JP2003075397A

JP2003075397A - 酸素センサ

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Publication number: JP2003075397A
Application number: JP2001262467A
Authority: JP
Inventors: Masahide Akiyama; 雅英秋山
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-08-30
Filing date: 2001-08-30
Publication date: 2003-03-12
Anticipated expiration: 2021-08-30
Also published as: JP4693304B2

Abstract

(57)【要約】【課題】センサ素子基板とヒータ素子基板の熱膨張係数
差による破壊を抑制できるとともに、センサ素子基板と
ヒータ素子基板の組み立てが容易な酸素センサを提供す
る。【解決手段】固体電解質からなり酸素濃度検出部を有す
るセンサ素子基板３１と、酸素濃度検出部を加熱する発
熱部４３及びそのリード部４４を有するヒータ素子基板
３２とが積層固定された酸素センサにおいて、センサ素
子基板３１に形成された凸部４７に、ヒータ素子基板３
２に形成された凹部４９を係合させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車等の内燃機
関における空気と燃料の比率を制御するための酸素セン
サに関するものであり、具体的にはセンサ素子基板とヒ
ータ素子基板とが積層固定された酸素センサに関する。

【０００２】

【従来技術】現在、自動車等の内燃機関においては、排
出ガス中の酸素濃度を検出して、その検出値に基づいて
内燃機関に供給する空気および燃料供給量を制御するこ
とにより、内燃機関からの有害物質、例えばＣＯ、Ｈ
Ｃ、ＮＯｘを低減させる方法が採用されている。

【０００３】このような酸素濃度を検出する酸素センサ
として、従来、図５に示すように酸素イオン導電性を有
するジルコニアを主分とする固体電解質１に白金電極３
を形成し、固体電解質１内部にＰｔ等の発熱体５を埋設
した薄いセラミック絶縁層６からなるヒータ９を一体化
した酸素センサが知られている。

【０００４】また、図６に示すように、酸素イオン導電
性を有するジルコニアを主分とする固体電解質の対向面
に白金電極１２が形成されたセンサ素子基板１１と、発
熱部１５を有するアルミナからなるヒータ素子基板１７
とが、多孔質セラミック層１９を介して接合された酸素
センサが知られている。このような酸素センサにおいて
は発熱部１５による熱が多孔質セラミック層１９を伝わ
りセンサ素子基板１１が過熱される仕組みとなってい
る。

【０００５】この多孔質セラミック層１９は、センサ素
子基板１１とヒータ素子基板１７の隙間にセラミックの
グリーンシートを挿入するか、またはセラミックのペー
ストを充填した後、センサ素子基板１１とヒータ素子基
板１７と多孔質セラミック層１９とを同時に焼成して作
製される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなヒータを一体化した図５の酸素センサでは、セラ
ミック絶縁層６の絶縁性が低いため、漏れ電流の影響に
より検出精度が悪くなるという問題があった。

【０００７】また、センサ素子基板１１とヒータ素子基
板１７とを多孔質セラミック層１９で接合した図６の酸
素センサでは、電気絶縁性は優れるものの、センサ素子
基板１１を構成するジルコニアと、ヒータ素子基板１７
を構成するアルミナとの熱膨張係数が大きく異なるた
め、使用時に温度サイクルを受けると破壊しやすいとい
う問題があった。

【０００８】このようなセンサ素子基板を構成するジル
コニアと、ヒータ素子基板を構成するアルミナとの熱膨
張係数差による破損を抑制するため、特開平１０−３０
０７１７号公報には、ヒータ素子基板の発熱部が肉厚に
形成され、リード部が肉薄に形成されており、センサ素
子基板は、ヒータ素子基板の肉厚部分に対応する肉薄部
分と、ヒータ素子基板の肉薄部分に対応する肉厚部分と
を有しており、センサ素子基板とヒータ素子基板が一体
に積層されている酸素センサが開示されている。

【０００９】このような酸素センサでは、センサ素子基
板とヒータ素子基板とは接合されていないので、熱膨張
係数差による破損を防止することができるものの、酸素
センサをケースに組み込む際に、センサ素子基板とヒー
タ素子基板の位置がずれやすいという問題があった。

