CN110459498B - 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 - Google Patents

喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110459498B
CN110459498B CN201910748335.4A CN201910748335A CN110459498B CN 110459498 B CN110459498 B CN 110459498B CN 201910748335 A CN201910748335 A CN 201910748335A CN 110459498 B CN110459498 B CN 110459498B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
micro
defect
conduit
optical detection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910748335.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110459498A (zh
Inventor
林呈谦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chuangchuang Display Technology Co ltd
Original Assignee
Chuangchuang Display Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chuangchuang Display Technology Co ltd filed Critical Chuangchuang Display Technology Co ltd
Priority to CN201910748335.4A priority Critical patent/CN110459498B/zh
Publication of CN110459498A publication Critical patent/CN110459498A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110459498B publication Critical patent/CN110459498B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提供一种采用喷射元件的微型发光二极管检修设备被提出。微型发光二极管检修设备包括承载台、光学检测模块以及喷射元件。光学检测模块对应承载台设置以获取图像信息，并由图像信息获得位置坐标。喷射元件适于依据位置坐标而移动至承载台相对应的目标位置。喷射元件包括导管与喷嘴。导管包括相连接第一段部与第二段部。第一段部的延伸方向不同于第二段部的延伸方向，且第二段部的延伸轴线通过目标位置。喷嘴连接导管的第二段部的一端。流经导管的流体在通过喷嘴后流向目标位置。一种采用微型发光二极管检修设备的检修方法亦被提出。

Description

喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法
技术领域
本发明涉及一种微型发光二极管检修技术，尤其涉及一种喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法。
背景技术
近年来，在有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。除了低耗能及材料使用寿命长的优势外，微型发光二极管显示器还具有优异的光学表现，例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比。
另一方面，为了取得较低的生产成本与较大的产品设计裕度，微型发光二极管显示器的制造技术采用晶粒转移的方式，亦即巨量转移(Mass transfer)技术，将制作好的微型发光二极管晶粒直接转移到驱动电路背板上。具体而言，晶粒制造商需先将客户所需的微型发光二极管晶粒制作(或放置)在暂存基板上，客户再依据不同的应用需求将存放在暂存基板上的微型发光二极管晶粒转移至不同产品的驱动电路板上。
然而，在晶粒生产、转移的过程中，势必会产生一定数量的异常晶粒与接合良率的损失。因此，如何提高终端产品的良率，已成为相关厂商的重要课题。
发明内容
本发明提供一种喷射元件，其瑕疵的移除成功率高。
本发明提供一种微型发光二极管检修设备，其修复良率高。
本发明提供一种微型发光二极管检修方法，其维修成功率高。
