JP2017178815A - ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体及び電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

【課題】導電性基体と感光層とを備える電子写真感光体において、白点現象の発生を抑制する新規ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体の提供。【解決手段】下式（１）で示されるナフタレンテトラカルボジイミド誘導体。［Ｒ1及びＲ2は各々独立に、Ｃ１〜６のアルキル基とフェニルカルボニル基との何れかを有してもよいＣ６〜１４のアリール基、Ｃ７〜２０のアラルキル基、Ｃ１〜８のアルキル基又はＣ３〜１０のシクロアルキル基；Ｒ1及びＲ2のうち少なくとも一方が１以上のハロゲン原子を有する］【選択図】図１

Description

本発明は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体及び電子写真感光体に関する。

電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。電子写真感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体又は単層型電子写真感光体が用いられる。電子写真感光体は、感光層を備える。積層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。単層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能と電荷輸送の機能とを有する単層型感光層を備える。

電子写真方式の画像形成装置で画像を形成すると、白点現象と呼ばれる画像不良が発生する場合があった。白点現象とは、例えば、トナー像が記録媒体上に転写されて形成される領域（画像領域）に、微小の画像欠陥（より具体的には、直径が０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下の円状の画像欠陥）が生じる現象である。

特許文献１に記載の電子写真感光体が備える感光層は、例えば、下記化学式（Ｅ−１）で表される化合物を含有する。

特開２００５−１５４４４４号公報

しかし、特許文献１に記載の電子写真感光体では、白点現象の発生を十分に抑制することができなかった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子写真感光体の白点現象の発生を抑制するナフタレンテトラカルボジイミド誘導体を提供することである。また、本発明の別の目的は、白点現象の発生を抑制する電子写真感光体を提供することである。

本発明のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体は、一般式（１）で表される。

前記一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基とフェニルカルボニル基との何れかを有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表す。前記基は、１以上のハロゲン原子で置換されてもよい。Ｒ¹及びＲ²のうち少なくとも一方が１以上のハロゲン原子を有する。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、バインダー樹脂と、上述のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体とを含有する。

本発明のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体は、電子写真感光体の白点の発生を抑制することができる。また、本発明の電子写真感光体によれば、白点現象の発生を抑制することができる。

（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、本発明の第二実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。 （ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、本発明の第二実施形態に係る電子写真感光体の別の例を示す概略断面図である。 本発明の第一実施形態に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。 摩擦帯電量の測定装置の概要を示す図である。

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。

以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。

以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、及び炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基は、何ら規定していなければ、それぞれ次の意味である。

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子が挙げられる。

炭素原子数１以上８以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上８以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、又はｎ−オクチル基が挙げられる。

炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、又はヘキシル基が挙げられる。

炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上３以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、又はイソプロピル基が挙げられる。

炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、例えば、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族単環炭化水素基、炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合二環炭化水素基又は炭素原子数６以上１４以下の非置換の芳香族縮合三環炭化水素基である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基が挙げられる。

炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、炭素原子数６以上１４以下のアリール基と、炭素原子数１以上６以下のアルキル基とが結合した基である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基における炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、例えば、フェニルメチル基（ベンジル基）、２−フェニルエチル基（フェネチル基）、１−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、又は４−フェニルブチル基が挙げられる。

炭素原子数７以上９以下のアラルキル基は、非置換である。炭素原子数７以上９以下のアラルキル基は、フェニル基と、炭素原子数１以上３以下のアルキル基とが結合した基である。炭素原子数７以上９以下のアラルキル基としては、例えば、フェニルメチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルエチル基、又は３−フェニルエチル基が挙げられる。

炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基は、非置換である。炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、又はシクロデシル基が挙げられる。

＜第一実施形態：ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体＞
［１．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体］
本発明の第一実施形態はナフタレンテトラカルボジイミド誘導体に関する。第一実施形態に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体は、一般式（１）で表される。以下、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボジイミド誘導体をナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）と記載することがある。

一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基とフェニルカルボニル基との何れかを有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表す。基は、１以上のハロゲン原子で置換されてもよい。Ｒ¹及びＲ²のうち少なくとも一方が１以上のハロゲン原子を有する。

第一実施形態に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）は、感光体の白点現象を抑制することができる。その理由は以下のように推測される。

ここで、便宜上、白点現象について説明する。電子写真方式の画像形成装置は、像担持体（感光体）と、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部とを備える。画像形成装置が直接転写方式を採用する場合、転写部は、現像部により現像されたトナー像を記録媒体（例えば、記録紙）に転写する。より詳細には、転写部は、感光体の表面に現像されたトナー像を記録媒体に転写する。その結果、記録媒体上にトナー像が形成される。

トナー像の転写において、記録媒体は感光体の表面で摺擦され、記録媒体が帯電（いわゆる摩擦帯電）することがある。かかる場合、記録媒体が感光体の帯電極性に対して同極性に帯電し帯電性が低下する傾向、又は逆極性に帯電（いわゆる逆帯電）する傾向がある。記録媒体がこのように帯電すると、記録媒体が有する微小な成分（例えば、紙粉）が感光体の表面に移動し付着することがある。そして、微小な成分が感光体の表面の画像領域に付着すると、記録媒体上に形成された画像に欠陥（白点）が生じることがある。このような画像欠陥が生じる現象を白点現象という。白点現象の発生の評価方法は、実施例にて詳細に後述する。

第一実施形態に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）は、ハロゲン原子を有する。このため、感光体の感光層がナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有すると、転写部において記録媒体が感光体の表面と摺擦しても、記録媒体は感光体の帯電極性に対して同極性で帯電性が低下しにくい傾向、及び逆帯電しにくい傾向にある。よって、感光体の表面に微小な成分が付着しにくくなり、白点現象の発生が抑制されると考えられる。

引き続き、第一実施形態に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を説明する。一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²の表す炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、フェニル基が好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基は、置換基を有してもよい。このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又はフェニルカルボニル基が挙げられ、塩素原子、メチル基、エチル基、又はフェニルカルボニル基が好ましい。置換基の数は、１以上３以下の整数であることが好ましい。炭素原子数６以上１４以下のアリール基がフェニル基である場合、フェニル基における置換基の置換位置は、例えば、フェニル基が窒素原子と結合する位置に対して、オルト位（ｏ位）、メタ位（ｍ位）、パラ位（ｐ位）、又はこれらの少なくとも２つが挙げられる。置換基を有するフェニル基としては、例えば、４−クロロ−２−フェニルカルボニルフェニル基、２，６−ジクロロフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、又は２−エチル−６−メチルフェニル基が挙げられる。

