KR102663604B1 - 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치 - Google Patents

세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102663604B1
KR102663604B1 KR1020180073260A KR20180073260A KR102663604B1 KR 102663604 B1 KR102663604 B1 KR 102663604B1 KR 1020180073260 A KR1020180073260 A KR 1020180073260A KR 20180073260 A KR20180073260 A KR 20180073260A KR 102663604 B1 KR102663604 B1 KR 102663604B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
porous body
oxide ceramic
ceramic particles
particle diameter
Prior art date
Application number
KR1020180073260A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190011667A (ko
Inventor
도모타케 미네무라
Original Assignee
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 filed Critical 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20190011667A publication Critical patent/KR20190011667A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102663604B1 publication Critical patent/KR102663604B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63424—Polyacrylates; Polymethacrylates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0022—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof obtained by a chemical conversion or reaction other than those relating to the setting or hardening of cement-like material or to the formation of a sol or a gel, e.g. by carbonising or pyrolysing preformed cellular materials based on polymers, organo-metallic or organo-silicon precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
    • C04B38/063—Preparing or treating the raw materials individually or as batches
    • C04B38/0635—Compounding ingredients
    • C04B38/0645—Burnable, meltable, sublimable materials
    • C04B38/067—Macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
    • C04B38/0695—Physical aspects of the porous material obtained
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/48—Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5427—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof millimeter or submillimeter sized, i.e. larger than 0,1 mm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C04B2235/9615—Linear firing shrinkage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

세라믹 혼합물 페이스트는 산화물 세라믹 입자들, 연소 소실 입자들, 및 소성 조제를 포함한다. 상기 연소 소실 입자들은 상기 산화물 세라믹 입자들의 소성 온도보다 낮은 온도에서 연소 소실된다. 상기 소성 조제는 상기 소성 온도보다 낮은 온도에서 용융된다. 상기 산화물 세라믹 입자들의 체적에 대한 상기 연소 소실 입자들의 체적 비율은 0%보다 크고 20% 이하이다.

Description

세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치{CERAMIC MIXTURE PASTE, POROUS BODY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, ELECTROSTATIC CHUCK AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SUBSTRATE FIXING DEVICE}
본 명세서에서 논의되는 실시형태들의 특정 양태는 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치에 관한 것이다.
내부에 공간을 갖는 세라믹의 다공질체를 제작하는 방법들이 알려져 있다. 예를 들어, 이러한 방법들 중 하나에 따르면, 세라믹 분말로 이루어지는 성형체의 내부의 원하는 위치에 원하는 형상의 코어를 배치하고, 성형체를 가열해서 소성하는 과정 중에 코어를 소실시켜서 내부에 공간을 갖는 세라믹 다공질체를 제작한다(예를 들면, 일본국 특개평 10-264128호 공보 참조)
그러나, 세라믹 다공질체를 제작하는 전술한 종래의 방법들에 따르면, 가열(소성)로 인한 성형체의 수축률은 고려되고 있지 않았다. 그 때문에, 예를 들면 관통공 내에 다공질체를 배치하는 용도의 경우에, 다공질체가 관통공 내로부터 떨어져나갈 우려가 있었다.
본 발명은, 상기의 점을 감안하여 이루어진 것이며, 가열로 인한 수축률을 저감 가능한 세라믹 혼합물 페이스트를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 세라믹 혼합물 페이스트는 산화물 세라믹 입자들, 연소 소실 입자들(burn-off particles), 및 소성 조제(firing aid)를 포함한다. 연소 소실 입자들은 산화물 세라믹 입자들의 소성 온도(firing temperature)보다 낮은 온도에서 연소 소실된다. 소성 조제는 소성 온도보다 낮은 온도에서 용융된다. 산화물 세라믹 입자들의 체적에 대한 연소 소실 입자들의 체적 비율은 0%보다 크고 20% 이하이다.
도 1a 및 도 1b는 본 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 개략 단면도들.
도 2a 내지 도 2f는 본 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면들.
도 3은 체적 비율(V)과 기공률(P)의 관계를 예시하는 도면.
