JP2017181849A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SOI基板10の半導体層SLには、光信号用の光導波路OLが形成されており、光導波路OLを覆う酸化シリコン膜11の上部には、光導波路OLを加熱するためのヒータHTが形成され、ヒータHTの両端には、ヒータHTに電源を供給するための配線M1A、M1Bが接続されている。配線M1A、M1Bのそれぞれは、ボトムバリアメタル膜12と、主導電膜であるアルミニウム−銅合金膜13と、トップバリアメタル膜14との積層膜で構成されており、ヒータHTは、配線M1A、M1Bのそれぞれの一部を構成するボトムバリアメタル膜12と一体に構成されている。
【選択図】図1
Description
<半導体装置>
本実施の形態1による半導体装置の構成を図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態1による半導体装置の要部断面図である。
上記のように構成された半導体装置の製造方法について、図2〜図14を用いて工程順に説明する。
前記実施の形態1では、配線材料の一部を構成するボトムバリアメタル膜12でヒータHTを形成したが、本実施の形態2では、配線材料の一部を構成するボトムバリアメタル膜およびトップバリアメタル膜でヒータHTを形成する。
前記実施の形態1では、配線材料の一部を構成するボトムバリアメタル膜12でヒータHTを形成し、前記実施の形態2では、配線材料の一部を構成するボトムバリアメタル膜12と第2のトップバリアメタル膜14Bとの積層膜でヒータHTを形成したが、本実施の形態3では、トップバリアメタル膜でヒータHTを形成する。
11 酸化シリコン膜(第1絶縁膜)
12 ボトムバリアメタル膜
13 アルミニウム−銅合金膜(主導電膜)
14、14A、14B トップバリアメタル膜
16 酸化シリコン膜
17 開口
20 保護膜
CL 酸化シリコン層
HT ヒータ
M1A、M1B、M1C 配線
OL 光導波路
PR1〜PR5 フォトレジスト膜
SL 半導体層
SUB 支持基板
Claims (11)
- 支持基板と、前記支持基板上に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上に形成された半導体層とを有するSOI基板の前記半導体層に形成された光導波路と、
前記光導波路を覆う第1絶縁膜上に形成されたヒータと、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記ヒータに電気的に接続された第1配線および第2配線と、
を有し、
前記第1配線および前記第2配線のそれぞれは、バリアメタル膜と主導電膜とを含む積層膜で構成され、
前記ヒータは、前記第1配線および前記第2配線のそれぞれの一部を構成する前記バリアメタル膜を含んで構成されている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体層の一部には、半導体集積回路を構成する複数の半導体素子が形成されており、
前記第1絶縁膜上には、前記半導体素子と電気的に接続される第3配線が形成されており、
前記第3配線は、前記バリアメタル膜と前記主導電膜とを含む積層膜で構成されている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記主導電膜は、アルミニウムを主成分とする導電膜からなり、
前記バリアメタル膜は、窒化チタン膜、または窒化チタン膜とチタン膜との積層膜からなる、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1配線および前記第2配線のそれぞれは、第1バリアメタル膜と主導電膜と第2バリアメタル膜の積層膜で構成され、
前記ヒータは、前記第1配線および前記第2配線のそれぞれの一部を構成する前記第1バリアメタル膜と一体に構成されている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1配線および前記第2配線のそれぞれは、第1バリアメタル膜と主導電膜と第2バリアメタル膜と第3バリアメタル膜の積層膜で構成され、
前記ヒータは、前記第1バリアメタル膜と前記第3バリアメタル膜の積層膜で構成されている、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1配線および前記第2配線のそれぞれは、第1バリアメタル膜と主導電膜と第2バリアメタル膜と第3バリアメタル膜の積層膜で構成され、
前記ヒータは、前記第3バリアメタル膜で構成されている、半導体装置。 - (a)支持基板と、前記支持基板上に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上に形成された半導体層とを有するSOI基板を用意する工程、
(b)前記半導体層をパターニングすることによって、前記酸化シリコン層上に前記半導体層からなる光導波路を形成する工程、
(c)前記酸化シリコン層上に前記光導波路を覆う第1絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1絶縁膜上に、前記光導波路を加熱するヒータと、前記ヒータに電気的に接続される第1配線および第2配線とを形成する工程、
を有し、
前記(d)工程は、
(d−1)前記第1絶縁膜上に第1バリアメタル膜、主導電膜、第2バリアメタル膜、および第2絶縁膜を順次形成する工程、
(d−2)第1フォトレジスト膜をマスクにして前記第2絶縁膜をエッチングすることにより、前記第1配線が形成される領域および前記第2配線が形成される領域に前記第2絶縁膜を残す工程、
(d−3)前記(d−2)工程の後、前記第2絶縁膜をマスクにして前記第2バリアメタル膜および前記主導電膜をエッチングすることにより、前記第1配線が形成される領域および前記第2配線が形成される領域に、前記第2バリアメタル膜および前記主導電膜を残す工程、
(d−4)前記(d−3)工程の後、前記ヒータが形成される領域に露出する前記第1バリアメタル膜を第2フォトレジスト膜で覆う工程、
(d−5)前記第2フォトレジスト膜と、前記第1配線が形成される領域に残った前記第2絶縁膜と、前記第2配線が形成される領域に残った前記第2絶縁膜とをマスクにして前記第1バリアメタル膜をエッチングすることにより、前記第1絶縁膜上に、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、および前記第2バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第1配線と、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、および前記第2バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に延在する部分が前記第1配線の一部を構成する前記第1バリアメタル膜および前記第2配線の一部を構成する前記第1バリアメタル膜と一体に構成される前記ヒータを形成する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記主導電膜は、アルミニウムを主成分とする導電膜からなり、
前記第1バリアメタル膜および前記第2バリアメタル膜のそれぞれは、窒化チタン膜、または窒化チタン膜とチタン膜との積層膜からなる、半導体装置の製造方法。 - (a)支持基板と、前記支持基板上に形成された酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層上に形成された半導体層とを有するSOI基板を用意する工程、
(b)前記半導体層をパターニングすることによって、前記酸化シリコン層上に前記半導体層からなる光導波路を形成する工程、
(c)前記酸化シリコン層上に前記光導波路を覆う第1絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1絶縁膜上に、前記光導波路を加熱するヒータと、前記ヒータに電気的に接続される第1配線および第2配線とを形成する工程、
を有し、
前記(d)工程は、
(d−1)前記第1絶縁膜上に第1バリアメタル膜、主導電膜、および第2バリアメタル膜を順次形成する工程、
(d−2)前記第2バリアメタル膜上に、前記ヒータが形成される領域の前記第2バリアメタル膜を露出する第1フォトレジスト膜を形成する工程、
(d−3)前記第1フォトレジスト膜をマスクにしたエッチングで前記ヒータが形成される領域の前記第2バリアメタル膜および前記主導電膜を除去することにより、前記ヒータが形成される領域に前記第1バリアメタル膜を露出させる工程、
(d−4)前記工程(d−3)の後、前記第1絶縁膜上に残った前記第2バリアメタル膜および前記ヒータが形成される領域に露出した前記第1バリアメタル膜のそれぞれの上部に第3バリアメタル膜を形成する工程、
(d−5)前記第3バリアメタル膜上に、前記第1配線が形成される領域、前記第2配線が形成される領域、および前記ヒータが形成される領域を覆う第2フォトレジスト膜を形成する工程、
(d−6)前記第2フォトレジスト膜をマスクにして前記第3バリアメタル膜、前記第2バリアメタル膜、前記主導電膜、および前記第1バリアメタル膜をエッチングすることにより、前記第1絶縁膜上に、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、前記第2バリアメタル膜、および前記第3バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第1配線と、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、前記第2バリアメタル膜、および前記第3バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第2配線と、前記第1バリアメタル膜と前記第3バリアメタル膜との積層膜で構成され、かつ、前記第1配線および前記第2配線に電気的に接続される前記ヒータを形成する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記(d−3)では、前記第1フォトレジスト膜をマスクにしたエッチングで前記ヒータが形成される領域の前記第2バリアメタル膜、前記主導電膜、および前記第1バリアメタル膜を除去することにより、前記ヒータが形成される領域に前記第1絶縁膜を露出させ、
前記(d−4)では、前記第1絶縁膜上に残った前記第2バリアメタル膜および前記ヒータが形成される領域に露出した前記第1絶縁膜のそれぞれの上部に第3バリアメタル膜を形成し、
前記(d−6)では、前記第2フォトレジスト膜をマスクにして前記第3バリアメタル膜、前記第2バリアメタル膜、前記主導電膜、および前記第1バリアメタル膜をエッチングすることにより、前記第1絶縁膜上に、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、前記第2バリアメタル膜、および前記第3バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第1配線と、前記第1バリアメタル膜、前記主導電膜、前記第2バリアメタル膜、および前記第3バリアメタル膜の積層膜で構成される前記第2配線と、前記第3バリアメタル膜で構成され、かつ、前記第1配線および前記第2配線に電気的に接続される前記ヒータを形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記主導電膜は、アルミニウムを主成分とする導電膜からなり、
前記第1バリアメタル膜、前記第2バリアメタル膜、および前記第3バリアメタル膜のそれぞれは、窒化チタン膜、または窒化チタン膜とチタン膜との積層膜からなる、半導体装置の製造方法。
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