一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²の表す炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、炭素原子数７以上９以下のアラルキル基が好ましく、１−フェニルエチル基がより好ましい。炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基は、置換基を有してもよい。このような置換基としては、例えば、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又はハロゲン原子が挙げられる。ハロゲン原子を有する炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基としては、例えば、１−（２，４−ジクロロフェニル）エチル基が挙げられる。

一般式（１）中、Ｒ¹とＲ²とが互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ¹とＲ²とは互いに同一である場合、Ｒ¹及びＲ²は、１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、又はフェニルカルボニル基及びハロゲン原子を各々１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。

一般式（１）中、Ｒ¹とＲ²とが互いに異なる場合、Ｒ¹及びＲ²のうちの一方が、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、Ｒ¹及びＲ²のうちの他方が、１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、又はフェニルカルボニル基を有してもよく１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表すことが好ましい。

一般式（１）中、Ｒ¹及びＲ²の表す基は、１以上のハロゲン原子で置換されてもよく、Ｒ¹及びＲ²のうち少なくとも一方が１以上のハロゲン原子を有する。Ｒ¹の表す基の有するハロゲン原子の数と、Ｒ²の表す基の有するハロゲン原子の数との総数は、１以上の整数であり、３又は４であることが好ましい。

ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の具体例としては、化学式（１−１）〜（１−６）で表されるナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（以下、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）と記載することがある）が挙げられる。

［２．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の製造方法］
［２−１．Ｒ¹とＲ²とが互いに異なる場合］
一般式（１）中、Ｒ¹とＲ²とが互いに異なる場合、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）は、例えば、反応式（Ｒ−１）で表す反応式、反応式（Ｒ−２）で表す反応式、及び反応式（Ｒ−３）で表す反応式（以下、それぞれ反応（Ｒ−１）、反応（Ｒ−２）及び反応（Ｒ−３）と記載することがある）に従って又はこれに準ずる方法によって製造される。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の製造方法は、例えば、反応（Ｒ−１）と、反応（Ｒ−２）と、反応（Ｒ−３）とを含む。

反応（Ｒ−１）において、Ｒ¹は一般式（１）中のＲ¹と同義である。Ｒ³は、アルキル基を表し、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことが好ましい。

反応（Ｒ−１）では、１モル当量の一般式（Ａ）で表される化合物（以下、化合物（Ａ）と記載することがある）と１モル当量の一般式（Ｂ）で表される化合物（第一級アミン化合物）（以下、化合物（Ｂ）と記載することがある）とを塩基の存在下で反応させて、１モル当量の一般式（Ｃ）で表される化合物（以下、化合物（Ｃ）と記載することがある）を得る。化合物（Ｃ）は中間生成物である。反応（Ｒ−１）では、１モルの化合物（Ａ）に対して、１モル以上２．５モル以下の化合物（Ｂ）を添加することが好ましい。１モルの化合物（Ａ）に対して１モル以上の化合物（Ｂ）を添加すると、化合物（Ｃ）の収率を向上させ易い。一方、１モルの化合物（Ａ）に対して２．５モル以下の化合物（Ｂ）を添加すると、反応（Ｒ−１）後に未反応の化合物（Ｂ）が残留し難く、化合物（Ｃ）の精製が容易となる。反応（Ｒ−１）の反応温度は８０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。反応（Ｒ−１）の反応時間は１時間以上８時間以下であることが好ましい。反応（Ｒ−１）は、溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、ジオキサンが挙げられる。塩基は、化合物（Ｃ）の収率を向上させる観点から、求核性が低いことが好ましい。このような塩基としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ヒューニッヒ塩基）が挙げられる。

反応（Ｒ−２）において、Ｒ¹は一般式（１）中のＲ¹と同義である。反応（Ｒ−２）において、Ｒ³は反応（Ｒ−１）におけるＲ³と同義である。

反応（Ｒ−２）では、１モル当量の化合物（Ｃ）を酸の存在下で反応して、１モル当量の一般式（Ｄ）で表される化合物（以下、化合物（Ｄ）と記載することがある）を得る。化合物（Ｄ）は中間生成物である。反応（Ｒ−２）では、化合物（Ｃ）のエステルが酸存在下で加水分解し、ジカルボン酸となった後、ジカルボン酸が閉環し、無水カルボン酸となる。その結果、化合物（Ｄ）が生成する。反応（Ｒ−２）の反応時間は、５時間以上３０時間以下であることが好ましい。反応（Ｒ−２）の反応温度は、７０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。酸としては、例えば、トリフルオロ酢酸が好ましい。酸は、溶媒として機能してもよい。

反応（Ｒ−３）において、Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ一般式（１）中のＲ¹及びＲ²と同義である。

反応（Ｒ−３）では、１モル当量の化合物（Ｄ）と、１モル当量の一般式（Ｅ）で表される化合物（第一級アミン化合物）（以下、化合物（Ｅ）と記載することがある）とを塩基の存在下で反応させて、１モル当量のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を得る。反応（Ｒ−３）では、１モルの化合物（Ｄ）に対して、１モル以上２．５モル以下の化合物（Ｅ）を添加することが好ましい。１モルの化合物（Ｄ）に対して１モル以上の化合物（Ｅ）を添加すると、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収率を向上させ易い。一方、１モルの化合物（Ｄ）に対して２．５モル以下の化合物（Ｅ）を添加すると、反応（Ｒ−３）後に未反応の化合物（Ｅ）が残留し難く、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の精製が容易となる。反応（Ｒ−３）の反応温度は８０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。反応（Ｒ−３）の反応時間は１時間以上８時間以下であることが好ましい。反応（Ｒ−３）は、溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、ジオキサンが挙げられる。塩基は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収率を向上させる観点から、求核性が低いことが好ましい。このような塩基としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ヒューニッヒ塩基）が挙げられる。

なお、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の製造方法は、反応（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）におけるＲ¹を有する第一級アミン及びＲ²を有する第一級アミンによるイミド化の順番を変更してもよい。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）は、例えば、反応式（Ｒ’−１）で表す反応式、反応式（Ｒ’−２）で表す反応式、及び反応式（Ｒ’−３）で表す反応式（以下、それぞれ反応（Ｒ’−１）、反応（Ｒ’−２）及び反応（Ｒ’−３）と記載することがある）に従って又はこれに準ずる方法によっても製造される。