이하, 첨부 도면들을 참조해서 본 발명의 하나 이상의 바람직한 실시형태들에 대해 설명한다. 다음의 설명에 있어서, 동일한 요소 또는 성분은 동일한 참조 부호를 사용하여 지칭되며, 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
이하, 기판 고정 장치의 구조에 대하여 설명한다. 도 1a는 일 실시형태에 따른 전체 기판 고정 장치의 개략 단면도이다. 도 1b는 도 1a의 A부의 확대도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 기판 고정 장치(1)는 베이스 플레이트(10)와, 베이스 플레이트(10) 상에 접착층(도시하지 않음) 등을 통해 마련된 정전척(20)을 포함한다.
다음의 설명에서, 기판 고정 장치(1)는 본 도면들에 도시된 바와 같이 정의된 직교 좌표계인, XYZ 좌표계를 사용하여 설명된다. 예를 들어, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 베이스 플레이트(10)의 윗면(10a)은 XY 평면이며, 베이스 플레이트(10)와 정전척(20)이 XY 평면에 수직인 화살표 Z로 표시된 방향(Z 방향)으로 적층되어 있다. 기판 고정 장치(1)의 두께 방향인 Z 방향을 "적층 방향"이라 칭할 경우가 있다. 적층 방향(Z 방향)에 수직인 방향들을 집합적으로 "평면 방향"(XY 평면 방향)"이라 칭할 경우가 있다.
베이스 플레이트(10)는, 정전척(20)을 탑재하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(10)의 두께는, 예를 들면 20~50mm 정도로 할 수 있다. 베이스 플레이트(10)는, 예를 들면 알루미늄으로 형성되며, 플라스마를 제어하기 위한 전극 등으로서 이용할 수도 있다. 베이스 플레이트(10)에 소정의 고주파 전력을 급전하는 것에 의해서, 발생된 플라스마 상태에 있는 이온 등을 정전척(20) 상에 흡착된 기판(웨이퍼)에 충돌시키기 위한 에너지를 제어하여, 에칭 처리를 효과적으로 행할 수 있다.
베이스 플레이트(10)에는, 배선(13)이 마련되어 있다. 배선(13)은, 예를 들면, 동(銅) 등에 의해 형성되며, 베이스 플레이트(10)와의 사이는 절연막 등에 의해 절연되어 있다.
베이스 플레이트(10)에는, 베이스 플레이트(10)를 Z 방향으로 관통하는 관통공(14)이 마련되어 있다. 관통공(14)의 개수는, 임의로 설정할 수 있다. 관통공(14)은, 정전척(20) 상에 흡착된 기판을 냉각하는 불활성 가스를 도입하는 가스 유로의 일부를 이루고 있다. 관통공(14)의 평면 형상은 예를 들면 원형이며, 관통공(14)의 직경은, 예를 들면 1mm∼3mm 정도로 할 수 있다. 또한, 평면 형상이란, 베이스 플레이트(10)의 윗면(10a)의 법선 방향(Z 방향 )으로부터 바라본 대상물의 형상을 가리킨다.
베이스 플레이트(10)의 내부에 수로(도시하지 않음)를 마련해도 된다. 베이스 플레이트(10)의 내부에 마련된 수로에 냉각수를 순환시켜서 베이스 플레이트(10)를 냉각함으로써, 정전척(20) 상에 흡착된 기판을 냉각할 수 있다.
정전척(20)은 베이스(기판)(21)와, 정전 전극(22)과, 배선(23)과, 관통공(24)과, 다공질체(25)를 갖고 있다. 정전척(20)은, 예를 들면 존센-라벡(Johnsen-Rahbek)형 정전척이다. 대안적으로, 정전척(20)은, 쿨롬력형 정전척이어도 된다.
베이스(21)는 유전체이다. 베이스(21)를 위한 적절한 재료로서는 예를 들면 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN) 등의 세라믹을 포함한다. 베이스(21)의 두께는 예를 들면 1~10mm 정도로 할 수 있다. 베이스(21)의 비유전율(1KHz)은, 예를 들면 9~10 정도로 할 수 있다.
