JP2017111384A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高性能化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板よりも上層に位置する表示機能層と、前記絶縁基板と前記表示機能層との間に位置し、画像を表示するための電位が印加される反射電極と、前記絶縁基板と前記反射電極との間に位置する帯状のアンテナと、を備える表示装置。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
近年、液晶表示装置などの表示装置は、各種分野で利用されている。このような表示装置において、階調表示の処理を行うために、表示装置の各画素にメモリを備える技術が開示されている（特許文献１）。
また、表示装置は、表示機能だけでなく、近距離無線通信機能を備えるものもある。例えば、近距離無線通信を行うための通信プロトコルとしてはＮＦＣ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）がある。例えば、ＮＦＣ機能を用いて情報を送受信し、携帯電話等の小型の通信装置に実装されるアンテナ装置が知られている（特許文献２）。
特開２０１４−２１１６９号公報 特開２０１１−２０５７１８号公報
本実施形態の目的は、高性能化が可能な表示装置を提供することにある。
本実施形態によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板よりも上層に位置する表示機能層と、前記絶縁基板と前記表示機能層との間に位置し、画像を表示するための電位が印加される反射電極と、前記絶縁基板と前記反射電極との間に位置する帯状のアンテナと、を備える表示装置が提供される。
図１は、表示パネルＰＮＬの断面を示す図である。 図２は、表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。 図３は、ＭＩＰ方式を適用したセグメントＳＧの構成例及び動作を示す図である。 図４は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１の断面を示す図である。 図５は、表示装置ＤＳＰのアンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥの配置の一例を示す図である。 図６は、図５に示したアンテナＡＴの領域Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを詳しく示す図である。 図７は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１の他の断面を示す図である。 図８は、アンテナＡＴ及び中継電極ＲＥの位置関係を示す図である。 図９は、図５に示した表示装置ＤＳＰのブリッジ配線ＢＷに沿った断面を示す図である。 図１０は、表示装置ＤＳＰのアンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥの配置の他の例を示す図である。 図１１は、図１０に示したアンテナＡＴの領域Ｅを詳しく示す図である。 図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの変形例を示す概略断面図である。 図１３は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰを適用した電子機器１００を示す図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器や、所謂交通系ＩＣカード等にディスプレイを搭載したカードディスプレイ等の種々の装置に適用可能である。
まず、反射型の表示パネルＰＮＬの構成例について説明する。
図１は、表示パネルＰＮＬの断面を示す図である。図１は、画像を表示する表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの断面を示している。図示した表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルである。また、ここでは、説明に必要な構成のみを図示している。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、液晶層ＬＣ、及び、光学素子ＯＤを備えている。液晶層ＬＣは、表示機能層に相当する。
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、アンテナＡＴ、第４絶縁膜１４、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等を備えている。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上に位置している。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に位置している。
アンテナＡＴは、第３絶縁膜１３の上に位置している。アンテナＡＴは、第４絶縁膜１４に覆われている。画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に位置している。つまり、画素電極ＰＥは、第１絶縁基板１０よりも上層に位置しており、アンテナＡＴは、第１絶縁基板１０と画素電極ＰＥとの間に位置している。画素電極ＰＥは、反射電極に相当し、アルミニウムや銀などの光反射性を有する金属材料によって形成された反射層を含んでいる。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥを覆っている。
