JP2017218352A - 焼結体及びその製造方法と静電チャック - Google Patents
焼結体及びその製造方法と静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017218352A JP2017218352A JP2016115054A JP2016115054A JP2017218352A JP 2017218352 A JP2017218352 A JP 2017218352A JP 2016115054 A JP2016115054 A JP 2016115054A JP 2016115054 A JP2016115054 A JP 2016115054A JP 2017218352 A JP2017218352 A JP 2017218352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- porous body
- hole
- ceramic substrate
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 137
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 22
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 19
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 3
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5031—Alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/0203—Making porous regions on the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
- C04B2235/528—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/94—Products characterised by their shape
- C04B2235/945—Products containing grooves, cuts, recesses or protusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
Abstract
【課題】セラミック基板の貫通孔に多孔質体が信頼性よく配置される新規な構造の焼結体を提供する。【解決手段】酸化物粒子１０ａが焼結されたセラミック基板１０と、セラミック基板１０に形成された貫通孔ＴＨであって、貫通孔ＴＨの内壁に露出する酸化物粒子１０ａの各側面が面一となって配置された貫通孔ＴＨと、貫通孔ＴＨに配置され、球状酸化物セラミック粒子２２と、球状酸化物セラミック粒子２２を結着する混合酸化物２４とから形成された多孔質体２０とを含む。【選択図】図２
Description
本発明は、焼結体及びその製造方法とその焼結体を備えた静電チャックに関する。
従来、内部に多数の気孔が形成された多孔質体セラミックがある。そのような多孔質セラミックは、静電チャックの熱伝導用ガスの導管部又は各種のフィルタとして使用される。
後述する予備的事項の欄で説明するように、静電チャックには、セラミック基板に配置されるガス導管部を多孔質体から形成したものがある。
セラミック基板に多孔質体を配置するには、セラミック基板と多孔質体を別々に焼結体として作成し、セラミック基板の貫通孔に多孔質体を挿入して合体させる方法がある。
あるいは、焼成前のセラミック組成体の貫通孔に多孔質体の前駆体となる多孔質体用ペーストを充填した後に、両者を同時に焼成する方法がある。
これらの方法では、ガス導管部のサイズを小さくするには限界があると共に、ガス導管部の形状、サイズ及び位置の精度が十分に得られない課題がる。また、焼成前のセラミック組成体の貫通孔の内壁は微細な凹凸面となっているため、多孔質体用ペーストを充填しにくく、充填ムラが生じやすい。
セラミック基板の貫通孔に多孔質体を信頼性よく配置できる新規な構造の焼結体及びその製造方法と静電チャックを提供することを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、酸化物粒子が焼結されたセラミック基板と、前記セラミック基板に形成された貫通孔であって、前記貫通孔の内壁に露出する前記酸化物粒子の各側面が面一となって配置された前記貫通孔と、前記貫通孔に配置され、球状酸化物セラミック粒子と、前記球状酸化物セラミック粒子を結着する混合酸化物とから形成された多孔質体とを有する焼結体が提供される。
また、その開示の他の観点によれば、酸化物粒子が焼結されたセラミック基板と、前記セラミック基板に形成された貫通孔であって、前記貫通孔の内壁に露出する前記酸化物粒子の各側面が面一となって配置された前記貫通孔と、前記貫通孔に配置され、球状酸化物セラミック粒子と、前記球状酸化物セラミック粒子を結着する混合酸化物とから形成された多孔質体からなるガス導管部と、前記セラミック基板の中に配置された静電電極とを有することを特徴とする静電チャックが提供される。
さらに、その開示の他の観点によれば、焼結されたセラミック基板を用意する工程と、前記セラミック基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に、球状酸化物セラミック粒子と混合酸化物とを含むペーストを充填する工程と、前記ペーストを焼成して、前記貫通孔に、前記球状酸化物セラミック粒子が前記混合酸化物で結着された多孔質体を形成する工程とを有する焼結体の製造方法が提供される。
以下の開示によれば、焼結体では、酸化物粒子が焼結されたセラミック基板の貫通孔に多孔質体が配置されている。
焼結体は、焼結されたセラミック基板に貫通孔を形成した後に、貫通孔に多孔質体の前駆体である多孔質体用ペーストを充填して焼成することにより得られる。
これにより、セラミック基板の貫通孔の内壁に露出する複数の酸化物粒子の各側面が面一になって、貫通孔の内壁が平坦面となっている。よって、セラミック基板の貫通孔に多孔質体用ペーストを充填する際に、抵抗が少なく、良好に多孔質体用ペーストを充填することができる。
また、多孔質体は、所定の気孔率が得られるように、球状酸化物セラミック粒子が混合酸化物で結着されて形成され、焼成時に殆ど収縮が発生しない状態で作成される。
このため、セラミック基板の貫通孔に多孔質体を信頼性よく配置することができる。よって、多孔質体をガス導管部として使用する際に、ガス導管部の形状、サイズ及び位置の精度を向上させることができる。
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
本実施形態の説明の前に、基礎となる予備的事項について説明する。予備的事項の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない新規な技術内容を含む。
静電チャックには、表面側に熱伝導用ガスを供給するためガス導管部が備えられている。ドライエッチング装置などに使用される静電チャックでは、ガス導管部での放電を防止するためにガス導管部を多孔質体から形成したものがある。そのような静電チャックでは、セラミック基板の厚み方向に多孔質体が貫通するように配置される。
セラミック基板に多孔質体を配置する方法としては、まず、多孔質焼結体と、貫通孔が形成された基板焼結体とが別体として作成される。
多孔質焼結体の作成方法としては、焼成前の通常のセラミック組成体に所定割合の体積を占めるように造孔剤を添加し、焼成することにより、造孔剤が除去されて多孔質焼結体が得られる。造孔剤としては、ポリメタクリ酸メチル（ＰＭＭＡ）などが使用される。