정전 전극(22)은 박막 전극이며, 베이스(21)에 내장되어 있다. 배선(23)은, 상단이 정전 전극(22)과 접속되고, 하단이 베이스(21)의 밑면으로부터 노출되어 베이스 플레이트(10) 내의 배선(13)의 상단과 접속되어 있다. 정전 전극(22)은 배선(23 및 13)을 통해 기판 고정 장치(1)의 외부에 마련된 전원에 접속되어 있다. 정전 전극(22)에 소정의 전압이 인가되면, 정전 전극(22)과 기판 사이에 정전기 흡착력이 발생한다. 그 결과, 베이스(21)의 재치면 상에 기판을 흡착 유지할 수 있다. 흡착 유지력은, 정전 전극(22)에 인가되는 전압이 높을수록 강해진다. 정전 전극(22)은, 단극 형상이어도, 쌍극 형상이어도 상관없다. 정전 전극(22) 및 배선(23)을 위한 적합한 재료로서는, 예를 들면 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 등을 포함한다.
관통공(24)은 베이스(21)를 Z 방향으로 관통하여, 베이스 플레이트(10)의 관통공(14)과 연통하고 있다. 관통공(24)의 평면 형상은 예를 들면 원형이며, 관통공(24)의 직경은, 관통공(14)의 직경과 동등하게 할 수 있다.
다공질체(25)는 세라믹을 주성분으로 해서, 관통공(24) 내에 배치되어 있다. 다공질체(25)는 복수의 산화물 세라믹 입자(26)와, 소성 조제(27)와, 기공(28)을 갖고 있다.
산화물 세라믹 입자(26)로서는, 예를 들면 대략 구(球) 형상의 산화알루미늄 입자나, 산화지르코늄 입자 등을 사용할 수 있다. 산화물 세라믹 입자(26)의 평균 입경은, 예를 들면 30~500㎛ 정도로 할 수 있다. 여기서, 평균 입경이란, 입자 지름 분포의 중앙값(median value)이다. 또한, 평균 입경은, 전자현미경 촬영 등으로부터 계측할 수 있다.
소성 조제(27)는, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면끼리나, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면과 관통공(24)의 내벽면을 부분적으로 결착시켜서 일체화하고 있다. 소성 조제(27)로서는, 예를 들면 산화알루미늄, 산화규소, 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화이트륨 중에서 선택되는 2개 이상의 산화물의 혼합물을 포함한다.
관통공(24) 내에 있어서, 산화물 세라믹 입자(26) 및 소성 조제(27)가 존재하지 않는 공동(空洞) 부분이 기공(28)이다. 관통공(24) 내에 형성되는 기공(28)의 기공률은, 다공질체(25)의 전체 체적의 30%보다 크고 43% 이하로 하고 있다. 관통공(24) 내에 기공(28)을 형성함으로써, 관통공(24) 내에 가스를 통과시킬 수 있다. 즉, 다공질체(25)가 갖는 기공(28)은, 베이스(21)에 포함되는 가스 유로가 된다.
이와 같이, 베이스 플레이트(10)의 관통공(14), 및 관통공(24) 내에 마련된 다공질체(25)의 기공(28)에 의해, 정전척(20) 상에 흡착된 기판을 냉각하는 불활성 가스를 베이스 플레이트(10)의 외부로부터 도입하는 가스 유로를 형성할 수 있다. 불활성 가스로서는, 예를 들면 헬륨 가스 등을 사용할 수 있다.
베이스(21)에 발열체(도시하지 않음)를 내장해도 된다. 발열체는, 기판 고정 장치(1)의 외부로부터 전압이 인가됨으로써 발열하고, 베이스(21)의 재치면이 소정의 온도가 되도록 가열한다. 발열체는, 예를 들면 베이스(21)의 재치면의 온도를 250℃∼300℃ 정도까지 가열할 수 있다. 발열체의 재료로서는, 예를 들면 동(cu)이나 텅스텐(W), 니켈(Ni) 등을 사용할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 2a 내지 도 2f는 본 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다.