本发明的微型发光二极管检修设备，包括承载台、光学检测模块以及喷射元件。光学检测模块对应承载台设置以获取待测物的图像信息，并由图像信息获得位置坐标。喷射元件适于依据位置坐标而移动至承载台相对应的目标位置。喷射元件包括导管与喷嘴。导管包括相连接第一段部与第二段部。第一段部的延伸方向不同于第二段部的延伸方向，且第二段部的延伸轴线通过目标位置。喷嘴连接导管的第二段部的一端。流经导管的流体在通过喷嘴后流喷向目标位置。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备还包括吸集罩，适于依据位置坐标而移动至目标位置，并产生吸入气流。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备的光学检测模块包括图像获取元件与图像处理单元。图像获取元件用以获取图像信息。图像处理单元耦接至图像获取元件，并用以对图像信息进行分析，以获得位置坐标。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备还包括至少一移动机构，且图像获取元件与喷射元件设置于移动机构上。移动机构适于带动图像获取元件与喷射元件相对于承载台移动。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备的图像获取元件包括透镜模块以及图像传感器。图像传感器耦接至图像处理单元。透镜模块位于承载台与图像传感器之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备的光学检测模块包括厚度检测器，用以测量承载台的目标位置的高度信息。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修设备的喷嘴与导管为一体成型。
本发明的微型发光二极管检修方法，包括提供微型发光二极管检修设备、将待测物放置在微型发光二极管检修设备的承载台上、以光学检测模块对待测物上的多个微型发光二极管进行光学检测，以确认这些微型发光二极管是否存在至少一瑕疵、确认至少一瑕疵后，以光学检测模块取得至少一瑕疵的位置坐标以及进行至少一瑕疵的移除步骤。微型发光二极管检修设备包括承载台、光学检测模块以及喷射元件。光学检测模块对应承载台设置以获取图像信息，并由图像信息获得位置坐标。喷射元件包括导管以及连接导管的一端的喷嘴。导管包括相连接的第一段部与第二段部，且第一段部的延伸方向不同于第二段部的延伸方向。待测物具有多个微型发光二极管。喷射元件依据位置坐标移动至承载台对应至少一瑕疵的目标位置，且第二段部的延伸轴线通过目标位置，致使流经导管的流体在通过喷嘴后流喷向瑕疵，以将瑕疵自待测物上移除。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修方法的进行至少一瑕疵的移除步骤还包括利用吸集罩收集自待测物上移除的瑕疵。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修方法还包括在完成至少一瑕疵的移除步骤后，对待测物进行另一光学检测。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修方法的第二段部的延伸轴线与瑕疵的顶面的法线方向之间具有夹角，且夹角介于10度至90度之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管检修方法的第二段部的延伸轴线垂直于瑕疵的顶面且不通过瑕疵的对称轴线。
本发明的喷射元件，适于移除微型元件。喷射元件包括导管与喷嘴。导管包括相连接第一段部与第二段部。第一段部的延伸方向不同于第二段部的延伸方向。喷嘴连接导管的一端。流经导管的流体在通过喷嘴后喷出。
在本发明的一实施例中，上述的喷射元件的喷嘴的孔径小于50μm。
在本发明的一实施例中，上述的喷射元件的喷嘴与导管为一体成型。
基于上述，在本发明的一实施例的微型发光二极管检修设备及检修方法中，利用光学检测模块进行待测物的光学检测，以取得瑕疵的位置坐标，有助于确保喷射元件与瑕疵间的定位关系，进而提升瑕疵移除的准确率。另一方面，通过导管的第二段部的延伸轴线通过瑕疵，可使通过喷嘴的流体能有效率地流向瑕疵，以将瑕疵自待测物上移除。如此，有助于提升待测物的修复良率，进而改善后制程的整体良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的一实施例的微型发光二极管检修设备的方块图；
图2是本发明的一实施例的微型发光二极管检修方法的流程图；
图3A至图3D是本发明的一实施例的微型发光二极管检修流程的示意图；
图4A及图4B是本发明的一实施例的喷射元件于两种操作状态下的示意图；
图5是本发明的另一实施例的喷射元件的操作示意图；
图6是本发明的又一实施例的喷射元件的操作示意图；
图7是本发明的另一实施例的微型发光二极管检修设备的方块图。
附图标记说明
10、11：微型发光二极管检修设备
50：承载台
60、60A：光学检测模块
70：吸集罩
100、100A、100B：喷射元件
101：载架
110、110A、110C：导管
110a：第一段部
110b：第二段部
120、120A：喷嘴
130：元件基座
210：图像获取元件
211：透镜模块
212：图像传感器
220：图像处理单元
