JP2017502444A5 - - Google Patents
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- 三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数の標準的なピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、
複数の機能の中から選択された機能を実行するように前記制御ブロックによって構成可能な複数のピンと、を含み、前記複数の機能のうちの1つがアレイにアクセスする、システム。 - 前記機能の1つが標準的なシリアルメモリインターフェイスをアレイに提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つが非標準的なシリアルメモリインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つが標準的なパラレルインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つが非標準的なパラレルインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つがシリアルとパラレルが組み合わされたインターフェイスを前記アレイに提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つがテスト機能を提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記機能の1つが前記メモリシステムの内部信号へのアクセスを提供している、請求項1に記載のシステム。
- 前記制御ブロックが制御ピンによって制御される、請求項1に記載のシステム。
- 前記制御ブロックがコントローラによって制御される、請求項1に記載のシステム。
- 少なくとも1つのピンがTSVを介して前記論理回路に結合される、請求項1に記載のシステム。
- 少なくとも1つのピンがマイクロバンプを介して前記論理回路に結合される、請求項1に記載のシステム。
- 少なくとも1つのピンがボンドワイヤを介して前記論理回路に結合される、請求項1に記載のシステム。
- 前記アレイがSuperFlashアレイである、請求項1に記載のシステム。
- 前記標準的なピンがシリアルSPI又はSQIピンである、請求項1に記載のシステム。
- 前記標準的なピンがパラレルMPFピンである、請求項1に記載のシステム。
- 前記インターフェイスピンがESDなし又はより小型のESD構造で構成解除される、請求項1に記載のシステム。
- 3Dのより小さい負荷性能向けに最適化して前記出力ピンが構成される、請求項1に記載のシステム。
- 3D性能向けに最適化して前記入力ピンが構成される、請求項1に記載のシステム。
- 前記標準的なNORメモリI/O帯域幅を超えるデータ帯域幅を更に含む、請求項1に記載のシステム。
- マイクロコントローラを更に含む、請求項1に記載のシステム。
- 三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数のピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、
第1の機能又は第2の機能を実行するように前記制御ブロックによって構成可能な複数のピンと、を含み、前記第1の機能は前記メモリアレイにアドレスを提供し、前記第2の機能は前記メモリシステムの内部信号にアクセスする、システム。 - 前記内部信号が内部アドレス信号を含む、請求項22に記載のシステム。
- 前記内部信号が内部入出力信号を含む、請求項22に記載のシステム。
- 前記内部信号が内部制御信号を含む、請求項22に記載のシステム。
- メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数のピンと、
制御ブロックを含む論理回路と、
メモリアレイと、を含み、
第1の機能又は第2の機能を実行するように前記複数のピンが前記制御ブロックによって構成可能であり、前記第1の機能は前記メモリアレイにシリアルインターフェイスを提供し、前記第2の機能は前記メモリアレイにパラレルインターフェイスを提供する、システム。 - 前記メモリアレイが二次元メモリアレイである、請求項26に記載のシステム。
- 前記メモリアレイが三次元メモリアレイである、請求項26に記載のシステム。
- 前記シリアルインターフェイスが標準的なインターフェイスである、請求項26に記載のシステム。
- 前記シリアルインターフェイスが非標準的なインターフェイスである、請求項26に記載のシステム。
- 前記パラレルインターフェイスが標準的なインターフェイスである、請求項26に記載のシステム。
- 前記パラレルインターフェイスが非標準的なインターフェイスである、請求項26に記載のシステム。
- 三次元メモリシステムであって、
論理回路に結合された複数の標準的なメモリピンと、
メモリアレイと、
複数の機能の中から選択された機能を実行するように構成可能な複数のピンと、を含み、前記複数の機能のうちの1つが前記アレイにアクセスする、システム。
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KR102290020B1 (ko) * | 2015-06-05 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 스택드 칩 구조에서 소프트 데이터 페일 분석 및 구제 기능을 제공하는 반도체 메모리 장치 |
KR20170030307A (ko) * | 2015-09-09 | 2017-03-17 | 삼성전자주식회사 | 분리 배치된 커패시터를 갖는 메모리 장치 |
DE112015007240T5 (de) * | 2015-12-26 | 2018-10-04 | Intel Corporation | Senkrecht eingebettete passive bauelemente |
US20170221871A1 (en) * | 2016-02-01 | 2017-08-03 | Octavo Systems Llc | Systems and methods for manufacturing electronic devices |
US10089568B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-10-02 | CPI Card Group—Colorado, Inc. | IC chip card with integrated biometric sensor pads |
US10446200B2 (en) * | 2018-03-19 | 2019-10-15 | Micron Technology, Inc. | Memory device with configurable input/output interface |
US10580491B2 (en) * | 2018-03-23 | 2020-03-03 | Silicon Storage Technology, Inc. | System and method for managing peak power demand and noise in non-volatile memory array |
US10923462B2 (en) | 2018-05-01 | 2021-02-16 | Western Digital Technologies, Inc. | Bifurcated memory die module semiconductor device |
US10522489B1 (en) | 2018-06-28 | 2019-12-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Manufacturing process for separating logic and memory array |
US10579425B1 (en) * | 2018-10-04 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | Power aware scheduling of requests in 3D chip stack |
US11222884B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Layout design methodology for stacked devices |
KR20220106991A (ko) | 2019-11-11 | 2022-08-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 정보 처리 장치 및 정보 처리 장치의 동작 방법 |
KR20220103973A (ko) * | 2019-11-22 | 2022-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 컴퓨터 시스템 및 정보 처리 장치의 동작 방법 |
US11435811B2 (en) * | 2019-12-09 | 2022-09-06 | Micron Technology, Inc. | Memory device sensors |
US11726721B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device for adjusting delay on data clock path, memory system including the memory device, and operating method of the memory system |
KR20220090249A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
CN112752097B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-05-26 | 长春长光辰芯微电子股份有限公司 | 一种cmos图像传感器的测试方法和系统 |
US11856114B2 (en) * | 2021-02-12 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Device signature based on trim and redundancy information |
US11557572B2 (en) * | 2021-05-13 | 2023-01-17 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device with stacked dies and method for fabricating the same |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6085500A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-14 | Fujitsu Ltd | 高集積回路素子内蔵メモリの試験方式 |
US5619461A (en) * | 1995-07-28 | 1997-04-08 | Micron Quantum Devices, Inc. | Memory system having internal state monitoring circuit |
