TW201637858A - 玻璃物品 - Google Patents

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Hiroaki Iwaoka
Atsushi Seki
Keisuke Abe
Yuichi Kuwahara
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明提供一種能以低成本賦予優異之防污性之玻璃物品。 本發明係一種玻璃物品，其特徵在於：其係於板玻璃之一主表面上形成有氧化錫膜者，上述氧化錫膜之膜厚為10nm以上、150nm以下，膜表面之算術平均粗糙度Ra為1nm以上、13nm以下，並且膜表面之峰谷值(PV(peak-valley)值)與上述Ra之比(PV/Ra)為15以下。

Description

玻璃物品
本發明係關於一種玻璃物品。
本發明之玻璃物品係於板玻璃之一主表面上設置有具有特定厚度、及特定表面性狀之氧化錫膜者。
本發明之玻璃物品由於設置有氧化錫膜之側之主表面之防污性優異，故而對用於在苛刻之環境下使用之住宅用窗玻璃、或者賦予有透光性之公共設施等之屋頂或高速道路隔音牆等的建築用防污玻璃較佳。
已知有對板玻璃等玻璃基材表面賦予有撥水性、撥油性之防污性玻璃物品(參照專利文獻1)。專利文獻1所記載之防污性玻璃物品係於玻璃基材表面形成具有2MΩ/□以下之電阻之透明導電膜且於該透明導電膜上形成了有機矽烷及/或有機矽氧烷之層者。作為具有2MΩ/□以下之電阻之透明導電膜，可列舉氧化錫膜。於專利文獻1所記載之防污性玻璃物品中，有機矽烷及/或有機矽氧烷之層發揮撥水性、撥油性。另一方面，具有2MΩ/□以下之電阻之透明導電膜防止產生成為灰塵附著之原因之靜電。
然而，專利文獻1所記載之防污性玻璃物品必需於玻璃基材表面形成具有2MΩ/□以下之電阻之透明導電膜的步驟、及於該透明導電膜上形成有機矽烷及/或有機矽氧烷之層的步驟，故而難以低成本化。
又，專利文獻1所記載之防污性玻璃物品由於藉由利用包含有機矽烷及/或有機矽氧烷之撥水劑對形成有具有2MΩ/□以下之電阻之透明導電膜的玻璃基材表面進行處理而形成防污層，故而耐久性、耐候性並不充分，防污層會因時間之經過而剝離，無法長期發揮防污性。
另一方面，於板玻璃等板狀基體表面，為了賦予防污性亦嘗試形成超親水性之皮膜。作為超親水性皮膜，眾所周知有具有觸媒功能之氧化鈦皮膜。
然而，氧化鈦系之超親水性皮膜由於利用氧化鈦之光觸媒作用，故而具有於日光無法照射之地點或夜間等無法發揮防污性之缺點。又，存在雖於初始階段發揮防污性但因氧化鈦之觸媒功能降低而損及防污性之缺點。
作為以賦予防污性為目的而形成超親水性之皮膜之另一嘗試，具有使用含有二氧化矽微粒子之塗佈液來塗佈板玻璃等板狀基體表面之嘗試(參照專利文獻2~4)。
然而，該等塗佈之防污性並不充分。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開平7-81979號公報
專利文獻2：日本專利特開平10-158585號公報
專利文獻3：日本專利特開平10-330646號公報
專利文獻4：日本專利特開2004-17448號公報
本發明之目的在於為了解決上述先前技術中之問題，而提供一種能以低成本賦予優異之防污性之玻璃物品。
為了達成上述目的，本發明提供一種玻璃物品，其特徵在於：其係於板玻璃之至少一主表面上形成有氧化錫膜者，上述氧化錫膜之膜厚為10nm以上、150nm以下，膜表面之算術平均粗糙度Ra為1nm以上、13nm以下，並且膜表面之峰谷值(PV值)與上述Ra之比(PV/Ra)為15以下。
再者，於本發明中，膜表面之算術平均粗糙度Ra及峰谷值(PV值)係基於JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)標準之JIS B0601：2001中規定之定義者。又，下述最大高度粗糙度Rz亦為基於該標準之定義者。
於本發明之玻璃物品中，較佳為，於上述板玻璃與上述氧化錫膜之間形成有鹼障壁層。