230：存储单元
240：移动机构
250：控制单元
260：厚度检测器
300、300A：待测物
310：载板
320、320A：微型元件
320D、320AD：瑕疵
320s：顶面
AX：延伸轴线
D1：方向
FD、FD1、FD2、FD3：流体
H：高度
S：间距
S401、S402、S403、S404、S405：步骤
SA：对称轴线
W1、W2、W3：宽度
ν1、ν2：流速
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是本发明的一实施例的微型发光二极管检修设备的方块图。图2是本发明的一实施例的微型发光二极管检修方法的流程图。图3A至图3D是本发明的一实施例的微型发光二极管检修流程的示意图。图4A及图4B是本发明的一实施例的喷射元件于两种操作状态下的示意图。特别说明的是，为了清楚呈现与说明起见，图3A至图3D省略了图1的图像处理单元220与存储单元230的示出，图3A及图3B省略了图3C的吸集罩70的示出，图3B至图3D省略了图3A的透镜模块211与图像传感器212的示出，图4A及图4B省略了图3C的承载台50、载架101、图像获取元件210与控制单元250的示出。
请参照图1及图3A，微型发光二极管检修设备10包括承载台50与光学检测模块60。承载台50用以承接待测物300。光学检测模块60设置在承载台50上，且待测物300适于放置在光学检测模块60与承载台50之间。在本实施例中，待测物300例如是微型元件结构，微型元件结构包括载板310与多个微型元件320，且这些微型元件320设置在载板310上。举例而言，微型元件320可以是微型发光二极管(micro light-emitting diode，Micro LED)。应理解的是，本发明的实施例不限于此，某些实施例亦可应用到其他微型元件，该等微型元件依此一方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。
承接上述，光学检测模块60用以获取待测物300的图像信息，并从中取得瑕疵320D的位置坐标。在本实施例中，瑕疵320D可以是微型元件结构的多个微型元件320的其中一者。更具体地说，瑕疵320D可以是微型元件结构上无法被致能(enabled)或外观有缺陷的一微型元件320，但本发明不以此为限。在其他实施例中，瑕疵320D也可以是微型元件结构上的外来异物，例如尘埃或毛屑。需说明的是，本实施例的瑕疵320D数量以一个为例进行示范性地说明，并不表示本发明以附图揭示内容为限制。根据其他实施例，瑕疵320D的数量也可以是多个。
在本实施例中，光学检测模块60包括图像获取元件210与图像处理单元220。图像获取元件210用以获取待测物300的图像信息。举例而言，图像获取元件210可包含透镜模块211以及图像传感器212，且透镜模块211位于承载台50与图像传感器212之间。图像传感器212例如包括电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)或互补式金氧半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)元件。图像处理单元220耦接至图像获取元件210的图像传感器212，并用以对图像信息进行分析，以获得瑕疵320D的位置坐标。在本实施例中，光学检测模块60还可包括存储单元230，用以存放图像获取元件210所拍摄的图像信息或图像处理单元220针对上述图像信息所做的分析结果(例如瑕疵320D的位置坐标)。
为了将瑕疵320D自待测物300上移除，微型发光二极管检修设备10还设有喷射元件100，且待测物300设置在喷射元件100与承载台50之间。具体来说，微型发光二极管检修设备10通过喷射元件100喷射出一流体FD，且此流体FD流向瑕疵320D，以将瑕疵320D自待测物300上移除(如图3C及图3D所示)。在本实施例中，为了能通过图像获取元件210即时确认瑕疵320D的移除状况，喷射元件100与图像获取元件210可比邻而设且同步移动，但本发明不以此为限。在其他实施例中，喷射元件100与图像获取元件210也可分开设置且各自独立移动。
进一步而言，喷射元件100包括导管110与喷嘴120。为了避免比邻而设的喷设元件100与图像获取元件210产生结构上的干涉，导管110包括相连接的第一段部110a与第二段部110b，且第一段部110a的延伸方向不同于第二段部110b的延伸方向。亦即，第一段部110a的延伸方向相交于第二段部110b的延伸方向。在本实施例中，导管110的第二段部110b的延伸轴线AX可垂直于微型元件320(或瑕疵320D)的顶面320s，但本发明不以此为限。
喷嘴120连接于导管110的第二段部110b的一端。更具体地说，喷嘴120设置在第二段部110b远离第一段部110a的一端上。在本实施例中，喷嘴120与导管110的材质可相同；也就是说，喷嘴120与导管110可为一体成型，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导管110的一端也可套接一喷头，且喷头远离套接处的一端可设有喷嘴。举例来说，此处喷头例如是可用于移液器(pipette)的塑胶尖管(tips)。