【００１０】本発明は、センサ素子基板とヒータ素子基
板の熱膨張係数差による破壊を抑制できるとともに、セ
ンサ素子基板とヒータ素子基板の組み立てが容易な酸素
センサを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の酸素センサは、
固体電解質からなり酸素濃度検出部を有するセンサ素子
基板と、前記酸素濃度検出部を加熱する発熱部及びその
リード部を内蔵するヒータ素子基板とが積層固定された
酸素センサにおいて、前記センサ素子基板に形成された
凹部又は凸部に、前記ヒータ素子基板に形成された凸部
又は凹部を係合せしめてなることを特徴とする。

【００１２】本発明の酸素センサでは、センサ素子基板
に形成された凹部又は凸部に、ヒータ素子基板に形成さ
れた凸部又は凹部を係合させるため、センサ素子基板と
ヒータ素子基板の熱膨張係数差による破壊を抑制できる
とともに、センサ素子基板とヒータ素子基板の位置ずれ
がなく、センサ素子基板とヒータ素子基板の組み立てが
容易であり、例えば、ケース内に組み付ける場合にも、
センサ素子基板とヒータ素子基板を確実に位置決めした
状態でセットできる。

【００１３】また、例えば、ヒータ素子基板の凸部又は
凹部を、リード部形成位置に形成することにより、最も
高温となる発熱部には凸部又は凹部が形成されないた
め、センサ素子基板とヒータ素子基板の熱膨張係数差に
よる影響をさらに低減でき、熱膨張差による破壊を抑制
できる。

【００１４】さらに、本発明では、ヒータ素子基板のリ
ード部形成位置に凹部が形成され、この凹部に対応する
センサ素子基板の位置に凸部が形成されていることが望
ましい。このような酸素センサでは、ヒータ素子基板の
発熱部からの熱が、凹部により遮断され、ヒータ素子基
板の端部への無駄な熱伝達を抑制できる。

【００１５】また、本発明では、ヒータ素子基板の凸部
又は凹部は、前記ヒータ素子基板の端部に形成されてお
り、前記ヒータ素子基板の凸部又は凹部と、センサ素子
基板の凹部又は凸部とが接合していることが望ましい。

【００１６】ヒータ素子基板のリード部側の端部には発
熱部からの熱伝達が小さいため、ヒータ素子基板端部の
凸部又は凹部と、センサ素子基板の凸部又は凹部との熱
膨張係数差は小さく、破損することがない。また、この
ようにヒータ素子基板とセンサ素子基板とが接合されて
いるため、取り扱いが容易になり、また、ケースへの組
み付けをさらに容易に行うことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の酸素センサの基本
構造の一例を図１及び図２に示す。図１及び図２は、一
般的に理論空撚比センサ（λセンサ）と呼ばれるもの
で、この酸素センサは、センサ素子基板３１とヒータ素
子基板３２とから構成されている。

【００１８】センサ素子基板３１は、ジルコニアからな
る酸素イオン導電性を有するセラミック固体電解質３３
と、この固体電解質３３の内外面の対向する表面に形成
された基準電極３５、測定電極３７とから構成されてい
る。この固体電解質３３の対向する表面に基準電極３
５、測定電極３７を形成した部分が酸素濃度検出部とさ
れている。

【００１９】即ち、固体電解質３３は先端が封止された
平板状の中空形状であり、この中空内部に、空気などの
基準ガスと接触する基準電極３５が被着形成され、この
基準電極３５と対向する固体電解質３３の外面に、排気
ガスなどの被測定ガスと接触する測定電極３７が形成さ
れている。

【００２０】基準電極３５および測定電極３７はいずれ
も多孔質の白金電極からなる。この場合、排気ガスによ
る電極の被毒を防止する観点から、測定電極３７表面に
は電極保護層としてセラミック多孔質層３９が形成され
ている。

【００２１】一方、ヒータ素子基板３２は、上記のセン
サ素子基板３１と同じ平板状を有しており、アルミナを
主成分とするセラミック絶縁体４１中にＷ、Ｍｏ、Ｒｅ
等からなる発熱部４３と、この発熱部４３に接続するリ
ード部４４を埋設して構成されている。