本發明之玻璃物品較佳為，於實施使用JIS試驗用粉體(2種)(JIS Z8901)之污漬附著試驗前後之霧度值的變化(△Hz)為3%以下。
本發明之玻璃物品較佳為，實施使用污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)之污漬附著試驗後之霧度值(Hz)為5%以下。
本發明之玻璃物品較佳為，將形成有上述氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的遮蔽係數(SC值)(ISO(International Organization for Standardization，國際標準組織)9050)為0.6~0.95。
本發明之玻璃物品較佳為，將形成有上述氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的可見光線透過率(ISO9050)為40~80%。
本發明之玻璃物品較佳為，上述鹼障壁層包含SiO2，並且該鹼障壁層之膜厚為20~50nm。
本發明之玻璃物品較佳為，於實施使用JIS試驗用粉體(2種)(JIS Z8901)之污漬附著試驗前後之霧度值的變化(△Hz)為1%以下。
本發明之玻璃物品較佳為，實施使用污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)之污漬附著試驗後之霧度值(Hz)為5%以下。
又，本發明之玻璃物品較佳為，上述氧化錫膜之膜厚為100nm以下。
根據本發明，能以低成本，對作為用於在苛刻之環境下使用之住宅用窗玻璃、或者賦予有透光性之公共設施等之屋頂或高速道路隔音牆等的建築用防污玻璃使用之玻璃物品賦予優異之防污性。
以下，對本發明之玻璃物品進行說明。
於本發明之玻璃物品中，於板玻璃之一主表面上(具體而言，於主表面上之最表面，例如於各種建築物、構築物之屋外側之板玻璃之主表面)，形成有滿足下述條件之氧化錫膜。本發明之玻璃物品由於設置有氧化錫膜之側之主表面之防污性優異，故而對用於在苛刻之環境下使用之住宅用窗玻璃、或者賦予有透光性之公共設施等之屋頂或高速道路隔音牆等的建築用防污玻璃較佳。再者，亦可視需要於板玻璃之另一主表面上形成氧化錫膜。
於本發明之玻璃物品中，形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫膜之膜厚為10nm以上、150nm以下。
若氧化錫膜之膜厚未達10nm，則膜表面之算術平均粗糙度Ra、以及膜表面之峰谷值(PV值)與上述Ra之比(PV/Ra)不滿足下述條件，故而藉由氧化錫膜形成之防污性不充分。
於用作住宅用窗玻璃之Low-E(低輻射)玻璃中，以藉由使放射率降低使因輻射傳熱產生之熱移動量減少為目的，使隔熱性提高，而於窗玻璃之室內側之主表面上形成有氧化錫等體積電阻率較小之金屬氧化物之薄膜。於氧化錫膜之情形時，為了使其放射率變小，而使膜厚 超過150nm。
於本發明之玻璃物品中，為了使形成於板玻璃之主表面上之氧化錫膜發揮防污性，形成有氧化錫膜之側之主表面成為屋外側。於本發明之玻璃物品中，若氧化錫膜之膜厚超過150nm，則氧化錫膜之放射率變小，故而若用作住宅用窗玻璃或公共設施等之屋頂，則因由輻射傳熱產生之熱移動量減少，反而導致隔熱性變差，故而成為問題。
又，若氧化錫膜之膜厚超過150nm，則會使霧度值增加從而使外觀變差，故而成為問題。
又，於使用常壓CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)裝置形成氧化錫膜之情形時，較佳地用作錫原料之單丁基三氯化物(MBTC)或其他有機錫原料之價格相對較高，故而若氧化錫膜之膜厚超過150nm，則因於形成氧化錫膜時使用之原料增加導致之成本增加亦成為問題。
於本發明之玻璃物品中，形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫膜之膜厚較佳為20nm以上、150nm以下，進而較佳為30nm以上、100nm以下，特佳為40nm以上、95nm以下。
