JP2003327587A - 新規なナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物とその重合体、および、該ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造方法 - Google Patents
新規なナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物とその重合体、および、該ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造方法Info
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- JP2003327587A JP2003327587A JP2002135614A JP2002135614A JP2003327587A JP 2003327587 A JP2003327587 A JP 2003327587A JP 2002135614 A JP2002135614 A JP 2002135614A JP 2002135614 A JP2002135614 A JP 2002135614A JP 2003327587 A JP2003327587 A JP 2003327587A
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Abstract
などの問題を生じず、薄膜化が可能な、電子輸送能を有
する新規な物質を提供する。 【解決手段】 溶解性を向上させ、嵩高い置換基を導入
した式(1)で示されるナフタレンテトラカルボン酸ジ
イミド化合物、および、この化合物を重合させて得られ
る重合物。 (式(1)中、X11は置換基を有してもよくエーテル
基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアル
キレン基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原
子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価のア
リーレン基または置換基を有してもよい2価のアラルキ
レン基のいずれかを示す。R11は下記式(2)、
(3)または(4)のいずれかを示し、 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。)
Description
基を有するナフタレンアミジンイミド化合物、および、
該ナフタレンアミジンイミド化合物を重合した重合物に
関する。
該ナフタレンアミジンイミド化合物を重合した重合物
は、有機電子デバイスなどの電子輸送物質として有用で
ある。
リアセチレン、ポリチオフェン、ポリアニリンなどの共
役二重結合を有する高分子化合物や、ピラゾリン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン系化合
物、アミノ基を有するスチルベン系化合物などが数多く
提案されており、電子写真感光体や、有機薄膜電界発光
素子や、フォトセルなどへの利用が検討されている。
孔輸送物質(p型半導体)である。一方、有機の電子輸
送物質(n型半導体)の例はあまり多くない。
ロフルオレノン、特開昭60−69657号公報に記載
のフルオレニデンメタン化合物、特開昭61−2337
50号公報に記載のアントキノジメタンおよびアントロ
ン化合物、特開平4−285670号公報に記載のジフ
ェノキノン化合物、特開平9−151157公報記載の
ナフトキノン化合物などが提案されている。
が悪かったり、毒性が強かったり、電子の輸送特性が悪
かったりと、実用上大きな問題を有しているのが現状で
ある。
トラカルボン酸ジイミド化合物は、毒性が低く、かつ、
ある程度電子輸送能に優れており、近年、電子輸送物質
として数多くの提案が見られる。例えば、特開平1−3
9098号公報、特開平5−25174号公報、米国特
許第4442193号明細書、米国特許第546858
3号明細書、特公平1−39098号公報および特開平
11−343290号公報などに開示されている。
どに使用するには、他の樹脂と混合し薄膜を作製しよう
とすると溶解性が低く、結晶化や膜のクラックなどの問
題を生じてしまう。それを避けるために、1,4,5,
8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の量を
減らしたり、溶解性向上のために、嵩高い置換基を導入
したりすると、今度は電子輸送能の低下が見られ、いま
だ実用レベルで十分な物が得られていないのが現状であ
る。
して、電子輸送物質を高分子化した材料の開発もいくつ
か試みられている。例えば、特開平8−134019号
公報にはフルオレン誘導体を構成成分とした重合物、特
開平9−194535号公報にはチオキサンテン誘導体
を構成成分とした重合物がそれぞれ開示されている。こ
れらにより、膜中での結晶化やクラックの問題はある程
度改善されたが、電子輸送能としては、重合物にペンダ
ントされている電子輸送能を有する材料の特性上、電子
輸送能としてはいまだ不十分である。
化や膜のクラックなどの問題を生じず、十分な溶解性や
電子輸送能を有する新規な物質を提供することにある。
の改善に鋭意検討した結果、本発明に至った。
れる構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物である。
よくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜15
の2価のアルキレン基(R11もしくはN原子との結合
位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有しても
よい2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2
価のアラルキレン基のいずれかを示す。R11は下記式
(2)、(3)または(4)のいずれかを示し、
15のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基ま
たは置換基を有してもよいアラルキル基のいずれかを示
す。)また、本発明は、下記式(5)で示される構造を
有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物であ
る。
ぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断されていて
もよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(R51ま
たはR 52もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R51およびR52はそれぞれ下記
式(2)、(3)または(4)のいずれかを示す。
繰り返し構造単位、下記式(8)で示される繰り返し構
造単位および下記式(9)で示される繰り返し構造単位
からなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し構
造単位を有する重合体である。
71およびX81は置換基を有してもよくエーテル基で
中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレ
ン基(N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基および
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。X91は置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基、置換
基を有してもよい2価のアラルキレン基、または、単結
合のいずれかを示す。R72、R82およびR92は置
換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換
基を有してもよいアリール基または置換基を有してもよ
いアラルキル基のいずれかを示す。)また、本発明は、
下記式(10)で示される繰り返し構造単位、下記式
(11)で示される繰り返し構造単位、下記式(12)
で示される繰り返し構造単位、下記式(13)で示され
る繰り返し構造単位、下記式(14)で示される繰り返
し構造単位、および、下記式(15)で示される繰り返
し構造単位からなる群より選択される少なくとも1つの
繰り返し構造単位を有する重合体である。
3)、(14)および(15)中、X 101、
X102、X111、X112、X121、X131、
X132およびX141は、置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(N原子との結合位置に酸素原子を介在し
てもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基
および置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のい
ずれかを示す。X122、X142、X151およびX
1 52は、置換基を有してもよくエーテル基で中断され
ていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(N
原子との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換
基を有してもよい2価のアリーレン基、置換基を有して
もよい2価のアラルキレン基、または、単結合のいずれ
かを示す。)また、本発明は、下記式(18)で示され
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(OもしくはN原子との結合位
置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよ
い2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価
のアラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換基を
有してもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有
してもよいアリール基または置換基を有してもよいアラ
ルキル基のいずれかを示す。) アクリル酸、アクリル酸クロライドおよびアクリル酸エ
ステルからなる群より選択される少なくとも1つとを反
応させて、下記式(1)で示される構造を有するナフタ
レンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(18)中のX11およびR12と同義である。す
なわち、X11は置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R1 1は下記式(2)を示し、
15のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基ま
たは置換基を有してもよいアラルキル基のいずれかを示
す。)を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(OもしくはN原子との結合位
置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよ
い2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価
のアラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換基を
有してもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有
してもよいアリール基または置換基を有してもよいアラ
ルキル基のいずれかを示す。) メタクリル酸、メタクリル酸クロライドおよびメタクリ
ル酸エステルからなる群より選択される少なくとも1つ
とを反応させて、下記式(1)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(18)中のX11およびR12と同義である。す
なわち、X11は置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R1 1は下記式(3)を示し、
15のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基ま
たは置換基を有してもよいアラルキル基のいずれかを示
す。)を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
れぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(Oもし
くはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。) アクリル酸、アクリル酸クロライドおよびアクリル酸エ
ステルからなる群より選択される少なくとも1つとを反
応させて、下記式(1)で示される構造を有するナフタ
レンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(19)中のX51およびX52と同義である。す
なわち、X51およびX52はそれぞれ置換基を有して
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(R5 1またはR52もしくは
N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置
換基を有してもよい2価のアリーレン基または置換基を
有してもよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。
R51およびR52はそれぞれ下記式(2)を示す。
イミド化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
れぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(Oもし
くはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。) メタクリル酸、メタクリル酸クロライドおよびメタクリ
ル酸エステルからなる群より選択される少なくとも1つ
とを反応させて、下記式(1)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(19)中のX51およびX52と同義である。す
なわち、X51およびX52はそれぞれ置換基を有して
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(R5 1またはR52もしくは
N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置
換基を有してもよい2価のアリーレン基または置換基を
有してもよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。
R51およびR52はそれぞれ下記式(3)を示す。
イミド化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
は臭素原子を示す。X11は置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(Y201もしくはN原子との結合位置に
酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2
価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価のア
ラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換基を有し
てもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基または置換基を有してもよいアラルキ
ル基のいずれかを示す。) アクリル酸ナトリウムおよびアクリル酸カリウムの少な
くとも一方とを反応させて、下記式(1)で示される構
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(20)中のX11およびR12と同義である。す
なわち、X11は置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R1 1は下記式(2)を示し、
15のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基ま
たは置換基を有してもよいアラルキル基のいずれかを示
す。)を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
は臭素原子を示す。X11は置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(Y201もしくはN原子との結合位置に
酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2
価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価のア
ラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換基を有し
てもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有して
もよいアリール基または置換基を有してもよいアラルキ
ル基のいずれかを示す。) メタクリル酸ナトリウムおよびメタクリル酸カリウムの
少なくとも一方とを反応させて、下記式(1)で示され
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物
記式(20)中のX11およびR12と同義である。す
なわち、X11は置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R1 1は下記式(3)を示し、
15のアルキル基、置換基を有してもよいアリール基ま
たは置換基を有してもよいアラルキル基のいずれかを示
す。)を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
はそれぞれ塩素原子または臭素原子を示す。X51およ
びX52はそれぞれ置換基を有してもよくエーテル基で
中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレ
ン基(Y211またはY212もしくはN原子との結合
位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有しても
よい2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2
価のアラルキレン基のいずれかを示す。) アクリル酸ナトリウムおよびアクリル酸カリウムの少な
くとも一方とを反応させて、下記式(1)で示される構
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
記式(21)中のX51およびX52と同義である。す
なわち、X51およびX52はそれぞれ置換基を有して
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(R5 1またはR52もしくは
N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置
換基を有してもよい2価のアリーレン基または置換基を
有してもよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。
R51およびR52はそれぞれ下記式(2)を示す。
イミド化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物と、
はそれぞれ塩素原子または臭素原子を示す。X51およ
びX52はそれぞれ置換基を有してもよくエーテル基で
中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレ
ン基(Y211またはY212もしくはN原子との結合
位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有しても