詳しくは、反応（Ｒ’−１）は、化合物（Ｂ）を化合物（Ｅ）に変更した以外は、反応（Ｒ−１）と同様の反応である。反応（Ｒ’−２）は、化合物（Ｃ）を一般式（Ｃ’）で表される化合物（以下、化合物（Ｃ’）と記載することがある）に変更した以外は、反応（Ｒ−２）と同様の反応である。反応（Ｒ’−３）は、化合物（Ｄ）を一般式（Ｄ’）で表される化合物（以下、化合物（Ｄ’）と記載することがある）に変更し、化合物（Ｅ）を化合物（Ｂ）に変更した以外は、反応（Ｒ−３）と同様の反応である。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の製造方法は、例えば、反応（Ｒ−４）を含む。

［２−２．Ｒ¹とＲ²とが同一である場合］
一般式（１）中、Ｒ¹とＲ²とが互いに同一である場合、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）は、例えば、反応式（Ｒ−４）で表す反応式（以下、反応（Ｒ−４）と記載することがある）に従って又はこれに準ずる方法によって製造される。なお、便宜上、反応式（Ｒ−４）では、一般式（１）中のＲ²をＲ¹に置き換えて示している。

反応（Ｒ−４）では、１モル当量の化学式（Ｆ）で表される化合物（以下、化合物（Ｆ）と記載することがある）と、１モル当量の一般式（Ｇ）で表される化合物（第一級アミン化合物）（以下、化合物（Ｇ）と記載することがある）とを塩基の存在下で反応させて、１モル当量のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を得る。反応（Ｒ−４）では、１モルの化合物（Ｆ）に対して、２モル以上５モル以下の化合物（Ｇ）を添加することが好ましい。１モルの化合物（Ｆ）に対して２モル以上の化合物（Ｇ）を添加すると、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収率を向上させ易い。一方、１モルの化合物（Ｆ）に対して５モル以下の化合物（Ｇ）を添加すると、反応（Ｒ−４）後に未反応の化合物（Ｇ）が残留し難く、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の精製が容易となる。反応（Ｒ−４）の反応温度は８０℃以上１５０℃以下であることが好ましい。反応（Ｒ−４）の反応時間は１時間以上８時間以下であることが好ましい。反応（Ｒ−４）は、溶媒中で行うことができる。溶媒としては、例えば、ピコリン（メチルピリジン）が挙げられる。塩基は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収率を向上させる観点から、求核性が低いことが好ましい。このような塩基としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ヒューニッヒ塩基）が挙げられる。

ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の製造方法は、必要に応じて適宜な工程を含んでもよい。このような工程としては、例えば、精製工程が挙げられる。精製方法としては、例えば、公知の方法（より具体的には、ろ過、クロマトグラフィー、又は晶折等）が挙げられる。

＜第二実施形態：電子写真感光体＞
本発明の第二実施形態は、電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）に関する。感光体は、導電性基体と、感光層とを備える。感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体（以下、積層型感光体と記載することがある）、又は単層型電子写真感光体（以下、単層型感光体と記載することがある）が挙げられる。

［１．積層型感光体］
積層型感光体では、感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層とを備える。以下、図１を参照して、積層型感光体の構造について説明する。図１は、第二実施形態に係る感光体１の一例である積層型感光体の構造を示す。

図１では、感光体１は、積層型感光体を示す。図１（ａ）に示すように、感光体１としての積層型感光体は、例えば、導電性基体２と感光層３とを備える。感光層３は、電荷発生層３ａと電荷輸送層３ｂとを備える。積層型感光体の耐摩耗性を向上させるためには、図１（ａ）に示すように、導電性基体２上に電荷発生層３ａが設けられ、電荷発生層３ａ上に電荷輸送層３ｂが設けられることが好ましい。図１（ｂ）に示すように、感光体１としての積層型感光体では、導電性基体２上に電荷輸送層３ｂが設けられ、電荷輸送層３ｂ上に電荷発生層３ａが設けられてもよい。

図１（ｃ）に示すように、積層型感光体は、導電性基体２と感光層３と中間層（下引き層）４とを備えていてもよい。中間層４は、導電性基体２と感光層３との間に備えられる。また、感光層３上には、保護層５（図２参照）が設けられていてもよい。

電荷発生層３ａ及び電荷輸送層３ｂの厚さは、それぞれの層としての機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。電荷発生層３ａの厚さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。電荷輸送層３ｂの厚さは、２μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

［２．単層型感光体］
以下、図２を参照して、単層型感光体の構造について説明する。図２は、第二実施形態に係る感光体１の別の例である単層型感光体の構造を示す。

図２では、感光体１は単層型感光体を示す。図２（ａ）に示すように、感光体１としての単層型感光体は、例えば、導電性基体２と感光層３とを備える。単層型感光体は、感光層３として単層型感光層３ｃを備える。単層型感光層３ｃは、一層の感光層３である。

図２（ｂ）に示すように、感光体１としての単層型感光体は、導電性基体２と、単層型感光層３ｃと、中間層（下引き層）４とを備えてもよい。中間層４は、導電性基体２と単層型感光層３ｃとの間に設けられる。また、図２（ｃ）に示すように、単層型感光層３ｃ上に保護層５が設けられてもよい。

単層型感光層３ｃの厚さは、単層型感光層としての機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。単層型感光層３ｃの厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

以上、図１及び図２を参照して、感光体１の構造について説明した。

第二実施形態に係る感光体は、感光層を備える。感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、バインダー樹脂と、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）とを含有する。積層型感光体では、電荷発生層は、例えば、電荷発生剤と、電荷発生剤用バインダー樹脂（以下、ベース樹脂と記載することがある）とを含有する。電荷輸送層は、例えば、電子アクセプター化合物としてナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）と、正孔輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。単層型感光体では、単層型感光層は、例えば、電荷発生剤と、電子輸送剤としてナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）と、正孔輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。電荷発生層、電荷輸送層、及び単層型感光層は、添加剤を更に含有してもよい。以下、感光体の要素として導電性基体、電子輸送剤、電子アクセプター化合物、正孔輸送剤、電荷発生剤、バインダー樹脂、ベース樹脂、添加剤、及び中間層を説明する。また、感光体の製造方法も説明する。