これにより、図１に示すように、多数のセラミック粒子１００ａが焼結され、造孔剤の作用によって内部に気孔Ｐが連通して形成された多孔質体１００が得られる。
このような造孔剤を使用して多孔質焼結体を作成する手法では、造孔剤の分散状態によっては、外部とつながらないクローズドポアができたり、気孔Ｐのサイズを制御できない課題がある。
そして、多孔質焼結体と、貫通孔が形成された基板焼結体とを別体として用意し、両者を所定形状に加工する。さらに、基板焼結体の貫通孔に多孔質焼結体を挿入して両者を合体させる。多孔質焼結体の脱落を防止するため、両者の界面にエポキシ樹脂などの接着媒体が設けられる。
あるいは、接着媒体を使用せずに、基板焼結体の貫通孔に多孔質焼結体を挿入した後に、焼成温度に近い高温で熱処理して固着する手法もある。
この手法では、多孔質焼結体を小さく加工し、基板焼結体の貫通孔に精度よく挿入することは限界があるため、セラミック基板の貫通孔の直径を３ｍｍ程度より小さくすることは困難である。
また、接着媒体を使用しない場合は、基板焼結体の貫通孔の内壁全体に接触するように多孔質焼結体を精度よく加工して挿入する必要があるが、そのような作業は現実には困難を極める。
多孔質焼結体が基板焼結体の貫通孔の内壁全体に接触していないと、多孔質焼結体と基板焼結体との固着面が不均一に形成されるため、多孔質焼結体でのガスの流れの特性劣化の原因になる。
さらには、多孔質焼結体を接着媒体で固定する場合は、接着媒体がプラズマによって劣化して静電チャックの不良の一因となる。
また、別の方法としては、焼成前のセラミック組成体に貫通孔を形成し、多孔質体の前駆体となる多孔質体用ペーストをその貫通孔を充填した後に、両者を同時に焼成する方法がある。
この手法では、焼成によって多孔質焼結体及び基板焼結体を形成する際に、両者の収縮挙動によって大きさがうまく調和せず、間隙や割れが発生しやすい。このため、多孔質焼結体から形成されるガス導管部の形状、サイズ及び位置の精度が十分に得られない。
また、焼成前のセラミック組成体の貫通孔の内壁は微細な凹凸面となっているため、多孔質体用ペーストの充填する際に、充填ムラが生じやすく、良好な充填が困難になる。
後述する実施形態の焼結体では、前述した課題を解消することができる。
（実施形態）
図２は実施形態の焼結体を説明するための図、図４及び図５は実施形態の焼結体の製造方法を説明するための図、図６は実施形態の静電チャックを示す図である。
図２は実施形態の焼結体を説明するための図、図４及び図５は実施形態の焼結体の製造方法を説明するための図、図６は実施形態の静電チャックを示す図である。
図２（ａ）に示すように、実施形態の焼結体１は、厚み方向に貫通する貫通孔ＴＨを備えたセラミック基板１０と、その貫通孔ＴＨに配置された多孔質体２０とを備えている。多孔質体２０によりガス導管部Ｇが構築されている。
図２（ｂ）は、図２（ａ）のセラミック基板１０の貫通孔ＴＨ及びその中に配置された多孔質体２０の様子を示す部分拡大断面図である。
図２（ｂ）に示すように、セラミック基板１０は、複数の酸化物粒子１０ａが焼結されて形成される。酸化物粒子１０ａの好適な一例としては、酸化アルミニウム粒子である。酸化物粒子１０ａの粒径は、例えば、５μｍ程度である。
セラミック基板１０の貫通孔ＴＨは、後述するように、焼結されたセラミック基板１０が厚み方向にドリルなどによって貫通加工されて形成される。
このため、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁には複数の酸化物粒子１０ａの加工面が垂直方向に積み重なった状態で露出している。そして、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁に露出する複数の酸化物粒子１０ａの各側面が面一になっており、貫通孔ＴＨの内壁が平坦面Ｓになっている。
このように、垂直方向に積層された複数の酸化物粒子１０ａの各側面が相互に面一になって平坦面Ｓを構築するようにセラミック基板１０の貫通孔ＴＨの壁面に配向されている。
セラミック基板１０の貫通孔ＴＨに配置された多孔質体２０は、複数の球状酸化物セラミック粒子２２と、複数の球状酸化物セラミック粒子２２を結着して一体化する混合酸化物２４とから形成されている。
球状酸化物セラミック粒子２２の直径は３０μｍ〜１０００μｍの範囲である。球状酸化物セラミック粒子２２の好適な一例としては、球状酸化アルミニウム粒子がある。また、球状酸化物セラミック粒子２２は、８０重量％以上（９７重量％以下）の重量比で多孔質体２０内に含有されている。
混合酸化物２４は、複数の球状酸化物セラミック粒子２２の外面（球面）の一部に固着してそれらを支持している。また、混合酸化物２４は、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁に固着されている。球状酸化物セラミック粒子２２の粒径は、例えば、１００μｍ程度である。
このようにして、多孔質体２０の中に気孔Ｐが形成されている。多孔質体２０の中に形成される気孔Ｐの気孔率は、多孔質体２０の全体の体積の２０％〜５０％の範囲である。気孔Ｐの内面には、球状酸化物セラミック粒子２２の外面の一部と混合酸化物２４とが露出している。
多孔質体２０内の気孔Ｐは、下側から上側に向けてガスが通過できるように外部と連通している。
このように、多孔質体２０では、所定の気孔率になるように、球状酸化物セラミック粒子２２が分散され、球状酸化物セラミック粒子２２の外面の一部に混合酸化物２４が固着されている。
多孔質体２０の混合酸化物２４は、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム及びイットリウムから選択される２つ以上の酸化物から形成される。
また、多孔質体２０は、好適には、酸化アルミニウムを主成分として形成され、酸化アルミニウムの重量比が８０重量％〜９７重量％の範囲に設定される。
セラミック基板１０が酸化アルミニウムから形成される場合、セラミック基板１０は他の成分としてケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムを含有している。
セラミック基板１０内のケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの組成比は、混合酸化物２４内のケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの組成比と同じに設定される。
このように、セラミック基板１０と混合酸化物２４との間で不純物の組成比を同じにすることにより、後述するような製法で焼結体を形成する際に相互間で物質移動が発生しない。このため、セラミック基板１０と多孔質体２０との界面の平坦性を確保することができる。
また、多孔質体２０の混合酸化物２４は、結晶性粒子状物と非晶質物とから形成される。具体的には、焼結されて得られた混合酸化物２４は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含有している。
Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ及びＹ２Ｏ３の重量比を大きくすると、混合酸化物２４内に、コランダム相（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル相（ＭｇＡｌ２Ｏ４）及びガーネット相（３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３）からなる結晶性粒子状物が析出する。ＳｉＯ２及びＣａＯは非晶質物として形成される。
混合酸化物２４の中に、コランダム相、スピネル相及びガーネット相の少なくとも１つの結晶性粒子状物が形成されていればよい。
混合酸化物２４の中に結晶性粒子状物を析出させることにより、プラズマに対する耐性を強くすることができる。