於本發明之玻璃物品中，形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫膜的膜表面之算術平均粗糙度Ra為1nm以上、13nm以下。若膜表面之算術平均粗糙度Ra為上述範圍，則於膜表面適度存在凹凸，故而設置有氧化錫膜之側之主表面之防污性優異。若膜表面之算術平均粗糙度Ra未達1nm，則於膜表面幾乎不存在凹凸，成為平滑之狀態，故而防污性不充分。
另一方面，若膜表面之算術平均粗糙度Ra超過13nm，則膜表面之凹凸變大，故而因霧度值之增加導致之外觀變差、或光線透過率降低成為問題。
於本發明之玻璃物品中，形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫 膜的膜表面之算術平均粗糙度Ra較佳為1nm以上、12nm以下，更佳為2nm以上、8nm以下。
於本發明之玻璃物品中，形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫膜的膜表面之峰谷值(PV值)與膜表面之算術平均粗糙度Ra之比(PV/Ra)為15以下。若膜表面之PV值與Ra之比(PV/Ra)為上述範圍，則於膜表面適度存在凹凸，故而設置有氧化錫膜之側之主表面之防污性優異。認為於膜表面之PV值與Ra之比(PV/Ra)超過15之情形時，成為存在孔隙之膜，並且除孔隙以外之膜表面幾乎不存在凹凸而成為平滑之狀態。於氧化錫膜之表面性狀為此種之情形時，防污性不充分。
於本發明之玻璃物品中，就污漬附著性及污漬去除性之觀點而言，形成有氧化錫膜之板玻璃之主表面較佳為最大高度粗糙度Rz未達70nm。
本發明之玻璃物品係板玻璃之主表面中之形成有膜厚、膜表面之算術平均粗糙度Ra、以及膜表面之PV值與上述Ra之比(PV/Ra)滿足上述條件的氧化錫膜之側之主表面之防污性優異。
於本說明書中，藉由在實施下述實施例中所記載之2種污漬附著試驗前後之霧度值的變化來評價防污性。
本發明之玻璃物品之其氧化錫膜側之於實施使用JIS試驗用粉體(2種)(JIS Z8901)之污漬附著試驗(1)前後之霧度值的變化(△Hz)較佳為3%以下，更佳為2%以下，進而較佳為1%以下。再者，於玻璃物品之氧化錫膜側進行上述污漬附著試驗(1)。
又，本發明之玻璃物品之其氧化錫膜側之實施使用污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)之污漬附著試驗(2)後的霧度值(Hz)較佳為5%以下，更佳為4%以下，進而較佳為3%以下。再者，於玻璃物品之氧化錫膜側進行上述污漬附著試驗(2)。
本發明之玻璃物品由於形成於板玻璃之一主表面上之氧化錫膜 之膜厚小於形成於Low-E(低輻射)玻璃之主表面上之氧化錫膜之膜厚，故而即便將形成有氧化錫膜之側之主表面作為屋外側，用作住宅用窗玻璃或公共設施等之屋頂，亦不會使氧化錫膜之放射率變小，而不存在因由輻射傳熱產生之熱移動量減少反而導致隔熱性變差之情況。
放射率較佳為0.75以上，更佳為0.8以上，進而較佳為0.85以上。於在室外表面形成有放射率較低之膜之情形時，會將玻璃所吸收之熱反射至室內側，而使隔熱性能變差。於形成有放射率較高之膜之情形時，不會反射玻璃所吸收之熱，故而隔熱性能不會變差。
於本說明書中，使用基於ISO9050算出之遮蔽係數(SC值)作為隔熱性之指標。以下，於本說明書中，於記載為SC值之情形時，意指基於ISO9050算出之遮蔽係數。
本發明之玻璃物品之將形成有氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的SC值較佳為0.6~0.95，更佳為0.6~0.8，進而較佳為0.6~0.7。
再者，以於上述範圍內調節將形成有氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的SC值為目的，亦可使銻含有於氧化錫膜中作為摻雜劑。於使銻含有於氧化錫膜中作為摻雜劑之情形時，相對於氧化錫(SnO2)1mol，較佳為含有銻0.02~0.3mol%，更佳為含有0.05~0.2mol%，進而較佳為含有0.1~0.15mol%。