【００２２】本発明においては、酸素濃度検出部を効率
良く加熱するために、ヒータ素子基板３２のセンサ素子
基板３１側の面と発熱部４３との距離Ｌは２００〜６０
０μｍであることが好ましい。Ｌが２００μｍより薄い
とヒータ素子基板３２の耐熱性が悪くなる。また、Ｌが
６００μｍを超えるとヒータ素子基板３２からセンサ素
子基板３１への熱の伝達が悪くなり、その結果酸素セン
サのガス応答性が低下する傾向があるからである。発熱
体４３からヒータ素子基板３２表面までの距離Ｌとして
は、特に３００〜４００μｍが望ましい。

【００２３】また、本発明のセンサ素子基板３１とヒー
タ素子基板３２のそりとしては、熱伝達効率を高めるた
め０．２ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下にすることが望
ましい。そりが０．２ｍｍを超えると、センサ素子基板
３１の温度が低下する傾向があり、温度分布が悪くなり
ガス応答性が低下する傾向がある。

【００２４】センサ素子基板３１の厚みとしては、素子
強度と熱伝達の観点から０．６〜１．５ｍｍ、特に０．
８〜１．２ｍｍが好ましい。また、ヒータ素子基板３２
の厚みとしては０．７〜２ｍｍ、特に１〜１．５ｍｍが
素子強度の観点から好ましい。ヒータ素子基板３２が
０．７ｍｍより薄くなると基板の強度が低くなり、２ｍ
ｍを超えるとヒータ素子基板３２およびそれに隣接する
センサ素子基板３１を加熱するため大きな電気量が必要
になる。

【００２５】そして、本発明では、図２に示したよう
に、センサ素子基板３１のヒータ素子基板３２側の面
に、底面が矩形状の凸部４７が形成され、ヒータ素子基
板３２のセンサ素子基板３１側の面には、底面が矩形状
の凹部４９が形成されており、センサ素子基板３１の凸
部４７がヒータ素子基板３２の凹部４９内に挿入され、
係合し、これにより、ヒータ素子基板３２上にセンサ素
子基板３１が積層固定されている。底面が矩形状の凸部
４７と凹部４９を形成したので、発熱部４３の位置に酸
素濃度検出部を容易に位置決めできる。

【００２６】センサ素子基板３１の凸部４７、ヒータ素
子基板３２の凹部４９は、それぞれ一個ずつでも良い
が、２個以上形成することが位置決めという点から望ま
しい。また、凸部４７の高さ（凹部４９の深さ）は少な
くとも０．１ｍｍ以上、特に０．２ｍｍ以上あることが
固定の安定性から好ましい。

【００２７】ヒータ素子基板３２の凹部４９は、リード
部４４形成位置に形成されている。即ち、発熱部４３は
ヒータ素子基板３２の先端側から、ヒータ素子基板３２
の長さＬの１／３までに形成されるため、リード部４４
形成位置は、ヒータ素子基板３２の反対側の端面から長
さ２Ｌ／３の部分であり、この部分に凹部４９が形成さ
れている。

【００２８】凹部４９形成位置は、発熱部４３から離れ
ている方が望ましいが、特にヒータ素子基板３２の温度
が５００℃以下になる部分、さらには、図３に示すよう
にヒータ素子基板３２の端部に形成されていることが望
ましい。この場合には、センサ素子基板３１と、ヒータ
素子基板３２の熱膨張差による影響が最小となるため、
センサ素子基板３１の凸部４７をヒータ素子基板３２の
凹部４９に接着剤等で接合することもできる。このよう
にセンサ素子基板３１の凸部４７をヒータ素子基板３２
の凹部４９に接着剤等で接合することにより、酸素セン
サの取り扱いが容易となるとともに、ケース内への組み
込みも容易に行うことができる。