먼저, 도 2a에 나타내는 공정에서는, 정전 전극(22) 및 배선(23)을 내장하는 베이스(21)를 제작하고, 베이스(21)에 관통공(24)을 형성한다. 베이스(21)는, 예를 들면 베이스(21)가 되는 그린 시트(green sheet) 내에 정전 전극(22) 및 배선(23)이 되는 재료를 배치하고, 소성함으로써 제작할 수 있다. 관통공(24)은, 예를 들면 드릴 가공법이나 레이저 가공법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 드릴 가공법이나 레이저 가공법에 의해 형성한 관통공(24)의 내벽면은 평탄면이 된다.
다음으로, 도 2b 및 도 2c에 나타내는 공정에서는, 다공질체(25)의 전구체(precursor)가 되는 세라믹 혼합물(250) 페이스트를 관통공(24) 내에 충전한다. 또한, 도 2c는 도 2b의 B부의 부분 확대도이다.
세라믹 혼합물(250)은, 산화물 세라믹 입자(26), 소성 조제(27), 및 연소 소실 입자(260)가 적어도 혼합된 것이다. 산화물 세라믹 입자(26), 소성 조제(27), 및 연소 소실 입자(260)는, 결착되지 않는다. 세라믹 혼합물(250)에는, 산화물 세라믹 입자(26), 소성 조제(27), 및 연소 소실 입자(260) 이외의 물질, 예를 들면, 유기 바인더나 용제 등이 혼합되어도 된다.
또한, 연소 소실 입자(260)는, 산화물 세라믹 입자(26)의 소성 과정에서(산화물 세라믹 입자(26)의 소성 온도보다 낮은 온도에서) 연소 소실되는 입자이다. 연소 소실 입자(260)는, 산화물 세라믹 입자(26)의 평균 입경보다 평균 입경이 큰 대략 구 형상의 입자인 것이 바람직하다. 연소 소실 입자(260)의 평균 입경이 산화물 세라믹 입자(26)의 평균 입경보다 작으면, 인접하는 산화물 세라믹 입자(26)의 극간(隙間)에 연소 소실 입자(260)가 배치될 경우가 있으며, 그 경우에는 기공률의 향상에 기여할 수 없기 때문이다.
또한, 산화물 세라믹 입자(26)에 대한 연소 소실 입자(260)의 체적 비율은, 0%보다 크고 20% 이하인 것이 바람직하다. 이 이유에 대해서는 후술한다. 산화물 세라믹 입자(26)로서 산화알루미늄 입자를 사용할 경우, 연소 소실 입자(260)로서는, 예를 들면 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 입자를 사용할 수 있다.
또한, 소성 조제(27)는, 산화물 세라믹 입자(26)의 소성 과정에서(산화물 세라믹 입자(26)의 소성 온도보다 낮은 온도에서) 용융후 경화하여, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면끼리나, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면과 관통공(24)의 내벽면을 결착시키는 물질이다.
세라믹 혼합물(250)은, 예를 들면 도 2a의 구조체를 시트 형상 부재 상에 배치해서 관통공(24)의 하단을 막은 후, 스퀴지(squeegee) 등을 이용하여 관통공(24) 내에 충전할 수 있다. 관통공(24)을 충전하는 세라믹 혼합물(250)의 상단이, 베이스(21)의 윗면으로부터 돌출해도 된다.
다음으로, 도 2d 및 도 2e에 나타내는 공정에서는, 세라믹 혼합물(250)을, 산화물 세라믹 입자(26)를 소성 가능한 소정 온도(산화물 세라믹 입자(26)의 소성 온도)로 가열하고, 관통공(24) 내에 다공질체(25)를 형성한다. 산화물 세라믹 입자(26)를 소정 온도로 가열함으로써, 산화물 세라믹 입자(26)를 소성함과 동시에 연소 소실 입자(260)를 연소시켜서 소실시킬 수 있다. 또한, 도 2e는 도 2d의 C부의 부분 확대도이다.