第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。カラーフィルタ層ＣＦは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣには、第１基板ＳＵＢ１と対向する面に共通電極ＣＥが形成されている。共通電極ＣＥは、少なくとも表示領域ＤＡに対応する大きさの面積を有する平板状を呈しており、表示領域ＤＡ上の複数の画素電極ＰＥと対向している。なお、共通電極ＣＥの形状は、画素電極ＰＥと一様に対向する１枚の平板状のみならず、複数の帯状に分割した構成や、マトリクス状に分割した構成も採用することができる。上記のように共通電極ＣＥが分割される場合、分割されたそれぞれの共通電極ＣＥ間にスリットが形成されるが、スリットの位置は、第１基板ＳＵＢ１上に配置される各種配線と対向する位置等、画素（後述する画素ＰＸ）を区画する位置と対応して設けられることが好ましい。共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に位置した液晶分子ＬＭを含んでいる。
第２基板ＳＵＢ２には、液晶層ＬＣに接する面とは反対側に位置する面に光学素子ＯＤが設けられている。光学素子ＯＤは、例えば散乱層ＦＳ、位相差板ＲＴ、偏光板ＰＬなどを備えている。散乱層ＦＳは第２絶縁基板２０に接着され、位相差板ＲＴは散乱層ＦＳに積層され、偏光板ＰＬは位相差板ＲＴに積層されている。なお、光学素子ＯＤの構成は、図示した例に限らない。
散乱層ＦＳは、特定方向からの入射光を散乱させる異方性散乱層である。図示した例では、散乱層ＦＳは、図中の光源ＬＳ側からの入射光をほとんど散乱させずに透過し、特定方向、つまり、画素電極ＰＥでの反射光を散乱させる機能を有している。位相差板ＲＴは、１／４波長板としての機能を有している。一例では、位相差板ＲＴは、１／４波長板と１／２波長板とを積層した積層体であり、波長依存性を低減し、カラー表示に利用される波長範囲において所望の位相差が得られるように構成されている。
このような表示パネルＰＮＬにおいて、光源ＬＳに近接する側が表示面側に相当する。図示した例では、光学素子ＯＤの表面が表示面に相当するが、光学素子ＯＤの表面にカバー部材が配置された場合には、カバー部材の表面が表示面に相当する。
本実施形態においては、表示パネルＰＮＬにアンテナＡＴが組み込まれている。アンテナＡＴは、例えば、ＮＦＣ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）に適用されるＮＦＣアンテナとして機能する。ＮＦＣは、１３．５６ＭＨｚの周波数を利用する通信距離１０ｃｍ程度の近距離無線通信技術である。
なお、アンテナＡＴの形態は、特に限定されず、ＮＦＣとしては、例えば、ＮＦＣ−ＴｙｐｅＦ、ＮＦＣ−ＴｙｐｅＡ、ＴｙｐｅＢなどが適用可能である。また、より広義な近距離無線通信技術として、電磁界や電波などを用いたＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）が挙げられる。ＲＦＩＤは、近距離無線通信技術全般を指しており、一定の基準に沿って規格化されているＮＦＣは、ＲＦＩＤに含まれる。本実施形態においては、アンテナＡＴは、ＲＦＩＤに適用可能である。また、ＲＦＩＤの形態には、電池を内蔵せずリーダからの電磁波によって作動するパッシブ型、電池を内蔵し自ら電磁波を発生するアクティブ型、パッシブ型とアクティブ型を組み合わせたセミアクティブ型等が含まれる。ＲＦＩＤに用いられる種々のアンテナは、それぞれ基本的な送受信方法が等しく、本発明においては、表示装置ＤＳＰに、いずれのアンテナも適用することができる。
本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、第１絶縁基板１０と反射電極としての画素電極ＰＥとの間に位置するアンテナＡＴを備えている。画素電極ＰＥは、アンテナＡＴよりも上層（表示面側）に位置している。このため、アンテナＡＴを表示パネルＰＮＬに組み込むことによる表示に寄与する開口部の面積の低下や、表示面側から表示画像を観察した際にアンテナＡＴが視認されるなどの不具合を抑制することができる。上記のことから、画像表示機能及びＮＦＣ機能を兼ね備えた高性能な表示装置を提供することが可能となる。
次に、上記表示装置の一構成例について説明する。
図２は、表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。図示した例では、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、駆動部ＤＲなどを備えている。また、表示パネルＰＮＬには、図１に示したように、近距離無線通信を行うためのアンテナＡＴが組み込まれている。
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。また、表示パネルＰＮＬは、信号線ＳＬ、走査線ＣＬ、単位画素ＰＸ、図示しない各種電圧を伝送するための配線や電源線などを備えている。複数の信号線ＳＬは、第１方向Ｘに並んでいる。複数の走査線ＣＬは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに並んでいる。複数の単位画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面において、マトリクス状に配列されている。
本実施形態では、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは直交しているが、これらは交差していればよく、略直交等他の交差状態の構成も採用可能である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙで形成されるＸ−Ｙ平面に対し直交する方向（法線方向）から表示パネルＰＮＬを視認することを平面視という。
単位画素ＰＸは、カラー画像を構成する最小単位である。後述するが、単位画素ＰＸは、複数の副画素によって構成されている。一例では、１つの単位画素ＰＸは、赤色を表示する副画素ＰＲ、緑色を表示する副画素ＰＧ、及び、青色を表示する副画素ＰＢを備えている。また、単位画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色を表示する副画素を備えていても良い。副画素ＰＲ、ＲＧ、ＲＢの各々については、略同一構成であり、ここでは、副画素ＰＲに着目してその構成をより具体的に説明する。