【００２９】次に、酸素センサの構成エレメントについ
て具体的に説明する。（セラミック多孔質層）本発明の酸素センサによれば、
排気ガスと直接接する測定電極３７表面には排気ガス中
の被毒物質から電極３７を保護する役目と、もう一つは
空燃比センサ素子のように固体電解質で囲まれた空間内
へのガスの拡散量を制御する目的で厚さ１０〜８００μ
ｍで、気孔率が１０〜５０％のジルコニア、アルミナ、
γ−アルミナまたはスピネル等からなるセラミック多孔
質層３９が設けられている。この多孔質層３９の厚みが
１０μｍより薄いか、あるいは気孔率が５０％を超える
と、電極被毒物質Ｐ、Ｓｉ等が容易に測定電極３７に達
して電極性能が低下する。それに対して、多孔質層３９
の厚みが８００μｍを超えるか、あるいは気孔率が１０
％より小さくなるとガスの多孔質層３９中の拡散速度が
遅くなり、電極３７のガス応答性が悪くなる。特に、多
孔質層３９の厚みとしては気孔率にもよるが１００〜５
００μｍが優れる。

【００３０】（電極）固体電解質の表面に被着形成され
る基準電極３５、測定電極３７は、いずれも白金、ある
いは白金と、ロジウム、パラジウム、ルテニウムおよび
金の群から選ばれる１種との合金が用いられる。また、
センサ動作時の電極中の金属の粒成長を防止する目的
と、応答性に係わる金属粒子と固体電解質と気体との、
いわゆる３相界面の接点を増大する目的で、上述のセラ
ミック固体電解質成分を１〜５０体積％、特に１０〜３
０体積％の割合で上記電極３５、３７中に混合してもよ
い。

【００３１】電極３５、３７の形状としては、四角形で
も楕円形でもよい。また、電極３５、３７の厚みとして
は、３〜２０μｍ、特に５〜１０μｍが好ましい。

【００３２】（発熱体）ヒータ素子基板３２に埋設され
た発熱部４３は、耐熱性と製造コストの関係からＷ、Ｍ
ｏ、Ｒｅの一種以上から構成されることが望ましい。発
熱部４３の組成は、発熱容量と昇温速度により好適に選
択すればよい。この場合、発熱部４３とリード部４４の
抵抗比率は室温において、９：１〜７：３の範囲に制御
することが好ましい。発熱部４３の構造としては、左右
で折り返す構造と長手方向で折り返す構造のいずれも用
いることが可能である。

【００３３】（ヒータ素子基板を構成するセラミック絶
縁体）ヒータ素子基板を構成するセラミック絶縁体４１
としては、アルミナを主成分とし、焼結性を改善する目
的でＭｇ、Ｃａ、Ｓｉを総和で１〜１０重量％添加含有
することが望ましいが、Ｎａ、Ｋ等はマイグレーション
してセラミック絶縁体４１の電気絶縁性を悪くするため
０．１重量％以下に制御する必要がある。

【００３４】（製造方法）（イ）センサ素子基板まず、図１に示すような一端が封止された中空の平板状
のセンサ素子基板３１を作製する方法について図２を用
いて詳述する。ジルコニアのグリーンシートを、ジルコ
ニア等の酸素イオン導電性を有するセラミック固体電解
質粉末に対して、適宜、成形用有機バインダーを添加し
てドクターブレード法や、押出成形や、静水圧成形（ラ
バープレス）あるいはプレス形成などの周知の方法によ
り作製する。

【００３５】この時、用いられる固体電解質粉末として
は、ジルコニア粉末に対して、安定化剤としてＹ₂Ｏ₃、
Ｙｂ₂Ｏ₃、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｓｍ₂Ｏ₃、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃等
の希土類酸化物粉末を酸化物換算で１〜３０モル％、好
ましくは３〜１５モル％の割合で添加した混合粉末、あ
るいはジルコニアと上記安定化剤との共沈原料粉末が用
いられる。また、ＺｒＯ₂中のＺｒをＣｅで１〜２０原
子％置換したＺｒＯ₂粉末、または共沈原料を用いるこ
ともできる。さらに、焼結性を改善する目的で、上記固
体電解質粉末に、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂を５重量％以下、
特に２重量％以下の割合で添加することも可能である。

【００３６】次に、上記グリーンシートの両面に、それ
ぞれ測定電極、基準電極、リード部となるパターンを、
例えば、白金を含有する導電性ペーストを用いてスラリ
ーデッィプ法、あるいはスクリーン印刷、パット印刷、
ロール転写で形成した後、図２では省略したが、排気ガ
スと直接接する測定電極３７表面に、電極を保護するた
めジルコニア、アルミナ、γ−アルミナおよびスピネル
等からなるセラミック多孔質層３９を、同様にスラリー
デッィプ法、あるいはスクリーン印刷、パット印刷、ロ
ール転写で形成する。