本發明之玻璃物品具有對用作住宅用窗玻璃或公共設施等之屋頂充分之可見光透過性。具體而言，於將形成有氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時，基於ISO9050算出之可見光線透過率較佳為40~80%，更佳為50~70%，進而較佳為60~70%。
於用作住宅用窗玻璃或公共設施等之屋頂之情形時，較佳為將形成有氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的霧度值較低。具體而 言，霧度值較佳為1.0以下，更佳為0.6以下，進而較佳為0.4以下。
用於本發明之玻璃物品之板玻璃之玻璃組成並無特別限定，可根據玻璃物品之用途適當選擇。於作為用於在苛刻之環境下使用之住宅用窗玻璃、或者賦予有透光性之公共設施等之屋頂或高速道路隔音牆等的建築用防污玻璃使用之情形時，可例示以下玻璃組成。
以氧化物基準之質量%表示，作為玻璃母組成，含有
再者，上述玻璃母組成之板玻璃亦可含有除上述以外之成分作為微量成分。作為此種微量成分之具體例，例如可列舉TiO2、CeO2。以氧化物基準之質量%表示，可含有該等微量成分1%以下。
於用於本發明之玻璃物品之板玻璃含有鹼性成分之情形時，為了將鹼性成分自板玻璃至氧化錫膜之擴散設為最小限度，於板玻璃與氧化錫膜之間形成鹼障壁膜由於會使防污性提高故而較佳。
作為以上述目的形成之鹼障壁膜，可列舉SiO2膜、或SiOC膜。其中，SiO2膜由於鹼性障壁性優異故而較佳。
於以上述目的形成鹼障壁膜之情形時，其膜厚較佳為10~100nm，更佳為20~50nm，進而較佳為20~40nm。
膜厚、膜表面之算術平均粗糙度Ra、以及膜表面之PV值與上述Ra之比(PV/Ra)滿足上述條件之氧化錫膜可使用常壓CVD裝置，形成 於板玻璃之一主表面上。作為常壓CVD裝置，使用搬送型常壓CVD裝置適於量產性地製造本發明之玻璃物品故而較佳。
再者，使用常壓CVD裝置之氧化錫膜之形成可作為於製造板玻璃後接著進行氧化錫膜之形成的線上CVD而實施，亦可作為以與板玻璃之製造不同之步驟進行氧化錫膜之形成的離線CVD法而實施。
於使用常壓CVD裝置形成氧化錫膜之情形時，將含有錫原料之原料氣體吹送至已加熱成高溫(例如550℃)之板玻璃之一主表面上。作為錫原料，單丁基三氯化錫(MBTC)之使用由於容易獲得且容易操作之理由而較佳。
於使用單丁基三氯化錫(MBTC)作為錫原料之情形時，將水(H2O)、及氧(O2)作為副原料同時吹送至板玻璃之一主表面上。以調節氧化錫膜表面之算術平均粗糙度Ra、及膜表面之PV值為目的，亦可同時吹送氯化氫(HCl)作為副原料。
於使用單丁基三氯化錫(MBTC)作為錫原料之情形時，原料氣體中之MBTC含量較佳為2莫耳%以下。關於作為副原料使用之H2O、O2、HCl，原料氣體中之H2O相對於MBTC之含量較佳為20莫耳%以下，同樣地，原料氣體中之O2相對於MBTC之含量較佳為20莫耳%以下，又，原料氣體中之HCl相對於MBTC之含量較佳為1.5莫耳%以下。
氧化錫膜表面之算術平均粗糙度Ra、及膜表面之PV值可藉由原料氣體中之HCl與MBTC之莫耳比、或原料氣體中之H2O與MBTC之莫耳比而調節。原料氣體中之HCl與MBTC之莫耳比(HCl/MBTC)較佳為0~4，更佳為0.01~3，進而較佳為0.01~2。原料氣體中之H2O與MBTC之莫耳比(H2O/MBTC)較佳為0.1~100，更佳為1~70，進而較佳為10~60。
又，原料氣體中之O2與MBTC之莫耳比(O2/MBTC)較佳為1~ 100，更佳為5~70，進而較佳為10~50。
實施例
以下，藉由實施例，進一步對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於其等。再者，例1~12為實施例，例13~例19為比較例。