副画素ＰＲは、画素電極ＰＥとしての部分電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と、画素回路ＣＲ１及びＣＲ２とを備えている。一例では、部分電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、一列に配列され、それぞれ面積が等しく、図示した例では正方形状に形成されている。部分電極Ｐ２は、中継電極ＲＥ１によって画素回路ＣＲ１と電気的に接続されている。部分電極Ｐ１及びＰ３は、中継電極ＲＥ２によって互いに電気的に接続され、且つ、画素回路ＣＲ２と電気的に接続されている。つまり、部分電極Ｐ１及びＰ３は、部分電極Ｐ２を挟んで分離されているが、互いに電気的に接続されており、一体となって動作する。
上記のような、副画素は複数のセグメントＳＧによって構成されており、図示した例では、部分電極Ｐ２、中継電極ＲＥ１、画素回路ＣＲ２の組み合わせが１つのセグメントに相当し、部分電極Ｐ１及びＰ３、中継電極ＲＥ２、画素回路ＣＲ１の組み合わせが１つのセグメントに相当する。セグメントＳＧの具体的な構成例については図３を参照しながら後述する。
本実施形態においては、セグメントＳＧは、データを記憶可能なメモリ部を有する、所謂、ＭＩＰ(Memory In Pixel)方式を採用した構成を有している。このような構成によれば、メモリ部は、２値のデータ（論理“１”／論理“０”）を記憶することができ、当該２値のデータに基づいて、各副画素の階調がデジタル的に表示される。かかる２値データを用いた階調表現方式として、本実施形態では、１つの副画素を複数のセグメントＳＧによって構成し、当該複数のセグメントＳＧの面積の組み合わせによって階調表示を実現する面積階調法が適用される。ここで、「面積階調法」とは、一例として、面積比を２０，２１，２２，…，２ｎ−１、という具合に重み付けしたＮ個のセグメントＳＧで２ｎ個の階調を表現する階調表現方式である。なお、本実施形態において、セグメントＳＧの面積とは、各セグメントに含まれる部分電極の総面積に相当するものとする。
メモリ表示モードの場合、メモリ部に保持されているデータを用いて当該副画素の階調が表現される。このため、階調を反映した信号電位を各副画素に書き込む書込み動作をフレーム周期で実行する必要がない。そのため、メモリ表示モードの場合は、表示装置の消費電力を低減することができる。
図２に示した構成例は、２ビットのＭＩＰ方式を適用した場合に相当する。すなわち、上記の通り、１つの副画素は、面積が等しい部分電極Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を備え、部分電極Ｐ１及びＰ３が電気的に接続されている。このため、部分電極Ｐ２の面積と、部分電極Ｐ１及びＰ３を合わせた総面積との面積比は、１：２である。これにより、各副画素において階調表示が実現される。ここで、中継電極とは、画素回路ＣＲ及び画素電極ＰＥの間の層に備えられ、画素回路ＣＲ及び画素電極ＰＥを電気的に接続するための電極である。
駆動部ＤＲは、信号線駆動部Ｄ１及び走査線駆動部Ｄ２を備えている。信号線ＳＬのそれぞれは、信号線駆動部Ｄ１に接続されている。信号線駆動部Ｄ１は、例えば、所定の階調に対応した信号電位を、対応する信号線ＳＬに出力する。走査線ＣＬのそれぞれは、走査線駆動部Ｄ２に接続されている。走査線駆動部Ｄ２は、副画素への信号電位の書込動作を制御するための制御信号を、対応する走査線ＣＬに出力する。なお、駆動部ＤＲは、さらに、駆動タイミング発生回路や電源回路などを備えていても良い。
図３は、ＭＩＰ方式を適用したセグメントＳＧの構成例及び動作を示す図である。
図３（ａ）は、図２を参照して説明したセグメントＳＧの構成例を示す図である。
図示したように、１つのセグメントＳＧは、液晶容量ＣＬＣ、及び、画素回路ＣＲを備えている。液晶容量ＣＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間で発生する液晶層の容量成分を意味している。なお、以下で説明する画素電極ＰＥとは、図２を参照して説明した画素回路ＣＲと電気的に接続された部分電極に相当する。共通電極ＣＥには、コモン電圧Ｖｃｏｍが印加される。
画素回路ＣＲは、３つのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３、及び、ラッチ部ＬＴを備えている。スイッチＳＷ１は、例えば、ＮｃｈＭＯＳトランジスタによって構成されている。スイッチＳＷ１は、その一端が信号線ＳＬに接続され、その他端がラッチ部ＬＴに接続されている。スイッチＳＷ１のオン・オフは、走査線ＣＬから供給される走査信号によって制御される。すなわち、スイッチＳＷ１は、図２の走査線駆動部Ｄ２から走査線ＣＬを介して走査信号φＶが与えられることによってオン（閉）状態となり、図２の信号線駆動部Ｄ１から信号線ＳＬを介して供給されるデータ（階調に対応した信号電位）ＳＩＧを取り込む。
ラッチ部ＬＴは、互いに逆向きに並列接続されたインバータＩＶ１及びＩＶ２を備えている。インバータＩＶ１及びＩＶ２の各々は、例えば、ＣＭＯＳインバータによって構成されている。ラッチ部ＬＴは、スイッチＳＷ１によって取り込まれたデータＳＩＧに応じた電位を保持（ラッチ）する。
スイッチＳＷ２及びＳＷ３の各々は、例えば、ＮｃｈＭＯＳトランジスタ及びＰｃｈＭＯＳトランジスタが並列に接続されてなるトランスファスイッチによって構成されているが、他の構成のトランジスタを用いて構成することも可能である。スイッチＳＷ２の一端には、コモン電圧Ｖｃｏｍと逆相の電圧ＸＦＲＰが与えられる。スイッチＳＷ３の一端には、コモン電圧Ｖｃｏｍと同相の電圧ＦＲＰが与えられる。スイッチＳＷ２及びＳＷ３の各々の他端は、互いに接続され、且つ、画素電極ＰＥと電気的に接続され、画素回路ＣＲの出力ノードＮｏｕｔとなる。スイッチＳＷ２及びＳＷ３は、ラッチ部ＬＴの保持電位の極性に応じていずれか一方がオン状態となる。これにより、共通電極ＣＥにコモン電圧Ｖｃｏｍが印加されている液晶容量ＣＬＣにおいて、画素電極ＰＥに同相の電圧ＦＲＰまたは逆相の電圧ＸＦＲＰが印加される。
図３（ｂ）は、ＭＩＰ方式を適用したセグメントＳＧの動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。ここでは、液晶層ＬＣに対して電圧が印加されない状態で黒を表示するノーマリーブラックモードを適用した場合を例に説明する。