なお、プラズマに対する耐性を考慮する必要がない場合は、混合酸化物２４を全体にわたって非晶質物から形成してもよい。
また。多孔質体２０の球状酸化物セラミック粒子２２は、コランダム相（Ａｌ２Ｏ３）から形成される。
セラミック基板１０の上面と多孔質体２０の上面とが面一になって平坦面となっている。また同様に、セラミック基板１０の下面と多孔質体２０の下面とが面一になって平坦面となっている。
焼結体１を静電チャックのチャック部として使用する場合、上面が平坦面となっているため、ウェハを信頼性よく吸着させることができる。
図３には、比較例のセラミック基板１００の貫通孔ＴＨの内壁の様子が示されている。図３の比較例では、前述した予備的事項で説明したように、焼成前のセラミック組成体の貫通孔に多孔質体の前駆体となる多孔質体用ペーストを充填した後に、両者を同時に焼成して焼結体が作成される。これにより、セラミック基板１００とその中に貫通して配置された多孔質体２００とが得られる。
この場合、図３に示すように、セラミック基板１００の貫通孔ＴＨの内壁に酸化物粒子１００ａの球状面が露出した状態となる。焼結後のセラミック基板１００を加工して貫通孔ＴＨを形成するのではなく、焼結前のセラミック組成体に貫通孔を形成するため、焼結後に酸化物粒子１００ａの個々の粒形状がそのまま残るからである。
従って、図３の比較例では、個々の酸化物粒子１００ａの大きさのレベルでミクロにみると、セラミック基板１００の貫通孔ＴＨの内壁は球状面がつながった微細な凹凸面ＳＸとなっている。このため、焼結前のセラミック組成体の貫通孔に多孔質体用ペーストを充填する際に、充填しにくく、充填ムラが生じやすい。
本実施形態では、前述した図２（ｂ）のように、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁に露出する複数の酸化物粒子１０ａの各側面が面一になって平坦化されているため、多孔質体用ペーストを均質に充填することができる。
また、本実施形態の多孔質体２０では、気孔Ｐの内壁に粗度が比較的小さい球状酸化物セラミック粒子２２の外面が露出している。さらに、多孔質体２０は、所定の気孔率が得られるように、球状酸化物セラミック粒子２２が混合酸化物２４で結着されて形成されるため、気孔Ｐのサイズの精度を向上させることができる。
このため、ガス導管部Ｇにガスを流す際に、管路の摩擦抵抗が低くなり、圧力損失を低減させることができる。
また、後述するように、多孔質体２０は、焼結されたセラミック基板１０の貫通孔ＴＨに充填されたペーストを焼成することにより得られる。多孔質体２０は、焼成する際に殆ど収縮が発生しない状態で作成される。
このため、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨを小さくできると共に、多孔質体２０からなるガス導管部Ｇの形状、サイズ及び位置の精度を向上させることができる。
次に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）の多孔質体２０を備えた焼結体１の製造方法について説明する。
（第１実施例の製造方法）
第１実施例の製造方法では、図４（ａ）に示すように、まず、厚みが５ｍｍ程度で、純度が９４％の酸化アルミニウム基板１１を用意する。
第１実施例の製造方法では、図４（ａ）に示すように、まず、厚みが５ｍｍ程度で、純度が９４％の酸化アルミニウム基板１１を用意する。
酸化アルミニウム基板１１は、セラミック組成物が１５００℃程度の温度で焼成されて得られる焼結体である。酸化アルミニウム基板１１は、相対密度が９０％以上になるように焼結される。酸化アルミニウム基板１１が前述した図２（ｂ）のセラミック基板１０の一例である。
次いで、図４（ｂ）に示すように、ドリルにより酸化アルミニウム基板１１を厚み方向に貫通加工することにより、貫通孔ＴＨを形成する。
これによって、前述した図２（ｂ）で説明したように、酸化アルミニウム基板１１を構築する複数の酸化アルミニウム粒子（不図示）の切削面である各側面が面一になり、貫通孔ＴＨの内壁が平坦面Ｓとなる。酸化アルミニウム粒子が前述した図２（ｂ）の酸化物粒子１０ａの一例である。
貫通孔ＴＨの直径は、例えば、１ｍｍ〜３ｍｍである。酸化アルミニウム基板１１内で複数の貫通孔ＴＨの直径が同じであってもよいし、相互に異なっていてもよい。
ドリルの代わりに、レーザによって酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成してもよい。この場合も、同様に、貫通孔ＴＨの内壁が平坦面となる。
続いて、図４（ｃ）に示すように、ステージ５の上に剥離シート（不図示）を介して酸化アルミニウム基板１１を配置する。そして、前述した図２（ｂ）で説明した多孔質体２０の前駆体となるペースト２０ａを用意する。
ペースト２０ａは、直径が１００μｍの球状酸化アルミニウム粒子を８３．３重量％の重量比で含有する。ペースト２０ａの残部は、ケイ素（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びイットリウム（Ｙ）の５成分を含む酸化物と、有機バインダ及び溶剤とからなる。
有機バインダとしては、ポリビニルブチラールが使用される。溶剤としては、アルコールが使用される。
球状酸化アルミニウム粒子が前述した図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２の一例である。
また、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、及びイットリウムの５成分を含む酸化物が前述した図２（ｂ）の混合酸化物２４の材料の一例である。
そして、スキージ６でペースト２０ａを掃き取りするように横方向に移動させることにより、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨにペースト２０ａを充填する。
このようにして、図５（ａ）に示すように、酸化アルミニウム基板１１の複数の貫通孔ＴＨにベースト２０ａがそれぞれ充填される。
酸化アルミニウム基板１１は既に焼結されているため、後の焼成工程で収縮などによって貫通孔ＴＨのサイズや位置がずれるおそれがない。また、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの直径が３ｍｍ以下に小さくなっても、貫通孔ＴＨにペースト２０ａを容易に充填することができる。
次いで、図５（ｂ）に示すように、酸化アルミニウム基板１１の焼成温度よりも１００℃程度低い１４００℃程度の温度で、ベースト２０ａを焼成することにより、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨに多孔質体２０を形成する。
このとき、前述したように、酸化アルミニウム基板１１とペースト２０ａの複合酸化物との間で、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの組成比が同じに設定される。
これにより、焼成時に、酸化アルミニウム基板１１とペースト２０ａとの間で物質移動が発生しないため、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨの内壁と多孔質体２０との界面の平坦性を確保することができる。
またこのとき、多孔質体２０は、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨの上端から上側に突出して形成される。
このため、図５（ｃ）に示すように、酸化アルミニウム基板１１及び多孔質体２０の各上面を平面研削することにより、酸化アルミニウム基板１１の上面と多孔質体２０の上面とを面一にして平坦化する。
また、必要に応じて、酸化アルミニウム基板１１及び多孔質体２０の各下面においても、平面研削して平坦化する。
このようにして、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨに多孔質体２０を配置して、ガス導管部Ｇを得る。