另一方面，喷射元件100还可选择性地包括元件基座130，且导管110的第一段部110a连接于元件基座130。举例来说，元件基座130可滑接于载架101，并带动导管110朝第一段部110a的延伸方向移动。基于此，当图像获取元件210作动时，元件基座130可带动导管110朝载架101移动，使导管110移出图像获取元件210的视野范围外(如图3B所示)；相反地，当喷射元件100作动时，元件基座130可带动导管110朝承载台50移动，使导管110进入图像获取元件210的视野范围并靠近欲移除的瑕疵320D(如图3C所示)。
微型发光二极管检修设备10还可包括移动机构240与控制单元250。在本实施例中，喷射元件100与图像获取元件210设置在同一移动机构240上，且移动机构240适于依据瑕疵320D的位置坐标带动喷射元件100(或图像获取元件210)移动至瑕疵320D处(或者是承载台50上对应于瑕疵320D的目标位置)。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，喷射元件100与图像获取元件210也可分别设置于不同的移动机构240，以增加光学检修设备的操作弹性。
在本实施例中，控制单元250例如是微控制器(microcontroller unit，MCU)。举例而言，控制单元250用以接收来自人机接口的设定指令，并依据预设定的制程参数或制程中即时反馈的参数值，驱使光学检测模块60、喷射元件100与移动机构240以设定的流程进行作动。亦即，控制单元250可将图像获取元件210、图像处理单元220、存储单元230以及移动机构240的功能进行整合。以下将针对适用于微型发光二极管检修设备10的光学检修方法进行示例性地说明。
请参照图2及图3A，首先，提供微型发光二极管检修设备10(步骤S401)，并将待测物300(例如微型元件结构)放置在微型发光二极管检修设备10的承载台50上(步骤S402)。举例来说，可利用机械手臂取放或传送带流片的方式，将待测物300放置到承载台50上。在待测物300稳固地放置在承载台50上后，以光学检测模块60对待测物300进行光学检测，以确认待测物300是否存在至少一瑕疵320D(步骤S403)。倘若无任何瑕疵320D被检测出，则待测物300可续流至后制程或直接出货给客户端；相反地，若确认有瑕疵320D被检测到，则可进一步以光学检测模块60取得其对应的位置坐标(步骤S404)，如图2及图3B所示。应可以理解的是，若被检测到的瑕疵320D数量为多个，则可取得这些瑕疵320D的位置坐标。
请参照图2、图3C及图3D，接着，依据所取得的位置坐标，令喷射元件100移动至承载台50对应瑕疵320D的目标位置。此时，导管110的第二段部110b的延伸轴线AX通过欲移除的瑕疵320D。据此，可确保通过喷嘴120的流体FD能有效率地流向瑕疵320D，有助于提升喷射元件100的瑕疵移除率，进而增加待测物300的修复良率。在喷射元件100定位于瑕疵320D后，驱使喷射元件100自喷嘴120射出一流体FD，且此流体FD朝瑕疵320D喷射，以将瑕疵320D自待测物300上移除(步骤S405)。在本实施例中，流体FD例如是压缩空气，但本发明不以此为限。根据其他实施例，流体FD也可以是具挥发性的高压液体。
举例来说，第二段部110b的延伸轴线AX可通过瑕疵320D的一侧边部，使瑕疵320D在遭受流体FD的冲击下产生一转动力矩，而以翻转的方式离开载板310。也就是说，第二段部110b的延伸轴线AX不通过瑕疵320D的对称轴线SA，其中瑕疵320D依对称轴线SA呈现镜像对称。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第二段部110b的延伸轴线AX与瑕疵320D之间的定位关系也可根据待测物300的实际状况(例如微型元件的构型与配置方式)而调整。在本实施例中，微型发光二极管检修设备10还可包括吸集罩70。吸集罩70适于依据位置坐标而移动至瑕疵320D处，且用以吸集被流体FD自待测物300上移除的瑕疵320D。具体而言，吸集罩70作动时，可产生吸入气流，而自待测物300上移除的瑕疵320D可通过吸入气流的带动而进入连接吸集罩70的排出管路(如图3D所示)。
特别说明的是，在本实施例中，虽然微型发光二极管检修设备10是采用如图2所示的检修方法(即先检测后维修的方式)。然而，微型发光二极管检修设备10的图像获取元件210与喷射元件100设置在同一个移动机构240上。因此，当瑕疵320D被检测到时，可立即使用喷射元件100将瑕疵320D自待测物300上移除。也就是说，微型发光二极管检修设备10也可采用检测与维修同步的方式进行操作。据此，可提升瑕疵移除的准确率(或修复良率)，进而改善后制程的整体良率。在完成瑕疵320D的移除步骤后，可对待测物300进行另一次的光学检测(步骤S403)，以确认待测物300上是否还存有瑕疵320D。倘若仍有瑕疵320D未清除干净，则可重复上述的步骤S405与步骤S404以达到瑕疵零检出或让待测物300的瑕疵数量低于一容许量，致使待测物300可续流至后制程或直接出货给客户端。
请参照图4A，喷射元件100的喷嘴120所占区域在方向D1上具有宽度W1(即喷嘴120的孔径)，瑕疵320D(或微型元件320)在方向D1上具有宽度W2。在本实施例中，宽度W1与宽度W2的比值可介于0.1至0.5之间。另一方面，在垂直于方向D1上，微型元件320具有一高度H，喷嘴120与瑕疵320D之间具有间距S。在本实施例中，间距S与高度H的比值大于0.2且小于等于2。若喷嘴120距离瑕疵320D太远(例如间距S与高度H的比值大于2)，气流容易影响邻近良好的微型元件320。若喷嘴120距离瑕疵320D太近(例如间距S与高度H的比值小于等于0.2)，也不易将瑕疵320D移除。举例而言，喷嘴120的孔径(或宽度W1)可小于50μm。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，喷射元件100的喷嘴120尺寸与配置方式也可根据微型元件320的尺寸与分布密度而调整。
从另一观点来说，流体(例如流体FD1)的流速也可根据微型元件(例如微型元件320)的尺寸进行调整。举例而言，当喷射元件100用于移除待测物300的瑕疵320D时，所产生的流体FD1大致上具有一流速ν1(如图4A所示)。另一方面，当喷设元件100用于移除待测物300A的瑕疵320AD(即微型元件320A)时，所产生的流体FD2大致上具有一流速ν2(如图4B所示)。由于瑕疵320AD的尺寸大于瑕疵320D的尺寸，因此流体FD2的流速ν2可大于流体FD1的流速ν1，以提升瑕疵320AD移除的成功率。
图5是本发明的另一实施例的喷射元件的操作示意图。请参照图5，本实施例的喷射元件100A与图4A的喷设元件100的差异在于：导管与喷嘴的尺寸不同。在本实施例中，喷设元件100A的喷嘴120A所占区域在方向D1上具有宽度W3，且宽度W3大于图4A的喷设元件100的喷嘴120所占区域在方向D1上的宽度W1。既使喷设元件100A所产生的流体FD3具有与图4A的流体FD1大致上相同的流速ν1，且待测物300A的瑕疵320AD(或微型元件320A)尺寸大于图4A的待测物300的瑕疵320D(或微型元件320)尺寸，喷设元件100A通过喷嘴120A尺寸的加大，使流体FD3与瑕疵320AD的接触面积增加，致使瑕疵320AD产生足够的转动力矩而自待测物300A上移除。另一方面，在本实施例中，导管110A的管径实质上可等于喷嘴120A的宽度W3，但本发明不以此为限。在其他实施例中，导管的管径也可小于喷嘴的宽度。
图6是本发明的又一实施例的喷射元件的操作示意图。请参照图6，本实施例的喷射元件100B与图4A的喷射元件100的差异在于：本实施例的导管110C的第二段部110b的延伸轴线AX倾斜于微型元件320(或瑕疵320D)的顶面320s。亦即，第二段部110b的延伸轴线AX不垂直也不平行于微型元件320的顶面320s。举例来说，第二段部110b的延伸轴线AX与微型元件320的顶面320s的法线方向之间具有夹角θ，且夹角θ可小于90度且大于等于10度，更佳地，夹角可小于80度且大于45度。据此，可提升喷射元件100B对瑕疵320D的移除成功率，并能确保邻设的微型元件320在瑕疵320D移除的过程中不受影响，以增加瑕疵320D移除的准确率，进而提升待测物300的检修良率。
图7是本发明的另一实施例的微型发光二极管检修设备的方块图。请参照图7，本实施例的微型发光二极管检修设备11与图1的微型发光二极管检修设备10的差异在于：光学检测模块的组成不同。在本实施例中，光学检测模块60A还可包括厚度检测器260。此处的厚度检测器260例如是白光干涉仪(white light interferometer)，可用以测量待测物于承载台的目标位置上的高度信息(例如厚度)，甚至是待测物于一目标区域内的高度分布信息(例如膜厚分布或表面粗糙度)。
综上所述，在本发明的一实施例的微型发光二极管检修设备及检修方法中，利用光学检测模块进行待测物的光学检测，以取得瑕疵的位置坐标，有助于确保喷射元件与瑕疵间的定位关系，进而提升瑕疵移除的准确率。另一方面，通过导管的第二段部的延伸轴线通过瑕疵，可使通过喷嘴的流体能有效率地流向瑕疵，以将瑕疵自待测物上移除。如此，有助于提升待测物的修复良率，进而改善后制程的整体良率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (11)

1.一种微型发光二极管检修设备，包括：
承载台；
光学检测模块，对应所述承载台设置以获取图像信息，并由所述图像信息获得微型发光二极管瑕疵的位置坐标，所述光学检测模块包括用以获取所述图像信息的图像获取元件；
喷射元件，包括：
导管，包括相连接的第一段部与第二段部，其中所述第一段部的延伸方向不同于所述第二段部的延伸方向，且所述第二段部的延伸轴线依据所述位置坐标通过所述承载台对应所述微型发光二极管瑕疵的目标位置；以及