對於各例之樣品，將SnO2膜之有無、SnO2膜之膜厚、表面之Ra、PV、PV/Ra、污漬附著試驗(1)結果、污漬附著試驗(2)結果、放射率之測定結果分別示於表1。再者，污漬附著試驗(2)係對於例7~13及18之試驗結果。又，於表1中，污漬附著試驗(1)結果係記為試驗(1)前後之變化，又，污漬附著試驗(2)結果係記為試驗(2)後之值。
(例1)
使用搬送型常壓CVD裝置(輸送帶式爐)，並藉由離線CVD法，於板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜。具體而言，如以下所示。
將輸送帶式爐加熱為580℃，沿一定方向搬送板厚2mm之板玻璃(鈉鈣矽酸鹽玻璃板，商品名AS，旭硝子股份有限公司製造)，並將MBTC、H2O、及O2同時吹送至該板玻璃之一主表面上，而形成氧化錫膜93nm。MBTC之供給量為0.23莫耳%，H2O、及O2相對於MBTC之莫耳比(H2O/MBTC、O2/MBTC)分別為20.01、17.95。
使用原子力顯微鏡(AFM)SPI-3800N/SPA400(精工電子奈米科技股份有限公司製造)，以操作區域2.0μm、加振電壓0.5V，對所形成之氧化錫膜表面進行測定，而求出膜表面之算術平均粗糙度Ra與PV值。
於將形成氧化錫膜後之板玻璃切斷為5cm×5cm後，將形成有氧化錫膜之面設為光之入射側，使用測霧計HZ-V3(須賀試驗機股份有限公司製造)測定霧度值(初始霧度值)，其後，使用該樣品，實施污漬附著試驗(1)。
《污漬附著試驗(1)》
使用濾茶器，將JIS試驗粉體1(JIS Z8901)之2種0.5g均勻地撒至形成有氧化錫膜之面。靜置10秒後，將樣品傾斜135°，使樣品之端部自3cm之高度以10cm/秒之速度與地面接觸2次，使粉體落下，並再次測定霧度值。重複進行上述步驟10次，將自將第8、9、10次之霧度值平均所得之值減去初始霧度值所得之值設為於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值的變化(△Hz)。
又，對於形成氧化錫膜後之板玻璃，以如下順序求出放射率。
使用放射率測定器TSS-5X(JAPANSENSOR股份有限公司製造)，使探針觸碰氧化錫膜表面而測定放射率。
以該順序獲得之放射率係以Low-E玻璃之隔熱性為指標而被使用者。於形成有氧化錫膜之側之主表面成為室內側之Low-E玻璃之情形時，放射率越小，越使因輻射傳熱產生之熱移動量減少，由此提高隔熱性。然而，本發明之玻璃物品由於形成有氧化錫膜之側之主表面成為屋外側，故而若放射率較小，則使因輻射傳熱產生之熱移動量減少，反而導致隔熱性變差。
(例2)
於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，如下述般形成SiO2膜作為鹼障壁膜，又，形成氧化錫膜90nm，除此以外，實施與例1相同之順序。
將輸送帶式爐加熱為580℃，沿一定方向搬送板玻璃(鈉鈣矽酸鹽玻璃板，商品名AS，旭硝子股份有限公司製造)，並將矽烷(SiH4)、及O2同時吹送至該板玻璃之一主表面，而形成SiO2膜30nm。
(例3)
於形成氧化錫膜時，除了MBTC、H2O、及O2以外，同時吹送HCl，而形成氧化錫膜90nm，除此以外，實施與例1相同之順序。
MBTC之供給量為0.23莫耳%，H2O、HCl、及O2相對於MBTC之 莫耳比(H2O/MBTC、HCl/MBTC、O2/MBTC)分別為20.01、0.93、17.95。
(例4)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，又，形成氧化錫膜88nm，除此以外，實施與例3相同之順序。
(例5)
將HCl相對於MBTC之莫耳比(HCl/MBTC)變更為3.03，形成氧化錫膜73nm，除此以外，實施與例3相同之順序。
(例6)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，又，形成氧化錫膜74nm，除此以外，實施與例5相同之順序。
(例7)