［３．導電性基体］
導電性基体は、感光体の導電性基体として用いることができる限り、特に限定されない。導電性基体は、少なくとも表面部が導電性を有する材料で形成されていればよい。導電性基体の一例としては、導電性を有する材料で形成される導電性基体が挙げられる。導電性基体の別の例としては、導電性を有する材料で被覆される導電性基体が挙げられる。導電性を有する材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、又はインジウムが挙げられる。これらの導電性を有する材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上の組合せとしては、例えば、合金（より具体的には、アルミニウム合金、ステンレス鋼、又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性を有する材料の中でも、感光層から導電性基体への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

導電性基体の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体の厚さは、導電性基体の形状に応じて適宜選択される。

［４．電子輸送剤、電子アクセプター化合物］
既に上述したように、積層型感光体では、電荷輸送層は、電子アクセプター化合物としてナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有する。単層型感光体では、単層型感光層は、電子輸送剤としてナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有する。感光層がナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有することにより、第二実施形態に係る感光体は白点現象の発生を抑制することができる。

感光体が積層型感光体である場合、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の含有量は、電荷輸送層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。

感光体が単層型感光体である場合、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の含有量は、単層型感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、１０質量部以上７５質量部以下であることが特に好ましい。

電荷輸送層は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）に加えて、更に別の電子アクセプター化合物を含有してもよい。単層型感光層は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）に加えて、更に別の電子輸送剤を含有してもよい。別の電子アクセプター化合物及び電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物（ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）以外のジイミド系化合物）、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸、又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物、又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

［５．正孔輸送剤］
感光体が積層型感光体である場合、電荷輸送層は、正孔輸送剤を含有してもよい。感光体が単層型感光体である場合、単層型感光層は、正孔輸送剤を含有してもよい。正孔輸送剤としては、例えば、含窒素環式化合物又は縮合多環式化合物を使用することができる。含窒素環式化合物及び縮合多環式化合物としては、例えば、ジアミン誘導体（より具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、又はＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体等）、オキサジアゾール系化合物（より具体的には、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等）、スチリル化合物（より具体的には、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等）、カルバゾール化合物（より具体的には、ポリビニルカルバゾール等）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（より具体的には、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、又はトリアゾール系化合物が挙げられる。これらの正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。これらの正孔輸送剤のうち、一般式（２）で表される化合物（ベンジジン誘導体）が好ましい。

一般式（２）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、及びＲ²⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表す。ｒ、ｓ、ｖ、及びｗは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｔ及びｕは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。

一般式（２）中、Ｒ²¹〜Ｒ²⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を表すことがより好ましく、メチル基を表すことが更に好ましい。ｒ、ｓ、ｖ、及びｗは、各々独立に、０又は１を表すことが好ましい。ｔ及びｕは、０又は１を表すことが好ましく、１を表すことがより好ましい。

一般式（２）で表されるベンジジン誘導体は、化学式（Ｈ−１）で表される化合物（以下、化合物（Ｈ−１）と記載することがある）が好ましい。

感光体が積層型感光体である場合、正孔輸送剤の含有量は、電荷輸送層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましい。

感光体が単層型感光体である場合、正孔輸送剤の含有量は、単層型感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下であることが好ましく、１０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、１０質量部以上７５質量部以下であることが特に好ましい。

［６．電荷発生剤］
感光体が積層型感光体である場合、電荷発生層は、電荷発生剤を含有してもよい。感光体が単層型感光体である場合、単層型感光層は、電荷発生剤を含有してもよい。

電荷発生剤は、感光体用の電荷発生剤である限り、特に限定されない。電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（より具体的には、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、又はアモルファスシリコン等）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、又はキナクリドン系顔料が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フタロシアニン系顔料としては、例えば、化学式（Ｃ−１）で表される無金属フタロシアニン（以下、化合物（Ｃ−１）と記載することがある）又は金属フタロシアニンが挙げられる。金属フタロシアニンとしては、例えば、化学式（Ｃ−２）で表されるチタニルフタロシアニン（以下、化合物（Ｃ−２）と記載することがある）、ヒドロキシガリウムフタロシアニン又はクロロガリウムフタロシアニンが挙げられる。フタロシアニン系顔料は、結晶であってもよく、非結晶であってもよい。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、Ｘ型、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型、又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。

無金属フタロシアニンの結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶（以下、Ｘ型無金属フタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。チタニルフタロシアニンの結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニンのα型、β型、又はＹ型結晶（以下、それぞれα型チタニルフタロシアニン、β型チタニルフタロシアニン、及びＹ型チタニルフタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。ヒドロキシガリウムフタロシアニンの結晶としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニンのＶ型結晶が挙げられる。クロロガリウムフタロシアニンの結晶としては、クロロガリウムフタロシアニンのＩＩ型結晶が挙げられる。

例えば、デジタル光学式の画像形成装置（例えば、半導体レーザーのような光源を使用した、レーザービームプリンター又はファクシミリ）には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン系顔料が好ましく、無金属フタロシアニン又はチタニルフタロシアニンがより好ましい。感光層がナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有する場合に感光体の電気特性を特に向上させるためには、電荷発生剤としては、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンが更に好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニンが特に好ましい。感光層がナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を含有する場合に白点現象を抑制するためには、電荷発生剤はＸ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンを含むことが好ましく、Ｘ型無金属フタロシアニンを含むことがより好ましい。

Ｙ型チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、例えば、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。

（ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法）
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法の一例について説明する。試料（チタニルフタロシアニン）をＸ線回折装置（例えば、株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、例えば３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。

短波長レーザー光源を用いた画像形成装置に適用される感光体には、電荷発生剤として、アンサンスロン系顔料が好適に用いられる。短波長レーザー光の波長は、例えば、３５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。

感光体が積層型感光体である場合、電荷発生剤の含有量は、電荷発生層に含有されるベース樹脂１００質量部に対して、５質量部以上１０００質量部以下であることが好ましく、３０質量部以上５００質量部以下であることがより好ましい。

感光体が単層型感光体である場合、電荷発生剤の含有量は、単層型感光層に含有されるバインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下であることがより好ましく、０．５質量部以上４．５質量部以下であることが特に好ましい。

［７．バインダー樹脂］
バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、アクリル酸系樹脂、スチレン−アクリル酸樹脂、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂又はポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂又はメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ−アクリル酸系樹脂（より具体的には、エポキシ化合物のアクリル酸誘導体付加物等）又はウレタン−アクリル酸系樹脂（ウレタン化合物のアクリル酸誘導体付加物）が挙げられる。これらのバインダー樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

