JP2017228684A - 高周波半導体用パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる高周波半導体用パッケージの模式平面図、図1(b)はA−A線の沿った模式断面図、図1(c)は模式側面図、である。
また、図2は、第1枠部の模式平面図である。
蓋部70は、AuSn半田(融点が約280℃)などにより第2枠部24bの上面導電層24fなどに接合される(図1(b))。蓋部70は金属板または、メタライズされたセラミックなどとすることができる。蓋部70の導電部を枠体24の側面メタライズなどを介して金属板22に電気的に接続すると電磁シールド効果を高めることができる。
ストリップ線路の特性インピーダンスZ01は、式(1)で近似的に表される。
高周波半導体用パッケージ10は、金属板22と、枠体24と、第1導電層27と、第2導電層29と、第1リード部26と、第2リード部28と、を有する。高周波半導体用パッケージは、蓋部と接合されて内部空間を気密封止可能である。
マイクロストリップ線路の特性インピーダンスZ02は、式(2)で近似的に表される。
Claims (7)
- 蓋部と接合されて内部空間を気密封止可能な高周波半導体用パッケージであって、
金属板と、
セラミックからなる第1枠部とセラミックからなる第2枠部とが焼結され、前記第1枠部の下面は前記金属板と接合され、前記第2枠部の上面は前記蓋部と接合可能である枠体であって、前記第1枠部の上面は第1領域と前記第1領域の反対の側の第2領域とを有する、枠体と、
平面視で、前記第1領域の中央部と前記第2領域の中央部とを通る直線に沿い外部に向かって突出する第1リード部と、
平面視で、前記直線に沿い外部に向かって突出する第2リード部と、
前記直線に略直交するように前記第1領域の前記中央部から外側に向かって前記第1領域上に延在し所定の幅を有する第1ストライプ部と、前記第1リード部が接合され前記第1ストライプ部の一方の端部が電気的に接続される第1接続部と、を有する第1導電層と、
前記直線に略直交するように前記第2領域の前記中央部から前記第1ストライプ部の延在する方向とは反対の方向に向かって前記第2領域上に延在し所定の幅を有する第2ストライプ部と、前記第2リード部が接合され前記第2ストライプ部の一方の端部が電気的に接続される第2接続部と、を有する第2導電層と、
を備えた高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1枠部の前記第1領域は、前記第2枠部の内縁よりも内側に向かって突出した領域を有し、
前記第1枠部の前記第2領域は、前記第2枠部の内縁よりも内側に向かって突出した領域を有する請求項1記載の高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1導電層は、前記第1ストライプ部の他方の端部に接続されかつ前記第1領域の前記突出した領域に設けられた第1ボンディングパッド部をさらに有し、
前記第2導電層は、前記第2ストライプ部の他方の端部に接続されかつ前記第2領域の前記突出した領域に設けられた第2ボンディングパッド部をさらに有する請求項2記載の高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1ストライプ部は、前記第2枠部の下面に接し、
前記第2ストライプ部は、前記第2枠部の前記下面に接する、請求項1〜3のいずれか1つに記載の高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1ストライプ部は前記第1領域の前記突出した領域に設けられ、
前記第2ストライプ部は前記第2領域の前記突出した領域に設けられた請求項2または3に記載の高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1ストライプ部と前記第1枠部と前記金属板とはマイクロストリップ線路を構成し、
前記第2ストライプ部と前記第1枠部と前記金属板とはマイクロストリップ線路を構成する請求項5記載の高周波半導体用パッケージ。 - 前記第1ストライプ部と前記枠体と前記前記金属板と前記第2枠部の上面導電層とは、ストリップ線路を構成し、
前記第2ストライプ部と前記枠体と前記前記金属板と前記第2枠部の上面導電層とは、ストリップ線路を構成する請求項4記載の高周波半導体用パッケージ。
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