연소 소실 입자(260)가 연소 소실됨으로써, 소성 전에 연소 소실 입자(260)가 존재하고 있었던 영역은 기공(28)의 일부가 된다. 또한, 소성 조제(27)가 용융후 경화함으로써, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면끼리나, 산화물 세라믹 입자(26)의 외면과 관통공(24)의 내벽면이 부분적으로 결착해서 일체화된다. 관통공(24) 내에 형성되는 기공(28)의 기공률은, 다공질체(25)의 전체의 체적의 30% 이상 43% 이하가 된다. 또한, 세라믹 혼합물(250)에 대한 다공질체(25)의 수축률(소성 전후에 있어서의 체적 변화의 비율)은, 1% 이하가 된다.
또한, 도 2e에서는, 편의상, 소성 전에 연소 소실 입자(260)가 존재하고 있었던 영역을 파선으로 나타내고 있지만, 이 영역은 기공(28)의 일부이다. 다공질체(25)의 상단이 베이스(21)의 윗면으로부터 돌출하고 있을 경우에는, 돌출 부분을 연삭한다. 이에 따라, 관통공(24) 내에 노출하는 다공질체(25)의 상단과 베이스(21)의 윗면을 면일(面一)하게 할 수 있다. 필요에 따라, 다공질체(25)의 하단측을 연삭해도 된다. 이 공정에서, 정전척(20)이 완성된다.
다음으로, 도 2f에 나타내는 공정에서는, 배선(13) 및 관통공(14)이 마련된 베이스 플레이트(10)를 준비한다. 도 2f에 나타내는 공정 후에, 베이스 플레이트(10)의 윗면(10a)에 실리콘 접착제 등을 도포하고, 베이스 플레이트(10)의 관통공(14)과 정전척(20)의 관통공(24)이 연통하도록 정전척(20)을 배치하고, 실리콘 접착제 등을 경화한다. 또한, 배선(13)의 상단과 배선(23)의 하단을, 납땜 등에 의해 접속한다. 이에 따라, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 기판 고정 장치(1)가 완성된다.
여기서, 세라믹 혼합물(250)에 대한 다공질체(25)의 수축률(이하, "수축률(S)"이라 함), 산화물 세라믹 입자(26)에 대한 연소 소실 입자(260)의 체적 비율(이하, "체적 비율(V)"이라 함), 관통공(24) 내에 형성되는 기공(28)의 기공률(이하, "기공률(P)"이라 함)의 관계에 대해 설명한다.
수축률(S)은 1% 이하로 하는 것이 바람직하다. 수축률(S)을 1% 이하로 함으로써, 다공질체(25)가 관통공(24)으로부터 떨어져나가는 것을 방지할 수 있기 때문이다.
발명자들은, 체적 비율(V)과 수축률(S)의 관계에 대해 검토하였으며, 이에 따라 체적 비율(V)이 30% 정도가 되면 수축률이 1%를 초과할 경우가 많아지는 것에 비해, 체적 비율(V)이 20% 이하이면 수축률(S)을 확실하게 1% 이하로 억제할 수 있다는 것을 찾아냈다.
다음으로, 발명자들은, 체적 비율(V)과 기공률(P)의 관계에 대해 검토하였다. 기공률(P)은, 산화물 세라믹 입자(26)의 체적을 V1, 소성 조제의 체적을 V2, 연소 소실 입자(260)의 체적을 V3, 연소 소실 입자(260)를 첨가하지 않을 경우의 기공의 체적을 VP라고 하면, P=(V3+VP)/(V1+V2+VP)가 되며, 도 3의 결과를 얻었다. 도 3은 체적 비율(V)이 20%일 때, 기공률(P)은 43%가 됨을 나타낸다. 이 때, 인접하는 산화물 세라믹 입자(26)의 극간에 연소 소실 입자(260)가 배치되지 않는 것을 전제로 하고 있다.