【００３７】この後、上記の電極等を印刷したグリーン
シートと、中空部を形成するグリーンシートと、最下層
のグリーンシートを、図２に従いアクリル樹脂や有機溶
媒などの接着剤をグリーンシート間に介在させるか、あ
るいはローラ等で圧力を加えながら機械的に接着するこ
とによりセンサ素子基板の積層成形体を作製する。この
際、凸部を形成するにはシートを貼り付け、また凹部は
パンチなどによりグリーンシートに孔を設ける。

【００３８】センサ素子基板３１の焼成は、大気中また
は不活性ガス雰囲気中、１３００℃〜１５００℃の温度
範囲で１〜１０時間行う。この際、焼成時のセンサ素子
基板３１のそりを抑制するため、錘として平滑なアルミ
ナ等の基板を積層成形体の上に置くことによりそり量を
低減することが出来る。（ロ）ヒータ素子基板次に、図２に示すヒータ素子基板３２の作製法について
説明する。先ず、アルミナのグリーンシートを、アルミ
ナ粉末に、適宜、成形用有機バインダーを添加してドク
ターブレード法や、押出成形や、静水圧成形（ラバープ
レス）あるいはプレス形成などの周知の方法により作製
する。この際、アルミナ粉末としては、アルミナを主成
分として、焼結性を改善する目的でＭｇ、Ｃａ、Ｓｉを
総和で１〜１０重量％添加した粉末が好適に用いられ
る。

【００３９】上記のグリーンシートの片面にＷ、Ｍｏ、
Ｒｅ等を含有する導電性ペーストを用いてスラリーデッ
ィプ法、あるいはスクリーン印刷、パット印刷、ロール
転写で発熱体パターン形成した後、アクリル樹脂や有機
溶媒などの接着剤を介在させてグリ−ンシートを接着さ
せるか、あるいはローラ等で圧力を加えながら機械的に
接着することによりヒータ素子基板の積層成形体を作製
する。この際、凸部を形成するにはグリーンシートを貼
り付け、また凹部はパンチなどによりグリーンシートに
孔を設ける。

【００４０】ヒータ素子基板の焼成は、発熱体の酸化を
防止する観点から水素等を含有するフォーミング等の還
元ガス雰囲気中、１４００℃〜１６００℃の温度範囲で
５〜１０時間行う。この際、焼成時のヒータ素子基板の
そりを抑制するため、錘として平滑なアルミナ等の基板
を積層成形体の上に加重を加えるように置くことにより
そり量を低減することができる。

【００４１】以上のように構成された酸素センサでは、
センサ素子基板３１に形成された凸部４７に、ヒータ素
子基板３２に形成された凹部４９を係合させるため、セ
ンサ素子基板３１とヒータ素子基板３２が、熱膨張係数
が異なるジルコニア、アルミナで形成されていたとして
も、熱膨張による破損を低減できる。また、センサ素子
基板３１とヒータ素子基板３２の組み立てが容易であ
り、例えば、ケース内に組み付ける場合にも、センサ素
子基板３１とヒータ素子基板３２を確実に位置決めで
き、位置ズレした状態でケース内にセットされることが
ない。

【００４２】また、ヒータ素子基板３２の凹部４９を、
リード部形成位置に形成することにより、最も高温とな
る発熱部４３には凹部４９が形成されないため、センサ
素子基板３１とヒータ素子基板３２の熱膨張係数差によ
る影響を低減でき、熱膨張差による破壊を抑制できる。
さらに、凹部４９により発熱部４３による熱の伝達を抑
制することもできる。

【００４３】尚、図１の酸素センサでは、センサ素子基
板３１に凸部４７を、ヒータ素子基板３２に凹部４９を
形成したが、センサ素子基板に凹部を、ヒータ素子基板
に凸部を形成しても良い。

【００４４】また、図１では、底面が矩形状の凸部４７
と凹部４９を形成したが、底面が楕円形状、三角形状で
あっても、発熱部４３の位置に酸素濃度検出部を容易に
位置決めできる。また、底面が円形状であっても凸部４
７と凹部４９をそれぞれ２個以上形成することにより位
置決めを容易に行うことができる。

