給される標準品、Ｖ３１０６、Ｖ３１０７、またはＶ３１０９）及びアルミナの研粒懸濁液を含有する液体研磨媒体（１０体積％に希釈された、Ａａｃｈｅｎｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｗｅｒｋｅによる「Ａｃｅｐｏｌ ＡＬ」アルミナスラリー）を使用し、異なる程度に研磨した（故に、各厚さのシリカにおいて複数のデータ点が存在する）。ブラシを炭化ケイ素または酸化アルミニウム研粒剤に含浸させることによって最良の結果が達成された。研磨中に、露出した被覆層とちょうど接触するまでブラシを下げ、ブラシの剛毛の先端がブラシと被覆との間の接触の大半をもたらすようにした。

図２において、データシリーズＡは、ＰＤＭＳをオルガノシリカ前駆体層として使用し、上に詳述されるように調製された本発明に従う試料を表す。
比較参照データ点Ｂは、さらなる被覆のないＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の試料を表す。

図１及び２は、それぞれＰＨＰＳ及びＰＤＭＳ被覆から誘導されたシリカ及びオルガノシリカ被覆が、比較例に対して評価された場合、実質的な平坦化効果を呈することを示す。さらに、図１から、ＰＨＰＳ被覆から誘導された１００ｎｍ以上の厚さのシリカ被覆を担持する試料が、極めて高い平坦性を呈することが分かる。図２は、対応する高いレベルの平坦性が、ＰＤＭＳ被覆から誘導されるオルガノシリカ被覆（２５０ｎｍまたは７５０ｎｍの厚さ）を担持する４つの試料の全てによって呈されることを示す。

図３において、データ点Ａは、さらなる被覆のないＴＥＣ（ＲＴＭ）１５の参照試料を表す。データシリーズＢ及びＣは、それぞれ生成１年後、及び生成直後のヘイズレベルについて分析した試料を表す。シリーズＢ及びＣの試料は、ＰＨＰＳをシリカ前駆体層として使用し、上に詳述されるように調製した。図３は、前駆体層としてのＰＨＰＳの使用が、参照試料と比較して非常に低いヘイズを呈する、シリカ被覆されたガラス板の提供を可能にすることを示す。さらに、これらの低レベルのヘイズは、長期間にわたって維持される。

本発明は、前述の実施形態の詳細に制限されない。本発明は、本明細書（あらゆる付随する特許請求の範囲、要約、及び図面を含む）において開示される特徴のうちのいずれの新規の１つもしくはいずれの新規の組み合わせ、またはそのように開示されるあらゆる方法もしくはプロセスの工程のいずれの新規の１つもしくはいずれの新規の組み合わせにも及ぶ。

Claims (27)

1. ガラス板上の被覆の表面を平坦化する方法であって、
   ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
   １つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、前記下層上に堆積させることと、を含む、方法。
2. 前記シラザンが、ペルヒドロポリシラザンなどのポリシラザン、ならびに／またはポリメチルシラザン及び／もしくはポリジメチルシラザンなどのオルガノポリシラザンである、請求項１に記載の方法。
3. 前記ポリシラザンが、１０００〜２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する、請求項２に記載の方法。
4. 前記１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層が、スピン被覆、スロットダイ被覆、噴霧、ローラー被覆、浸漬、及び／または印刷によって堆積される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 前記方法が、前記１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換することをさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
6. 前記変換が、前記１つ以上のシラザンに基づく層を堆積させた後に、前記板を熱、ＵＶ照射、及び／またはＩＲ照射で処理することを含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記熱処理が、前記板を少なくとも１００℃であるが、最高７００℃で加熱することを含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記熱処理が、前記板を前記温度で少なくとも３０分であるが、最長４時間にわたって加熱することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
9. 前記熱処理が、前記板を前記温度に少なくとも２０分の期間にわたって加熱することをさらに含む、請求項７または請求項８に記載の方法。
10. 前記ＵＶ及び／またはＩＲ照射処理が、前記１つ以上のシラザンに基づく層を、ＵＶ及び／またはＩＲ照射に少なくとも３分であるが、最長１時間にわたって露出することを含む、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
11. 前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１０ｎｍであるが、最大４００ｎｍの厚さを有する、請求項５〜１０のいずれかに記載の方法。
12. 前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する、請求項１１に記載の方法。
13. 前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層の表面が、最大２ｎｍの算術平均表面高さ値Ｓａを有する請求項５〜１２のいずれかに記載の方法。
14. 前記１つ以上のシラザンに基づく層を堆積させた後、及び／または前記１つ以上のシラザンに基づく層を、シリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換した後に、前記板が、最大０．６％のヘイズを呈する、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
15. 前記下層が、透明導電被覆（ＴＣＣ）に基づく少なくとも１つの層を含み、前記ＴＣＣが、透明導電酸化物（ＴＣＯ）であり、前記ＴＣＯが、フッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ_２：Ｆ）、アルミニウム、ガリウム、もしくはホウ素をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｂ）、スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）、スズ酸カドミウム、ＩＴＯ：ＺｎＯ、ＩＴＯ：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ（ＩＺＯ）、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｍｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｗ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｚｒ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｂ、Ｉｎ_２−２ｘＭ_ｘＳｎ_ｘＯ_３（ＭはＺｎもしくはＣｕである）、ＺｎＯ：Ｆ、Ｚｎ_０．９Ｍｇ_０．１Ｏ：Ｇａ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｐ、ＩＴＯ：Ｆｅ、ＳｎＯ_２：Ｃｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：（Ｓｎ，Ｎｉ）、ＺｎＯ：Ｍｎ、及び／またはＺｎＯ：Ｃｏのうちの１つ以上である、請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
16. 前記ＴＣＣに基づく少なくとも１つの層の各層が、少なくとも２０ｎｍであるが、最大６００ｎｍの厚さを有する、請求項１５に記載の方法。
17. 前記下層が、少なくとも１つのさらなる層をさらに含み、前記少なくとも１つのさらなる層が、金属またはメタロイドの酸化物、例えばＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、酸窒化ケイ素、及び／または酸化アルミニウムに基づく、請求項１５または１６に記載の方法。
18. 前記金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つのさらなる層の各層が、少なくとも１０ｎｍであるが、最大５０ｎｍの厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
19. 前記下層が、前記ガラス板から順に、
    下部反射防止層と、
    銀系機能層と、
    少なくとも１つのさらなる反射防止層と、を含む、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
20. 前記方法が、少なくとも１つの上層を、前記１つ以上のシラザンに基づくならびに／またはシリカ及び／もしくはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層上に堆積させることをさらに含む、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
21. 請求項１〜２０のいずれかに従って生成される、被覆されたガラス板。
22. ガラス板上の被覆の表面を平坦化するためのシラザンの使用であって、
    ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
    １つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、前記下層上に堆積させることと、を含む、シラザンの使用。
23. 被覆されたガラス板によって呈されるヘイズを低減するためのシラザンの使用であって、
    ガラス板の主表面上に下層で直接または間接的に被覆されたガラス板を提供することと、
    １つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、前記下層上に堆積させることと、を含む、シラザンの使用。
24. 前記使用が、前記１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を、シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層へと部分的にまたは完全に変換することをさらに含む、請求項２２または２３に記載の使用。
25. 少なくとも以下の層、すなわち
    ガラス板と、
    下層と、
    シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む、被覆されたガラス板であって、前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく層の表面が、最大２ｎｍの算術平均表面高さ値Ｓａを有する、被覆されたガラス板。
26. 少なくとも以下の層、すなわち
    ガラス板と、
    下層と、
    シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む、被覆されたガラス板であって、
    前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有し、
    前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、１つ以上のシラザンに基づく少なくとも１つの層を部分的にまたは完全に変換することによって得られる、被覆されたガラス板。
27. 少なくとも以下の層、すなわち
    ガラス板と、
    下層と、
    シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層と、を順に含む、被覆されたガラス板であって、
    前記下層が、透明導電被覆（ＴＣＣ）に基づく少なくとも１つの層を含み、前記ＴＣＣが、透明導電酸化物（ＴＣＯ）であり、前記ＴＣＯが、フッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ_２：Ｆ）、アルミニウム、ガリウム、もしくはホウ素をドープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＺｎＯ：Ｂ）、スズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）、スズ酸カドミウム、ＩＴＯ：ＺｎＯ、ＩＴＯ：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ（ＩＺＯ）、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｔｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｍｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｇａ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｗ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｚｒ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｂ、Ｉｎ_２−２ｘＭ_ｘＳｎ_ｘＯ_３（ＭはＺｎもしくはＣｕである）、ＺｎＯ：Ｆ、Ｚｎ_０．９Ｍｇ_０．１Ｏ：Ｇａ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｐ、ＩＴＯ：Ｆｅ、ＳｎＯ_２：Ｃｏ、Ｉｎ_２Ｏ_３：Ｎｉ、Ｉｎ_２Ｏ_３：（Ｓｎ，Ｎｉ）、ＺｎＯ：Ｍｎ、及び／またはＺｎＯ：Ｃｏのうちの１つ以上であり、
    前記ＴＣＣに基づく少なくとも１つの層の各層が、少なくとも２０ｎｍであるが、最大６００ｎｍの厚さを有し、
    前記下層が、少なくとも１つのさらなる層をさらに含み、前記少なくとも１つのさらなる層が、金属またはメタロイドの酸化物、例えばＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、酸窒化ケイ素、及び／または酸化アルミニウムに基づき、
    前記金属またはメタロイドの酸化物に基づく少なくとも１つのさらなる層の各層が、少なくとも１０ｎｍであるが、最大５０ｎｍの厚さを有し、
    前記シリカ及び／またはオルガノシリカに基づく少なくとも１つの層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する、被覆されたガラス板。