JP3710931B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2005-10-26 | 三洋電機株式会社 | マイクロコンピュータ |
US6651196B1 (en) * | 1999-02-16 | 2003-11-18 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having test mode entry circuit |
WO2001059571A2 (en) * | 2000-02-11 | 2001-08-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Command-driven test modes |
ITVA20010034A1 (it) * | 2001-10-12 | 2003-04-12 | St Microelectronics Srl | Dispositivo di memoria non volatile a doppia modalita' di funzionamento parallela e seriale con protocollo di comunicazione selezionabile. |
KR100462877B1 (ko) * | 2002-02-04 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치, 및 이 장치의 불량 셀 어드레스프로그램 회로 및 방법 |
US6788595B2 (en) | 2002-08-05 | 2004-09-07 | Silicon Storage Technology, Inc. | Embedded recall apparatus and method in nonvolatile memory |
DE60229649D1 (de) * | 2002-11-28 | 2008-12-11 | St Microelectronics Srl | Nichtflüchtige Speicheranordnungsarchitektur, zum Beispiel vom Flash-Typ mit einer seriellen Übertragungsschnittstelle |
CN1523367A (zh) * | 2003-02-17 | 2004-08-25 | 上海华园微电子技术有限公司 | 一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法 |
US7233024B2 (en) * | 2003-03-31 | 2007-06-19 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional memory device incorporating segmented bit line memory array |
EP1480224A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-24 | STMicroelectronics S.r.l. | A semiconductor memory with a multiprotocol serial communication interface |
US7558900B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-07-07 | Winbound Electronics Corporation | Serial flash semiconductor memory |
JP4565966B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | メモリ素子 |
US7652922B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-01-26 | Mosaid Technologies Incorporated | Multiple independent serial link memory |
KR20080026725A (ko) * | 2006-09-21 | 2008-03-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 내부신호 모니터장치 및 모니터방법 |
US7613049B2 (en) * | 2007-01-08 | 2009-11-03 | Macronix International Co., Ltd | Method and system for a serial peripheral interface |
US20090039410A1 (en) | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Xian Liu | Split Gate Non-Volatile Flash Memory Cell Having A Floating Gate, Control Gate, Select Gate And An Erase Gate With An Overhang Over The Floating Gate, Array And Method Of Manufacturing |
JP4510072B2 (ja) | 2007-12-20 | 2010-07-21 | 力晶半導体股▲ふん▼有限公司 | 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み方法 |
US8341330B2 (en) * | 2008-01-07 | 2012-12-25 | Macronix International Co., Ltd. | Method and system for enhanced read performance in serial peripheral interface |
US8289760B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-10-16 | Micron Technology, Inc. | Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes |
KR20100004770A (ko) * | 2008-07-04 | 2010-01-13 | 삼성전자주식회사 | 메모리 반도체 장치 |
US8250287B1 (en) * | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Micron Technology, Inc. | Enhanced throughput for serial flash memory, including streaming mode operations |
US7894230B2 (en) * | 2009-02-24 | 2011-02-22 | Mosaid Technologies Incorporated | Stacked semiconductor devices including a master device |
US8018752B2 (en) * | 2009-03-23 | 2011-09-13 | Micron Technology, Inc. | Configurable bandwidth memory devices and methods |
US8378715B2 (en) * | 2009-04-14 | 2013-02-19 | Monolithic 3D Inc. | Method to construct systems |
US8604593B2 (en) * | 2009-10-19 | 2013-12-10 | Mosaid Technologies Incorporated | Reconfiguring through silicon vias in stacked multi-die packages |
US9219023B2 (en) * | 2010-01-19 | 2015-12-22 | Globalfoundries Inc. | 3D chip stack having encapsulated chip-in-chip |
KR101710658B1 (ko) * | 2010-06-18 | 2017-02-27 | 삼성전자 주식회사 | 관통 전극을 갖는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 시그널링 방법 |
US20120043664A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-02-23 | International Business Machines Corporation | Implementing multiple different types of dies for memory stacking |
WO2012036751A2 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Aplus Flash Technology, Inc. | Different types of memory integrated in one chip by using a novel protocol |
KR20120056018A (ko) * | 2010-11-24 | 2012-06-01 | 삼성전자주식회사 | 범프들과 테스트 패드들이 십자 모양으로 배열되는 반도체 장치 |
WO2012109185A2 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Rambus Inc. | Offsetting clock package pins in a clamshell topology to improve signal integrity |
KR101184803B1 (ko) | 2011-06-09 | 2012-09-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 프로그램 방법 |
US8780600B2 (en) * | 2011-12-07 | 2014-07-15 | Apple Inc. | Systems and methods for stacked semiconductor memory devices |
JP2013134794A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US9172241B2 (en) * | 2012-03-30 | 2015-10-27 | Nvidia Corporation | Electrostatic discharge protection circuit having high allowable power-up slew rate |
US9472284B2 (en) * | 2012-11-19 | 2016-10-18 | Silicon Storage Technology, Inc. | Three-dimensional flash memory system |
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