前述した図２（ｂ）のように、多孔質体２０は、球状酸化物セラミック粒子２２とそれらを結着する混合酸化物２４とから形成され、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨの内壁に混合酸化物２４が固着する。
これにより、多孔質体２０からなるガス導管部Ｇを備えた焼結体１が製造される。
以上のように、第１実施例では、前述した図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２として、球状酸化アルミニウム粒子が使用される。また、図２（ｂ）の混合酸化物２４として、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、及びイットリウムの５成分の酸化物が使用される。
第１実施例の製造方法で実際に多孔質体２０を作成したところ、気孔率は３１％であった。
（第２実施例の製造方法）
第２実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図４（ａ）及び（ｂ）と同様に、まず、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第２実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図４（ａ）及び（ｂ）と同様に、まず、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第２実施例で使用するペースト２０ａは、直径が１００μｍの球状酸化アルミニウム粒子を８７．０重量％の重量比で含有する。ペースト２０ａの残部がケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの４成分を含む酸化物と、有機バインダ及び溶剤とからなる。
そして、第１実施例の図４（ｃ）〜図５（ｂ）と同様に、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨにベースト２０ａを充填し、焼成することにより多孔質体２０を形成する。その後に、第１実施例の図５（ｃ）と同様に、平面研削によって酸化アルミニウム基板１１の上面と多孔質体２０の上面とを面一にして平坦化する。
このようにして、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨに多孔質体２０を配置して、ガス導管部Ｇを得る。
第２実施例では、前述した図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２として、球状酸化アルミニウム粒子が使用される。また、図２（ｂ）の混合酸化物２４として、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの４成分の酸化物が使用される。
第２実施例の製造方法で実際に多孔質体２０を作成したところ、気孔率は３８％であった。
（第３実施例の製造方法）
第３実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図３（ａ）及び（ｂ）と同様に、まず、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第３実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図３（ａ）及び（ｂ）と同様に、まず、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第２実施例で使用するペースト２０ａは、直径が１００μｍの球状酸化アルミニウム粒子を９５．２重量％の重量比で含有する。ペースト２０ａの残部がケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの４成分を含む酸化物と、有機バインダ及び溶剤とからなる。
そして、第１実施例の図４（ｃ）〜図５（ｂ）と同様に、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨにベースト２０ａを充填し、焼成することにより多孔質体２０を形成する。その後に、第１実施例の図５（ｃ）と同様に、平面研削によって酸化アルミニウム基板１１の上面と多孔質体２０の上面とを面一にして平坦化する。
このようにして、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨに多孔質体２０を配置して、ガス導管部Ｇを得る。
第３実施例では、前述した図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２として、球状酸化アルミニウム粒子が使用される。また、図２（ｂ）の混合酸化物２４として、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、及びイットリウムの４成分の酸化物が使用される。
第３実施例の製造方法で実際に多孔質体２０を作成したところ、気孔率は４０％であった。
（第４実施例の製造方法）
第４実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図３（ａ）及び（ｂ）と同様に、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第４実施例の製造方法では、上記した第１実施例の図３（ａ）及び（ｂ）と同様に、酸化アルミニウム基板１１に貫通孔ＴＨを形成する。
第４実施例で使用するペースト２０ａは、直径が１００μｍの球状酸化アルミニウム粒子を９４．１重量％の重量比で含有する。ペースト２０ａの残部がケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、及びイットリウムの５成分を含む酸化物と、有機バインダ及び溶剤とからなる。
そして、第１実施例の図４（ｃ）〜図５（ｂ）と同様に、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨにベースト２０ａを充填し、焼成することにより多孔質体２０を形成する。その後に、第１実施例の図５（ｃ）と同様に、平面研削によって酸化アルミニウム基板１１の上面と多孔質体２０の上面とを面一にして平坦化する。
このようにして、酸化アルミニウム基板１１の貫通孔ＴＨに多孔質体２０を配置して、ガス導管部Ｇを得る。
第４実施例では、前述した図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２として、球状酸化アルミニウム粒子が使用される。また、図２（ｂ）の混合酸化物２４として、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、及びイットリウムの５成分の酸化物が使用される。
第４実施例の製造方法で実際に多孔質体２０を作成したところ、気孔率は３７％であった。
以上のように、本実施形態の焼結体１の多孔質体２０は、焼結されたセラミック基板１０に貫通孔ＴＨを形成した後に、貫通孔ＴＨにペースト２０ａを充填し、焼成することにより得られる。
このため、セラミック基板１０と多孔質体２０とを同時に焼成して作成する場合と違って、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁は酸化物粒子１０ａの切削面が面一になった平坦面Ｓとなっている。
また、別体として焼結された多孔質体をセラミック基板１０の貫通孔ＴＨに配置する方法と違って、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁と多孔質体２０との間にエポキシ樹脂などの接着媒体を形成する必要がない。
このため、焼結体１を静電チャックに使用する場合、プラズマによって接着媒体が劣化するおそれがないため、静電チャックの信頼性を向上させることができる。