즉, 수축률(S)을 1% 이하로 하기 위해서는, 체적 비율(V)을 20% 이하로 할 필요가 있으며, 체적 비율(V)을 20% 이하로 함으로써 기공률(P)이 최대로 43%인 다공질체(25)를 실현할 수 있다. 또한, 체적 비율(V)을 20% 이하의 임의의 값으로 조정함으로써, 수축률(S)을 1% 이하로 함과 동시에, 원하는 기공률(P)(단, 최대로 43%)을 실현할 수 있다.
기판 고정 장치(1)의 정전척(20)에서는, 관통공(24) 내에 마련된 다공질체(25)에 의해 가스 유로가 형성되어 있다. 그 때문에, 기판 고정 장치(1)를 플라스마 장치에 적용할 때에, 관통공(24)의 내벽면이 노출하고 있을 경우와 같이 플라스마가 이상 방전하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 기판 고정 장치(1)에서는, 플라스마의 이상 방전을 억제함과 동시에, 정전척(20) 상에 흡착된 기판을 냉각하는 불활성 가스를 다공질체(25)를 통해 도입할 수 있다.
또한, 기판 고정 장치(1)에서는, 수축률(S)이 1% 이하이기 때문에, 다공질체(25)가 관통공(24)으로부터 떨어져나갈 일이 없다. 또한, 체적 비율(V)을 20% 이하의 임의의 값으로 조정함으로써 원하는 기공률(P)(단, 최대로 43%)을 실현할 수 있다. 따라서, 정전척(20) 상에 흡착된 기판에 다공질체(25)를 통해 충분한 양의 불활성 가스를 공급 가능해진다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 가열로 인한 수축률을 감소시킬 수 있는 세라믹 혼합물 페이스트를 제공할 수 있다.
이상, 하나 이상의 바람직한 실시형태들에 대해 설명했다. 그러나, 본 발명은 전술한 실시형태들에 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈함 없이, 전술한 실시형태들에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 실시형태들에 따른 기판 고정 장치의 흡착 대상물이 되는 기판으로서는, 웨이퍼(실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼) 이외에, 액정 패널 등의 제조 공정에서 사용되는 글래스 기판 등을 예시할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시형태들에 따른 다공질체는, 정전척뿐만아니라, 예를 들면 기체나 액체를 통과시키는 필터 등에 사용하는 것도 가능하다.

Claims (10)

  1. 산화물 세라믹 입자들; 및
    상기 산화물 세라믹 입자들을 결착시키는 소성 조제를 포함하는 다공질체로서,
    상기 산화물 세라믹 입자들은 평균 입경이 30㎛ 내지 500㎛인 산화알루미늄 입자들이며,
    상기 다공질체의 기공률은 30%보다 크고 43% 이하이고,
    상기 다공질체의 기공들의 평균 크기는 상기 산화물 세라믹 입자들의 평균 입경보다 큰, 다공질체.
  2. 관통공을 포함하는 베이스(base)로서, 기판을 흡착 유지하도록 구성되는, 상기 베이스; 및
    상기 관통공에 배치된, 세라믹을 포함하는 다공질체로서, 가스 유로를 형성하는 기공들을 포함하는, 상기 다공질체를 포함하며,
    상기 다공질체는 평균 입경이 30㎛ 내지 500㎛인 산화알루미늄 입자들을 포함하고,
    상기 다공질체의 기공률은 30%보다 크고 43% 이하이고,
    상기 기공들의 평균 크기는 상기 산화알루미늄 입자들의 평균 입경보다 큰, 정전척.
  3. 베이스 플레이트; 및
    상기 베이스 플레이트 상에 있는 제 2 항에 기재된 정전척
    을 포함하는 기판 고정 장치.