將MBTC之供給量設為0.09莫耳%，將H2O、及O2相對於MBTC之莫耳比(H2O/MBTC、O2/MBTC)分別設為54.0、48.5，形成氧化錫膜41nm，除此以外，實施與例1相同之順序。
進而，對於例7、及以下所記載之例8~例13、及例18實施污漬附著試驗(2)。
《污漬附著試驗(2)》
對形成有氧化錫膜之面，噴霧污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)5秒鐘。於進行乾燥30秒鐘後，再次測定霧度值。將重複進行上述步驟8次後之霧度值設為實施污漬附著試驗(2)後之霧度值(Hz)。
(例8)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，除此以外，實施與例7相同之順序。
(例9)
將MBTC之供給量設為0.09莫耳%，將H2O、HCl、及O2相對於MBTC之莫耳比(H2O/MBTC、HCl/MBTC、O2/MBTC)分別設為54.0、1.3、48.5，形成氧化錫膜40nm，除此以外，實施與例3相同之順序。
(例10)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，除此以外，實施與例9相同之順序。
(例11)
將HCl相對於MBTC之莫耳比(HCl/MBTC)變更為2.5，除此以外，實施與例9相同之順序。
(例12)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，除此以外，實施與例11相同之順序。
(例13)
不於板玻璃之表面形成氧化錫膜，利用原子力顯微鏡(AFM)觀察該板玻璃之表面，根據所獲得之顯微鏡照片，求出膜表面之算術平均粗糙度Ra與PV值。又，於將該板玻璃切斷為5cm×5cm後，使用測霧計測定霧度值(初始霧度值)，其後，使用該樣品，以與例1相同之順序實施2種污漬附著試驗。
(例14)
以與例2之SiO2膜形成相同之順序，於板玻璃之一主表面上，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，其後，利用原子力顯微鏡(AFM)觀察該SiO2膜，根據所獲得之顯微鏡照片，求出膜表面之算術平均粗糙度Ra與PV值。又，於將形成SiO2膜後之板玻璃切斷為5cm×5cm後，將形成有SiO2膜之面作為光之入射側，使用測霧計測定霧度值(初始霧度值)，其後，使用該樣品，以與例7相同之順序實施2種污漬附著試 驗。
(例15)
將HCl相對於MBTC之莫耳比(HCl/MBTC)變更為6.99，除此以外，實施與例3相同之順序。於板玻璃之一主表面上幾乎未形成氧化錫膜。
(例16)
以與例2相同之順序，於在板玻璃之一主表面上形成氧化錫膜前，形成SiO2膜作為鹼障壁膜，除此以外，實施與例15相同之順序。 於板玻璃之一主表面上幾乎未形成氧化錫膜。
(例17~19)
對於在板玻璃之一主表面上形成有氧化錫膜之市售之Low-E玻璃，以與例1相同之順序求出氧化錫膜表面之算術平均粗糙度Ra與PV值。再者，於例17中，於板玻璃之一主表面與氧化錫膜之間形成有SiOC膜作為鹼障壁膜。例18係於在板玻璃之一主表面形成氧化錫膜時，將含有錫原料之原料氣體吹送至以比其他例高150℃左右之溫度加熱而成之板玻璃的一主表面上。於例19中，於板玻璃之一主表面與氧化錫膜之間形成有SiO2膜作為鹼障壁膜。
又，以與例1相同之順序，測定於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值之變化(△Hz)、及放射率。對於例18，以與例7相同之順序，測定於實施污漬附著試驗(2)前後之霧度值之變化(△Hz)。
氧化錫膜之膜厚為10nm以上、150nm以下，膜表面之Ra為1nm以上、13nm以下，PV/Ra為15以下，例1~12之於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值之變化(△Hz)均為3%以下，而防污性優異。於板玻璃與氧化錫膜之間形成有SiO2膜作為鹼障壁膜之例2、6、8、10、12之防污性特別優異。
再者，例7~12之實施污漬附著試驗(2)後之霧度值(Hz)為5%以下，可確認防污性優異。又，例1~12均放射率較高為0.75以上，故而即便於將形成有氧化錫膜之側之主表面用作屋外側之情形時，隔熱性亦不會變差。
於板玻璃之表面未形成氧化錫膜之例13、及僅形成SiO2膜作為鹼障壁膜之例14由於膜表面之Ra未達1nm，故而於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值之變化(△Hz)超過3%，而防污性較差。於例13中，實 施污漬附著試驗(2)後之霧度值(Hz)超過5%，可確認防污性較差。
於板玻璃之表面幾乎未形成氧化錫膜且Ra未達1nm之例15、例16的於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值之變化(△Hz)超過3%，而防污性較差。
使用於板玻璃之一主表面上形成有氧化錫膜之市售之Low-E玻璃的例17、19由於氧化錫膜之膜厚超過150nm，故而放射率較小未達0.3，因此於將形成有氧化錫膜之側之主表面用作屋外側之情形時，隔熱性變差。
使用於板玻璃之一主表面上形成有氧化錫膜之市售之Low-E玻璃的例18由於膜表面之PV/Ra超過15，故而於實施污漬附著試驗(1)前後之霧度值之變化(△Hz)超過3%，實施污漬附著試驗(2)後之霧度值(Hz)超過5%，而防污性較差。
[產業上之可利用性]
根據本發明，能以低成本，對作為用於在苛刻之環境下使用之住宅用窗玻璃、或者賦予有透光性之公共設施等之屋頂或高速道路隔音牆等的建築用防污玻璃使用之玻璃物品賦予優異之防污性。
再者，將於2015年3月10日申請之日本專利申請案2015-046861號之說明書、申請專利範圍及摘要之所有內容引用於此處，而作為本發明之揭示併入。

Claims (10)

  1. 一種玻璃物品，其特徵在於：其係於板玻璃之至少一主表面上形成有氧化錫膜者，上述氧化錫膜之膜厚為10nm以上、150nm以下，膜表面之算術平均粗糙度Ra為1nm以上、13nm以下，並且膜表面之峰谷值(PV值)與上述Ra之比(PV/Ra)為15以下。
  2. 如請求項1之玻璃物品，其中於上述板玻璃與上述氧化錫膜之間形成有鹼障壁層。
  3. 如請求項1或2之玻璃物品，其中於實施使用JIS試驗用粉體(2種)(JIS Z8901)之污漬附著試驗前後之霧度值的變化(△Hz)為3%以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃物品，其中實施使用污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)之污漬附著試驗後之霧度值(Hz)為5%以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃物品，其中將形成有上述氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的遮蔽係數(SC值)(ISO9050)為0.6~0.95。
  6. 如請求項1至5中任一項之玻璃物品，其中將形成有上述氧化錫膜之面設為光之入射側之情形時的可見光線透過率(ISO9050)為40~80%。
  7. 如請求項2之玻璃物品，其中上述鹼障壁層包含SiO2，並且該鹼障壁層之膜厚為20~50nm。
  8. 如請求項3之玻璃物品，其中於實施使用JIS試驗用粉體(2種)(JIS Z8901)之污漬附著試驗前後之霧度值的變化(△Hz)為1%以下。
  9. 如請求項4之玻璃物品，其中實施使用污染物質懸浮水(JSTM J7602：2003)之污漬附著試驗後之霧度值(Hz)為5%以下。
  10. 如請求項1至9中任一項之玻璃物品，其中上述氧化錫膜之膜厚為100nm以下。
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