よい2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2
価のアラルキレン基のいずれかを示す。) メタクリル酸ナトリウムおよびメタクリル酸カリウムの
少なくとも一方とを反応させて、下記式(1)で示され
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物
記式(21)中のX51およびX52と同義である。す
なわち、X51およびX52はそれぞれ置換基を有して
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(R5 1またはR52もしくは
N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置
換基を有してもよい2価のアリーレン基または置換基を
有してもよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。
R51およびR52はそれぞれ下記式(3)を示す。
イミド化合物の製造方法である。
ル存在下で、下記式(17)で示される構造を有するナ
フタレンテトラカルボン酸無水物と、
級アミンと
原子または臭素原子を示す。X221は置換基を有して
もよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜1
5の2価のアルキレン基(Y231もしくはN原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよ
い2価のアラルキレン基のいずれかを示す。)を反応さ
せて、下記式(23)で示される構造を有するナフタレ
ンテトラカルボン酸ジイミド化合物、および、
原子または臭素原子を示す。X11は置換基を有しても
よくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜15
の2価のアルキレン基(Y231もしくはN原子との結
合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有して
もよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよい
2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換
基を有してもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基または置換基を有してもよい
アラルキル基のいずれかを示す。) 下記式(24)で示される構造を有するナフタレンテト
ラカルボン酸ジイミド化合物
はそれぞれ水酸基、塩素原子または臭素原子を示す。X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(Y241またはY242もしくはN原子
との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を
有してもよい2価のアリーレン基または置換基を有して
もよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。)の少
なくとも一方を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジ
イミド化合物の製造方法である。
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物である。
原子または臭素原子を示す。X11は置換基を有しても
よくエーテル基で中断されていてもよい炭素数1〜15
の2価のアルキレン基(Y231もしくはN原子との結
合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有して
もよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよい
2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R12は置換
基を有してもよい炭素数1〜15のアルキル基、置換基
を有してもよいアリール基または置換基を有してもよい
アラルキル基のいずれかを示す。) また、本発明は、下記式(24)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物である。
はそれぞれ水酸基、塩素原子または臭素原子を示す。X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(Y241またはY242もしくはN原子
との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を
有してもよい2価のアリーレン基または置換基を有して
もよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。)
する。
のX51、X52の置換基を有してもよくエーテル基で
中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレ
ン基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチ
レン、ヘプチレン、オクチレンなどの直鎖アルキレン基
や、1−メチルエチレン基、2−メチルプロピレン基、
2,2−ジメチルプロピレン基、1−エチルエチレン
基、2−エチルヘキシレン基、1−メチルヘキシレン
基、1,5−ジメチルヘキシレン基、1,3−ジメチル
ブチレン基などの分岐鎖アルキレン基などが挙げられ、
同置換基を有してもよい2価のアリーレン基としては、
フェニレン、ナフチレン、ビフェニレンなどが挙げら
れ、同置換基を有してもよい2価のアラルキレン基とし
ては、下記式(6)で示される構造を有するアラルキレ
ン基などが挙げられる。
〜5が好ましい。
もよい炭素数1〜15のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、オ
クチル基などの直鎖アルキル基や、iso―プロピル
基、t−ブチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチル
ヘキシル基、t−オクチル基、1,5−ジメチルヘキシ
ル基、2−ヘキシルヘプチル基などの分岐鎖アルキル基
や、シクロヘプチル基、シクロへキシル基、シクロヘプ
チル基などの炭素数5〜12の環状アルキル基や、2,
3−プロピレン基、3,4−ペンチレン基などの炭素数
3〜15の直鎖不飽和アルキル基や、2,3−シクロヘ
キシレン基、3,4−シクロヘキシレン基などの炭素数
5〜10の環状不飽和アルキル基などが挙げられ、置換
基を有してもよいアリール基としては、フェニル、ナフ
チル、アントラセニル、ピレニル、ピリジル、キノリ
ル、チエニル、フリル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾ
リル、ベンゾチアゾリルなどのアリール基などが挙げら
れ、置換基を有してもよいアラルキル基としては、ベン
ジル基、フェネチル基、3−フェニルプロピル基、ナフ
チルメチル基などが挙げられる。
(5)中のX51、X52が有してもよい置換基として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなど
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ブトキシなどのア
ルコキシ基、フェノキシ、ナフトキシなどのアリールオ
キシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原
子、フェニル、ナフチル、ピリジル、キノリル、チエニ
ル、フリルなどの複素環基、アセチル、ベンジルなどの
アシル基、トリフルオロメチルなどのハロアルキル基、
シアノ基、ニトロ基、フェニルカルバモイル基、カルボ
キシル基、ヒドロキシル基などが挙げられる。
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物は、X
11が、置換基を有してもよい炭素数1〜10の2価の
アルキレン基、置換基を有してもよい2価のフェニレン
基または置換基を有してもよい上記式(6)で示される
構造を有する2価のアラルキレン基であり、かつ、R1
1が、上記式(2)または(3)であることが好まし
い。
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物は、X
51およびX52が、置換基を有してもよい炭素数1〜
10の2価のアルキレン基、置換基を有してもよい2価
のフェニレン基または置換基を有してもよい上記式
(6)で示される構造を有する2価のアラルキレン基で
あり、かつ、R51およびR52の少なくとも一方が、
上記式(2)または(3)であることが好ましい。
を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
は、以下のような方法で合成される。
物は、例えば以下に示すように、ナフタレンテトラカル
ボン酸無水物(16)と2種類の1級アミンを、通常の
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を合成する
方法により反応させて得ることができる。
に供給してもよいし、段階的に反応系に供給して、モノ
イミドを経てジイミドを生成させてもよい。溶媒として
は、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N
−メチルピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒を用い
るのが好ましく、反応温度は溶媒の沸点とするのが好ま
しい。そして、得られたナフタレンテトラカルボン酸ジ
イミド化合物の3種混合物の中より目的化合物を再結晶
やカラムクロマトで精製し、非対称の化合物(17)を
得ることができる。
(1)中のR12と、X171は上記式(1)中のX
11と、Wは上記式(1)中のR11と同義である。
チレン基の場合は、ある程度反応がうまくいき、目的化
合物の収率が高くなる一方、上記Wが上記式(2)ある
いは(3)で示される構造のアクリル基やメタクリル基