これらの樹脂の中では、加工性、機械的特性、光学的特性及び耐摩耗性のバランスに優れた単層型感光層及び電荷輸送層が得られることから、ポリカーボネート樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂の例としては、下記化学式（Ｒｅｓｉｎ−１）で表されるビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（以下、Ｚ型ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）と記載することがある）、ビスフェノールＺＣ型ポリカーボネート樹脂、ビスフェノールＣ型ポリカーボネート樹脂又はビスフェノールＡ型ポリカーボネート樹脂が挙げられる。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）との相溶性が良好であり、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の感光層中での分散性が向上する観点から、Ｚ型ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）が好ましい。

バインダー樹脂の粘度平均分子量は、４０，０００以上であることが好ましく、４０，０００以上５２，５００以下であることがより好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が４０，０００以上であると、感光体の耐摩耗性を向上させ易い。バインダー樹脂の粘度平均分子量が５２，５００以下であると、感光層の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、電荷輸送層用塗布液又は単層型感光層用塗布液の粘度が高くなり過ぎない。その結果、電荷輸送層又は単層型感光層を形成し易くなる。

［８．ベース樹脂］
感光体が積層型感光体である場合、電荷発生層は、ベース樹脂を含有する。ベース樹脂は、感光体に適用できるベース樹脂である限り、特に制限されない。ベース樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、スチレン−アクリル酸樹脂、アクリル酸系樹脂、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエーテル樹脂又はポリエステル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、又はその他架橋性の熱硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ−アクリル酸系樹脂（より具体的には、エポキシ化合物のアクリル酸誘導体付加物等）又はウレタン−アクリル酸系樹脂（より具体的には、ウレタン化合物のアクリル酸誘導体付加物等）が挙げられる。ベース樹脂は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

電荷発生層に含有されるベース樹脂は、電荷輸送層に含有されるバインダー樹脂とは異なることが好ましい。電荷輸送層用塗布液の溶剤に電荷発生層を溶解させないためである。積層型感光体の製造では、導電性基体上に電荷発生層を形成し、電荷発生層上に電荷輸送層を形成することが一般的である。電荷輸送層を形成する際に、電荷発生層上に電荷輸送層用塗布液を塗布するからである。

［９．添加剤］
感光体の感光層（電荷発生層、電荷輸送層、又は単層型感光層）は、必要に応じて、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤、又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤、又はレベリング剤が挙げられる。

［１０．中間層］
中間層（下引き層）は、例えば、無機粒子及び中間層に用いられる樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層が存在することにより、リーク発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇が抑えられると考えられる。

無機粒子としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄、又は銅等）の粒子、金属酸化物（より具体的には、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、又は酸化亜鉛等）の粒子又は非金属酸化物（より具体的には、シリカ等）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

中間層用樹脂としては、中間層を形成する樹脂として用いることができる限り、特に限定されない。中間層は、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤は、感光層の添加剤と同様である。

［１１．感光体の製造方法］
感光体が積層型感光体である場合、積層型感光体は、例えば、以下のように製造される。まず、電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液を調製する。電荷発生層用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥することによって、電荷発生層を形成する。続いて、電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に塗布し、乾燥することによって、電荷輸送層を形成する。これにより、積層型感光体が製造される。

電荷発生剤及び必要に応じて添加される成分（例えば、ベース樹脂及び各種の添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより、電荷発生層用塗布液は調製される。電子アクセプター化合物及び必要に応じて添加される成分（例えば、バインダー樹脂、正孔輸送剤、及び各種添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより、電荷輸送層用塗布液は調製される。

次に、感光体が単層型感光体である場合、単層型感光体は、例えば、以下のように製造される。単層型感光体は、単層型感光層用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥することによって製造される。単層型感光層用塗布液は、電子輸送剤及び必要に応じて添加される成分（例えば、電荷発生剤、正孔輸送剤、バインダー樹脂、及び各種添加剤）を、溶剤に溶解又は分散させることにより製造される。

電荷発生層用塗布液、電荷輸送層用塗布液又は単層型感光層用塗布液（以下、塗布液と記載することがある）に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散できる限り、特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール類（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、又はブタノール等）、脂肪族炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン、又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン、又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、又はクロロベンゼン等）、エーテル類（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、又はプロピレングリコールモノメチルエーテル等）、ケトン類（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、又はシクロヘキサノン等）、エステル類（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、又はジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体の製造時の作業性を向上させるためには、溶剤として非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）を用いることが好ましい。

塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー、又は超音波分散機を用いることができる。

塗布液は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。

塗布液を塗布する方法としては、塗布液を導電性基体上に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法、又はバーコート法が挙げられる。

塗布液を乾燥する方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理条件は、例えば、４０℃以上１５０℃以下の温度、かつ３分間以上１２０分間以下の時間である。

なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層を形成する工程及び保護層を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。

以上、第二実施形態に係る感光体について説明した。第二実施形態の感光体によれば、感光体の電気特性を向上させることができる。

以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。

＜１．感光体の材料＞
単層型感光体の単層型感光層を形成するための材料として、以下の電子輸送剤、正孔輸送剤、電荷発生剤、及びバインダー樹脂を準備した。

［１−１．電子輸送剤］
電子輸送剤として、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）を準備した。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）は、それぞれ以下の方法で製造した。

［１−１−１．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の製造］
反応式（ｒ−４）で表される反応（以下、反応（ｒ−４）と記載することがある）に従ってナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）を製造した。

反応（ｒ−４）では、化合物（Ｆ）（ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物）２．６８ｇ（１０ミリモル）と、化学式（１Ｇ）で表される化合物４．６４ｇ（２０ミリモル）と、ピコリン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ピコリン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して４時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、イオン交換水をフラスコに投入し、クロロホルムで抽出した。有機層の溶媒（ピコリン）を除去し、残渣を得た。得られた残渣を展開溶媒としてクロロホルムを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。これにより、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）を得た。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の収量は４．１６ｇであり、反応（ｒ−４）における化合物（Ｆ）からのナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の収率は６０モル％であった。

［１−１−２．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−５）の製造］
以下の点を変更した以外は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の製造と同様の方法で、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−５）を製造した。なお、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−５）の製造において使用される各原料は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の製造において対応する原料のモル数と同じモル数で添加した。

ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−５）の製造では、反応（ｒ−４）で使用した化合物（１Ｇ）を化合物（５Ｇ）に変更した。その結果、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の代わりに、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−５）を得た。表１に反応（ｒ−４）における化合物（Ｆ）、化合物（Ｇ）、及びナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を示す。表１中、Ｆは化合物（Ｆ）を示す。１Ｇは化合物（１Ｇ）を示し、５Ｇは化合物（５Ｇ）を示す。

表１にナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収量及び収率を示す。なお、化合物（５Ｇ）は、化学式（５Ｇ）で表される。

［１−１−３．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の製造］
反応式（ｒ’−１）、（ｒ’−２）及び（ｒ’−３）で表される反応（以下、それぞれ反応（ｒ'−１）、反応（ｒ’−２）、及び反応（ｒ'−３）と記載することがある）に従ってナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）を製造した。

反応（ｒ’−１）では、化合物（１Ａ）３．４２ｇ（１０ミリモル）と、化合物（２Ｅ）１．３５ｇ（１０ミリモル）と、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１．３ｇ（１０ミリモル）と、ジオキサン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ジオキサン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して２時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、ジオキサンを除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチル／ヘキサン（体積比Ｖ／Ｖ＝１／２）を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、化学式（２Ｃ’）で表される中間生成物（以下、化合物（２Ｃ’）と記載することがある）を得た。

反応（ｒ’−２）では、化合物（２Ｃ’）と、トリフルオロ酢酸１５ｍＬとをフラスコに投入し、トリフルオロ酢酸溶液を調製した。化合物（２Ｃ’）は、反応（ｒ’−１）で得られた全量を反応（ｒ’−２）で使用した。フラスコ内容物の温度を８０℃に昇温し、８０℃に維持して２４時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、トリフルオロ酢酸を除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチル／ヘキサン（体積比Ｖ／Ｖ＝１／４）を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、化学式（２Ｄ’）で表される中間生成物（以下、化合物（２Ｄ'）と記載することがある）を得た。

反応（ｒ’−３）では、化合物（２Ｄ’）と、化学式（２Ｂ）で表される化合物２．３２ｇ（１０ミリモル）と、ジイソプロピルエチルアミン１．３ｇ（１０ミリモル）と、ジオキサン５０ｍＬとをフラスコに投入し、ジオキサン溶液を調製した。フラスコ内容物の温度を１００℃に昇温し、１００℃に維持して２時間フラスコ内容物を攪拌した。反応後、ジオキサンを除去し、残渣を得た。展開溶媒として酢酸エチルを用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより得られた残渣を精製した。これにより、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）を得た。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の収量は２．６９ｇであり、反応（ｒ’−１）〜（ｒ’−３）における化合物（１Ａ）からのナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の収率は４５モル％であった。

［１−１−４．ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−３）〜（１−４）、及び（１−６）の製造］
以下の点を変更した以外は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の製造と同様の方法で、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−３）〜（１−４）、及び（１−６）をそれぞれ製造した。なお、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−３）〜（１−４）、及び（１−６）の合成において使用される各原料は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の製造において対応する原料のモル数と同じモル数で添加した。

ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−３）〜（１−４）及び（１−６）の製造では、反応（ｒ'−３）で使用した化合物（２Ｂ）をそれぞれ化合物（３Ｂ）、（４Ｂ）、及び（５Ｂ）に変更した。それらの結果、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）の代わりに、それぞれナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−３）、（１−４）、及び（１−６）を得た。表２に反応（ｒ’−１）〜（ｒ’−３）における化合物（Ａ）、化合物（Ｄ）、化合物（Ｂ）、及びナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）を示す。

表２にナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）の収量及び収率を示す。なお、化合物（３Ｂ）、（４Ｂ）、及び（６Ｂ）は、それぞれ下記化学式（３Ｂ）、（４Ｂ）、及び（６Ｂ）で表される。

次に、プロトン核磁気共鳴分光計（日本分光株式会社製、３００ＭＨｚ）を用いて、製造したナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。溶媒としてＣＤＣｌ₃を用いた。内部標準試料としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。これらのうちナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）を代表例として挙げる。図３は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図３中、縦軸は信号強度（単位：任意単位）を示し、横軸は化学シフト（単位：ｐｐｍ）を示す。以下に、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）の化学シフト値を示す。
ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）：¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃） δ＝８．７０（ｄ， ４Ｈ）， ７．６２−７．７５（ｍ， ８Ｈ）， ７．３６−７．５５（ｍ， ８Ｈ）．

¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び化学シフト値により、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）が得られていることを確認した。他のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）〜（１−６）も同様にして、¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル及び化学シフト値により、それぞれナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−２）〜（１−６）が得られていることを確認した。

［１−１−５．化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）の準備］
電子輸送剤として、化学式（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）で表される化合物（以下、それぞれ化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）と記載することがある）を準備した。

［１−２．正孔輸送剤］
正孔輸送剤として、第二実施形態で説明した化合物（Ｈ−１）を準備した。

［１−３．電荷発生剤］
電荷発生剤として、第二実施形態で説明した化合物（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）を準備した。化合物（Ｃ−１）は、化学式（Ｃ−１）で表される無金属フタロシアニン（Ｘ型無金属フタロシアニン）であった。また、化合物（Ｃ−１）の結晶構造はＸ型であった。

化合物（Ｃ−２）は、化学式（Ｃ−２）で表されるチタニルフタロシアニン（Ｙ型チタニルフタロシアニン）であった。また、化合物（Ｃ−２）の結晶構造はＹ型であった。

［１−４．バインダー樹脂］
バインダー樹脂としてＺ型ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）（帝人株式会社製「パンライト（登録商標）ＴＳ−２０５０」、粘度平均分子量５０，０００）を準備した。

＜２．単層型感光体の製造＞
感光層を形成するための材料を用いて、単層型感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）を製造した。

［２−１．単層型感光体（Ａ−１）の製造］
容器内に、電荷発生剤としての化合物（Ｃ−１）２質量部、正孔輸送剤としての化合物（Ｈ−１）５０質量部、電子輸送剤としてのナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）３０質量部、バインダー樹脂としてのＺ型ポリカーボネート樹脂（Ｒｅｓｉｎ−１）１００質量部及び溶剤としてのテトラヒドロフラン６００質量部を投入した。容器の内容物を、ボールミルを用いて１２時間混合して、溶剤に材料を分散させた。これにより、単層型感光層用塗布液を得た。単層型感光層用塗布液を、導電性基体としてのアルミニウム製のドラム状支持体上に、ディップコート法を用いて塗布した。塗布した単層型感光層用塗布液を、１２０℃で８０分間熱風乾燥させた。これにより、導電性基体上に、単層型感光層（膜厚３０μｍ）を形成した。その結果、単層型感光体（Ａ−１）が得られた。

