JP2017181849A5 - - Google Patents
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Description
半導体装置は、単結晶シリコンからなる支持基板ＳＵＢと、支持基板ＳＵＢの上部に形成された酸化シリコン層（ＢＯＸ層、クラッド層とも言う）ＣＬと、酸化シリコン層ＣＬの上部に形成された単結晶シリコンからなる半導体層（ＳＯＩ層とも言う）ＳＬとにより構成されたＳＯＩ基板１０を備える。ＳＯＩ基板１０は、例えばＳＩＭＯＸ（Silicon Implanted Oxide）法、貼り合わせ法またはスマートカット（Smart-Cut）法などにより形成することができる。一例として、支持基板ＳＵＢの厚さは７５０μｍ程度であり、酸化シリコン層ＣＬの厚さは２μｍ程度であり、半導体層ＳＬの厚さは２００ｎｍ程度である。
ボトムバリアメタル膜１２は、配線材料の一部を構成する導電膜であると共に、光導波路ＯＬを加熱するヒータＨＴを構成する導電膜でもあり、その膜厚は、例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
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