さらに、多孔質体２０の気孔Ｐの形成は、実質的に、球状酸化物セラミック粒子２２の充填状態と、それらの粒子を結着する混合酸化物２４の分布状態で規定される。
このため、ペースト２０ａ内の球状酸化物セラミック粒子２２の重量比などを制御することにより、焼成時に収縮が殆ど生じない多孔質体２０を作成することできる。
前述した第１〜第４実施例の製造方法で例示したように、ペースト２０ａ内の球状酸化アルミニウム粒子（図２（ｂ）の球状酸化物セラミック粒子２２）の重量比が８０重量％以上に設定される。これにより、焼成時に収縮が殆ど生じない多孔質体２０が得られる。
よって、間隙や割れが発生することなく、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁全体に多孔質体２０を信頼性よく固着させることができる。また、多孔質体２０からなるガス導管部Ｇの形状、サイズ及び位置の精度を向上させることができる。さらに、多孔質体２０の気孔率の設計も可能となり、所望の気孔率を有するガス導管部Ｇを得ることができる。
また、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの直径が３ｍｍ以下に小さくなるとしても、ペースト２０ａを充填する手法により貫通孔ＴＨ内に多孔質体２０からなるガス導管部Ｇを信頼性よく形成することができる。
次に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）の焼結体１を使用する静電チャックについて説明する。図６に示すように、実施形態の静電チャック２は、アルミニウムなどから形成されるベース基板４０の上に、前述した図２（ａ）及び（ｂ）と同様な構造の焼結体１が配置されている。
前述したように、焼結体１は、セラミック基板１０と、その厚み方向に貫通して配置された多孔質体２０からなるガス導管部Ｇとを備えている。
図６に示すように、実施形態の焼結体１を静電チャック２のチャック部として使用する場合は、セラミック基板１０の内部に静電電極３０及びそれに接続される配線端子３２が配置されている。配線端子３２は、静電電極３０の下面からセラミック基板１０の下面まで延在している。
静電電極３０及び配線端子３２が内蔵されたセラミック基板１０は、セラミック基板１０を形成するためのグリーンシート内に静電電極３０及び配線端子３２となる材料を配置し、その積層体を焼成することにより得られる。静電電極３０及び配線端子３２の材料としては、タングステンペーストなどが使用される。
ベース基板４０には、セラミック基板１０に形成された多孔質体２０に連通するガス供給穴４２が貫通して形成されている。また、ベース基板４０には、セラミック基板１０の下面に露出する配線端子３２に接続される中継配線４４が形成されている。
ベース基板４０と焼結体１のセラミック基板１０とはシリコーン接着剤などによって固定される。
そして、静電チャック２のセラミック基板１０の上に被吸着物としてウェハ５０が載置される。さらに、外部電源からベース基板４０の中継配線４４及びセラミック基板１０の配線端子３２を介して静電電極３０に所定の電圧が印加される。
ウェハ５０とセラミック基板１０との間に発生した力によってウェハ５０が静電チャック２に静電吸着される。
そして、ベース基板４０のガス供給穴４２からセラミック基板１０に形成された多孔質体２０からなるガス導管部Ｇに熱伝導用ガスが供給される。熱伝導用ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスが使用される。
静電チャック２の裏面に接するように冷却ジャケット又はヒータなどの温度調節手段が設けられ、この温度調節手段により静電チャック２を介してウェハ５０が所定の温度に調整される。
このとき、静電チャック２とウェハ５０との間に熱伝導用ガスを供給することにより、静電チャック２によって効率よくウェハ５０を冷却したり、加熱された静電チャック２の熱を効率よくウェハ５０に伝導することができる。
本実施形態の静電チャック２では、ガス導管部Ｇが多孔質体２０から形成されるため、プラズマ装置に適用する際にガス導管部Ｇでの放電を防止することができ、静電チャックの信頼性を向上させることができる。
また、前述したように、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁が平坦面Ｓであり、貫通孔ＴＨに配置された多孔質体２０は、球状酸化物セラミック粒子２２とそれらの粒子を結着する混合酸化物２４とから形成される。
このため、ガス導管部Ｇに熱伝導用ガスを流す際に管路の摩擦抵抗が小さくなり、圧力損失を低減させることができる。
これにより、ガス導管部Ｇを多孔質体２０から形成しても、静電チャック２とウェハ５０との間に熱伝導用ガスを十分に供給することができため、ウェハ５０の温度調整を信頼性よく行うことができる。
また、セラミック基板１０の貫通孔ＴＨの内壁と多孔質体０との間に、プラズマによって劣化しやすいエポキシ樹脂などの接着媒体が存在しない。このため、プラズマ装置に適用する際に静電チャックの寿命を長くすることができると共に、各種装置のプロセスの信頼性を向上させることができる。
本実施形態の静電チャック２は、半導体ウェハプロセス又は液晶ディスプレイの素子基板の製造プロセスなどで使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置又はＰＶＤ装置などに好適に使用される。
また、本実施形態の焼結体１は、静電チャックの他に、各種のフィルタなどにも適用することができる。
１…焼結体、２…静電チャック、５…ステージ、６…スキージ、１０…セラミック基板、１０ａ…酸化物粒子、１１…酸化アルミニウム基板、２０…多孔質体、２０ａ…ペースト、２２…球状酸化物セラミック粒子、２４…混合酸化物、３０…静電電極、３２…配線端子、４０…ベース基板、４２…ガス供給穴、４４…中継配線、５０…ウェハ、Ｇ…ガス導管部、Ｓ…平坦面。
Claims (10)
- 酸化物粒子が焼結されたセラミック基板と、
前記セラミック基板に形成された貫通孔であって、前記貫通孔の内壁に露出する前記酸化物粒子の各側面が面一となって配置された前記貫通孔と、
前記貫通孔に配置され、球状酸化物セラミック粒子と、前記球状酸化物セラミック粒子を結着する混合酸化物とから形成された多孔質体とを有することを特徴とする焼結体。 - 前記多孔質体の球状酸化物セラミック粒子の重量比は、８０重量％以上であることを特徴とする請求項１に記載の焼結体。
- 前記多孔質体の混合酸化物は、結晶性粒子状物と非晶質物とから形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の焼結体。
- 前記結晶性粒子状物は、コランダム相、スピネル相及びガーネット相の少なくとも一つからなることを特徴とする請求項３に記載の焼結体。
- 前記多孔質体の混合酸化物は、ケイ素、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム及びイットリウムから選択される２つ以上の酸化物から形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の焼結体。
- 前記セラミック基板は、ケイ素、マグネシウム、カルシウム及びイットリウムを含む酸化アルミニウム基板であり、
前記多孔質体の混合酸化物のケイ素、マグネシウム、カルシウム及びイットリウムの組成比は、前記セラミック基板のケイ素、マグネシウム、カルシウム及びイットリウムの組成比と同じであることを特徴とする請求項５に記載の焼結体。 - 前記多孔質体の球状酸化物セラミック粒子は、コランダム相からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の焼結体。
- 前記多孔質体の気孔率は、２０％〜５０％の範囲であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の焼結体。
- 酸化物粒子が焼結されたセラミック基板と、
前記セラミック基板に形成された貫通孔であって、前記貫通孔の内壁に露出する前記酸化物粒子の各側面が面一となって配置された前記貫通孔と、
前記貫通孔に配置され、球状酸化物セラミック粒子と、前記球状酸化物セラミック粒子を結着する混合酸化物とから形成された多孔質体からなるガス導管部と、
前記セラミック基板の中に配置された静電電極と
を有することを特徴とする静電チャック。 - 焼結されたセラミック基板を用意する工程と、
前記セラミック基板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に、球状酸化物セラミック粒子と混合酸化物とを含むペーストを充填する工程と、
前記ペーストを焼成して、前記貫通孔に、前記球状酸化物セラミック粒子が前記混合酸化物で結着された多孔質体を形成する工程と
を有することを特徴とする焼結体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016115054A JP6722518B2 (ja) | 2016-06-09 | 2016-06-09 | 焼結体及びその製造方法と静電チャック |
| US15/616,857 US10998216B2 (en) | 2016-06-09 | 2017-06-07 | Sintered body and electrostatic chuck |
| KR1020170071316A KR102315603B1 (ko) | 2016-06-09 | 2017-06-08 | 소결체, 그 제조 방법, 및 정전 척 |
| TW106119273A TWI756228B (zh) | 2016-06-09 | 2017-06-09 | 燒結體、其製造方法及靜電夾頭 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016115054A JP6722518B2 (ja) | 2016-06-09 | 2016-06-09 | 焼結体及びその製造方法と静電チャック |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017218352A true JP2017218352A (ja) | 2017-12-14 |
| JP2017218352A5 JP2017218352A5 (ja) | 2019-02-14 |
| JP6722518B2 JP6722518B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=60573065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016115054A Active JP6722518B2 (ja) | 2016-06-09 | 2016-06-09 | 焼結体及びその製造方法と静電チャック |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10998216B2 (ja) |
| JP (1) | JP6722518B2 (ja) |
| KR (1) | KR102315603B1 (ja) |
| TW (1) | TWI756228B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102000501B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2019-07-16 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| JP2019165207A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2019165195A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2020072262A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2020114789A (ja) * | 2019-01-17 | 2020-07-30 | 新光電気工業株式会社 | セラミック部材及びその製造方法 |
| US10923383B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-02-16 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
| KR20220146327A (ko) | 2021-04-23 | 2022-11-01 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 흡착 부재 및 기판 고정 장치 |
| KR20230019761A (ko) | 2021-08-02 | 2023-02-09 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 척 및 기판 고정 장치 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019029384A (ja) * | 2017-07-25 | 2019-02-21 | 新光電気工業株式会社 | セラミックス混合物、多孔質体及びその製造方法、静電チャック及びその製造方法、基板固定装置 |
| JP6504532B1 (ja) * | 2018-03-14 | 2019-04-24 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP7002014B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-01-20 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| CN111668148A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | Toto株式会社 | 静电吸盘及处理装置 |
| JP6729735B1 (ja) * | 2019-03-05 | 2020-07-22 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP7441402B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2024-03-01 | Toto株式会社 | 静電チャック、および処理装置 |
| US10950485B2 (en) | 2019-04-17 | 2021-03-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method utilizing electrostatic discharge (ESD) prevention layer |
| DE102019125819A1 (de) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiterverarbeitungsvorrichtung und verfahren unter einsatz einer elektrostatischen entladungs-(esd)- verhinderungsschicht |
| JP7291046B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-06-14 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
| JP7296869B2 (ja) * | 2019-12-10 | 2023-06-23 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック、基板固定装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03281740A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Ngk Insulators Ltd | 金属溶湯用濾材 |
| JP2004508728A (ja) * | 2000-09-05 | 2004-03-18 | サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 多孔領域を有する静電チャック |
| JP2008166509A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
| JP2010228935A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 多孔質セラミック部材およびフィルタ |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| US6680013B1 (en) * | 1999-04-15 | 2004-01-20 | Regents Of The University Of Minnesota | Synthesis of macroporous structures |
| US6632512B1 (en) * | 1999-11-10 | 2003-10-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate |
| US6399528B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-06-04 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Porous aluminum oxide structures and processes for their production |
| JP4193883B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2008-12-10 | 住友電気工業株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
| DE102008002697A1 (de) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Zf Friedrichshafen Ag | Aufhängungseinrichtung mit aktivem Wattgestänge |
| US8007557B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-08-30 | Corning Incorporated | High-strength low-microcracked ceramic honeycombs and methods therefor |
| JP5253261B2 (ja) | 2009-03-26 | 2013-07-31 | 日本碍子株式会社 | アルミナ質多孔質及びその製造方法 |
| US8467750B2 (en) * | 2010-10-21 | 2013-06-18 | Marvell World Trade Ltd. | Gain control in a shared RF front-end path for different standards that use the same frequency band |
| PL2636655T3 (pl) * | 2010-11-01 | 2017-01-31 | Showa Denko K.K. | Spiekane ciało z tlenku glinu, ziarna ścierne i kamień szlifierski |
| CN103370352B (zh) * | 2010-12-27 | 2016-01-20 | 道康宁东丽株式会社 | 可固化环氧树脂组合物 |
| WO2013134911A1 (zh) | 2012-03-12 | 2013-09-19 | 浙江洁美电子科技有限公司 | 一种载带原纸的制造方法及其所制得的原纸 |
| JP2014008432A (ja) | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック多孔質膜並びにセラミックフィルタ及びその製造方法 |
| JP5652832B2 (ja) | 2013-01-08 | 2015-01-14 | レーザーテック株式会社 | チャック装置、及びチャック方法 |
| KR101486719B1 (ko) | 2013-05-15 | 2015-01-27 | 주식회사 보림 | 트리 가드 |
| WO2015064668A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 配線基板、これを用いた実装構造体および積層シート |
| US10460968B2 (en) * | 2013-12-02 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field |
-
2016
- 2016-06-09 JP JP2016115054A patent/JP6722518B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-07 US US15/616,857 patent/US10998216B2/en active Active
- 2017-06-08 KR KR1020170071316A patent/KR102315603B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-09 TW TW106119273A patent/TWI756228B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03281740A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Ngk Insulators Ltd | 金属溶湯用濾材 |
| JP2004508728A (ja) * | 2000-09-05 | 2004-03-18 | サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 多孔領域を有する静電チャック |
| JP2008166509A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
| JP2010228935A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 多孔質セラミック部材およびフィルタ |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102000501B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2019-07-16 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| JP2019165207A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2019165195A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-26 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP7412684B2 (ja) | 2018-03-14 | 2024-01-15 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| US10923383B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-02-16 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
| JP7205285B2 (ja) | 2018-03-14 | 2023-01-17 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP2020072262A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP7402411B2 (ja) | 2018-10-30 | 2023-12-21 | Toto株式会社 | 静電チャック |
| JP7378210B2 (ja) | 2019-01-17 | 2023-11-13 | 新光電気工業株式会社 | セラミック部材の製造方法 |
| JP2020114789A (ja) * | 2019-01-17 | 2020-07-30 | 新光電気工業株式会社 | セラミック部材及びその製造方法 |
| KR20220146327A (ko) | 2021-04-23 | 2022-11-01 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 흡착 부재 및 기판 고정 장치 |
| US11881794B2 (en) | 2021-04-23 | 2024-01-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electrostatic adsorption member and substrate fixing device |
| KR20230019761A (ko) | 2021-08-02 | 2023-02-09 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 척 및 기판 고정 장치 |
| US11942350B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-03-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electrostatic chuck and substrate holding device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170358476A1 (en) | 2017-12-14 |
| KR20170139457A (ko) | 2017-12-19 |
| JP6722518B2 (ja) | 2020-07-15 |
| TW201819337A (zh) | 2018-06-01 |
| KR102315603B1 (ko) | 2021-10-21 |
| US10998216B2 (en) | 2021-05-04 |
| TWI756228B (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6722518B2 (ja) | 焼結体及びその製造方法と静電チャック | |
| KR102663604B1 (ko) | 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치 | |
| KR101531726B1 (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법 | |
| CN105074901A (zh) | 静电吸盘 | |
| JP2007173596A (ja) | 静電チャック | |
| JP2002134590A (ja) | 半導体製造装置用サセプター | |
| WO2001062686A1 (fr) | Piece frittee en nitrure d'aluminium, substrat en ceramique, corps chauffant en ceramique et mandrin electrostatique | |
| US11091398B2 (en) | Method for manufacturing large ceramic co-fired articles | |
| CN109891572A (zh) | 半导体制造装置用构件及其制造方法 | |
| JP2003282688A (ja) | 静電チャック | |
| KR101122709B1 (ko) | 정전척 | |
| JP7449768B2 (ja) | セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ | |
| JP2007109827A (ja) | 静電チャック | |
| JP4436575B2 (ja) | ウエハ支持部材及びその製造方法 | |
| JP2010114351A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP7291046B2 (ja) | 基板固定装置 | |
| JP6672244B2 (ja) | セラミックス接合体の製造方法 | |
| JP2004296579A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| JP2003188247A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| JP2023021622A (ja) | 静電チャック、基板固定装置 | |
| KR100539976B1 (ko) | 정전척 및 그 제조방법 | |
| KR20230096465A (ko) | 세라믹 서셉터의 제조 방법 | |
| JP2004152834A (ja) | ガラスセラミック多層配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180209 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181226 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181226 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20191108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191111 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20191119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200310 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200430 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200622 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6722518 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |