JP2017228777A5 - トランジスタ及び電子機器 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の導電層と、
   前記第１の導電層上の第１の絶縁層および第２の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の半導体層と、
   前記第１の導電層及び前記半導体層上の第３の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上の第２の導電層と、
   前記第３の絶縁層上のゲート電極と、を有し、
   前記第１の導電層は、電気的にフローティング状態にあり、
   前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体層と重なる領域と、前記第２の絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域と、前記第３の絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる領域と、を有するトランジスタ。
2. 請求項１において、
   前記第３の絶縁層の厚さは、前記第１の絶縁層の厚さよりも小さいトランジスタ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の絶縁層上の第４の絶縁層と、前記第４の絶縁層上の第４の導電層と、を有するトランジスタ。
4. 請求項３において、
   前記第４の絶縁層の厚さは、前記第１の絶縁層の厚さよりも小さいトランジスタ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のトランジスタと、
   アンテナ、バッテリ、操作スイッチ、マイク、または、スピーカと、を有する電子機器。