【００４５】さらに、凹部４９形成位置を端部に形成し
ない場合に、センサ素子基板３１の凸部４７をヒータ素
子基板３２の凹部４９に接着剤等で接合しても、従来の
ようなセンサ素子基板の底面にヒータ素子基板を接合す
る場合よりも熱膨張差の影響は受けにくい。

【００４６】本発明の空燃比センサとして用いる酸素セ
ンサの他の例を図４に示す。この酸素センサでは、セン
サ素子基板５１が、ポンピングセル５３とセンシングセ
ル５５を有している。ポンピングセル５３が、固体電解
質に排気ガスを取り込むための拡散孔５７と呼ばれる小
さな孔が開けられており、その両面に一対の白金電極５
９を形成して構成され、センシングセル５５は、固体電
解質の両面に白金電極６１を形成して構成されている。
センサ素子基板５１は、図１と同様のヒータ素子基板６
２上に配置されている。

【００４７】そして、この酸素センサにおいても、セン
サ素子基板５１に凸部６３が形成され、ヒータ素子基板
６２に凹部６４が形成され、これらの凸部６３と凹部６
４が係合している。このような酸素センサでも、上記例
と同様の効果を得ることができる。

【００４８】本発明は、平板状のセンサ素子基板と平板
状のヒータ素子基板を別体で作製し、その後両者を固定
した酸素センサであって、センサ素子基板およびヒータ
素子基板の形状、寸法等が異なる場合においても、ま
た、酸素センサ素子はもちろん、他にＮＯｘセンサ素子
やＣＯセンサ素子であっても平板状のセンサ素子基板と
平板状のヒータ素子基板に固定のための凸凹が設けられ
たものであれば本発明に含まれることは言うまでもな
い。

【００４９】

【発明の効果】本発明の酸素センサでは、センサ素子基
板に形成された凹部又は凸部に、ヒータ素子基板に形成
された凸部又は凹部を係合させるため、熱膨張差による
破壊を抑制できるとともに、センサ素子基板とヒータ素
子基板の組み立てが容易であり、例えば、ケース内に組
み付ける場合にも、センサ素子基板とヒータ素子基板を
確実に位置決めした状態でセットできる。また、ヒータ
素子基板の凸部又は凹部を、リード部形成位置に形成す
ることにより、最も高温となる発熱部に凸部又は凹部が
形成されないため、センサ素子基板とヒータ素子基板の
熱膨張係数差による影響をさらに低減でき、熱膨張差に
よる破壊をさらに抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の酸素センサを示す断面図である。

【図２】図１の分解斜視図である。

【図３】ヒータ素子基板の端部に凹部を形成した酸素セ
ンサの断面図である。

【図４】本発明の酸素センサの他の例を示す断面図であ
る。

【図５】従来のヒータを一体化した酸素センサを示す断
面図である。

【図６】従来のセンサ素子基板とヒータ素子基板を接合
した酸素センサを示す断面図である。

【符号の説明】

３１、５１・・・センサ素子基板４３・・・発熱部４４・・・リード部３２、６２・・・ヒータ素子基板４７、６３・・・凸部４９、６４・・・凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】固体電解質からなり酸素濃度検出部を有す
るセンサ素子基板と、前記酸素濃度検出部を加熱する発
熱部及びそのリード部を内蔵するヒータ素子基板とが積
層固定された酸素センサにおいて、前記センサ素子基板
に形成された凹部又は凸部に、前記ヒータ素子基板に形
成された凸部又は凹部を係合せしめてなることを特徴と
する酸素センサ。
【請求項２】ヒータ素子基板の凸部又は凹部は、リード
部形成位置に形成されていることを特徴とする請求項１
記載の酸素センサ。
【請求項３】ヒータ素子基板のリード部形成位置に凹部
が形成されていることを特徴とする請求項２記載の酸素
センサ。
【請求項４】ヒータ素子基板の凸部又は凹部は、前記ヒ
ータ素子基板の端部に形成されており、前記ヒータ素子
基板の凸部又は凹部と、センサ素子基板の凹部又は凸部
とが接合していることを特徴とする請求項２又は３記載
の酸素センサ。