喷嘴，连接所述导管的所述第二段部的一端，其中流经所述导管的流体在通过所述喷嘴后流喷向所述目标位置，以将所述微型发光二极管瑕疵移除；以及
移动机构，所述图像获取元件与所述喷射元件设置于所述移动机构上，所述移动机构适于带动所述图像获取元件与所述喷射元件相对于所述承载台同步移动。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管检修设备，还包括：
吸集罩，适于依据所述位置坐标而移动至所述目标位置，并产生吸入气流。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管检修设备，其中所述光学检测模块还包括：
图像处理单元，耦接至所述图像获取元件，并用以对所述图像信息进行分析，以获得所述位置坐标。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管检修设备，其中所述图像获取元件包括：
透镜模块；以及
图像传感器，耦接至所述图像处理单元，其中所述透镜模块位于所述承载台与所述图像传感器之间。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管检修设备，其中所述光学检测模块包括厚度检测器，用以测量所述承载台的所述目标位置的高度信息。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管检修设备，其中所述喷嘴与所述导管为一体成型。
7.一种微型发光二极管检修方法，包括：
提供微型发光二极管检修设备，所述微型发光二极管检修设备包括承载台、移动机构、光学检测模块以及喷射元件，其中所述光学检测模块对应所述承载台设置以获取图像信息，并由所述图像信息获得位置坐标，所述喷射元件包括导管以及连接所述导管的一端的喷嘴，所述导管包括相连接的第一段部与第二段部，且所述第一段部的延伸方向不同于所述第二段部的延伸方向，所述光学检测模块包括用以获取所述图像信息的图像获取元件，所述图像获取元件与所述喷射元件设置于所述移动机构上，所述移动机构适于带动所述图像获取元件与所述喷射元件相对于所述承载台同步移动；
将待测物放置在所述微型发光二极管检修设备的所述承载台上，所述待测物具有多个微型发光二极管；
以所述光学检测模块对所述待测物上的所述多个微型发光二极管进行光学检测，以确认所述多个微型发光二极管是否存在至少一微型发光二极管瑕疵；
确认所述至少一微型发光二极管瑕疵后，以所述光学检测模块取得所述至少一微型发光二极管瑕疵的所述位置坐标；以及
进行所述至少一微型发光二极管瑕疵的移除步骤，其中所述喷射元件依据所述位置坐标令所述第二段部的延伸轴线通过所述承载台对应所述至少一微型发光二极管瑕疵的目标位置，致使流经所述导管的流体在通过所述喷嘴后流喷向所述微型发光二极管瑕疵，以将所述微型发光二极管瑕疵自所述待测物上移除。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管检修方法，其中进行所述至少一微型发光二极管瑕疵的移除步骤还包括利用吸集罩收集自所述待测物上移除的所述微型发光二极管瑕疵。
9.根据权利要求7所述的微型发光二极管检修方法，还包括：
在完成所述至少一微型发光二极管瑕疵的移除步骤后，对所述待测物进行另一光学检测。
10.根据权利要求7所述的微型发光二极管检修方法，其中所述第二段部的所述延伸轴线与所述微型发光二极管瑕疵的顶面的法线方向之间具有夹角，且所述夹角介于10度至90度之间。
11.根据权利要求10所述的微型发光二极管检修方法，其中所述第二段部的所述延伸轴线垂直于所述微型发光二极管瑕疵的所述顶面且不通过所述微型发光二极管瑕疵的对称轴线。
CN201910748335.4A 2019-08-14 2019-08-14 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法 Active CN110459498B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910748335.4A CN110459498B (zh) 2019-08-14 2019-08-14 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910748335.4A CN110459498B (zh) 2019-08-14 2019-08-14 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110459498A CN110459498A (zh) 2019-11-15
CN110459498B true CN110459498B (zh) 2021-10-22

Family