の場合は、反応が複雑になり、目的化合物の収率は低く
なる。
のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を得るに
は、以下の製造方法が好ましい。
や、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのアル
コキシ基や、水酸基などの場合は、通常のジイミド化の
反応収率はある程度よく、特に活性基のハロゲン原子お
よび水酸基の場合は、触媒としてイミダゾールを介在さ
せて反応を行うとさらに高収率となり好ましい。その際
のイミダゾールの量は、ナフタレンテトラカルボン酸無
水物に対して0.03〜50質量%が好ましく、さらに
は、0.05〜10質量%がより好ましい。
化あるいはメタクリル化が比較的容易に高収率でできる
ため、この反応ルートを選択することが好ましい。
アクリル酸あるいはメタクリル酸のナトリウムまたはカ
リウム塩と、テトラブチルアンモニウムブロマイドなど
の相関移動触媒存在下で、適当な溶媒に溶解し、室温か
ら溶媒の沸点までの温度内でアクリル化あるいはメタク
リル化を行うことができる。その際の溶媒としては、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチ
ルピロリドンなどの非プロトン性極性溶媒を用いるのが
好ましい。
キシ塩化リン、チオニルクロライド、チオニルブロマイ
ド、5塩化リンあるいは5臭化リンなどにより上記Wを
塩素原子あるいは臭素原子に代え、前述と同様にアクリ
ル化およびメタクリル化反応を行うことができる。
酸、メタクリル酸あるいはアクリル酸エステル、メタク
リル酸エステルあるいはアクリル酸クロライド、メタク
リル酸クロライドなどのいずれかと既知の方法により、
容易にアクリル化およびメタクリル化反応を行うことが
できる。
スチレン基を2つ有する上記式(5)で示される構造を
有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物も、
基本的に上記式(1)で示される構造を有するナフタレ
ンテトラカルボン酸ジイミド化合物の合成法を適用すれ
ばよい。
を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の
具体例を以下の表1に示す。ただし、本発明のナフタレ
ンテトラカルボン酸ジイミド化合物は、これらに限定さ
れるわけではない。
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を重合し
た本発明の重合体について説明する。
で示される繰り返し構造単位、上記式(8)で示される
繰り返し構造単位および上記式(9)で示される繰り返
し構造単位からなる群より選択される少なくとも1つの
繰り返し構造単位を有する重合体である。
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
を機知の方法で重合することができる。例えば、テトラ
ヒドロフランなどの有機溶媒に溶解後、さらに既知の重
合開始剤などを加え、加熱し重合反応を行う。反応終了
後、反応液をアルコール系溶剤のような貧溶媒にあけ、
析出した重合物を濾集する。その後、再沈工程を繰り返
し目的の重合物を得ることができる。
ン、アクリロニトリル、イソプレン、アクリル酸エステ
ルおよびメタクリル酸エステルなどの他のモノマーをさ
らに加えて重合し、共重合体を得てもよい。添加量は任
意であってもかまわないが、上記式(1)で示される構
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
に対して1〜30モル%程度が好ましい。添加量が30
モル%を超えると、重合物の電子輸送能が低下する場合
がある。
000〜200000であることが好ましい。
上記式(7)および(8)で示される繰り返し構造単位
を有するものが好ましく、さらには、上記式(7)およ
び(8)で示される繰り返し構造単位を有するものであ
って、かつ、上記式(7)および(8)中のX71およ
びX81が、置換基を有してもよい炭素数1〜10の2
価のアルキレン基、置換基を有してもよい2価のフェニ
レン基および置換基を有してもよい上記式(6)で示さ
れる構造を有する2価のアラルキレン基である場合がよ
り好ましい。さらには、上記式(7)および(8)中の
R72およびR 82が、置換基を有してもよい炭素数1
〜10のアルキル基または置換基を有してもよいフェニ
ル基である場合が特に好ましい。
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物を重合し
た本発明の重合体について説明する。
0)で示される繰り返し構造単位、上記式(11)で示
される繰り返し構造単位、上記式(12)で示される繰
り返し構造単位、上記式(13)で示される繰り返し構
造単位、上記式(14)で示される繰り返し構造単位、
および、上記式(15)で示される繰り返し構造単位か
らなる群より選択される少なくとも1つの繰り返し構造
単位を有する重合体である。
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
を機知の方法で重合することで得られる。例えば、上記
式(1)で示される構造を有するナフタレンテトラカル
ボン酸ジイミド化合物を溶液で重合したのと同様に有機
溶媒に溶解後、既知の重合開始剤などを加え、加熱し重
合反応を行うと重合物が得られる。
重合物となるため、一般の溶媒への溶解性が悪く、この
重合物を成膜して有機電子デバイスに使用するには制限
が生じてしまう。
物を適当な溶媒に溶解した液を塗布後、加熱、紫外線照
射あるいは電子線照射などの処理を行い重合硬化し、成
膜された重合物を得る方法が好ましい。この際、必要に
応じて既知の重合開始剤などを加えてもよい。
ら、上記式(10)、(11)および(13)で示され
る繰り返し単位を有するものが好ましく、さらには、上
記式(10)、(11)および(13)で示される繰り
返し構造単位を有するものであって、かつ、上記式(1
0)、(11)および(13)中のX101、
X102、X111、X112、X131およびX
132が、置換基を有してもよい炭素数1〜10の2価
のアルキレン基、置換基を有してもよい2価のフェニレ
ン基および置換基を有してもよい上記式(6)で示され
る構造を有する2価のアラルキレン基である場合がより
好ましい。
はこれら実施例に限定されるものではない。
1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物と50部の
2−メチル−6−エチルアニリンとをジメチルホルムア
ミド中で1時間還流下に加熱し、次いで35部の2−エ
トキシエチルアミンを添加して、ジメチルホルムアミド
中で還流下にてさらに2時間加熱した。冷却後、反応混
合物を濾過し、沈殿をジメチルホルムアミドで洗浄し、
さらにジエチルエーテルで洗浄し、乾燥した。
65部のN−(2−エトキシエチル)−N’−(2−メ
チル−6−エチルフェニル)ナフタレン−1,4,5,
8−テトラカルボン酸ジイミドを得た。
メチルホルムアミド513部にゆっくり滴下した。滴下
終了後、室温で30分間攪拌後、N−(2−エトキシエ
チル)−N’−(2−メチル−6−エチルフェニル)ナ
フタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド
54部をゆっくり添加した。添加終了後、ゆっくり加熱
し、内温が110〜120℃に保ち12時間加熱攪拌を
行った。反応液を冷却後、氷で冷却した10%の酢酸ナ
トリウム水溶液10000部にあけ、析出した結晶を濾
取した。得られた粗結晶を水洗およびメタノールで洗浄
した。
フラン混合溶媒に溶解し、シリカゲルクロマトグラフィ
ーにより精製し、N−(2−クロロエチル)−N’−
(2−メチル−6−エチルフェニル)ナフタレン−1,
4,5,8−テトラカルボン酸ジイミドを51部得た。
その赤外線吸収スペクトルを図1に示す。また、その核
磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)を図2に示す。
メチル−6−エチルフェニル)ナフタレン−1,4,
5,8−テトラカルボン酸ジイミド25部、アクリル酸
カリウム18.5部およびテトラブチルアンモニウムブ
ロマイド0.9部をジメチルホルムアミド300部に加
え、115℃で7時間加熱撹拌を行った。冷却後、氷水
で冷やした2.5%カセイソーダ水溶液700部にあ
け、酢酸エチルで抽出を行った。有機層を飽和食塩水洗
い後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧下で
除去後、残留物にテトラヒドロフラン35部を加え完全
に溶解後n−ヘキサン135部を加え冷却し、結晶を析
出させた。結晶を濾取後、さらにn−ヘキサンで分散洗
浄し粗結晶を45部得た。
カゲルクロマトグラフィーで精製を行い例示化合物N
o.(2)を36部得た。その赤外線吸収スペクトルを
図3に示す。また、その核磁気共鳴スペクトル(1H−
NMR)を図4に示す。
4,5,8−テトラカルボン酸二無水物50部に2−ア
ミノー1−プロパノール66部およびイミダゾール0.
8部を加え、窒素雰囲気下140℃で4時間加熱撹拌を
行った。冷却後、10%塩酸水溶液3000部にあけ析
出した粗結晶を濾取した。粗結晶を10%炭酸カリウム
水溶液で分散洗浄(80℃)を2回行った。さらに、8
0℃で水洗浄を行った。
トグラフィーで精製を行い、N,N’−ジ(2−ヒドロ
キシ−1−メチルエチル)ナフタレン−1,4,5,8
−テトラカルボン酸ジイミドを28部得た。
ルエチル)ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボ
ン酸ジイミド250部、アクリル酸142部および2−
メトキシフェノール0.9部をトルエン650部に加え
溶解後、p−トルエンスルホン酸1水和物2.5部を加
え110℃に加熱し脱水反応を6時間行った。冷却後、
10%苛性ソーダ水溶液にあけ酢酸エチルで抽出を行っ
た。有機層をさらに水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
を行った。溶媒を減圧下で除去後、残留物をシリカゲル
クロマトグラフィーで精製を行い、例示化合物No.
(29)の化合物を210部得た。
−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物と50部
の2−メチル−6−エチルアニリンとをジメチルホルム
アミド中で1時間還流下に加熱し、次いで47部の4−
ビニルアニリンを添加して、ジメチルホルムアミド中で
還流下にてさらに2時間加熱した。冷却後、反応混合物
を濾過し、沈殿をジメチルホルムアミドで洗浄し、さら
にジエチルエーテルで洗浄し、乾燥した。この生成物を
カラムクロマトで精製を行い例示化合物No.(20)
の化合物を58部得た。
素ガスを送りながら例示化合物No.(2) 1部とト
ルエン10部を加えた。これを25℃で撹拌下、AIB
N 0.005部を加えた。引き続き窒素を送りながら
65℃で50時間重合反応を行った。反応終了後、激し
く撹拌した500部のメタノールに反応液を滴下し、析
出した析出物を瀘取した。この析出物を10部のテトラ
ヒドロフランに溶解し、濾過を行ったのち瀘液をメタノ
ール500部に滴下し、重合物を析出させた。析出した
重合物を瀘取後、メタノール500部で分散洗浄し、さ
らに真空乾燥して重合物(P−1)0.89部を得た。
その赤外線吸収スペクトルを図5に示す。また、得られ
たポリマーの分子量をGPC(クロロホルム移動層)に
より測定したところ、そのスチレン換算重量平均分子量
は24000だった。
使用した例示化合物No.(2)に代えて、例示化合物
No.(3)、例示化合物No.(20) 、例示化合
物No.(9) 、例示化合物No.(26) にそれ
ぞれ代えた以外は実施例2−1と同様に反応を行い、重
合物(P−2〜P−5)を得た。得られた重合物の分子
量をGPC(クロロホルム移動層)により測定したとこ
ろ、その重量平均分子量は、(P−2):16300
0、(P−3):78000、(P−4):12800
0、(P−5):52000であった。
使用した例示化合物No.(2)に代えて、例示化合物
No.(22)、例示化合物No.(5)、例示化合物
No.(6)、例示化合物No.(8)を0.9部とメ
タクリル酸メチル0.1部とを使用した以外は実施例2
−1と同様に反応を行い、重合物(P−6〜P−9)を
得た。得られた重合物の分子量をGPC(クロロホルム
移動層)により測定したところ、その重量平均分子量
は、(P−6):99000、(P−7):6100
0、(P−8):94000、(P−9):78000
であった。
1に使用した例示化合物No.(2)に代えて、例示化
合物No.(1)、例示化合物No.(4)を0.9部
とスチレン0.1部とを使用した以外は実施例2−1と
同様に反応を行い、重合物(P−10〜P−11)を得
た。得られた重合物の分子量をGPC(クロロホルム移
動層)により測定したところ、その重量平均分子量は
(P−11):65000、(P−12):42000
であった。
1に使用した例示化合物No.(2)に代えて、例示化
合物No.(10)、例示化合物No.(16)を0.
5部と下記アクリル化合物0.5部とを使用した以外は
実施例2−1と同様に反応を行い、重合物(P−13〜
P14)を得た。得られた重合物の分子量をGPC(ク
ロロホルム移動層)により測定したところ、その重量平
均分子量は、(P−13):55000、(P−1
4):104000であった。
0)、を0.1部と例示化合物No.(2) 0.9部
とを使用した以外は実施例2−1と同様に反応を行い、
重合物((P−15)を得た。得られた重合物の分子量
をGPC(クロロホルム移動層)により測定したとこ
ろ、その重量平均分子量は145000であった (実施例2−15)触媒を過酸化ベンゾイルにした以外
は実施例2−1と同様に反応を行い重合物((P−1
6)を得た。得られたポリマーの分子量をGPC(クロ
ロホルム移動層)により測定したところ、その重量平均
分子量は35000であった。
化合物(29)5部をテトラヒドロフラン5部に溶解し
た溶液をアルミマイラー上にマイヤーバーで塗布し、4
0℃で5分間乾燥後、加速電圧150kV、照射線量5
Mradの条件で電子線を照射し、硬化重合させ10μ
mの膜を形成した。クラックの促進試験として、作製し
た感光体の表面に指油を付着させ、常温常圧下で32時
間放置し、感光層にクラックが生じているか否かを観察
したところ、クラックは全く生じていなかった。さら
に、結晶化の促進試験として作製した感光体の表面に指
油を付着させ、75℃で2週間放置し、重合物などの析
出が生じているかを観察したところ、析出物は全く認め
られなかった。なお、クラックおよび析出物の観察は、
顕微鏡(VERSAMET6390、UNION社製)
で50倍にて行い、クラックおよび析出物の有無を確認
した。
に作製した膜上に、さらに金蒸着を行い、サンドイッチ
構成の移動度測定用シートを作製した。そのシートを既
知の飛行時間法(TOF法)で電界強度が5×105V
/cmにおける電子移動度を測定したところ、5.6×
10−6cm2/V・sであった。
重合物(P−1)5部をテトラヒドロフラン5部に溶解
した溶液をアルミマイラー上にマイヤーバーで塗布後、
110℃で1時間乾燥し、10μmの膜を形成した。上
記実施例3−1と同様にクラックの促進試験および結晶
化の促進試験を行ったが、クラックおよび析出物は全く
認められなかった。
に作製した膜上に、さらに金蒸着を行い、サンドイッチ
構成の移動度測定シートを作製した。そのシートを既知
の飛行時間法(TOF法)で電界強度が5×105V/
cmにおける電子移動度を測定したところ、7.5×1
0−6cm2/V・sであった。
素ガスを送りながら、下記式で示される構造を有する化
合物1部と、
℃で攪拌下、AIBN0.005部を加えた。引き続き
窒素を送りながら、65℃で50時間重合反応を行っ
た。反応終了後、激しく攪拌した500部のメタノール
に反応液を滴下し、析出した析出物を濾取した。この析
出物を50部のテトラヒドロフランに溶解し、濾過を行
った後、濾液を、メタノール500部に滴下し、重合物
を析出させた。析出した重合物を濾取後、メタノール5
00部で分散洗浄し、さらに真空乾燥して重合物(H−
1)0.89部得た。得られた重合物の分子量をGPC
(クロロホルム移動層)により測定したところ、その平
均分子量は35000であった。
ドロフラン5部に溶解した溶液をアルミマイラー上にマ
イヤーバーで塗布後、110℃で1時間乾燥し、10μ
mの膜を形成した。上記実施例3−1と同様にクラック
の促進試験および結晶化の促進試験を行ったところ、ク
ラックは認められなかったが、析出物が数箇所確認され
た。
に作製した膜上に、さらに金蒸着を行い、サンドイッチ
構成の移動度測定シートを作製した。そのシートを既知
の飛行時間法(TOF法)で電界強度が5×105V/
cmにおける電子移動度を測定したところ、2.5×1
0−6cm2/V・sであった。
どの問題を生じず、十分な溶解性や電子輸送能を有する
新規な構造の重合体、および、該重合体を合成すること
ができる新規な構造の1,4,5,8−ナフタレンテト
ラカルボン酸ジイミド化合物、該ナフタレンテトラカル
ボン酸ジイミド化合物の中間体を提供することができ
る。
るN−(2−クロロエチル)−N’−(2−メチル−6
−エチルフェニル)ナフタレン−1,4,5,8−テト
ラカルボン酸ジイミド化合物の赤外線吸収スペクトル図
である。
るN−(2−クロロエチル)−N’−(2−メチル−6
−エチルフェニル)ナフタレン−1,4,5,8−テト
ラカルボン酸ジイミド化合物の1H−NMRスペクトル
図である。
スペクトル図である。
Rスペクトル図である。
トル図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 下記式(1)で示される構造を有するナ
フタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物。 【外1】 (式(1)中、X11は置換基を有してもよくエーテル
基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアル
キレン基(R11もしくはN原子との結合位置に酸素原
子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価のア
リーレン基または置換基を有してもよい2価のアラルキ
レン基のいずれかを示す。R11は下記式(2)、
(3)または(4)のいずれかを示し、 【外2】 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。) - 【請求項2】 下記式(5)で示される構造を有するナ
フタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物。 【外3】 (式(5)中、X51およびX52はそれぞれ置換基を
有してもよくエーテル基で中断されていてもよい炭素数
1〜15の2価のアルキレン基(R51またはR 52も
しくはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。R51およびR52はそれぞれ下記式(2)、
(3)または(4)のいずれかを示す。 【外4】 - 【請求項3】 前記式(1)中のX11が、置換基を有
してもよい炭素数1〜10の2価のアルキレン基、置換
基を有してもよい2価のフェニレン基および置換基を有
してもよい下記式(6)で示される構造を有する2価の
アラルキレン基からなる群より選択され、かつ、前記式
(1)中のR11が、前記式(2)または(3)である
請求項1に記載のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド
化合物。 【外5】 (式(6)中、nは1〜5の整数を示す。) - 【請求項4】 前記式(5)中のX51およびX
52が、置換基を有してもよい炭素数1〜10の2価の
アルキレン基、置換基を有してもよい2価のフェニレン
基および置換基を有してもよい下記式(6)で示される
構造を有する2価のアラルキレン基からなる群より選択
され、かつ、前記式(5)中のR51およびR52の少
なくとも一方が、前記式(2)または(3)である請求
項2に記載のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合
物。 【外6】 (式(6)中、nは1〜5の整数を示す。) - 【請求項5】 下記式(7)で示される繰り返し構造単
位、下記式(8)で示される繰り返し構造単位および下
記式(9)で示される繰り返し構造単位からなる群より
選択される少なくとも1つの繰り返し構造単位を有する
重合体。 【外7】 (式(7)、(8)および(9)中、X71およびX
81は置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(N原子
との結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を
有してもよい2価のアリーレン基および置換基を有して
もよい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。X91
は置換基を有してもよくエーテル基で中断されていても
よい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(N原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基、置換基を有してもよい2
価のアラルキレン基、または、単結合のいずれかを示
す。R72、R82およびR92は置換基を有してもよ
い炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基または置換基を有してもよいアラルキル基の
いずれかを示す。) - 【請求項6】 重量平均分子量が5000〜20000
0である請求項5に記載の重合体。 - 【請求項7】 下記式(10)で示される繰り返し構造
単位、下記式(11)で示される繰り返し構造単位、下
記式(12)で示される繰り返し構造単位、下記式(1
3)で示される繰り返し構造単位、下記式(14)で示
される繰り返し構造単位、および、下記式(15)で示
される繰り返し構造単位からなる群より選択される少な
くとも1つの繰り返し構造単位を有する重合体。 【外8】 【外9】 (式(10)、(11)、(12)、(13)、(1
4)および(15)中、X 101、X102、
X111、X112、X121、X131、X132お
よびX141は、置換基を有してもよくエーテル基で中
断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン
基(N原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基および
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。X122、X142、X151およびX1 52
は、置換基を有してもよくエーテル基で中断されていて
もよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(N原子と
の結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有
してもよい2価のアリーレン基、置換基を有してもよい
2価のアラルキレン基、または、単結合のいずれかを示
す。) - 【請求項8】 下記式(18)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外10】 (式(18)中、X11は置換基を有してもよくエーテ
ル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のア
ルキレン基(OもしくはN原子との結合位置に酸素原子
を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリ
ーレン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレ
ン基のいずれかを示す。R12は置換基を有してもよい
炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよいアラルキル基のい
ずれかを示す。) アクリル酸、アクリル酸クロライドおよびアクリル酸エ
ステルからなる群より選択される少なくとも1つとを反
応させて、下記式(1)で示される構造を有するナフタ
レンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外11】 (式(1)中、X11およびR12は、上記式(18)
中のX11およびR12と同義である。すなわち、X
11は置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(R11
もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。R1 1は下記式(2)を示し、 【外12】 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。)を製造
するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造
方法。 - 【請求項9】 下記式(18)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外13】 (式(18)中、X11は置換基を有してもよくエーテ
ル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のア
ルキレン基(OもしくはN原子との結合位置に酸素原子
を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリ
ーレン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレ
ン基のいずれかを示す。R12は置換基を有してもよい
炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよいア
リール基または置換基を有してもよいアラルキル基のい
ずれかを示す。) メタクリル酸、メタクリル酸クロライドおよびメタクリ
ル酸エステルからなる群より選択される少なくとも1つ
とを反応させて、下記式(1)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外14】 (式(1)中、X11およびR12は、上記式(18)
中のX11およびR12と同義である。すなわち、X
11は置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(R11
もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。R1 1は下記式(3)を示し、 【外15】 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。)を製造
するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造
方法。 - 【請求項10】 下記式(19)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外16】 (式(19)中、X51およびX52はそれぞれ置換基
を有してもよくエーテル基で中断されていてもよい炭素
数1〜15の2価のアルキレン基(OもしくはN原子と
の結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有
してもよい2価のアリーレン基または置換基を有しても
よい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。) アクリル酸、アクリル酸クロライドおよびアクリル酸エ
ステルからなる群より選択される少なくとも1つとを反
応させて、下記式(1)で示される構造を有するナフタ
レンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外17】 (式(5)中、X51およびX52は、上記式(19)
中のX51およびX52と同義である。すなわち、X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(R5 1またはR52もしくはN原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよ
い2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R51およ
びR52はそれぞれ下記式(2)を示す。 【外18】 を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
の製造方法。 - 【請求項11】 下記式(19)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外19】 (式(19)中、X51およびX52はそれぞれ置換基
を有してもよくエーテル基で中断されていてもよい炭素
数1〜15の2価のアルキレン基(OもしくはN原子と
の結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有
してもよい2価のアリーレン基または置換基を有しても
よい2価のアラルキレン基のいずれかを示す。) メタクリル酸、メタクリル酸クロライドおよびメタクリ
ル酸エステルからなる群より選択される少なくとも1つ
とを反応させて、下記式(1)で示される構造を有する
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外20】 (式(5)中、X51およびX52は、上記式(19)
中のX51およびX52と同義である。すなわち、X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(R5 1またはR52もしくはN原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよ
い2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R51およ
びR52はそれぞれ下記式(3)を示す。 【外21】 を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
の製造方法。 - 【請求項12】 下記式(20)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外22】 (式(18)中、Y201は塩素原子または臭素原子を
示す。X11は置換基を有してもよくエーテル基で中断
されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基
(Y201もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R12は置換基を有してもよい炭素
数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよいアリー
ル基または置換基を有してもよいアラルキル基のいずれ
かを示す。) アクリル酸ナトリウムおよびアクリル酸カリウムの少な
くとも一方とを反応させて、下記式(1)で示される構
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外23】 (式(1)中、X11およびR12は、上記式(20)
中のX11およびR12と同義である。すなわち、X
11は置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(R11
もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。R1 1は下記式(2)を示し、 【外24】 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。)を製造
するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造
方法。 - 【請求項13】 下記式(20)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外25】 (式(20)中、Y201は塩素原子または臭素原子を
示す。X11は置換基を有してもよくエーテル基で中断
されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基
(Y201もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介
在してもよい)、置換基を有してもよい2価のアリーレ
ン基または置換基を有してもよい2価のアラルキレン基
のいずれかを示す。R12は置換基を有してもよい炭素
数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよいアリー
ル基または置換基を有してもよいアラルキル基のいずれ
かを示す。) メタクリル酸ナトリウムおよびメタクリル酸カリウムの
少なくとも一方とを反応させて、下記式(1)で示され
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物 【外26】 (式(1)中、X11およびR12は、上記式(20)
中のX11およびR12と同義である。すなわち、X
11は置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(R11
もしくはN原子との結合位置に酸素原子を介在してもよ
い)、置換基を有してもよい2価のアリーレン基または
置換基を有してもよい2価のアラルキレン基のいずれか
を示す。R1 1は下記式(3)を示し、 【外27】 R12は置換基を有してもよい炭素数1〜15のアルキ
ル基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を
有してもよいアラルキル基のいずれかを示す。)を製造
するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物の製造
方法。 - 【請求項14】 下記式(21)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外28】 (式(21)中、Y211およびY212はそれぞれ塩
素原子または臭素原子を示す。X51およびX52はそ
れぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(Y
211またはY212もしくはN原子との結合位置に酸
素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価
のアリーレン基または置換基を有してもよい2価のアラ
ルキレン基のいずれかを示す。) アクリル酸ナトリウムおよびアクリル酸カリウムの少な
くとも一方とを反応させて、下記式(1)で示される構
造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物 【外29】 (式(5)中、X51およびX52は、上記式(21)
中のX51およびX52と同義である。すなわち、X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(R5 1またはR52もしくはN原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよ
い2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R51およ
びR52はそれぞれ下記式(2)を示す。 【外30】 を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
の製造方法。 - 【請求項15】 下記式(21)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物と、 【外31】 (式(21)中、Y211およびY212はそれぞれ塩
素原子または臭素原子を示す。X51およびX52はそ
れぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断されてい
てもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基(Y
211またはY212もしくはN原子との結合位置に酸
素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価
のアリーレン基または置換基を有してもよい2価のアラ
ルキレン基のいずれかを示す。) メタクリル酸ナトリウムおよびメタクリル酸カリウムの
少なくとも一方とを反応させて、下記式(1)で示され
る構造を有するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化
合物 【外32】 (式(5)中、X51およびX52は、上記式(21)
中のX51およびX52と同義である。すなわち、X
51およびX52はそれぞれ置換基を有してもよくエー
テル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価の
アルキレン基(R5 1またはR52もしくはN原子との
結合位置に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有し
てもよい2価のアリーレン基または置換基を有してもよ
い2価のアラルキレン基のいずれかを示す。R51およ
びR52はそれぞれ下記式(3)を示す。 【外33】 を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
の製造方法。 - 【請求項16】 触媒としてのイミダゾール存在下で、
下記式(17)で示される構造を有するナフタレンテト
ラカルボン酸無水物と、 【外34】 下記式(22)で示される構造を有する一級アミンと 【外35】 (式(22)中、Y221は水酸基、塩素原子または臭
素原子を示す。X221は置換基を有してもよくエーテ
ル基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のア
ルキレン基(Y231もしくはN原子との結合位置に酸
素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価
のアリーレン基または置換基を有してもよい2価のアラ
ルキレン基のいずれかを示す。)を反応させて、下記式
(23)で示される構造を有するナフタレンテトラカル
ボン酸ジイミド化合物、および、 【外36】 (式(23)中、Y231は水酸基、塩素原子または臭
素原子を示す。X11は置換基を有してもよくエーテル
基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアル
キレン基(Y231もしくはN原子との結合位置に酸素
原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価の
アリーレン基または置換基を有してもよい2価のアラル
キレン基のいずれかを示す。R12は置換基を有しても
よい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基または置換基を有してもよいアラルキル基
のいずれかを示す。) 下記式(24)で示される構造を有するナフタレンテト
ラカルボン酸ジイミド化合物 【外37】 (式(24)中、Y241およびY242はそれぞれ水
酸基、塩素原子または臭素原子を示す。X51およびX
52はそれぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断
されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基
(Y241またはY242もしくはN原子との結合位置
に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい
2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価の
アラルキレン基のいずれかを示す。)の少なくとも一方
を製造するナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物
の製造方法。 - 【請求項17】 下記式(23)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物。 【外38】 (式(23)中、Y231は水酸基、塩素原子または臭
素原子を示す。X11は置換基を有してもよくエーテル
基で中断されていてもよい炭素数1〜15の2価のアル
キレン基(Y231もしくはN原子との結合位置に酸素
原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい2価の
アリーレン基または置換基を有してもよい2価のアラル
キレン基のいずれかを示す。R12は置換基を有しても
よい炭素数1〜15のアルキル基、置換基を有してもよ
いアリール基または置換基を有してもよいアラルキル基
のいずれかを示す。) - 【請求項18】 下記式(24)で示される構造を有す
るナフタレンテトラカルボン酸ジイミド化合物。 【外39】 (式(24)中、Y241およびY242はそれぞれ水
酸基、塩素原子または臭素原子を示す。X51およびX
52はそれぞれ置換基を有してもよくエーテル基で中断
されていてもよい炭素数1〜15の2価のアルキレン基
(Y241またはY242もしくはN原子との結合位置
に酸素原子を介在してもよい)、置換基を有してもよい
2価のアリーレン基または置換基を有してもよい2価の
アラルキレン基のいずれかを示す。)
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JP (1) | JP4078113B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005154409A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-06-16 | Mitsui Chemicals Inc | 新規なナフタレンカルボン酸誘導体、および該化合物を用いた電子写真感光体、電子写真装置 |
WO2005066718A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
WO2007024522A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Condensation polymer photoconductive elements |
KR100739683B1 (ko) * | 2004-04-09 | 2007-07-13 | 삼성전자주식회사 | 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드 유도체를 포함한유기감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치 |
JPWO2005092901A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-02-14 | 三井化学株式会社 | 新規化合物、および該化合物を用いた有機エレクトロニクス素子 |
WO2008051552A2 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-02 | Northwestern University | Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
US7371493B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge transport materials having a 1,3,6,8-tetraoxo-1,3,6,8-tetrahydrobenzo[lmn][3,8]phenanthroline-2,7-diyl group |
US7371492B2 (en) | 2005-07-28 | 2008-05-13 | Eastman Kodak Company | Vinyl polymer photoconductive elements |
JP2008250082A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Canon Inc | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
US7569693B2 (en) | 2006-06-12 | 2009-08-04 | Northwestern University | Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
US7579127B2 (en) | 2006-06-15 | 2009-08-25 | Eastman Kodak Company | Blocked polyisocyanates incorporating planar electron-deficient tetracobonylbisimide moieties |
CN100535768C (zh) * | 2005-06-13 | 2009-09-02 | 三星电子株式会社 | 电子照相感光体以及使用该感光体的电子照相成像设备 |
US7671202B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-03-02 | Northwestern University | Perylene n-type semiconductors and related devices |
US7776500B2 (en) | 2006-06-15 | 2010-08-17 | Eastman Kodak Company | Monomeric glass mixtures incorporating tetracarbonylbisimide group |
US7893265B2 (en) | 2007-01-08 | 2011-02-22 | Polyera Corporation | Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same |
US7902363B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-03-08 | Polyera Corporation | Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same |
US7964328B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-06-21 | Eastman Kodak Company | Condensation polymer photoconductive elements |
US8022214B2 (en) | 2007-01-24 | 2011-09-20 | Polyera Corporation | Organic semiconductor materials and precursors thereof |
JP2017178815A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体及び電子写真感光体 |
WO2024143485A1 (ja) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | 三菱ケミカル株式会社 | 化合物、組成物及び電子写真感光体 |
-
2002
- 2002-05-10 JP JP2002135614A patent/JP4078113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4547201B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2010-09-22 | 三井化学株式会社 | 新規なナフタレンカルボン酸誘導体、および該化合物を用いた電子写真感光体、電子写真装置 |
JP2005154409A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-06-16 | Mitsui Chemicals Inc | 新規なナフタレンカルボン酸誘導体、および該化合物を用いた電子写真感光体、電子写真装置 |
WO2005066718A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
US7129012B2 (en) | 2003-12-26 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US7982039B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-07-19 | Northwestern University | N-type semiconductors and related devices |
US7671202B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-03-02 | Northwestern University | Perylene n-type semiconductors and related devices |
JPWO2005092901A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-02-14 | 三井化学株式会社 | 新規化合物、および該化合物を用いた有機エレクトロニクス素子 |
JP4627528B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2011-02-09 | 三井化学株式会社 | 新規化合物、および該化合物を用いた有機エレクトロニクス素子 |
KR100739683B1 (ko) * | 2004-04-09 | 2007-07-13 | 삼성전자주식회사 | 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드 유도체를 포함한유기감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치 |
CN100394309C (zh) * | 2004-04-09 | 2008-06-11 | 三星电子株式会社 | 含萘四羧酸二酰亚胺衍生物的电子照相感光体及其电子照相成像设备 |
US7396624B2 (en) | 2004-04-09 | 2008-07-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor containing naphthalenetetracarboxylic acid diimide derivatives and electrophotographic imaging apparatus employing the same |
US7371493B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge transport materials having a 1,3,6,8-tetraoxo-1,3,6,8-tetrahydrobenzo[lmn][3,8]phenanthroline-2,7-diyl group |
CN100535768C (zh) * | 2005-06-13 | 2009-09-02 | 三星电子株式会社 | 电子照相感光体以及使用该感光体的电子照相成像设备 |
US7371492B2 (en) | 2005-07-28 | 2008-05-13 | Eastman Kodak Company | Vinyl polymer photoconductive elements |
JP2009505156A (ja) * | 2005-08-19 | 2009-02-05 | イーストマン コダック カンパニー | 縮合ポリマー光導電素子 |
WO2007024522A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Condensation polymer photoconductive elements |
US7569693B2 (en) | 2006-06-12 | 2009-08-04 | Northwestern University | Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
US7579127B2 (en) | 2006-06-15 | 2009-08-25 | Eastman Kodak Company | Blocked polyisocyanates incorporating planar electron-deficient tetracobonylbisimide moieties |
US7776500B2 (en) | 2006-06-15 | 2010-08-17 | Eastman Kodak Company | Monomeric glass mixtures incorporating tetracarbonylbisimide group |
WO2008051552A3 (en) * | 2006-10-25 | 2009-03-19 | Univ Northwestern | Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
US7947837B2 (en) | 2006-10-25 | 2011-05-24 | Polyera Corporation | Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
WO2008051552A2 (en) * | 2006-10-25 | 2008-05-02 | Northwestern University | Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof |
US7902363B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-03-08 | Polyera Corporation | Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same |
US7893265B2 (en) | 2007-01-08 | 2011-02-22 | Polyera Corporation | Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same |
US8022214B2 (en) | 2007-01-24 | 2011-09-20 | Polyera Corporation | Organic semiconductor materials and precursors thereof |
JP2008250082A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Canon Inc | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
US7964328B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-06-21 | Eastman Kodak Company | Condensation polymer photoconductive elements |
JP2017178815A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | ナフタレンテトラカルボジイミド誘導体及び電子写真感光体 |
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