［２−２．単層型感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の製造］
以下の点を変更した以外は、単層型感光体（Ａ−１）の製造と同様の方法で、単層型感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）をそれぞれ製造した。単層型感光体（Ａ−１）の製造に用いた電荷発生剤としての化合物（Ｃ−１）を、表３に示す種類の電荷発生剤に変更した。単層型感光体（Ａ−１）の製造に用いた電子輸送剤としてのナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）を、表３に示す種類の電子輸送剤に変更した。なお、表３に感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）及び感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の構成を示す。表３中、ＣＧＭ、ＨＴＭ、及びＥＴＭは、それぞれ電荷発生剤、正孔輸送剤、及び電子輸送剤を示す。表３中、ＣＧＭ欄のｘ−Ｈ₂Ｐｃ及びＹ−ＴｉＯＰｃは、それぞれＸ型無金属フタロシアニン及びＹ型チタニルフタロシアニンを示す。ＨＴＭ欄のＨ−１は化合物（Ｈ−１）を示す。ＥＴＭ欄の１−１〜１−６、及びＥ−１〜Ｅ−３は、それぞれナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）及び化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）を示す。

＜３．感光体の評価＞
［３−１．単層型感光体の電気特性（感度特性）の評価］
製造した単層型感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、電気特性（感度特性）を評価した。電気特性の評価は、温度２３℃及び湿度５０％ＲＨ（相対湿度）の環境下で行った。

ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いて、単層型感光体の表面を正極性に帯電させた。帯電条件を、単層層型感光体の回転数３１ｒｐｍに設定した。帯電直後の単層型感光体の表面電位を＋６００Ｖに設定した。次いで、バンドパスフィルターを用いて、ハロゲンランプの白色光から単色光（波長７８０ｎｍ、半値幅２０ｎｍ、光エネルギー１．５μＪ／ｃｍ²）を取り出した。取り出された単色光を、単層型感光体の表面に照射した。照射が終了してから０．５秒経過した時の単層型感光体の表面電位を測定した。測定された表面電位を、感度電位（Ｖ_L、単位Ｖ）とした。測定された単層型感光体の感度電位（Ｖ_L）を、表３に示す。なお、感度電位（Ｖ_L）の絶対値が小さいほど、単層型感光体の感度特性が優れていることを示す。

［３−２．単層型感光体の電気特性（摩擦帯電性）の評価］
感光層と炭酸カルシウムとを摩擦させたときの炭酸カルシウムの帯電量（摩擦帯電量）を測定した。炭酸カルシウムは、紙粉の主成分である。以下、図４を参照して、感光層３と炭酸カルシウムとを摩擦させたときの炭酸カルシウムの摩擦帯電量を測定する方法を説明する。図４は、摩擦帯電量の測定装置の概要を示す。炭酸カルシウムの摩擦帯電量は、下記の第一ステップ、第二ステップ、第三ステップ、及び第四ステップを行うことにより測定した。炭酸カルシウムの摩擦帯電量の測定には、治具１０を使用した。

図４に示すように、治具１０は、第一台１２と、回転シャフト１４と、回転駆動部１６（例えば、モーター）と、第二台１８とを備えている。回転駆動部１６は、回転シャフト１４を回転する。回転シャフト１４は、回転シャフト１４の回転軸Ｓを中心に回転する。第一台１２は、回転シャフト１４と一体になって、回転軸Ｓを中心に回転する。第二台１８は、回転することなく固定されている。

（第一ステップ）
第一ステップでは、感光層３を２個準備した。以下、感光層３の一方を第一感光層３０と、感光層３の他方を第二感光層３２と記載する。上述の単層型感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）の何れかの作製する際に調製した感光層用塗布液を、アルミパイプ（直径：７８ｍｍ）に巻きつけたオーバーヘッドプロジェクタシート（以下、ＯＨＰシートと記載することがある）に塗布した。塗布した塗布液を、１２０℃で８０分間乾燥した。これにより、膜厚３０μｍの感光層３が形成された摩擦帯電性評価用のシートを作製した。その結果、第一感光層３０（膜厚Ｌ１：３０μｍ）と第一ＯＨＰシート２０とを備える第一シート、及び第二感光層３２（膜厚Ｌ２：３０μｍ）と第二ＯＨＰシート２２とを備える第二シートとを得た。第一ＯＨＰシート２０及び第二ＯＨＰシート２２の大きさは、それぞれ、縦５ｃｍ及び横５ｃｍであった。

（第二ステップ）
第二ステップでは、炭酸カルシウム０．００７ｇを第一感光層３０上に乗せた。そして、炭酸カルシウムの層２４上に第二感光層３２を載せた。具体的な手順は以下の通りであった。

まず、両面テープを用いて第一ＯＨＰシート２０と第一台１２とを接着させ、第一シートを第一台１２に固定した。両面テープを用いて第二ＯＨＰシート２２と第二台１８とを接着させ、第二シートを第二台１８に固定した。第一シートが備える第一感光層３０上に、０．００７ｇの炭酸カルシウムを載せ、膜厚が均一になるようにして、炭酸カルシウムの層２４を形成した。炭酸カルシウムの量は、第三ステップにおいて回転時間６０秒間で第一感光層３０及び第二感光層３２との間で炭酸カルシウムが十分にかつ万遍なく摩擦され、炭酸カルシムが十分に万遍なく帯電できる量である。炭酸カルシウムの層２４は、第三ステップにおける回転駆動部１６の駆動により、第一感光層３０と第二感光層３２との間から溺れ落ちないように回転軸Ｓを中心に第一感光層３０の内側に形成されている。そして、第一感光層３０と第二感光層３２とが炭酸カルシウムの層２４を介して対向するように、第二感光層３２と炭酸カルシウムの層２４とを接触させて炭酸カルシウムの層２４上に第二感光層３２を載せた。これにより、下から順に、第一台１２、第一ＯＨＰシート２０、第一感光層３０、炭酸カルシウムの層２４、第二感光層３２、第二ＯＨＰシート２２、及び第二台１８が配置された。第一台１２、第一ＯＨＰシート２０、第一感光層３０、炭酸カルシウムの層２４、第二感光層３２、第二ＯＨＰシート２２、及び第二台１８の各中心が、回転軸Ｓを通るように配置された。

（第三ステップ）
第三ステップでは、温度２３℃及び湿度５０％ＲＨの環境下で、第二感光層３２を固定したまま、回転速度６０ｒｐｍで６０秒間第一感光層３０を回転させた。具体的には、回転シャフト１４、第一台１２、第一ＯＨＰシート２０及び第一感光層３０を、回転速度６０ｒｐｍで６０秒間、回転軸Ｓを中心に回転するように、回転駆動部１６を駆動した。これにより、炭酸カルシウムが第一感光層３０との間及び第二感光層３２との間で摩擦され、炭酸カルシウムが帯電した。

（第四ステップ）
第四ステップでは、第三ステップで帯電させた炭酸カルシウムを治具１０から取出し、帯電量測定装置（吸引式小型帯電量測定装置、トレック社製「ＭＯＤＥＬ ２１２ＨＳ」）を用いて吸引した。吸引された炭酸カルシウムの総電気量Ｑ（単位μＣ）と質量Ｍ（単位ｇ）とを、帯電量測定装置を用いて測定した。式「摩擦帯電量＝Ｑ／Ｍ」から、炭酸カルシウムの摩擦帯電量（単位μＣ／ｇ）を算出した。

測定された炭酸カルシウムの摩擦帯電量を表３に示す。なお、炭酸カルシウムの摩擦帯電量が大きい正の値であるほど、炭酸カルシウムは第一感光層３０及び第二感光層３２に対して正帯電し易いことを示す。また、炭酸カルシウムの摩擦帯電量が大きい正の値であるほど、炭酸カルシウムに対して第一感光層３０及び第二感光層３２は負帯電し易いことを示す。

［３−３．画像特性の評価（白点個数の測定）］
単層型感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）及び単層型感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のそれぞれに対して、画像特性を評価した。画像特性の評価は、温度３２．５℃及び湿度８０％ＲＨの環境下で行った。評価機として、画像形成装置（京セラドキュメントソリューションズ株式会社製「モノクロプリンターＦＳ−１３００Ｄ」）を用いた。この画像形成装置は、非接触現像方式、直接転写方式及びブレードクリーニング方式を採用する。この画像形成装置では、帯電部としてスコロトロン帯電器が備えられている。記録媒体として、京セラドキュメントソリューションズ株式会社販売「京セラドキュメントソリューションズブランド紙ＶＭ−Ａ４」（Ａ４サイズ）を使用した。評価機による評価には、一成分現像剤（試作品）を使用した。

評価機を用いて、単層型感光体の回転速度１６８ｍｍ／秒の条件で、２０，０００枚の記録媒体に画像Ｉ（印字率１％の画像）を連続して印刷した。続いて、１枚の記録媒体に画像ＩＩ（黒ソリッド画像、縦２９７ｍｍ×横２１０ｍｍ Ａ４サイズ）を印刷した。画像ＩＩが形成された記録媒体を肉眼で観察し、形成画像における画像不良の有無を観察した。画像不良として、黒ソリッド画像内に現れる白点の数を数えた。感光体に紙粉が付着すると、黒ソリッド画像内に白点が現れる傾向がある。黒ソリッド画像内に現れる白点の数を表３に示す。白点の数が少ないほど、紙粉の付着に起因した画像不良の発生（白点現象の発生）が抑制されていることを示す。

表３に示すように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）では、感光層は電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤としてナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）の何れか１種とを含有していた。ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）は、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボジイミド誘導体であった。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）では、白点の個数が１３個以上２４個以下だった。

表３に示すように、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）では、感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、電子輸送剤として化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）の何れか１種とを含有していた。化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）は、ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１）ではなかった。感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）では、白点の個数が３８個以上７０個以下だった。

ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体（１−１）〜（１−６）は、化合物（Ｅ−１）〜（Ｅ−３）に比べ、感光体の白点現象の発生を抑制できることが明らかである。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１２）は、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）に比べ、白点現象の発生を抑制することができることが明らかである。

本発明に係るナフタレンテトラカルボジイミド誘導体は、感光体に利用することができる。本発明に係る感光体は、画像形成装置に利用することができる。

１ 電子写真感光体
３ 感光層
３ａ 電荷発生層
３ｂ 電荷輸送層
３ｃ 単層型感光層

Claims (8)

1. 一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボジイミド誘導体。
   

   

   前記一般式（１）中、
   Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基とフェニルカルボニル基との何れかを有してもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、及び炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基からなる群より選択される基を表し、
   前記基は、１以上のハロゲン原子で置換されてもよく、
   Ｒ¹及びＲ²のうち少なくとも一方が１以上のハロゲン原子を有する。
2. 前記一般式（１）中、
   Ｒ¹及びＲ²は、互いに同一であり、
   Ｒ¹及びＲ²は、１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、又はフェニルカルボニル基及びハロゲン原子を各々１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す、請求項１に記載のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体。
3. 前記一般式（１）中、
   Ｒ¹及びＲ²は、互いに異なり、
   Ｒ¹及びＲ²のうちの一方が、炭素原子数１以上３以下のアルキル基を少なくとも１つ有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
   Ｒ¹及びＲ²のうちの他方が、１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数７以上９以下のアラルキル基、又はフェニルカルボニル基を有してもよく１以上のハロゲン原子を有する炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す、請求項１に記載のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体。
4. 前記一般式（１）中、
   Ｒ¹の表す前記基の有するハロゲン原子の数と、Ｒ²の表す前記基の有するハロゲン原子の数との総数が３又は４である、請求項１〜３の何れか一項に記載のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体。
5. 導電性基体と、感光層とを備える電子写真感光体であって、
   前記感光層は、電荷発生剤と、正孔輸送剤と、バインダー樹脂と、請求項１〜４の何れか一項に記載のナフタレンテトラカルボジイミド誘導体とを含有する、電子写真感光体。
6. 前記電荷発生剤は、Ｘ型無金属フタロシアニン又はＹ型チタニルフタロシアニンを含む、請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記正孔輸送剤は、一般式（２）で表される化合物を含む、請求項５又は６に記載の電子写真感光体。
   

   

   前記一般式（２）中、
   Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、及びＲ²⁶は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基を表し、
   ｒ、ｓ、ｖ、及びｗは、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
   ｔ及びｕは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
8. 前記感光層は、単層型感光層である、請求項５〜７の何れか一項に記載の電子写真感光体。

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