TW201444754A - 晶粒分選方法及設備 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種晶粒分選方法及其所使用之晶粒分選設備，係利用一吸取裝置之一能產生真空吸引功能且能實質上垂直一頂推軸向地移動之吸頭，以及能分別實質上沿該頂推軸向地移動之一能產生真空吸引功能的頂推座與一穿設於該頂推座的頂針，而達到吸取晶粒的功能，且係利用該吸取裝置及一能實質上沿該頂推軸向地移動之置晶台，而達到放置晶粒之功能；藉此，本發明所提供之晶粒分選方法及設備不但效率高，且可避免因拉扯電線而發生斷線問題。

Description

晶粒分選方法及設備

本發明係與晶粒選取製程有關，特別是關於一種晶粒分選方法及晶粒分選設備，係用以挑檢不良晶粒或者按晶粒分類等級挑選晶粒以便進一步分類儲存。

在晶粒之壞晶(bad die)選取或分類選取製程中，晶圓(wafer)係先黏貼於俗稱藍膜(blue tape)的軟性薄膜上，再被切割成多數晶粒(die)。然後，就壞晶選取作業而言，可利用影像擷取裝置(例如CCD camera)檢測晶粒外觀進行晶粒良莠判斷及位置確認，再將不良品自軟性薄膜上挑除，最後，可將剩餘之晶粒同時自軟性薄膜取下，以便進一步進行諸如封裝之類的後續製程。其次，就晶粒分類選取作業而言，可利用影像擷取裝置對已經分類的晶粒進行位置確認，並利用選取置放裝置(pick-and-place arm)將該等晶粒依據其規格或等級分別取下並分類放置。

習用之選取置放裝置包含有單取放頭模式及雙取放頭模式，其作動方式皆係利用旋轉驅動器及線性驅動器驅動一擺臂垂直移動及水平擺動，以使設置於該擺臂且具有真空吸引功能的吸頭能向下移動而吸取晶粒，再向上移動，然後將晶粒帶往另一軟性薄膜上方，再向下移動而將晶粒分類放置於該軟性薄膜。

單取放頭模式之選取置放裝置係利用一線性驅動器驅動一設有一擺臂及一吸頭之旋轉驅動器，或者，亦可利用一旋轉驅動器驅動一設有一擺臂及一吸頭之線性驅動器；不論前述何種形式，其中一該驅動器必須帶動另一該驅動器、該擺臂及該吸頭，因負載重而使其作動速度有限，造成晶粒分選效率難以提升。

雙取放頭模式之選取置放裝置係利用一旋轉驅動器同時驅轉二線性驅動器，且該二線性驅動器分別設有一擺臂及一吸頭，雖然該二 吸頭能同時分別執行吸取晶粒及放置晶粒之動作，以提升晶粒分選效率，然而，該旋轉驅動器必須帶動二線性驅動器、二擺臂及二吸頭，其負載係較單取放頭模式更重，因而作動速度更低，造成其晶粒分選效率之提升仍有限。

另外，在前述之雙取放頭模式之選取置放裝置中，以及線性驅動器受旋轉驅動器帶動之形式的單取放頭模式之選取置放裝置中，線性驅動器之電線容易在擺動時受到拉扯而產生斷線問題。

有鑑於上述缺失，本發明之主要目的在於提供一種晶粒分選方法，適用於壞晶挑除或晶粒分類選取作業中，用以將黏設於軟性薄膜之晶粒取離，且其效率高並可避免電線扯斷之問題。

為達成上述目的，本發明所提供之一種晶粒分選方法，係用以將一黏設於一軟性薄膜之晶粒自該軟性薄膜上取離，該晶粒選取方法包含有以下步驟：a)提供一吸頭、一具有真空吸引功能之頂推座以及一頂針，該頂針係可沿其軸向滑移地穿設於該頂推座；b)使該吸頭平移至一問隔對應一待選取晶粒之第一位置；c)使該具有真空吸引功能之頂推座連同該頂針自一隔著該軟性薄膜而間隔對應該待選取晶粒之預備位置朝該吸頭的方向移動，以頂推該軟性薄膜及該待選取晶粒直到該待選取晶粒吸附於該吸頭；d)使該頂推座吸附住該軟性薄膜並朝遠離該吸頭的方向移動至該預備位置；e)使該頂針朝遠離該吸頭的方向移動至該預備位置；以及f)使該吸頭自該第一位置平移離開至一用以置放晶粒之第二位置。

藉此，該晶粒分選方法在進行晶粒選取作業時，由於用以吸附晶粒之吸頭僅作平移動作，因此本方法不需設置用以作動該吸頭沿晶粒頂推方向位移的線性驅動器，因此用以作動該吸頭之驅動器將具有較小的負載而可使該吸頭相當快速地移動，且即使該驅動器為旋轉驅動器亦可避免電線扯斷之問題。

較佳地，在前述之晶粒分選方法中，該吸頭係設置於一擺臂，且該擺臂係受一驅動器驅動而擺動，使該吸頭可在該第一位置與該第二位置之間平移。藉此，該驅動器僅需驅動該擺臂及該吸頭，因負載小而作動效率高。

較佳地，在前述之晶粒分選方法中，該擺臂設置有二該吸 頭，其中一該吸頭位於該第一位置時，另一該吸頭係位於該第二位置，反之亦然。

本發明之另一目的在於提供一種以上述方法為基礎之晶粒 分選方法，適用於壞晶挑除或晶粒分類選取作業中，用以將黏設於一第一軟性薄膜之晶粒取離，再將該晶粒放置於一第二軟性薄膜，且其效率高並可避免電線扯斷之問題。

為達成上述目的，本發明所提供之晶粒分選方法係用以將 一黏設於一第一軟性薄膜之晶粒自該第一軟性薄膜上取離，再將該晶粒放置於一第二軟性薄膜，該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜分別具有一第一表面，以及一與該第一表面朝向相反方向之第二表面，該晶粒係位於該第一軟性薄膜之第一表面；該晶粒分選方法之步驟包含有：a)提供一吸取裝置、一能產生真空吸引功能之頂推座、一實質上沿一垂直於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜之頂推軸向地穿設於該頂推座之頂針，以及一置晶台；該吸取裝置包含有至少一能產生真空吸引功能之吸頭，該吸頭能實質上垂直於該頂推軸向地移動，並能與該第一軟性薄膜之第一表面相對，亦能與該第二軟性薄膜之第一表面相對；該頂推座及該頂針係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，且能分別實質上沿該頂推軸向移動；該置晶台係與該第二軟性薄膜之第二表面相對，且能實質上沿該頂推軸向移動；b)使該吸取裝置之吸頭、該頂推座及該頂針位於對應該晶粒之位置；c)使該頂推座及該頂針朝該吸取裝置之吸頭的方向移動而頂推該第一軟性薄膜及該晶粒，進而使該晶粒吸附於該吸頭；d)使該頂推座朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動，同時使該第一軟性薄膜之第二表面吸附於該頂推座，進而使該第一軟性薄膜之第一表面與該晶粒分離；e)使該頂針朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動；f)使該吸取裝置之吸頭連同該晶粒移動而使該晶粒與該第二軟性薄膜之第一表面相對且對應於該置晶台；g)使該置晶台朝該吸取裝置之吸頭的方向移動而頂推該第二軟性薄膜，進而使該晶粒黏附於該第二軟性薄膜之第一表面；以及h)使該置晶台朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動。

藉此，該晶粒分選方法能用於晶粒分類選取作業，意即將 該第一軟性薄膜上黏設之多數晶粒分類放置於該第二軟性薄膜，其中該吸取裝置不需設有能產生實質上沿該頂推軸向之位移動作的線性驅動器，因此該吸取裝置之驅動器的負載小而可使該吸頭相當快速地移動，且即使該吸取裝置之驅動器為旋轉驅動器亦可避免電線扯斷之問題。

較佳地，在前述之晶粒分選方法中，該步驟f)、該步驟g) 及該步驟h)執行的過程中，另一黏設於該第一軟性薄膜之第一表面的晶粒係相對該頂推座及該頂針位移至對應該頂推座及該頂針之位置；藉此，該晶粒分選方法可連續且快速地對多數晶粒逐一進行分類。

本發明之又一目的在於提供一種晶粒分選設備，能用以執 行前述之能用於晶粒分類選取作業之晶粒分選方法。

為達成上述目的，本發明所提供之晶粒分選設備，係用以 將一黏設於一第一軟性薄膜之晶粒自該第一軟性薄膜上取離，再將該晶粒放置於一第二軟性薄膜，該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜分別具有一第一表面，以及一與該第一表面朝向相反方向之第二表面，該晶粒係位於該第一軟性薄膜之第一表面；該晶粒分選設備包含有一吸取裝置、一頂推座、一頂針，以及一置晶台；該吸取裝置包含有至少一能產生真空吸引功能之吸頭，該吸頭能實質上平行於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜地移動，並能與該第一軟性薄膜之第一表面相對，亦能與該第二軟性薄膜之第一表面相對；該頂推座係能產生真空吸引功能，且係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，並能實質上沿一垂直於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜之頂推軸向移動；該頂針係實質上沿該頂推軸向地穿設於該頂推座，且係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，並能實質上沿該頂推軸向移動；該置晶台係與該第二軟性薄膜之第二表面相對，且能實質上沿該頂推軸向移動。

較佳地，在前述之晶粒分選方法及晶粒分選設備中，該吸 取裝置更包含有一驅動器，以及一設置於該驅動器之擺臂，該吸頭係設置於該擺臂，該驅動器能驅動該擺臂繞該頂推軸向擺動，藉以將該吸頭帶動至可達成該步驟b)之一第一位置，以及將該吸頭帶動至可達成該步驟f)之一第二位置；藉此，該驅動器僅需驅動該擺臂及該吸頭，因負載小而作動效率高。

較佳地，在前述之晶粒分選方法及晶粒分選設備中，該吸 取裝置包含有二該吸頭，其中一該吸頭位於該第一位置時，另一該吸頭係位於該第二位置；藉此，該二吸頭能同時分別吸取晶粒及放置晶粒，因此可更加提升晶粒分選效率。

有關本發明所提供之晶粒分選方法及設備的詳細構造、特 點、組裝或使用方式，將於後續的實施方式詳細說明中予以描述。然而，在本發明領域中具有通常知識者應能瞭解，該等詳細說明以及實施本發明所列舉的特定實施例，僅係用於說明本發明，並非用以限制本發明之專利申請範圍。

10‧‧‧晶粒分選設備

11、12‧‧‧承載台

13‧‧‧吸取裝置

132‧‧‧驅動器

134‧‧‧擺臂

136‧‧‧吸頭

14‧‧‧頂推座

142‧‧‧穿孔

15‧‧‧頂針

16‧‧‧置晶台

21‧‧‧第一軟性薄膜

211‧‧‧第一表面

212‧‧‧第二表面

22‧‧‧第二軟性薄膜

221‧‧‧第一表面

222‧‧‧第二表面

23、24‧‧‧環形框架

30、31、32、33、34‧‧‧晶粒

40‧‧‧晶粒分選設備

43‧‧‧吸取裝置

432‧‧‧驅動器

434‧‧‧擺臂

436、438‧‧‧吸頭

P1‧‧‧第一位置

P2‧‧‧第二位置

第1圖為本發明一第一較佳實施例所提供之晶粒分選設備的頂視示意圖；第2圖至第8圖為本發明該第一較佳實施例所提供之晶粒分選設備的前視示意圖，並顯示本發明所提供之晶粒分選方法的各步驟；第9圖為本發明一第二較佳實施例所提供之晶粒分選設備的頂視示意圖；以及第10圖至第13圖為本發明該第二較佳實施例所提供之晶粒分選設備的前視示意圖，並顯示本發明所提供之晶粒分選方法的各步驟。

申請人首先在此說明，在以下將要介紹之實施例以及圖式中，相同之參考號碼，表示相同或類似之元件或其結構特徵。其次，當述及一元件與另一元件相對時，代表前述元件係直接面對該另一元件，或者前述元件係隔著其他元件而間接地面對該另一元件。

請參閱第1圖至第8圖，第1圖為本發明一第一較佳實施例所提供之晶粒分選設備10的頂視示意圖，第2圖至第8圖為該晶粒分選設備10的前視示意圖，並顯示本發明所提供之晶粒分選方法的各步驟。該晶粒分選設備10包含有二承載台11、12、一吸取裝置13、一頂推座14、一頂針15，以及一置晶台16。該晶粒分選設備10係用以將黏設於一第一軟 性薄膜21之晶粒30(包含有晶粒31、32、33)自該第一軟性薄膜21上取離，再將晶粒30放置於一第二軟性薄膜22。

該第一軟性薄膜21及該第二軟性薄膜22可為習用之藍膜(blue tape)或者其他具有黏性之不透明、半透明或透明之薄膜，且係分別受一環形框架23、24框住，該二環形框架23、24係分別固設於該二承載台11、12。該第一軟性薄膜21及該第二軟性薄膜22分別具有一第一表面211、221，以及一與該第一表面211、221朝向相反方向之第二表面212、222，該第一軟性薄膜21之第一表面211黏設有多數晶粒30。值得一提的是，該等晶粒30係由一黏設於該第一軟性薄膜21之第一表面211的晶圓(wafer)切割而成，因此，該等晶粒30係間隔很小的距離地排列成圓形，第1圖係簡化地以一圓形表示該第一軟性薄膜21所黏設之所有晶粒30，第2圖至第8圖僅顯示該等晶粒30中的三晶粒31、32、33以便說明。

該二承載台11、12係分別受一雙軸向位移機構(圖中未示)驅動而能沿圖式中所示之X軸及Y軸位移，以分別帶動該二軟性薄膜21、22位移；藉此，該第一軟性薄膜21上之一受選取之晶粒可被移動至可受該吸取裝置13吸取之位置，且該第二軟性薄膜22用以供該受選取之晶粒放置的部位可位移至特定位置，以使該吸取裝置13能將該受選取之晶粒放置於該部位。由於前述之雙軸向位移機構為一般自動化機械中常見之可產生沿一平面(X-Y平面)往復位移動作的機構，且並非本創作之技術特徵所在，因此容申請人在此不贅述其詳細結構且不於圖式中顯示。

該吸取裝置13包含有一驅動器132、一設置於該驅動器132之擺臂134，以及一設置於該擺臂134且能產生真空吸引功能之吸頭136。該驅動器132可為一般伺服旋轉馬達，以驅動該擺臂134繞一垂直於該第一軟性薄膜21及該第二軟性薄膜22之頂推軸向(亦即圖式中所示之Z軸)擺動，藉以使該吸頭136能被平移帶動至一與該第一軟性薄膜21之第一表面211相對而間隔對應一待選取晶粒32之第一位置P1(如第2圖至第5所示)，亦能被帶動至一與該第二軟性薄膜22之第一表面221相對而用以置放晶粒之第二位置P2(如第6圖至第8所示)。

值得一提的是，該吸取裝置13之構造及該吸頭136受帶動之方式並不以本實施例所提供者為限，只要該吸頭136能實質上垂直於該 頂推軸向(Z軸)地移動(亦即沿X-Y平面移動)，並能在與該二軟性薄膜21、22之第一表面211、221相對之第一、二位置P1、P2之間往復平移即可。

該頂針15係實質上沿該頂推軸向(Z軸)地穿設於該頂推 座14，亦即可沿其軸向滑移地穿設於該頂推座14，且該頂推座14具有多數平行該頂推軸向(Z軸)之穿孔142，該等穿孔142係用以與一真空吸引裝置(圖中未示)連通而使該頂針座14產生真空吸引功能。該頂推座14及該頂針15係與該第一軟性薄膜21之第二表面212相對，且係分別受一線性驅動器(圖中未示)驅動而能實質上沿該頂推軸向(Z軸)移動，各該線性驅動器可為一音圈馬達(voice coil motor；簡稱VCM)，但不以此為限。

該置晶台16係與該第二軟性薄膜22之第二表面222相對， 且亦受一線性驅動器(圖中未示)驅動而能實質上沿該頂推軸向(Z軸)移動。該置晶台16亦可(但不限於)設有多數穿孔，以與一真空吸引裝置連通而產生真空吸引功能。

以下將以利用該晶粒分選設備10將晶粒32自第一軟性薄膜21移置到第二軟性薄膜22為例說明本發明所提供之一種晶粒分選方法，該晶粒分選方法之步驟包含有：

a)提供一吸頭136、一具有真空吸引功能之頂推座14以及一頂針15，該頂針15係可沿其軸向滑移地穿設於該頂推座14。前述構件之具體實施態樣，可參酌上述之晶粒分選設備10。

b)使吸頭136平移至間隔對應一待選取晶粒32之第一位置P1。詳而言之，如第2圖所示，使該吸取裝置13之吸頭136、該頂推座14及該頂針15位於對應該晶粒32之位置。在本實施例中，該頂推座14及該頂針15只會沿該頂推軸向(Z軸)移動，而不會沿X軸或Y軸移動，此步驟係由該承載台11及該擺臂134分別將該晶粒32及該吸頭136帶動至對應該頂推座14及該頂針15之位置，此時，該吸頭136係位於如前述之第一位置P1。然而，該第一軟性薄膜21及該晶粒32亦可固定不動，而採用能產生X軸及Y軸位移之吸取裝置及頂推座來達成此步驟。

c)如第3圖所示，使該頂推座14連同該頂針15自一隔著該軟性薄膜21而間隔對應該待選取晶粒32之預備位置(如第2圖所示)朝 該吸取裝置13之吸頭136的方向移動，而頂推該第一軟性薄膜21及該晶粒32，直到該晶粒32接觸並吸附於該吸頭136為止，在第3圖中，該頂推座14及該頂針15係位於一頂推位置。

d)使該頂推座14吸附住該軟性薄膜21並朝遠離該吸頭136 的方向移動復歸至原有的、如第2圖所示的預備位置。詳而言之，如第4圖所示，使該頂推座14朝遠離該吸取裝置13之吸頭136的方向移動，在此同時，該第一軟性薄膜21之第二表面212係被吸附於該頂推座14，進而使該第一軟性薄膜21之第一表面211與該晶粒32分離。在此步驟中，藉由該吸頭136對該晶粒32之吸力、該頂推座14對該第一軟性薄膜21之吸力，以及該頂針15對該晶粒32之頂持力，可確保該晶粒32與該第一軟性薄膜21快速分離，以避免發生頂推座14下降但第一軟性薄膜21未隨之下降或該晶粒32跟著下降之情況。

e)如第5圖所示，使該頂針15朝遠離該吸取裝置13之吸 頭136的方向移動復歸至原有的預備位置。必須加以說明的是，在上述頂推座14自頂推位置移動至預備位置的復歸過程中，該頂針15可以實質上保持不動，直等到該頂推座14復歸至前述預備位置之後，該頂針才進行復歸的動作，以確保頂推座14復歸時，晶粒32仍受頂針15頂持，使晶粒可以確實脫離軟性薄膜21：或者，該頂推座14開始離開頂推位置並朝向預備位置移動但尚未停定於前述預備位置之時，該頂針15即離開該頂推位置以進行此步驟中之頂針復歸動作(亦即，頂針15實質上保持不動之時間相當短)，如此可以提高效率。此外，如第4、5圖所示，在上述頂推座14移動復歸的過程中，該頂針15實質上係刺破該軟性薄膜21而直接頂抵於晶粒32，然而，此並非必要之限制條件，因為只要適當地設計該吸頭136停定於該第一位置P1時與待選取晶粒之間的間隔距離，則頂推座14連同頂針15向上頂推該軟性薄膜21之行程可以適當地縮小，以致頂推座14在移動復歸的過程中，該頂針15仍然可以保持在隔著該軟性薄膜21而間接頂抵住晶粒32之狀況下(亦即，不刺破軟性薄膜21)，而進行後續的頂針15復歸動作。

一般來說，吸頭對晶粒之吸力係小於軟性薄膜對晶粒之黏 力，因此，習知技術才會利用頂針隔著軟性薄膜而頂推晶粒，意即，藉由截面積很小的頂針將軟性薄膜及晶粒頂推一段距離，使得晶粒與軟性薄膜 之接觸面積減小，進而減小軟性薄膜對晶粒之黏力。然而，對於本發明所提供的吸頭不沿該頂推軸向(Z軸)移動的晶粒分選方法及設備中，頂針頂推軟性薄膜及晶粒之距離會較長(等同於習用頂針頂推晶粒的距離加上習用吸頭下降的距離)，若只使用頂針而不同時使用頂推座頂推晶粒，則可能因軟性薄膜及晶粒受頂推之距離較長而造成晶粒位置容易偏移，進而影響後續放置晶粒之精度，例如，在本實施例後續之步驟中，晶粒在第二軟性薄膜22的排列精度就會受到影響。換言之，本發明利用頂推座及頂針同時隔著軟性薄膜而頂推晶粒，可有效地避免習知技術因頂針頂推距離較長而造成晶粒位置偏移之問題，進而保持後續放置晶粒之位置精度，而且，使用頂推座及頂針頂推晶粒到定位後，還能藉由使頂推座及頂針先後離開頂推之位置，進而使晶粒確實吸附於吸頭。

f)使該吸頭136自該第一位置P1平移離開至用以置放晶粒 之第二位置P2。詳而言之，如第6圖所示，使該吸取裝置13之吸頭136連同該晶粒32移動而使該晶粒32與該第二軟性薄膜22之第一表面221相對且對應於該置晶台16。此時，該吸頭136係位於如前述之第二位置P2。

g)如第7圖所示，使該置晶台16朝該吸取裝置13之吸頭 136的方向移動而頂推該第二軟性薄膜22，進而使該晶粒32黏附於該第二軟性薄膜22之第一表面221。

h)如第8圖所示，使該置晶台16朝遠離該吸取裝置13之 吸頭136的方向移動。此時，只要該吸頭136解除其真空吸引功能，即可使該晶粒32順利地黏附於該第二軟性薄膜22，但若該置晶台16更具有真空吸引功能，則可更加確保該第二軟性薄膜22及該晶粒32會隨該置晶台16下降。

藉此，該晶粒分選方法能用於壞晶挑選作業或晶粒分類選 取作業，意即將該第一軟性薄膜21上黏設之晶粒30分類放置於該第二軟性薄膜22。如第6圖至第8圖所示，在該步驟f)、該步驟g)及該步驟h)執行的過程中，另一黏設於該第一軟性薄膜21之第一表面211的晶粒(例如晶粒33)可相對該頂推座14及該頂針15位移至對應該頂推座14及該頂針15之位置，如此一來，該晶粒分選設備10利用前述之晶粒分選方法將該晶粒32移置到該第二軟性薄膜22後，即可馬上再重複該晶粒分選方法之步驟b) 至步驟h)而將該晶粒33移置到該第二軟性薄膜22，進而可連續且快速地完成所有晶粒30之分類作業。

另外，前述該晶粒分選方法主要係用以將黏設於第一軟性 薄膜(21)之晶粒(32)自該第一軟性薄膜上取離，再將該晶粒32放置於第二軟性薄膜(22)上，然而，前述方法若僅係應用於將黏設於軟性薄膜之晶粒取離，例如應用於將壞晶或特定分類等級之晶粒挑除並移至一特定位置丟棄或置放，上述之晶粒分選方法實質上可僅進行步驟a)至步驟f)，即可達成目的，意即僅將該第一軟性薄膜21上的晶粒移除，而不再進一步地將晶粒設置於該第二軟性薄膜22之步驟。

上述二種晶粒分選方法，不論是應用於晶粒分類選取作 業，或是壞晶挑除作業，由於該吸取裝置13不需設有能產生實質上沿該頂推軸向(Z軸)(亦即頂針15之軸向)之位移動作的線性驅動器，該吸取裝置13之驅動器132僅需帶動該擺臂134及該吸頭136，因此不會有驅動器之電線因擺動而扯斷的問題，而且，該吸取裝置13之驅動器132負載小而可使該吸頭136相當快速地移動，因此前述之晶粒分選設備10及晶粒分選方法的效率係較習用者更高。

請參閱第9圖至第13圖，第9圖為本發明一第二較佳實施例所提供之晶粒分選設備40的頂視示意圖，第10圖至第13圖為該晶粒分選設備40的前視示意圖，並顯示本發明所提供之晶粒分選方法的各步驟。該晶粒分選設備40係類同於前述該晶粒分選設備10，惟該晶粒分選設備40之吸取裝置43中，其驅動器432係帶動一較長之擺臂434，以及二分別設置於該擺臂434二端之吸頭436、438，其中，該吸頭436位於該第一位置P1時，該吸頭438係位於該第二位置P2，反之亦然。

該晶粒分選設備40亦可執行前述之晶粒分選方法，而且，當該吸頭436執行步驟b)至步驟e)時，該吸頭438可同時執行步驟f)至步驟h)，舉例而言，在該吸頭436自該第一軟性薄膜21吸取該晶粒32的過程中，該吸頭438可將其先前已吸取之晶粒34放置於該第二軟性薄膜22。如此一來，該晶粒分選設備40不但具有如前述之該晶粒分選設備10的功效，且該晶粒分選設備40之效率更高。

最後，必須再次說明，本發明於前揭實施例中所揭露的構成元件，僅為舉例說明，並非用來限制本案之範圍，其他等效元件的替代或變化，亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。

10‧‧‧晶粒分選設備

13‧‧‧吸取裝置

132‧‧‧驅動器

134‧‧‧擺臂

136‧‧‧吸頭

14‧‧‧頂推座

142‧‧‧穿孔

15‧‧‧頂針

16‧‧‧置晶台

21‧‧‧第一軟性薄膜

211‧‧‧第一表面

212‧‧‧第二表面

22‧‧‧第二軟性薄膜

221‧‧‧第一表面

222‧‧‧第二表面

32‧‧‧晶粒

P1‧‧‧第一位置

Claims (17)

1. 一種晶粒分選方法，係用以將一黏設於一軟性薄膜之晶粒自該軟性薄膜上取離，該晶粒選取方法包含有以下步驟：a)提供一吸頭、一具有真空吸引功能之頂推座以及一頂針，該頂針係可沿其軸向滑移地穿設於該頂推座；b)使該吸頭平移至一間隔對應一待選取晶粒之第一位置；c)使該具有真空吸引功能之頂推座連同該頂針自一隔著該軟性薄膜而間隔對應該待選取晶粒之預備位置朝該吸頭的方向移動，以頂推該軟性薄膜及該待選取晶粒直到該待選取晶粒吸附於該吸頭；d)使該頂推座吸附住該軟性薄膜並朝遠離該吸頭的方向移動至該預備位置；e)使該頂針朝遠離該吸頭的方向移動至該預備位置；以及f)使該吸頭自該第一位置平移離開至一用以置放晶粒之第二位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶粒分選方法，其中該吸頭係設置於一擺臂，且該擺臂係受一驅動器驅動而擺動，使該吸頭可在該第一位置與該第二位置之間平移。
3. 如申請專利範圍第2項所述之晶粒分選方法，其中該擺臂設置有二該吸頭，其中一該吸頭位於該第一位置時，另一該吸頭係位於該第二位置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之晶粒分選方法，其中在步驟d)中，該頂針實質上係固定不動。
5. 如申請專利範圍第1項所述之晶粒分選方法，其中在步驟d)中，該頂推座尚在移動而尚未停定於該預備位置時，即進行步驟e)。
6. 一種晶粒分選方法，係用以將一黏設於一第一軟性薄膜之晶粒自該第一軟性薄膜上取離，再將該晶粒放置於一第二軟性薄膜，該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜分別具有一第一表面，以及一與該第一表面朝向相反方向之第二表面，該晶粒係位於該第一軟性薄膜之第一表面；該晶粒分選方法包含有以下步驟：a)提供一吸取裝置、一能產生真空吸引功能之頂推座、一實質上沿一垂直於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜之頂推軸向地穿設於該頂推座之頂針，以及一置晶台；該吸取裝置包含有至少一能產生真空吸引功能之吸頭，該吸頭能實質上垂直於該頂推軸向地移動，並能與該第一軟性薄膜之第一表面相對，亦能與該第二軟性薄膜之第一表面相對；該頂推座及該頂針係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，且能分別實質上沿該頂推軸向移動；該置晶台係與該第二軟性薄膜之第二表面相對，且能實質上沿該頂推軸向移動；b)使該吸取裝置之吸頭、該頂推座及該頂針位於對應該晶粒之位置； c)使該頂推座及該頂針朝該吸取裝置之吸頭的方向移動而頂推該第一軟性薄膜及該晶粒，進而使該晶粒吸附於該吸頭；d)使該頂推座朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動，同時使該第一軟性薄膜之第二表面吸附於該頂推座，進而使該第一軟性薄膜之第一表面與該晶粒分離；e)使該頂針朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動；f)使該吸取裝置之吸頭連同該晶粒移動而使該晶粒與該第二軟性薄膜之第一表面相對且對應於該置晶台；g)使該置晶台朝該吸取裝置之吸頭的方向移動而頂推該第二軟性薄膜，進而使該晶粒黏附於該第二軟性薄膜之第一表面；以及h)使該置晶台朝遠離該吸取裝置之吸頭的方向移動。
7. 如申請專利範圍第6項所述之晶粒分選方法，其中該吸取裝置更包含有一驅動器，以及一設置於該驅動器之擺臂，該吸頭係設置於該擺臂，該驅動器能驅動該擺臂繞該頂推軸向擺動，藉以將該吸頭帶動至可達成該步驟b)之一第一位置，以及將該吸頭帶動至可達成該步驟f)之一第二位置。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶粒分選方法，其中該吸取裝置包含有二該吸頭，其中一該吸頭位於該第一位置時，另一該吸頭係位於該第二位置。
9. 如申請專利範圍第6項所述之晶粒分選方法，其中該步驟f)、該步驟g)及該步驟h)執行的過程中，另一黏設於該第一軟 性薄膜之第一表面的晶粒係相對該頂推座及該頂針位移至對應該頂推座及該頂針之位置。
10. 如申請專利範圍第6項所述之晶粒分選方法，其中在步驟d)中，該頂針實質上係固定不動。
11. 如申請專利範圍第6項所述之晶粒分選方法，其中在步驟d)中，該頂推座尚在移動時，即進行步驟e)。
12. 一種晶粒分選設備，係用以將一黏設於一第一軟性薄膜之晶粒自該第一軟性薄膜上取離，再將該晶粒放置於一第二軟性薄膜，該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜分別具有一第一表面，以及一與該第一表面朝向相反方向之第二表面，該晶粒係位於該第一軟性薄膜之第一表面；該晶粒分選設備包含有：一吸取裝置，包含有至少一能產生真空吸引功能之吸頭，該吸頭能實質上平行於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜地移動，並能與該第一軟性薄膜之第一表面相對，亦能與該第二軟性薄膜之第一表面相對；一頂推座，係能產生真空吸引功能，且係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，並能實質上沿一垂直於該第一軟性薄膜及該第二軟性薄膜之頂推軸向移動；一頂針，係實質上沿該頂推軸向地穿設於該頂推座，且係與該第一軟性薄膜之第二表面相對，並能實質上沿該頂推軸向移動；以及一置晶台，係與該第二軟性薄膜之第二表面相對，且能實質上沿該頂推軸向移動。
13. 如申請專利範圍第12項所述之晶粒分選設備，其中該吸取裝置更包含有一驅動器，以及一設置於該驅動器之擺臂，該吸頭係設置於該擺臂，該驅動器能驅動該擺臂繞該頂推軸向擺動，藉以使該吸頭能被帶動至一與該第一軟性薄膜之第一表面相對之第一位置，亦能被帶動至一與該第二軟性薄膜之第一表面相對之第二位置。
14. 如申請專利範圍第13項所述之晶粒分選設備，其中該吸取裝置包含有二該吸頭，其中一該吸頭位於該第一位置時，另一該吸頭係位於該第二位置。
15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項所述之晶粒分選設備，其中該頂推座及該頂針係用以同時自一預備位置朝該吸取裝置之吸頭的方向移動至一頂推位置，藉以頂推該第一軟性薄膜及該晶粒，進而使該晶粒吸附於該吸頭，然後該頂推座及該頂針再先後離開該頂推位置並朝向該預備位置移動，藉以使該晶粒與該第一軟性薄膜分離。
16. 如申請專利範圍第15項所述之晶粒分選設備，其中該頂針在該頂推座自頂推位置移動至預備位置的過程中係實質上固定不動。
17. 如申請專利範圍第15項所述之晶粒分選設備，其中該頂針係在該頂推座尚未停定於預備位置時離開該頂推位置。