画素回路ＣＲにおいては、スイッチＳＷ１に対して制御信号φＶが与えられたタイミングで、信号線ＳＬに供給されたデータＳＩＧを取り込み、取り込んだデータＳＩＧに応じた電位をラッチ部ＬＴで保持する。論理“０”に相当するデータＳＩＧを取り込んだ場合には、ラッチ部ＬＴの保持電位は負極性となる。この場合、スイッチＳＷ２はオフ（開）状態であって、スイッチＳＷ３がオン（閉）状態となり、画素電極ＰＥに対してコモン電圧Ｖｃｏｍと同相の電圧ＦＲＰが印加される。これにより、画素電極ＰＥの画素電位は、共通電極のコモン電圧Ｖｃｏｍと同等となる。このため、液晶層ＬＣに対して電圧が印加されず、セグメントＳＧは黒を表示する。
一方、画素回路ＣＲにおいて、論理“１”に相当するデータＳＩＧを取り込んだ場合には、ラッチ部ＬＴの保持電位は正極性となる。この場合、スイッチＳＷ３はオフ（開）状態であって、スイッチＳＷ２がオン（閉）状態となり、画素電極ＰＥに対してコモン電圧Ｖｃｏｍと逆相の電圧ＸＦＲＰが印加される。これにより、画素電極ＰＥの画素電位と、共通電極のコモン電圧Ｖｃｏｍとの間に電位差が生ずる。つまり、液晶層ＬＣに電圧が印加される。このため、液晶層ＬＣを透過する光が変調され、その一部が表示に寄与するため、セグメントＳＧは白を表示する。
このように、ＭＩＰ方式を適用した構成においては、ラッチ部ＬＴの保持電位の極性に応じてスイッチＳＷ２及びＳＷ３のいずれか一方がオン状態となることにより、画素電極ＰＥに対して、同相の電圧ＦＲＰまたは逆相の電圧ＸＦＲＰが印加される。これにより、セグメントＳＧには常に一定電圧が印加されることになるため、シェーディングを抑制することができる。
なお、上述した例では、セグメントＳＧが内蔵するメモリとして、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を用いる場合を例に説明したが、この例に限らず、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの他の構成を適用しても良い。
図４は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１の断面を示す図である。
第１基板ＳＵＢ１は、さらに、第１絶縁基板１０の上にスイッチＳＷ２１及びＳＷ３１、中継電極ＲＥ、等を備えている。ここで、スイッチＳＷ２１は、図３（ａ）に示したスイッチＳＷ２に相当する。また、スイッチＳＷ３１は、図３（ａ）に示したスイッチＳＷ３に相当する。
スイッチＳＷ２１は、半導体層ＳＣ２１、ゲート電極ＧＥ２１、ソース・ドレインに相当する第１電極Ｅ２１１及び第２電極Ｅ２１２を備えている。また、スイッチＳＷ３１は、半導体層ＳＣ３１、ゲート電極ＧＥ３１、ソース・ドレインに相当する第３電極Ｅ３１１及び第４電極Ｅ３１２を備えている。
半導体層ＳＣ２１及びＳＣ３１は、第１絶縁基板１０の上に位置し、第１絶縁膜１１によって覆われている。ゲート電極ＧＥ２１及びＧＥ３１は、第１絶縁膜１１の上に位置し、第２絶縁膜１２によって覆われている。第１電極Ｅ２１１及び第２電極Ｅ２１２、及び、第３電極Ｅ３１１及び第４電極Ｅ３１２は、第２絶縁膜１２の上に位置し、第３絶縁膜１３によって覆われている。第１電極Ｅ２１１及び第２電極Ｅ２１２はそれぞれ半導体層ＳＣ２１にコンタクトし、第３電極Ｅ３１１及び第４電極Ｅ３１２はそれぞれ半導体層ＳＣ３１にコンタクトしている。第３電極Ｅ３１１は、第２電極Ｅ２１２に繋がり、ノード電極ＥＮを構成する。ノード電極ＥＮは、第２絶縁膜１２の上に位置し、第３絶縁膜１３によって覆われている。
中継電極ＲＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。中継電極ＲＥは、第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１を介してノード電極ＥＮと電気的に接続されている。アンテナＡＴは、第３絶縁膜１３の上に位置している。つまり、アンテナＡＴは、中継電極ＲＥと同層に位置している。アンテナＡＴは、開口部ＯＰを有している。中継電極ＲＥは、開口部ＯＰの内側に位置している。
アンテナＡＴは、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等の金属材料を用いて形成される。中継電極ＲＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成されるが、これらアンテナＡＴと中継電極ＲＥとは同一材料によって形成されても良い。
中継電極ＲＥ及びアンテナＡＴは、第４絶縁膜１４によって覆われている。つまり、中継電極ＲＥ及びアンテナＡＴは、第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４との間に位置している。なお、アンテナＡＴとこれら一対の絶縁膜１３及び１４の関係でみれば、第１絶縁基板１０とアンテナＡＴとの間に第１層間絶縁膜としての第３絶縁膜１３が設けられ、画素電極ＰＥとアンテナＡＴとの間に位置する第２層間絶縁膜としての第４絶縁膜１４が設けられている、ともいえる。
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に位置し、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して中継電極ＲＥにコンタクトしている。なお、ここでの画素電極ＰＥは上記の部分電極Ｐ１乃至Ｐ３のいずれかに相当し、中継電極ＲＥは上記の中継電極ＲＥ１またはＲＥ２に相当する。
第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２は、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの無機系材料によって形成されている。第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４は、樹脂材料などの有機系材料によって形成されている。なお、スイッチＳＷ２１及びＳＷ３１を含む図３に示した画素回路ＣＲは、第１絶縁基板１０と第４絶縁膜１４との間に位置している。
このように、第１基板ＳＵＢ１においては、中継電極ＲＥ及びアンテナＡＴが同層に位置しているため、第１基板ＳＵＢ１の厚みを増加することなく、アンテナＡＴを内蔵することが可能となる。
図５は、表示装置ＤＳＰのアンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥの配置の一例を示す図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面での平面図を示す。
まず、平面視におけるアンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥの配置について説明する。
第１基板ＳＵＢ１は、帯状に形成されたアンテナＡＴを備えている。アンテナＡＴは、一端部ＡＴａと、他端部ＡＴｂとを有している。アンテナＡＴは、表示領域ＤＡにおいて、一連の渦巻き状（コイル状）に周回して形成されている。アンテナＡＴの一端部ＡＴａは非表示領域ＮＤＡに位置し、他端部ＡＴｂは表示領域ＤＡに位置している。一端部ＡＴａは、パッドＰＤ１と電気的に接続されている。他端部ＡＴｂは、後述するブリッジ配線ＢＷを介してパッドＰＤ２と電気的に接続されている。これらのパッドＰＤ１及びＰＤ２は、第１基板ＳＵＢ１の非表示領域ＮＤＡに位置し、フレキシブル基板３に接続されている。
ここで、図５に示したアンテナＡＴは、第１基板ＳＵＢ１上で約３周回した渦巻き状に形成されており、それぞれ１周回した部分として、第１巻回部ＡＴ１を有し、表示装置ＤＳＰを平面視した状態で第１巻回部ＡＴ１よりも内側となる位置に第２巻回部ＡＴ２を有し、第２巻回部ＡＴ２よりも内側となる位置に第３巻回部ＡＴ３を有している。すなわち、第１巻回部ＡＴ１は、アンテナＡＴの一端部ＡＴａから曲折部ＢＤ１までの部分に相当し、第２巻回部ＡＴ２は、アンテナＡＴの曲折部ＢＤ１から曲折部ＢＤ２までの部分に相当し、第３巻回部ＡＴ３は、アンテナＡＴの曲折部ＢＤ２から他端部ＡＴｂまでの部分に相当する。
第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３は、いずれも図４に示した第３絶縁膜１３上に設けられることで同一平面（Ｘ−Ｙ平面）に位置している。また、第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３は、平面視で隙間を有して互いに離間し、交差することなく配置されている。第１基板ＳＵＢ１は、第３巻回部ＡＴ３の内周側に領域ＡＲを有している。アンテナＡＴは、そのほとんどの部分が表示領域ＤＡ内に位置している。表示領域ＤＡにおけるアンテナＡＴは、ほぼ一定の幅Ｗ１を有している。一方で、非表示領域ＮＤＡにおける他端部ＡＴｂは、幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ０を有している。
第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、ダミー電極ＤＥを備えている。ダミー電極ＤＥは、アンテナＡＴから離間して位置している。このようなダミー電極ＤＥは、表示パネルＰＮＬ内のいずれも配線や回路にも接続されず、電気的にフローティング状態にある。なお、ダミー電極ＤＥが別層に設けられたＧＮＤ電源に接続される構成を採用することも可能である。ダミー電極ＤＥは、第１基板ＳＵＢ１の領域ＡＲ内に位置している。また、図示した例では、ダミー電極ＤＥは、表示領域ＤＡにおいて、第１巻回部ＡＴ１の外周側にも位置している。
第１基板ＳＵＢ１は、ブリッジ配線ＢＷを備えている。後述するが、ブリッジ配線ＢＷは、アンテナＡＴが位置する層とは異なる層に位置している。一例では、ブリッジ配線ＢＷは、図２に示した信号線ＳＬと同層に位置している。ブリッジ配線ＢＷは、一端側でアンテナＡＴの他端部ＡＴｂと電気的に接続されている。また、ブリッジ配線ＢＷは、他端側でアンテナ配線ＡＷと電気的に接続されている。ブリッジ配線ＢＷは、その一端側と他端側との間で、第１巻回部ＡＴ１及び第２巻回部ＡＴ２と平面視で交差し、非表示領域ＮＤＡに向かって延出している。アンテナ配線ＡＷは、非表示領域ＮＤＡに位置し、パッドＰＤ２と電気的に接続されている。
アンテナＡＴを駆動するための駆動ＩＣチップ４は、フレキシブル基板３上に配置されている。駆動ＩＣチップ４は、パッド電極ＰＤ１及びＰＤ２と電気的に接続されている。なお、アンテナＡＴを駆動するための駆動ＩＣチップ４は、フレキシブル基板３とは別の基板上に配置されていてもよい。また、駆動ＩＣチップ４を省略する代わりに、アンテナＡＴを駆動するための駆動回路が図示を省略した他の駆動ＩＣチップに内蔵されていても良い。
なお、アンテナＡＴの構成は図示した例に限らない。例えば、アンテナＡＴの形状は、円形状、矩形状、多角形状等、種々の構成をとることが可能である。また、アンテナＡＴは、図示した例では、約３周回した渦巻き状に形成されていたが、周回の数は限定されず１周であってもよいし、４周以上であってもよい。また、ダミー電極を省略しても良い。
図６は、図５に示したアンテナＡＴの領域Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅを詳しく示す図である。
図６（ａ）は、アンテナＡＴの領域Ｂを示す図である。図示した例では、アンテナＡＴの第２巻回部ＡＴ２は、複数の細線部ＴＬによって構成されている。第２巻回部ＡＴ２のみならず、第１巻回部ＡＴ１及び第３巻回部ＡＴ３についても同様に、複数の細線部ＴＬによって構成されている。細線部ＴＬは、第２方向Ｙに沿って延出している。上述したように、アンテナＡＴの幅Ｗ１は、例えば、約２ｍｍに形成されている。細線部ＴＬの幅Ｗ２は、例えば、１単位画素から２単位画素分の幅で形成される。一例としては、細線部ＴＬの幅Ｗ２は、例えば、約１４０〜２８０μｍに形成される。なお、隣り合う細線部ＴＬの隙間Ｗ２１は、図５に示した第１乃至第３巻回部の隙間Ｗ１１と同等とすることが望ましい。このように、アンテナＡＴが複数の細線部ＴＬから構成されることにより、隣り合う細線部ＴＬの隙間Ｗ２１と、第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３の隙間Ｗ１１との差を小さくすることにより、表示領域ＤＡにおいてアンテナＡＴを一定の密度に配置することができ、表示領域ＤＡにおいて、アンテナＡＴに起因した段差を緩和することができる。