ID=68486454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910748335.4A Active CN110459498B (zh) 2019-08-14 2019-08-14 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110459498B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017122608A (ja) * 2016-01-05 2017-07-13 信越半導体株式会社 欠陥検査装置
CN206554799U (zh) * 2017-01-19 2017-10-13 中国矿业大学(北京) 一种高能气体射流岩石钻进装置
CN108074805A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 株式会社迪思科 晶片的加工方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013154316A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Ｍ・Ｉ技研株式会社 有機系廃棄物の発酵処理方法及び同方法を実施する装置
JP6260096B2 (ja) * 2013-03-27 2018-01-17 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置
CN109047186A (zh) * 2018-09-12 2018-12-21 姚法根 一种多用清小广告装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017122608A (ja) * 2016-01-05 2017-07-13 信越半導体株式会社 欠陥検査装置
CN108074805A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 株式会社迪思科 晶片的加工方法
CN206554799U (zh) * 2017-01-19 2017-10-13 中国矿业大学(北京) 一种高能气体射流岩石钻进装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110459498A (zh) 2019-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110491795B (zh) 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法
TWI715150B (zh) 噴射元件、微型發光二極體檢修設備及檢修方法
JP4102842B1 (ja) 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
JP2020535639A (ja) 半導体コンポーネントを方向付けして光学的に検査する装置
KR20060044422A (ko) 광학식 외관 검사 방법 및 광학식 외관 검사 장치
KR101962888B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 와이어 본딩 방법
CN108356431A (zh) 自动钻孔设备
JP2010175491A (ja) ノズルプレートの検査装置およびノズルプレートの検査方法
JP2008262983A (ja) ダイシング方法
JP4922890B2 (ja) 電子部品実装方法
WO2009113737A1 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
JP2009154088A (ja) パターン形成装置
CN104517877A (zh) 组件装载设备和方法
JP6661169B2 (ja) リペアユニットを有するシステム
CN110459498B (zh) 喷射元件、微型发光二极管检修设备及检修方法
JP2012166159A (ja) 吐出装置および吐出する方法
JP6695237B2 (ja) 液滴吐出装置及び液滴吐出条件補正方法
JP2009072691A (ja) インク噴射状態検査装置、フラットパネルの製造装置およびフラットパネル
KR20180065609A (ko) 로봇을 이용한 가공상태 검사장치 및 이에 의한 검사방법
JP2006344705A (ja) 基板のステージ装置、検査装置及び修正装置
TWM450052U (zh) 不良品自動辨識標記機及設備
CN114964989A (zh) 具有除尘功能的设备及其方法和光学镜头检测系统
TW202107103A (zh) 黏取元件、微型發光二極體光學檢修設備及光學檢修方法
TWI625294B (zh) Electronic component conveying device and electronic component inspection device
KR20110021948A (ko) 초음파 접합 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant