JP2017120249A5

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Publication number: JP2017120249A5
Application number: JP2016152636A
Authority: JP
Filing date: 2016-08-03
Publication date: 2018-03-29
Anticipated expiration: 2036-08-03

Description

本発明の検出装置は、導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、対向部材（３０、４４）と、センサ部（５１、５３、５５）と、を備える。導電部材は、グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる。対向部材は、少なくとも一部が導電部材と対向して配置される。センサ部は、センサ素子（５１２、５３２）、センサ本体（５１１、５３１）、および、グランド端子（５１７、５３７、５５７）を有する。センサ素子は、導電部材と対向部材との間であって、導電部材と対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置される。センサ本体は、センサ素子を封止している。グランド端子は、センサ本体から突出し、グランドと接続される。導電部材は、センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、グランド端子またはグランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と導電可能に設けられている。
ここで、「導電可能に設けられている」とは、導電部材とグランド端子またはグランド配線部とが当接している場合、および、はんだ付けや溶接等により電気的に接続されている場合に限らず、絶縁破壊や容量結合等により静電気やノイズを伝達可能な程度の微小ギャップが導電部材とグランド端子またはグランド配線部との間に形成されている場合を含むものとする。また、静電気やノイズを伝達可能であれば、微小ギャップに別部材（例えば絶縁シートやレジストパターン等）が配置されていてもよい。導電部材とグランド部材とについても同様である。

導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有する。対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、第２基部から突出し、第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有する。センサ配置領域は、第１集磁部と第２集磁部とが対向する箇所である。センサ素子は、第１集磁部と第２集磁部との間の磁束を検出する。
第１態様では、第１集磁部（４０１、４１１）には、第１基部と反対側に突出する逃がし部（４０５、４１５）が形成される。第２態様では、センサ部は、センサ本体から突出し、グランド端子とは別途に設けられる非グランド端子（５１５、５１６）をさらに有する。第１集磁部（４２１）は、当該第１集磁部側から見て、グランド端子および非グランド端子を、それぞれ少なくとも一部を覆うように形成され、先端部（４２２）にて、グランド配線部および非グランド端子と接続される非グランド配線部を含むターミナル基板（６１）と導電可能に設けられる。先端部とターミナル基板との間には、微小ギャップが形成され、微小ギャップには、絶縁シート（４９）が設けられる。
第３態様〜第５態様では、センサ部（５３、５５）は、グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されている。第１集磁部または第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、センサ部の実装上面側に配置されている。第１集磁部または第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、基板に形成される切欠部（６５３）に挿入される。
第３態様では、第１集磁部（４３１）は、切欠部に挿入され、当該切欠部の内部にてグランドパターン（６６３）と導電可能に設けられる。第４態様では、センサ部の実装上面側に配置される第１集磁部（３１１）は、センサ部の外側の領域まで延び、先端部（３１２）が基板側に折れ曲がって形成され、先端部にて、グランドパターン（６５７、６７７）と導電可能に設けられる。第５態様では、センサ部の実装上面側に配置される第１集磁部（３２１）の突出部（３２３）は、グランド端子（５５７）と導電可能に設けられる。
これにより、静電気やノイズは、センサ本体を経由せずに、グランド部材に逃がされるので、センサの損傷や誤動作を防ぐことができる。

Claims

グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記第１集磁部（４０１、４１１）には、前記第１基部と反対側に突出する逃がし部（４０５、４１５）が形成される検出装置。
前記逃がし部（４０５）は、先端が前記グランド端子側に折れ曲がっており、前記グランド端子と導電可能に設けられている請求項１に記載の検出装置。
前記逃がし部（４１５）は、前記第１基部と反対側に延びて形成され、先端部（４１６）にて前記グランド配線部（６１７）と導電可能に設けられている請求項１に記載の検出装置。
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部は、前記センサ本体から突出し、前記グランド端子とは別途に設けられる非グランド端子（５１５、５１６）をさらに有し、
前記第１集磁部（４２１）は、当該第１集磁部側から見て、前記グランド端子および前記非グランド端子を、それぞれ少なくとも一部を覆うように形成され、先端部（４２２）にて、前記グランド配線部および前記非グランド端子と接続される非グランド配線部を含むターミナル基板（６１）と導電可能に設けられ、
前記先端部と前記ターミナル基板との間には、微小ギャップが形成され、
前記微小ギャップには、絶縁シート（４９）が設けられる検出装置。
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記第１集磁部（４３１）は、前記切欠部に挿入され、当該切欠部の内部にて前記グランドパターン（６６３）と導電可能に設けられる検出装置。
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記センサ部の実装上面側に配置される前記第１集磁部（３１１）は、前記センサ部の外側の領域まで延び、先端部（３１２）が前記基板側に折れ曲がって形成され、前記先端部にて、前記グランドパターン（６５７、６７７）と導電可能に設けられる検出装置。
前記先端部は、前記基板（６５）の前記センサ部が実装される側の面（６５１）のレジスト（６５９）の直下の層に形成される前記グランドパターン（６５７）、および、前記グランドパターン以外の非グランドパターン（６５５、６５６）と導電可能に設けられる請求項６に記載の検出装置。
グランド電位であるグランド部材（７５）と導電可能に設けられる導電部材（３１、３２、４０〜４３）と、
少なくとも一部が前記導電部材と対向して配置される対向部材（３０、４４）と、
前記導電部材と前記対向部材との間であって、前記導電部材と前記対向部材との間の距離が最短であるセンサ配置領域に配置されるセンサ素子（５１２、５３２）、前記センサ素子を封止しているセンサ本体（５１１、５３１）、および、前記センサ本体から突出し、グランドと接続されるグランド端子（５１７、５３７、５５７）を有するセンサ部（５１、５３、５５）と、
を備え、
前記導電部材は、前記センサ配置領域とは異なる領域である導電可能領域にて、前記グランド端子または前記グランド端子と接続されるグランド配線部（６１７、６５７、６６３、６７７）と、導電可能に設けられ、
前記導電部材は、第１基部（３８、４８）、および、前記第１基部から突出して形成される第１集磁部（３１１、３２１、４０１、４１１、４２１、４３１）を有し、
前記対向部材は、第２基部（３８、４８）、および、前記第２基部から突出し前記第１集磁部と対向する第２集磁部（３０１、４４１）を有し、
前記センサ配置領域は、前記第１集磁部と前記第２集磁部とが対向する箇所であって、
前記センサ素子は、前記第１集磁部と前記第２集磁部との間の磁束を検出し、
前記センサ部（５３、５５）は、前記グランド配線部であるグランドパターン（６６３、６５７、６７７）が設けられる基板（６５、６７）に表面実装されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の一方（３０１、３１１、３２１）が、前記センサ部の実装上面側に配置されており、
前記第１集磁部または前記第２集磁部の他方（４３１、４４１）が、前記基板に形成される切欠部（６５３）に挿入され、
前記センサ部の実装上面側に配置される前記第１集磁部（３２１）の突出部（３２３）は、前記グランド端子（５５７）と導電可能に設けられる検出装置。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の検出装置（２１〜２８）を備えるトルクセンサであって、
前記センサ素子は、第１の軸（９２１）と第２の軸（９２２）との間に加わるトルクに応じた磁束を検出するものであるトルクセンサ。