図６（ｂ）は、アンテナＡＴの第１巻回部ＡＴ１の領域Ｃを示す図である。図示した例では、細線部ＴＬは、曲折しており、第１方向Ｘに沿って延出した細線部ＴＬａと、第２方向Ｙに沿って延出した細線部ＴＬｂとを有している。図６（ｂ）においても、隣り合う細線部ＴＬａ間及び隣り合う細線部ＴＬｂ間の隙間Ｗ２１は、図５に示した第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３の隙間Ｗ１１と同等とすることが望ましい。
図６（ｃ）は、アンテナＡＴの第３巻回部ＡＴ３及びダミー電極ＤＥに跨る領域Ｄを示す図である。図示した例では、ダミー電極ＤＥもアンテナＡＴと同様に複数の細線部ＴＬｃによって構成されている。この場合、ダミー電極ＤＥの細線部ＴＬｃも、アンテナＡＴの細線部ＴＬと同程度の幅Ｗ２に形成されることが望ましい。なお、図６（ｃ）においても、隣り合う細線部ＴＬｃの隙間Ｗ２１は、図５に示した第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３の隙間Ｗ１１と同等とすることが望ましい。
図６（ｄ）は、アンテナＡＴの一端部ＡＴａ付近の領域Ｅを示す図である。図示した例では、領域Ｅの中央に位置する１本の細線部ＴＬが一端部ＡＴａに向かって延出している。その他の細線部ＴＬについては、互いに隣接する細線部のうち、外側に位置する細線部の末端部が中央側に位置する細線部の中途部に接続され、一端部ＡＴａに集約される。このようにして、表示領域ＤＡにおいては、アンテナＡＴの各巻回部は概ね幅Ｗ１を有する一方で、非表示領域ＮＤＡの一端部ＡＴａにおいては、細線化されている。
図７は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１の他の断面を示す図である。
ダミー電極ＤＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。つまり、ダミー電極ＤＥは、アンテナＡＴと同層に位置している。ダミー電極ＤＥは、例えば、アンテナＡＴと同一材料によって形成されており、アンテナＡＴと同一のプロセスで形成される。アンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥは、同じ層厚で形成されている。このようなダミー電極ＤＥを配置することにより、アンテナＡＴが位置する層の段差を軽減することができ、表示パネルＰＮＬ全体で反射率を均一化することができ、表示ムラ等を防ぐことが可能となる。
図８は、アンテナＡＴ及び中継電極ＲＥの位置関係を示す図である。図示した例では、１つの単位画素ＰＸは３つの副画素ＰＲ、ＰＧ，ＰＢから構成され、副画素ＰＲ、ＰＧ，ＰＢの各々は３つの部分電極Ｐ１乃至Ｐ３を備えている。単位画素ＰＸは図中に点線で示し、副画素ＰＲ、ＰＧ，ＰＢは図中に一点鎖線で示し、部分電極Ｐ１乃至Ｐ３は図中に二点鎖線で示している。
図示した例では、単位画素ＰＸは、正方形状に形成され、単位画素ＰＸの第１方向Ｘの長さと単位画素ＰＸの第２方向Ｙの長さは等しく又はほぼ等しく形成され、例えば、一辺の長さは１００〜２００μｍ(一例では約１４０μｍ)に形成されている。
副画素ＰＲ、ＰＧ，ＰＢにおいて、それぞれ中継電極ＲＥ１及びＲＥ２が配置されている。中継電極ＲＥ１は、部分電極Ｐ２に接続されている。中継電極ＲＥ２は、部分電極Ｐ１及びＰ３に接続されている。中継電極ＲＥ１は、四角形状を呈して平面視で部分電極Ｐ２と重なっており、部分電極Ｐ２が第４絶縁膜１４を介して中継電極ＲＥ１にコンタクトしている。中継電極ＲＥ２は、部分電極Ｐ１に対向して設けられる幅広のランド部ＬＮＤ１と、部分電極Ｐ３に対向して設けられる幅広のランド部ＬＮＤ２と、これら一対のランド部を接続する接続線５００を有している。接続線５００は、中継電極ＲＥ１の一側を隙間を有して通過して形成されている。
図示した例では、アンテナＡＴの１本の細線部ＴＬの幅Ｗ２は、１単位画素ＰＸ分に相当する。細線部ＴＬは、部分電極Ｐ１乃至Ｐ３と重なる位置に開口部ＯＰ２を有している。中継電極ＲＥ１及びＲＥ２は、細線部ＴＬの開口部ＯＰ２の内部に配置されている。換言すると、アンテナＡＴは、中継電極ＲＥ１及びＲＥ２の周辺に位置している。
なお、中継電極ＲＥ２は、中継電極ＲＥ１を囲むようなループ状に形成されていてもよい。但し、図示した例のように、中継電極ＲＥ２が中継電極ＲＥ１の片側のみを通る形状の場合には、中継電極ＲＥ２がループ状の場合と比較して、アンテナＡＴの設置面積を拡大することができ、より好ましい。
図９は、図５に示した表示装置ＤＳＰのブリッジ配線ＢＷに沿った断面を示す図である。図示した例では、ブリッジ配線ＢＷは、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、図１に示した信号線ＳＬと同層に形成されている。ブリッジ配線ＢＷは、信号線ＳＬと同一材料によって形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。なお、ブリッジ配線ＢＷは、アンテナＡＴと異なる層であれば、他の導電層と同層に形成されても良く、例えば、走査線ＣＬと同層に形成されても良い。
アンテナＡＴの第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３は、第３絶縁膜１３を介してブリッジ配線ＢＷと交差している。アンテナＡＴの他端部ＡＴｂは、第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ５を介してブリッジ配線ＢＷの一端部ＢＷａと電気的に接続されている。
アンテナ配線ＡＷは、第３絶縁膜１３の上に位置している。アンテナ配線ＡＷは、第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ７を介してブリッジ配線ＢＷの他端部ＢＷｂと電気的に接続されると共に、パッド電極ＰＤ２にも電気的に接続されている。図示した例では、パッド電極ＰＤ２は、第４絶縁膜１４の上に位置しているが、第３絶縁膜１３の上に位置しアンテナ配線ＡＷと一体的に形成されていても良い。フレキシブル基板３の接続配線ＣＷは、異方性導電膜などの導電材ＦＣを介して、パッド電極ＰＤ２と電気的に接続されている。
本実施形態によれば、ＭＩＰ方式の表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡにアンテナＡＴが設けられる。また、アンテナＡＴは、第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４との間の中継電極ＲＥと同層に位置している。このため、中継電極ＲＥの周辺のスペースを有効に活用し、表示パネルＰＮＬの厚みの増加や表示装置ＤＳＰのデザインの制限を抑制しつつ、アンテナＡＴを表示パネルＰＮＬに内蔵することが可能である。
また、アンテナＡＴ及び中継電極ＲＥが同層に配置されることにより、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の間の層の膜厚が平坦化され、第４絶縁膜１４の上に配置される画素電極ＰＥの平滑性が向上される。このため、表示性能の低下を抑制することが可能である。
また、ブリッジ配線ＢＷが配置されることにより、アンテナＡＴ１乃至ＡＴ４同士が互いに離間したまま、アンテナＡＴとＦＰＣ基板３との電気的導通をとることができる。よって、アンテナＡＴ１乃至ＡＴ４が接触することによる電気的不具合の発生を抑制することが可能となる。
図１０は、表示装置ＤＳＰのアンテナＡＴ及びダミー電極ＤＥの配置の他の例を示す図である。図５に示した例と、図９に示した例を比較すると、第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３が細線化されて非表示領域ＮＤＡに引き出されている点で相違している。
アンテナＡＴの一端部ＡＴａは、パッドＰＤ１と電気的に接続されている。アンテナＡＴの他端部ＡＴｂは、第３巻回部ＡＴ３が細線化されて非表示領域ＮＤＡに引き出されて形成されている。ブリッジ配線ＢＷは、その全体が非表示領域ＮＤＡに位置しており、その一端側でアンテナＡＴの他端部ＡＴｂと電気的に接続され、その他端側でアンテナ配線ＡＷと電気的に接続されている。ブリッジ配線ＢＷは、その一端側と他端側との間で、細線化された第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３と平面視で交差している。ブリッジ配線ＢＷは、アンテナ配線ＡＷを介してパッドＰＤ２と電気的に接続されている。
図１１は、図１０に示したアンテナＡＴの領域Ｅを詳しく示す図である。図示した例では、細線化された第１乃至第３巻回部ＡＴ１乃至ＡＴ３のそれぞれは、第１方向Ｘに沿って延出して表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに引き出された後に、非表示領域ＮＤＡにおいて屈曲して第２方向Ｙに沿って延出し、再び屈曲して第１方向Ｘに沿って非表示領域ＮＤＡから表示領域ＤＡに向かって延出している。アンテナＡＴの他端部ＡＴｂは、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに引き出されている。このため、図１０に示したように、ブリッジ配線ＢＷを非表示領域に配置することができる。ブリッジ配線ＢＷは、表示領域ＤＡに配置される走査線ＣＬや信号線ＳＬ等とは電気的に絶縁されている必要がある。このため、ブリッジ配線ＢＷは、自身と交差しない配線と同層に形成される必要がある。各種配線が密集している表示領域ＤＡにブリッジ配線ＢＷが配置される場合、ブリッジ配線ＢＷの引き回しに制約を受けるおそれがある。一方、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡよりも交差する配線の密集度が小さいため、図示したように、非表示領域ＮＤＡにブリッジ配線ＢＷが配置される場合には、非表示領域ＮＤＡに位置する配線の制約を受けにくく、比較的短い経路でブリッジ配線ＢＷを引き回すことが可能となる。また、ブリッジ配線ＢＷが非表示領域ＮＤＡに配置された場合には、ブリッジ配線ＢＷの配置に起因した段差の発生を防止することができる。
図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの変形例を示す概略断面図である。図１２に示した例の表示装置は、表示機能層として有機発光層を採用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である。
スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間に位置する半導体層ＳＣ、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置するゲート電極ＧＥ、第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置する第１電極Ｅ１１及び第２電極Ｅ１２を備えている。
アンテナＡＴは、第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４との間に位置している。なお、表示領域ＤＡにおけるアンテナＡＴの配置については、図５及び図１０に示したいずれの例も適用できる。また、ここでは図示しないブリッジ配線ＢＷは、図９を参照して説明した通り、アンテナＡＴと別の層に設けられる。
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第４絶縁膜１４の上に位置している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機発光層ＯＲＧ、共通電極ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、表示機能層に相当する。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方がアノードとして機能し、他方がカソードとして機能する。
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に位置し、第２電極Ｅ１２にコンタクトしている。画素電極ＰＥは、有機発光層ＯＲＧが発光した光を表示面に向けて反射させる反射電極として機能する。なお、画素電極ＰＥをＩＴＯで形成し、画素電極ＰＥの下層に金属材料によって形成された反射電極を別途設けるといった構成も採用可能である。
有機発光層ＯＲＧは、例えば、赤色、緑色、青色などの単色を発光する発光材料によって形成されても良いし、複数の発光材料を混合することで白色などに発光するように構成されていても良い。また、有機発光層ＯＲＧは、必要に応じて、ホール輸送層、ホール注入層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を含んでいても良い。このように構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、カバー部材３０に向かって発光する所謂トップエミッションタイプに相当する。
バンク１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを個別に区画している。バリア膜１６は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分等の侵入を抑制するものであり、透明材料によって形成されている。
カバー部材３０は、透明なガラスや樹脂によって形成されている。カバー部材３０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する側には、遮光層３１、カラーフィルタ３２などが設けられている。バリア膜１６と、遮光層３１及びカラーフィルタ３２との間には、透明な充填剤４０が充填されている。
このような表示装置ＤＳＰにおいても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプであるため、表示領域ＤＡにおいて、第１絶縁基板１０と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとの間にアンテナＡＴを配置するスペースを確保することができる。したがって、表示装置ＤＳＰ全体の厚みの増加を招くことなく、アンテナＡＴを内蔵することが可能となる。
図１３は、上記実施形態に係る表示装置ＤＳＰを適用した電子機器１００を示す図である。なお、図１３に示される、駆動ＩＣチップ２００及び４００、ＦＰＣ基板３００、表示パネルＰＮＬ１は、それぞれ順番に図６に示した駆動ＩＣチップ２及び４、ＦＰＣ基板３、表示パネルＰＮＬに対応しており、略同一の動作を行う。また、図６では、表示領域ＤＡの短辺に沿って実装部ＭＴが形成されていたが、図１１においては、表示領域ＤＡの長辺に沿って実装部ＭＴが形成されている。このような電子機器１００は、例えば、近距離無線通信機能を用いて表示内容を書き換える用途のカード型ディスプレイ、棚札等に利用することができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、高性能化が可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…第１絶縁基板、ＰＥ…画素電極、ＡＴ…アンテナ、
ＤＳＰ…表示装置、ＴＬ…細線部、ＣＲ、ＣＲ１、ＣＲ２…画素回路
１３…第３絶縁膜、１４…第４絶縁膜、ＲＥ…中継電極、
ＤＥ…ダミー電極、ＢＷ…ブリッジ配線、
ＡＴａ…一端部、ＡＴｂ…他端部

Claims (13)

  1. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板よりも上層に位置する表示機能層と、
    前記絶縁基板と前記表示機能層との間に位置し、画像を表示するための電位が印加される反射電極と、
    前記絶縁基板と前記反射電極との間に位置する帯状のアンテナと、
    を備える表示装置。
  2. 前記アンテナは、平面視で、互いに離間した渦巻き状に周回して形成されている請求項１に記載の表示装置。
  3. 画像を表示する表示領域と、前記表示領域の周辺の非表示領域を有し、
    前記アンテナは、少なくとも前記表示領域に配置されている請求項２に記載の表示装置。
  4. さらに、前記アンテナとは異なる層に位置するブリッジ配線を備え、
    前記アンテナは、前記非表示領域に位置する一端部と、前記表示領域に位置する他端部と、を有し、
    前記ブリッジ配線は、前記他端部と電気的に接続され、前記アンテナと平面視で交差し、前記非表示領域に向かって延出している請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記一端部の幅は、前記表示領域における前記アンテナの幅より小さい請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記他端部は、前記ブリッジ配線を介して、前記非表示領域に位置するアンテナ配線と電気的に接続されている請求項４に記載の表示装置。
  7. 前記表示機能層は、液晶層である請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
  8. 前記アンテナは、複数の細線部によって構成される請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
  9. 前記絶縁基板と前記反射電極との間に位置する画素回路と、前記画素回路と前記反射電極とを中継する中継電極と、前記絶縁基板と前記中継電極との間に位置する第１層間絶縁膜と、前記中継電極と前記反射電極との間に位置する第２層間絶縁膜と、を備え、
    前記アンテナは、前記中継電極と同層に位置し、前記中継電極から離間している請求項１乃至８の何れか１項に記載の表示装置。
  10. 前記アンテナは、前記反射電極と対向する位置に開口部を備え、前記開口部内に前記中継電極が隙間を有して収容されている請求項９に記載の表示装置。
  11. さらに、前記アンテナと同層には、前記アンテナから離間した位置に前記アンテナと同じ層厚で形成されるダミー電極が設けられている請求項１乃至１０の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 前記表示機能層は、有機発光層である請求項１乃至６の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 前記絶縁基板に設けられるスイッチング素子と、前記絶縁基板と前記反射電極との間に位置する第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜と、を備え、
    前記アンテナは、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に位置している請求項１２に記載の表示装置。
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