  4. 세라믹을 포함하는 다공질체의 제조 방법으로서,
    산화물 세라믹 입자들, 상기 산화물 세라믹 입자들의 소성 온도보다 낮은 온도에서 연소 소실되는 연소 소실 입자들, 및 상기 소성 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 소성 조제가 혼합된 세라믹 혼합물 페이스트를 제작하는 공정; 및
    상기 세라믹 혼합물 페이스트를 소정 온도로 가열하여, 상기 산화물 세라믹 입자들을 소성함과 동시에 상기 연소 소실 입자들을 연소 소실시키는 공정을 포함하며,
    상기 산화물 세라믹 입자들의 평균 입경은 30㎛ 내지 500㎛이고,
    상기 연소 소실 입자들의 평균 입경은 상기 산화물 세라믹 입자들의 상기 평균 입경보다 크며,
    상기 세라믹 혼합물 페이스트를 제작하는 공정에 있어서, 상기 산화물 세라믹 입자들의 체적에 대한 상기 연소 소실 입자들의 체적 비율이 0%보다 크고 20% 이하이고,
    상기 다공질체의 기공들의 평균 크기는 상기 산화물 세라믹 입자들의 평균 입경보다 큰, 다공질체의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 산화물 세라믹 입자들은 산화알루미늄 입자들이며,
    상기 연소 소실 입자들은 폴리메틸메타크릴레이트 입자들인 다공질체의 제조 방법.
  6. 기판을 흡착 유지하도록 구성되는 베이스를 포함하는 정천척의 제조 방법으로서,
    상기 베이스가 되는 유전체에 관통공을 형성하는 공정;
    산화물 세라믹 입자들, 상기 산화물 세라믹 입자들의 소성 온도보다 낮은 온도에서 연소 소실되는 연소 소실 입자들, 및 상기 소성 온도보다 낮은 온도에서 용융되는 소성 조제가 혼합된 세라믹 혼합물 페이스트를 제작하는 공정; 및
    상기 세라믹 혼합물 페이스트를 상기 관통공에 충전 후에 소정 온도로 가열하여, 상기 산화물 세라믹 입자들을 소성함과 동시에 상기 연소 소실 입자들을 연소 소실시킴으로써, 상기 관통공 내에 다공질체를 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 다공질체는 가스 유로를 형성하는 기공들을 포함하고,
    상기 산화물 세라믹 입자들의 평균 입경은 30㎛ 내지 500㎛이고,
    상기 연소 소실 입자들의 평균 입경은 상기 산화물 세라믹 입자들의 상기 평균 입경보다 크며,
    상기 세라믹 혼합물 페이스트를 제작하는 공정에 있어서, 상기 산화물 세라믹 입자들의 체적에 대한 상기 연소 소실 입자들의 체적 비율이 0%보다 크고 20% 이하이고,
    상기 기공들의 평균 크기는 상기 산화물 세라믹 입자들의 평균 입경보다 큰, 정전척의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 다공질체의 기공률은 30%보다 크고 43% 이하인 정전척의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020180073260A 2017-07-25 2018-06-26 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치 KR102663604B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017143947A JP2019029384A (ja) 2017-07-25 2017-07-25 セラミックス混合物、多孔質体及びその製造方法、静電チャック及びその製造方法、基板固定装置
JPJP-P-2017-143947 2017-07-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190011667A KR20190011667A (ko) 2019-02-07
KR102663604B1 true KR102663604B1 (ko) 2024-05-08

Family

ID=65038182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180073260A KR102663604B1 (ko) 2017-07-25 2018-06-26 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11735458B2 (ko)
JP (1) JP2019029384A (ko)
KR (1) KR102663604B1 (ko)
TW (1) TWI835734B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6489277B1 (ja) * 2018-03-14 2019-03-27 Toto株式会社 静電チャック
JP6729735B1 (ja) * 2019-03-05 2020-07-22 Toto株式会社 静電チャック
JP7269759B2 (ja) * 2019-03-12 2023-05-09 新光電気工業株式会社 基板固定装置
JP7569772B2 (ja) 2021-10-07 2024-10-18 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP7514815B2 (ja) 2021-12-22 2024-07-11 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP2023101194A (ja) 2022-01-07 2023-07-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP7569343B2 (ja) 2022-01-21 2024-10-17 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
WO2024090276A1 (ja) * 2022-10-24 2024-05-02 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及びプラズマ処理装置
JP7546160B1 (ja) 2022-10-25 2024-09-05 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
KR20240086599A (ko) 2022-12-05 2024-06-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 반도체 제조 장치용 부재
JP2024088882A (ja) 2022-12-21 2024-07-03 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材、プラグ及びプラグ製造方法
WO2024171907A1 (ja) * 2023-02-13 2024-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及び基板支持器の再生方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003075397A (ja) 2001-08-30 2003-03-12 Kyocera Corp 酸素センサ
JP2004083371A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 National Institute For Materials Science セラミックス多孔体の製造方法
JP2007253144A (ja) 2005-07-21 2007-10-04 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体及び排ガス浄化装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2942212B2 (ja) 1997-03-25 1999-08-30 株式会社日立製作所 セラミックスの製造方法
US6606234B1 (en) * 2000-09-05 2003-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow
JP3933077B2 (ja) * 2002-04-01 2007-06-20 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法
US7387829B2 (en) * 2004-01-13 2008-06-17 Ibiden Co., Ltd. Honeycomb structure, porous body, pore forming material for the porous body, and methods for manufacturing the pore forming material, the porous body and the honeycomb structure
KR100753302B1 (ko) * 2004-03-25 2007-08-29 이비덴 가부시키가이샤 진공 척, 흡착판, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
CN1954137B (zh) * 2005-07-21 2011-12-21 揖斐电株式会社 蜂窝结构体以及废气净化装置
JP2006019768A (ja) * 2005-09-28 2006-01-19 Kyocera Corp 太陽電池素子
TW201038507A (en) 2009-01-07 2010-11-01 Sumitomo Chemical Co Molded porous ceramic article, and method for manufacturing same
JP4964910B2 (ja) * 2009-03-26 2012-07-04 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置およびその製造方法
WO2013145317A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 イビデン株式会社 ハニカムフィルタ及びハニカムフィルタの製造方法
JP5652832B2 (ja) * 2013-01-08 2015-01-14 レーザーテック株式会社 チャック装置、及びチャック方法
JP5811513B2 (ja) * 2014-03-27 2015-11-11 Toto株式会社 静電チャック
JP2017095339A (ja) * 2015-11-28 2017-06-01 京セラ株式会社 アルミナ粒子、アルミナ粉末、アルミナ多孔質体および吸着部材
JP6722518B2 (ja) * 2016-06-09 2020-07-15 新光電気工業株式会社 焼結体及びその製造方法と静電チャック

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003075397A (ja) 2001-08-30 2003-03-12 Kyocera Corp 酸素センサ
JP2004083371A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 National Institute For Materials Science セラミックス多孔体の製造方法
JP2007253144A (ja) 2005-07-21 2007-10-04 Ibiden Co Ltd ハニカム構造体及び排ガス浄化装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11735458B2 (en) 2023-08-22
TW201908271A (zh) 2019-03-01
TWI835734B (zh) 2024-03-21
US20190035667A1 (en) 2019-01-31
JP2019029384A (ja) 2019-02-21
KR20190011667A (ko) 2019-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102663604B1 (ko) 세라믹 혼합물 페이스트, 다공질체 및 그 제조 방법, 정전척 및 그 제조 방법, 기판 고정 장치
US10998216B2 (en) Sintered body and electrostatic chuck
JP7291046B2 (ja) 基板固定装置
CN107889289B (zh) 加热装置
JP7296869B2 (ja) 静電チャック、基板固定装置
US11942350B2 (en) Electrostatic chuck and substrate holding device
JP7449768B2 (ja) セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ
CN115692296A (zh) 静电吸盘、基板固定装置和静电吸盘的制造方法
JP2004055608A (ja) 電極内蔵型サセプタ
JP2001287982A (ja) サセプタ及びその製造方法
JP6672244B2 (ja) セラミックス接合体の製造方法
JP7265941B2 (ja) 接合体
JP2018181697A (ja) 加熱装置
JP7057103B2 (ja) 加熱装置
JP7184652B2 (ja) 保持装置
US20230377933A1 (en) Ceramic substrate, method of manufacturing the ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device
KR20230138930A (ko) 세라믹 기판, 세라믹 기판의 제조 방법, 정전 척, 기판 고정 장치, 및 반도체 장치용 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant