JP2017122608A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017122608A JP2017122608A JP2016000698A JP2016000698A JP2017122608A JP 2017122608 A JP2017122608 A JP 2017122608A JP 2016000698 A JP2016000698 A JP 2016000698A JP 2016000698 A JP2016000698 A JP 2016000698A JP 2017122608 A JP2017122608 A JP 2017122608A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defective chip
- chip
- defective
- defect inspection
- suction nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【課題】複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制させ、欠陥チップの除去速度も高速化することができる欠陥検査装置を提供する。【解決手段】半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを除去する欠陥検査装置であって、粘着シート上の半導体チップをエクスパンドして保持するための保持手段と、前記半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを検出するための欠陥チップ検出手段と、該欠陥チップ検出手段によって検出した前記欠陥チップを除去するための欠陥チップ除去手段とを有し、前記欠陥チップ除去手段は、前記欠陥チップを吸い込んで回収するための吸引ノズルを有し、前記粘着シート上の前記欠陥チップを吸い込んで前記吸引ノズル内に直接回収可能なものであることを特徴とする欠陥検査装置。【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体チップの欠陥を検査し不良チップを除去する欠陥検査装置に関する。
発光ダイオード等の半導体デバイスには製造過程で様々な不良が発生する。これらの不良品を取り除くために、自動欠陥検査装置等によって半導体チップの欠陥の検査を行っている。具体的には、ダイシングにより個片化された後、キャリアテープ(粘着テープ)等に貼られた半導体チップに対して、自動欠陥検査装置等によって検査を行い、欠陥が検出された不良品(欠陥チップ)を取り除いている(特許文献1)。
ここで、従来の欠陥検査装置において欠陥チップを回収する際に一般的に用いられている方法について図3及び図4に示した。
図3に示す方式では、まず、粘着シート101に貼り付けられた欠陥チップ102の上部に配置した吸着ノズル103を降下させ、吸着ノズル103による欠陥チップ102の吸着をONにする(工程1)。吸着ノズル103の上昇と同時に、欠陥チップ102の下部に備えられた突き上げニードル104を上昇させる(工程2)。欠陥チップ102を挟み込んだ状態でリフトさせ、吸着ノズル103に欠陥チップ102を吸着させつつ、ある高さになった段階で下部の突き上げニードル104を下降させ、欠陥チップ102を粘着シート101から離す(工程3)。そして、この吸着ノズル103に欠陥チップ102を吸着させた状態で、別途備えられた廃棄BOX105a等へ吸着ノズル103を移動させ、吸着ノズル103による吸着をOFFにして欠陥チップ102を廃棄する(工程4a)。
また、図4に示す方式では、工程1から工程3までを上記の図3に示す方式と同様に行った後に、一方からエアーを流し、もう一方から吸引して気流が作られた廃棄BOX105b内に、欠陥チップ102を吸着した状態の吸着ノズル103を収納し、吸着ノズル103の吸着をOFFにして、欠陥チップ102を上記の廃棄BOX105b内の気流に乗せて廃棄する(工程4b)。
これらの方式では上部の吸着ノズル103と下部の突き上げニードル104の移動開始のタイミングを同期させた上で、移動速度を合せ込む必要があるが、同期のタイミングが合わなかったり、移動速度の合せ込みが不十分な場合、例えば、図5や図6に示すような不具合が起こる場合があった。
例えば、図5に示すように吸着ノズル103を上昇させる速度が速い場合、吸着ノズル103で欠陥チップ102を吸着しきれず落下したり、図6に示すように突き上げニードル104を上昇させる速度が速い場合、突き上げニードル104が欠陥チップ102を破壊してしまう場合があった。
このような不具合が生じた場合、装置内や良品の残るキャリアテープ内に欠陥チップ102が散乱してしまう。そのため、自動検査終了後にコストの掛かる目視検査等で除去ミスの確認作業を行う必要があった。更に、欠陥チップ102が装置内部にも散乱し、駆動系の軸等に絡まり、メカ精度を悪化させたり、故障の原因等にもつながる。その他にも、除去速度を高速化する場合、従来の除去方式では複雑な装置調整や動作ステップの多さから非常に手間の掛かる調整が必要であった。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制させ、欠陥チップの除去速度も高速化することができる欠陥検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを除去する欠陥検査装置であって、
粘着シート上の半導体チップをエクスパンドして保持するための保持手段と、前記半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを検出するための欠陥チップ検出手段と、該欠陥チップ検出手段によって検出した前記欠陥チップを除去するための欠陥チップ除去手段とを有し、
前記欠陥チップ除去手段は、前記欠陥チップを吸い込んで回収するための吸引ノズルを有し、前記粘着シート上の前記欠陥チップを吸い込んで前記吸引ノズル内に直接回収可能なものであることを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
粘着シート上の半導体チップをエクスパンドして保持するための保持手段と、前記半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを検出するための欠陥チップ検出手段と、該欠陥チップ検出手段によって検出した前記欠陥チップを除去するための欠陥チップ除去手段とを有し、
前記欠陥チップ除去手段は、前記欠陥チップを吸い込んで回収するための吸引ノズルを有し、前記粘着シート上の前記欠陥チップを吸い込んで前記吸引ノズル内に直接回収可能なものであることを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
このようなものであれば、欠陥検査装置における欠陥チップ除去手段のメカ構成を簡素化することができるので、複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制でき、除去速度も高速化することができる。
このとき、前記粘着シートは、紫外線を照射されると粘着力が低下するUVテープであることが好ましい。
このようなものであれば、欠陥チップを吸引ノズルで吸引する際、紫外線照射により粘着シートの吸着力を弱めておくことで容易に粘着シートから剥がして確実に吸引ノズル内に吸引することができる。
またこのとき、前記欠陥チップ除去手段は、前記吸引ノズルで吸い込んで回収する前記欠陥チップを前記粘着シートの裏側から突き上げるための突き上げニードルをさらに有するものであることが好ましい。
このようなものであれば、欠陥チップをより確実に回収することができる。
本発明の欠陥検査装置であれば、欠陥検査装置における欠陥チップ除去手段のメカ構成を簡素化することができるので、複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制でき、除去速度も高速化することができる。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、従来の欠陥検査装置では欠陥チップを回収する際に、吸着ノズルと突き上げニードルの移動開始のタイミングが合わなかったり、移動速度の合せ込みが不十分な場合、吸着ノズルで吸着しきれず落下したり、突き上げニードルにて欠陥チップを破壊してしまい、装置内や、良品の残るキャリアテープ内に散乱してしまう場合があった。そのため、自動検査終了後にコストの掛かる目視検査等で除去ミスの確認作業を行っていた。また、欠陥チップが装置内部にも散乱し、駆動系の軸等に絡まり、メカ精度を悪化させたり、故障の原因等にもつながっていた。また、欠陥チップの除去速度を高速化する場合、複雑な装置調整や動作ステップの多さから非常に手間の掛かる調整が必要であった。
上記したように、従来の欠陥検査装置では欠陥チップを回収する際に、吸着ノズルと突き上げニードルの移動開始のタイミングが合わなかったり、移動速度の合せ込みが不十分な場合、吸着ノズルで吸着しきれず落下したり、突き上げニードルにて欠陥チップを破壊してしまい、装置内や、良品の残るキャリアテープ内に散乱してしまう場合があった。そのため、自動検査終了後にコストの掛かる目視検査等で除去ミスの確認作業を行っていた。また、欠陥チップが装置内部にも散乱し、駆動系の軸等に絡まり、メカ精度を悪化させたり、故障の原因等にもつながっていた。また、欠陥チップの除去速度を高速化する場合、複雑な装置調整や動作ステップの多さから非常に手間の掛かる調整が必要であった。
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、欠陥チップ除去手段が、欠陥チップを吸い込んで回収するための吸引ノズルを有し、粘着シート上の欠陥チップを吸い込んで吸引ノズル内に直接回収可能なものであれば、欠陥検査装置における欠陥チップ除去手段のメカ構成を簡素化、低コスト化、欠陥チップの除去ミスの発生の抑制、除去速度の高速化が可能になることに想到し、本発明を完成させた。
以下、図面を参照して本発明を説明する。図1は、本発明の欠陥検査装置の一例を示した概略図である。複数の半導体チップの中に欠陥チップが存在する例を挙げた。図1に示すように、本発明の欠陥検査装置1は、粘着シート2上の半導体チップ3をエクスパンドして保持するための保持手段4と、半導体チップ3の欠陥を検査して欠陥チップ5を検出するための欠陥チップ検出手段6と、該欠陥チップ検出手段6によって検出した欠陥チップ5を除去するための欠陥チップ除去手段7を有している。
欠陥チップ除去手段7は、欠陥チップ5を吸い込んで回収するための吸引ノズル8を有し、粘着シート2上の欠陥チップ5を吸い込んで吸引ノズル8内に直接回収可能なものである。
欠陥チップ除去手段7は、吸引ノズル8で吸い込んで回収する欠陥チップ5を粘着シート2の裏側から突き上げるための突き上げニードル9をさらに有するものであることが好ましい。このようなものであれば、欠陥チップ5をより確実に回収することができる。
さらに、突き上げニードル9で粘着シート2の裏側から欠陥チップ5を突き上げる際に、粘着シート2を裏面から保持するための吸着部17を設けることができる。例えば、ポンプ(不図示)に接続され、円筒形状の吸着部17内に突き上げニードル9を配置することができる。そして、突き上げニードル9で粘着シート2の裏側から欠陥チップ5を突き上げる際に、吸着部17で真空吸着して、粘着シート2を裏面から保持することができる。このようなものであれば、粘着シート2の撓みの影響を小さくすることができるので、突き上げニードル9による欠陥チップ5の突き上げを精度よく行うことができる。
図2は、欠陥検査装置において欠陥チップを回収する様子を示した説明図である。図2に示すように、吸引ノズル8にはポンプ21が接続されており、これによって粘着シート2上の欠陥チップ5を吸い込んで吸引ノズル8内に直接回収することができる。吸引ノズル8内に回収された欠陥チップ5は、吸引ノズル8と吸引用のポンプ21との間にある回収BOX22に回収することができる。
吸引ノズル8は、欠陥チップ検出手段6によって欠陥チップ5を検出する時には、半導体チップ3上から退避できるようになっている。
粘着シート2は欠陥チップ5を確実に吸引できるように比較的粘着力の低いものを使用することが好ましい。また特には、粘着シート2は、紫外線を照射されると粘着力が低下するUVテープを使用することが好ましい。このようなものであれば、欠陥チップ5を吸引ノズル8で吸引する際、紫外線を照射することで粘着力を弱めておくことができ、欠陥チップ5を粘着シート2から容易に剥がすことができるので、より確実に吸引ノズル8内に吸引することができる。
また、保持手段4としてはグリップリングやダイシングリングを用いることができる。これらのリングは、一般的に常用されているため準備に係るコストが安価であり、また扱いやすく、保持手段4として好適である。
また、保持手段4は、xy平面のうちx方向またはy方向のいずれか一方向に平行移動させる保持手段移動手段(X−Yステージ10)とを備えるものが好ましい。そして、X−Yステージ10は、保持手段4を真空でチャックする機構、または機械的に押さえる機構とすることが望ましい。X−Yステージ10の駆動の制御は、例えばパーソナルコンピュータ15で行うことができる。
欠陥チップ検出手段6は、例えば、少なくとも照明と画像カメラ11からなるものを用いることが好ましい。照明には、例えば、同軸照明12や不図示のリング照明等を用いることができる。同軸照明12の光は、ハーフミラー13、レンズ14を介して、半導体チップ3に照射することができる。そして、例えば、パーソナルコンピュータ15を用いて、検査対象の半導体チップ3からの反射光を画像カメラ11で撮像した画像の画像処理を行い、この結果に基づいて、半導体チップ3の欠陥の判定を行うことができる。
また、欠陥チップ検出手段6は画像カメラ11で撮像された画像や、パーソナルコンピュータ15で画像処理された画像を表示するモニター16を有することができる。
なお、検査対象となる半導体チップ3は特に限定されず、例えばGaAs、AlGaAs、AlGaInP、InGaP、GaP、GaAsPなどの化合物半導体から形成される貼り合わせウェーハにAu系p型及びn型のオーミック電極を形成し、任意のサイズに個片化(チップ化)した発光ダイオードチップとすることができる。
このような本発明の欠陥検査装置であれば、従来の欠陥検査装置における欠陥チップを吸着して持ち上げる除去動作のステップを省略することができるので、複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制させることができ、さらに除去速度も高速化することができる。また、メカ構成を簡素化することができるので装置の製作費を抑制することができる。
上記のような、本発明の欠陥検査装置を用いた、欠陥チップの除去方法の一例を以下に簡単に説明するが、本発明はこれに限定されない。
まず、図1に示すように、保持手段4で、粘着シート2上の検査対象となる半導体チップ3をエクスパンドして保持する。次に、欠陥チップ検出手段6によって、半導体チップ3の欠陥を検査して欠陥チップ5を検出する。そして、欠陥チップ除去手段7で、欠陥チップ検出手段6によって検出した欠陥チップ5を除去する。このとき、欠陥チップ除去手段7の吸引ノズル8を用い、粘着シート2上の欠陥チップ5を吸い込んで吸引ノズル8内に直接回収し、さらには、図2に示すように回収BOX22へ回収する。
このような欠陥チップの除去方法であれば、欠陥検査装置における欠陥チップ除去手段のメカ構成を簡素化することができるので、複雑な装置調整を必要とせず低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制でき、除去速度も高速化することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
図1に示すような本発明の欠陥検査装置にてAlGaInPやGaPから構成される5種類(サンプル1〜5)の発光ダイオードの欠陥検査及び欠陥チップの除去を行った。
図1に示すような本発明の欠陥検査装置にてAlGaInPやGaPから構成される5種類(サンプル1〜5)の発光ダイオードの欠陥検査及び欠陥チップの除去を行った。
予め不良品の欠陥チップをそれぞれ100個用意し、検査及び除去を行い、回収できた欠陥チップの個数をカウントした。このときの結果を下記の表1に示した。なお表1には、後述する比較例の結果も併せて記した。
(比較例)
従来の欠陥検査装置を用いて、図3に示すような方法で欠陥チップの回収を行ったこと以外は実施例と同様にして発光ダイオードの欠陥検査及び欠陥チップの除去を行った。
従来の欠陥検査装置を用いて、図3に示すような方法で欠陥チップの回収を行ったこと以外は実施例と同様にして発光ダイオードの欠陥検査及び欠陥チップの除去を行った。
その結果、表1に示したように、実施例では、欠陥チップを100%回収することができたのに対し、比較例における欠陥チップの回収率の平均は83%であった。
このように本発明の欠陥検査装置では、従来の欠陥検査装置における欠陥チップを吸着して持ち上げる除去動作のステップを省略することができるので、複雑な装置調整を必要としないため低コストで、欠陥チップの除去ミスの発生を抑制することができた。さらに、実施例における欠陥チップの除去速度は、比較例に比べて早かった。
また、実施例の欠陥検査装置では、比較例の欠陥装置に比べてメカ構成を簡素化することができたので、装置の製作費を抑制することができた。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…欠陥検査装置、 2…粘着シート、 3…半導体チップ、 4…保持手段、
5…欠陥チップ、 6…欠陥チップ検出手段、 7…欠陥チップ除去手段、
8…吸引ノズル、 9…突き上げニードル、 10…X−Yステージ、
11…画像カメラ、 12…同軸照明、 13…ハーフミラー、 14…レンズ、
15…パーソナルコンピュータ、 16…モニター、 17…吸着部、
21…ポンプ、 22…回収BOX。
5…欠陥チップ、 6…欠陥チップ検出手段、 7…欠陥チップ除去手段、
8…吸引ノズル、 9…突き上げニードル、 10…X−Yステージ、
11…画像カメラ、 12…同軸照明、 13…ハーフミラー、 14…レンズ、
15…パーソナルコンピュータ、 16…モニター、 17…吸着部、
21…ポンプ、 22…回収BOX。
Claims (3)
- 半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを除去する欠陥検査装置であって、
粘着シート上の半導体チップをエクスパンドして保持するための保持手段と、前記半導体チップの欠陥を検査して欠陥チップを検出するための欠陥チップ検出手段と、該欠陥チップ検出手段によって検出した前記欠陥チップを除去するための欠陥チップ除去手段とを有し、
前記欠陥チップ除去手段は、前記欠陥チップを吸い込んで回収するための吸引ノズルを有し、前記粘着シート上の前記欠陥チップを吸い込んで前記吸引ノズル内に直接回収可能なものであることを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記粘着シートは、紫外線を照射されると粘着力が低下するUVテープであることを特徴とする請求項1に記載の欠陥検査装置。
- 前記欠陥チップ除去手段は、前記吸引ノズルで吸い込んで回収する前記欠陥チップを前記粘着シートの裏側から突き上げるための突き上げニードルをさらに有するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016000698A JP2017122608A (ja) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 欠陥検査装置 |
PCT/JP2016/005101 WO2017119028A1 (ja) | 2016-01-05 | 2016-12-12 | 欠陥検査装置 |
TW105141497A TW201725390A (zh) | 2016-01-05 | 2016-12-15 | 缺陷檢查裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016000698A JP2017122608A (ja) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017122608A true JP2017122608A (ja) | 2017-07-13 |
Family
ID=59274504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016000698A Pending JP2017122608A (ja) | 2016-01-05 | 2016-01-05 | 欠陥検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017122608A (ja) |
TW (1) | TW201725390A (ja) |
WO (1) | WO2017119028A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110459498A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-15 | 錼创显示科技股份有限公司 | 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 |
CN110491795A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 |
CN111146129A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
CN111162034A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
WO2021196310A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的修复装置 |
US11355402B2 (en) | 2019-08-14 | 2022-06-07 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Adhesion device, micro device optical inspection and repairing equipment and optical inspection and repairing method |
US11668742B2 (en) | 2019-08-14 | 2023-06-06 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Injection device, micro light emitting diode inspection and repairing equipment and inspection and repairing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01169937A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ペレットの外観検査装置 |
JP2001068528A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | コレット及びこれを用いた不良チップの抜取方法 |
JP2006170712A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sharp Corp | 半導体素子の検査装置 |
JP2007329300A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 紫外線照射装置および紫外線照射装置を備えた切削機 |
JP2011044609A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 外観検査装置 |
JP2011046582A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Seiko Instruments Inc | 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
-
2016
- 2016-01-05 JP JP2016000698A patent/JP2017122608A/ja active Pending
- 2016-12-12 WO PCT/JP2016/005101 patent/WO2017119028A1/ja active Application Filing
- 2016-12-15 TW TW105141497A patent/TW201725390A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01169937A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体ペレットの外観検査装置 |
JP2001068528A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | コレット及びこれを用いた不良チップの抜取方法 |
JP2006170712A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Sharp Corp | 半導体素子の検査装置 |
JP2007329300A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 紫外線照射装置および紫外線照射装置を備えた切削機 |
JP2011044609A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 外観検査装置 |
JP2011046582A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Seiko Instruments Inc | 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110459498B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-10-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 |
CN110491795A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-22 | 錼创显示科技股份有限公司 | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 |
US11668742B2 (en) | 2019-08-14 | 2023-06-06 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Injection device, micro light emitting diode inspection and repairing equipment and inspection and repairing method |
CN110459498A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-15 | 錼创显示科技股份有限公司 | 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 |
US11355402B2 (en) | 2019-08-14 | 2022-06-07 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Adhesion device, micro device optical inspection and repairing equipment and optical inspection and repairing method |
CN110491795B (zh) * | 2019-08-14 | 2021-11-16 | 錼创显示科技股份有限公司 | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 |
CN111162034A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
WO2021196313A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
WO2021196310A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板的修复装置 |
WO2021196311A1 (zh) * | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
CN111162034B (zh) * | 2020-04-03 | 2020-09-25 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
CN111146129B (zh) * | 2020-04-03 | 2020-09-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
US11621183B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-04-04 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Transfer device and transfer method for micro light-emitting diode (micro LED), and display device |
US11646390B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-05-09 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Device, method, and display device for transferring micro light-emitting diodes |
CN111146129A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-05-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种微型发光二极管转移装置、转移方法及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201725390A (zh) | 2017-07-16 |
WO2017119028A1 (ja) | 2017-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017119028A1 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP5892669B1 (ja) | 分類装置 | |
JP5614825B1 (ja) | 分類装置、分類方法及び分類プログラム | |
TWI571922B (zh) | Processing of wafers (5) | |
TWI729397B (zh) | 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP6147982B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013149932A (ja) | 基板小片化方法およびこれを用いた基板小片化装置 | |
JP6277931B2 (ja) | 貼り合わせ不良部の検出方法及び検査システム | |
TW201340249A (zh) | 夾頭台及使用夾頭台之晶圓之雷射加工方法 | |
KR101732467B1 (ko) | 본딩 장치 및 본딩 장치에 의한 반도체 다이의 파손 검출 방법 | |
JP2021193744A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
TW202109659A (zh) | 工件之確認方法以及加工方法 | |
JP2013021056A (ja) | 加工装置 | |
CN111261539A (zh) | Led芯片分拣装置及方法 | |
JPWO2015022861A1 (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014096523A (ja) | ピックアップ方法およびピックアップ装置 | |
JP2014011381A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6791580B2 (ja) | 分割方法 | |
JP5282702B2 (ja) | 外観検査装置 | |
JP2016082023A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TW201709302A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20140051508A (ko) | 소자제거모듈 및 그를 가지는 소자제거장치 | |
JP2006093592A (ja) | 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法及び実装装置 | |
TW201444754A (zh) | 晶粒分選方法及設備 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190305 |