JP2017212281A - キャパシタ及びキャパシタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
陽極と、酸化層と、誘電体層と、陰極とを備えるキャパシタであって、
前記酸化層は、前記陽極と前記誘電体層との間に位置しており、
前記陽極は、Zr合金(ZrM:但し、Mは電解液中で酸化皮膜を形成できる金属元素)からなり、
前記酸化層は、六方最密充填構造を有するZrMの複合酸化物((ZrM)OY:但し、Y<2)を含んでおり、
前記誘電体層は、ZrMの複合酸化物((ZrM)O2)を含んでいる
キャパシタが得られる。
前記金属元素Mは、Ti,Al,Siからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である
キャパシタが得られる。
前記誘電体層に含まれるZrMの前記複合酸化物の結晶は、正方晶構造を主体としている
キャパシタが得られる。
前記陽極、前記酸化層及び前記誘電体層の夫々において、Zrの含有率(質量%)は、前記金属元素Mの含有率(質量%)よりも大きい
キャパシタが得られる。
前記酸化層は、ZrMの低次複合酸化物((ZrM)OX:但し、X<2)を更に含んでいる
キャパシタが得られる。
Zr合金(ZrM:但し、Mは金属元素)からなる出発材料を準備する準備ステップと、
前記出発材料に一次酸化層を形成し、これにより、前記Zr合金からなる合金層と前記一次酸化層とを含む第1中間体を作製する予備酸化ステップと、
前記第1中間体を熱処理して前記一次酸化層に含まれる酸素を前記合金層の内部に拡散させ、これにより、二次酸化層と前記陽極とを含む第2中間体を作製する拡散ステップであって、前記二次酸化層は、前記一次酸化層と、前記合金層のうちの酸素が拡散された部位とからなり、前記陽極は、前記合金層のうちの酸素が拡散されなかった部位からなる、拡散ステップと、
電解液中で前記第2中間体に電圧をかけることにより前記二次酸化層の一部をアノード酸化させ、これにより、前記二次酸化層のうちのアノード酸化された部位からなる前記誘電体層と、前記二次酸化層のうちのアノード酸化されなかった部位からなる前記酸化層とを形成する酸化ステップと、
前記陽極、前記酸化層及び前記誘電体層を、前記陰極と組み合わせる組立ステップと
を備えるキャパシタの製造方法が得られる。
前記酸化ステップに続く結晶化ステップを備えており、
前記酸化ステップにおいて形成された前記誘電体層は、アモルファス構造を有するZrMの複合酸化物と、正方晶構造を有するZrMの複合酸化物とを含んでおり、
前記結晶化ステップにおいて、熱処理によってアモルファス構造を有するZrMの前記複合酸化物から正方晶構造を有するZrMの前記複合酸化物を更に形成する
キャパシタの製造方法が得られる。
前記予備酸化ステップは、電解液中で前記出発材料に電圧をかけることにより行われる
キャパシタの製造方法が得られる。
前記予備酸化ステップにおいて形成される前記一次酸化層の厚さは、前記酸化ステップにおいて形成される前記誘電体層の厚さよりも厚い
キャパシタの製造方法が得られる。
前記拡散ステップにおける前記熱処理は、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、500℃以上かつ1000℃以下の温度範囲内で行われる
キャパシタの製造方法が得られる。
20,20A 陽極構造体
22 出発材料
24,24A 第1中間体
26,26A 第2中間体
30 陽極
32、34 合金層
40,40A 酸化層
40X 第1層
40Y 第2層
44,44A 一次酸化層
46,46A 二次酸化層
46X 第1層
46Y 第2層
50 誘電体層
510 正方晶結晶
60 陰極
62 銀ペースト層
64 カーボン層
66 導電性高分子層
70 リード線
Claims (10)
- 陽極と、酸化層と、誘電体層と、陰極とを備えるキャパシタであって、
前記酸化層は、前記陽極と前記誘電体層との間に位置しており、
前記陽極は、Zr合金(ZrM:但し、Mは電解液中で酸化皮膜を形成できる金属元素)からなり、
前記酸化層は、六方最密充填構造を有するZrMの複合酸化物((ZrM)OY:但し、Y<2)を含んでおり、
前記誘電体層は、ZrMの複合酸化物((ZrM)O2)を含んでいる
キャパシタ。 - 請求項1記載のキャパシタであって、
前記金属元素Mは、Ti,Al,Siからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である
キャパシタ。 - 請求項1又は請求項2記載のキャパシタであって、
前記誘電体層に含まれるZrMの前記複合酸化物の結晶は、正方晶構造を主体としている
キャパシタ。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載のキャパシタであって、
前記陽極、前記酸化層及び前記誘電体層の夫々において、Zrの含有率(質量%)は、前記金属元素Mの含有率(質量%)よりも大きい
キャパシタ。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載のキャパシタであって、
前記酸化層は、ZrMの低次複合酸化物((ZrM)OX:但し、X<2)を更に含んでいる
キャパシタ。 - 陽極と、酸化層と、誘電体層と、陰極とを備えるキャパシタの製造方法であって、
Zr合金(ZrM:但し、Mは金属元素)からなる出発材料を準備する準備ステップと、
前記出発材料に一次酸化層を形成し、これにより、前記Zr合金からなる合金層と前記一次酸化層とを含む第1中間体を作製する予備酸化ステップと、
前記第1中間体を熱処理して前記一次酸化層に含まれる酸素を前記合金層の内部に拡散させ、これにより、二次酸化層と前記陽極とを含む第2中間体を作製する拡散ステップであって、前記二次酸化層は、前記一次酸化層と、前記合金層のうちの酸素が拡散された部位とからなり、前記陽極は、前記合金層のうちの酸素が拡散されなかった部位からなる、拡散ステップと、
電解液中で前記第2中間体に電圧をかけることにより前記二次酸化層の一部をアノード酸化させ、これにより、前記二次酸化層のうちのアノード酸化された部位からなる前記誘電体層と、前記二次酸化層のうちのアノード酸化されなかった部位からなる前記酸化層とを形成する酸化ステップと、
前記陽極、前記酸化層及び前記誘電体層を、前記陰極と組み合わせる組立ステップと
を備えるキャパシタの製造方法。 - 請求項6記載の製造方法であって、
前記酸化ステップに続く結晶化ステップを備えており、
前記酸化ステップにおいて形成された前記誘電体層は、アモルファス構造を有するZrMの複合酸化物と、正方晶構造を有するZrMの複合酸化物とを含んでおり、
前記結晶化ステップにおいて、熱処理によってアモルファス構造を有するZrMの前記複合酸化物から正方晶構造を有するZrMの前記複合酸化物を更に形成する
キャパシタの製造方法。 - 請求項6又は請求項7記載の製造方法であって、
前記予備酸化ステップは、電解液中で前記出発材料に電圧をかけることにより行われる
キャパシタの製造方法。 - 請求項6から請求項8までのいずれかに記載の製造方法であって、
前記予備酸化ステップにおいて形成される前記一次酸化層の厚さは、前記酸化ステップにおいて形成される前記誘電体層の厚さよりも厚い
キャパシタの製造方法。 - 請求項6から請求項9までのいずれかに記載の製造方法であって、
前記拡散ステップにおける前記熱処理は、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、500℃以上かつ1000℃以下の温度範囲内で行われる
キャパシタの製造方法。
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