JP2005345704A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 アクティブマトリクス駆動式の画像表示装置を備えていながらも、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器はアクティブマトリクス駆動式のTN型の液晶表示装置を備え、この液晶表示装置は、素子基板12と、素子基板12上に配列された複数の画素電極40と、複数の画素電極40に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極54と、画素電極40と共通電極54の間に配置された液晶層56とを有する。さらに電子機器は、素子基板12に垂直な方向に沿ってみて、共通電極54の周囲に配置されたループ状のアンテナを備える。共通電極54には、アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、共通電極54の厚さ方向全体にわたる非導体部分50が局所的に設けられている。
【選択図】 図1
【解決手段】 電子機器はアクティブマトリクス駆動式のTN型の液晶表示装置を備え、この液晶表示装置は、素子基板12と、素子基板12上に配列された複数の画素電極40と、複数の画素電極40に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極54と、画素電極40と共通電極54の間に配置された液晶層56とを有する。さらに電子機器は、素子基板12に垂直な方向に沿ってみて、共通電極54の周囲に配置されたループ状のアンテナを備える。共通電極54には、アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、共通電極54の厚さ方向全体にわたる非導体部分50が局所的に設けられている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、アクティブマトリクス駆動式の画像表示装置と通信のためのアンテナとを備えた電子機器に関する。
他の機器と無線により通信する機能を備えた種々の電子機器が従来から広く普及している。例えば、利用者や物品を識別するためのRFID(Radio Frequency Identification)を利用した技術のもとでは、種々のデータが記憶されたICタグまたはICカードのような機器と、この機器に対して電磁波により非接触にてデータの書込みや読出しを行なう機器(以下「リーダライタ」という)とが利用される。ICタグまたはICカードのような機器およびリーダライタにはそれぞれアンテナと、電磁波を変復調する通信チップが設けられている。
通信を行う電子機器には画像表示装置を有するものが多い。例えば、多くのRFIDのリーダライタには画像表示装置が設けられており、またリーダライタで読み書きされる機器にも人間への情報提供のために画像表示装置が設けられることがある。画像表示部を備え、情報の入出力の伝達媒体として電磁波を用いる情報入出力装置には、例えば特許文献1に開示されたものがある。
電磁波を用いた通信方式には、電磁誘導方式および電磁結合方式があるが、いずれの場合にも送信先の機器のループ状に巻いたアンテナの線材の内側を通過する磁束によってアンテナに電流を励起する。また送信元の機器のアンテナを通過する電流によってアンテナがその線材の周囲に磁束を発生する。従って、ループ状のアンテナの外部だけでなく内部を磁束が通過する必要がある。しかし、画素電極と共通電極を有するアクティブマトリクス駆動式の画像表示装置の周囲にアンテナを設ける場合には、導電体で形成された共通電極が電磁波を吸収してしまい、送受信が不可能または不十分になることがあった。また対向基板に形成された遮光層(ブラックマトリクス)も導電体(例えばチタン、クロムもしくはこれらの合金または黒鉛)で形成されている場合には、共通電極に加えて電磁波を吸収する。
本発明は、アクティブマトリクス駆動式の画像表示装置を備えていながらも、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させる電子機器を提供する。
本発明に係る一つの電子機器は、素子基板と、複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式のTN型の液晶表示装置と、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備える。前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられている。
この構成の下では、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分が共通電極に局所的に設けられていることにより、非導体部分を磁束が透過することができる。従って、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。
この構成の下では、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分が共通電極に局所的に設けられていることにより、非導体部分を磁束が透過することができる。従って、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。
好ましい形態として、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記非導体部分が前記画素電極に重ならないように配置されているとよい。仮に、非導体部分が画素電極に重なっていると、非導体部分と画素電極の間の液晶の分子が、共通電極と画素電極の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。例えば、ノーマリホワイト方式では、共通電極と画素電極の間に高電圧を加えると両電極間の液晶の透過率または反射率が最小になり黒を表示するが、非導体部分と画素電極の間の液晶は光をより多く透過または反射するために非導体部分を通る光漏れが生ずる。非導体部分が画素電極に重ならないようにすれば、画素電極での電圧の分布は一様になるので、液晶分子の配向が揃い、暗い表示が要求される時に光の漏れを抑制することができる。アクティブマトリクス駆動TN型の液晶表示装置では、透明な画素電極は、画素電極を駆動するゲート線およびソース線と重ならないように配列されている。従って、素子基板に垂直な方向に沿ってみてゲート線およびソース線の少なくともいずれかに、非導体部分がこの線からはみ出ることなく重なるように配置すれば、画素電極に重ならないように配置できる。
他の好ましい形態として、前記非導体部分は黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分を有しており、前記黒色絶縁材料部分は、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記画素電極に重なる部分を有してもよい。画素電極と重なる部分において、非導体部分である黒色絶縁材料部分と画素電極の間の液晶の分子は、共通電極と画素電極の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。しかし、黒色絶縁材料部分は光を吸収するので、非導体部分が黒色絶縁材料部分であれば、画素電極に部分的に重なっていても、暗い表示が要求される時に黒色絶縁材料部分を通って光が漏れることが抑制される。
他の好ましい形態として、前記非導体部分は、前記共通電極を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分と、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分とを有しており、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記配向膜材料部分が前記画素電極に重ならないように配置されているとともに、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記黒色絶縁材料部分が前記画素電極に重なる部分を有するようにしてもよい。
この構成では、非導体部分のうち透明な配向膜材料部分が画素電極に重ならないこと(例えばゲート線および/またはソース線に重なること)により、暗い表示が要求される時に配向膜材料部分を通って光が漏れることが抑制される。他方、非導体部分のうち黒色絶縁材料部分は画素電極に重なる部分を有するので、黒色絶縁材料部分と画素電極の間の液晶の分子は、共通電極と画素電極の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。しかし、黒色絶縁材料部分は光を吸収するので、暗い表示が要求される時に黒色絶縁材料部分を通って光が漏れることが抑制される。
この構成では、非導体部分のうち透明な配向膜材料部分が画素電極に重ならないこと(例えばゲート線および/またはソース線に重なること)により、暗い表示が要求される時に配向膜材料部分を通って光が漏れることが抑制される。他方、非導体部分のうち黒色絶縁材料部分は画素電極に重なる部分を有するので、黒色絶縁材料部分と画素電極の間の液晶の分子は、共通電極と画素電極の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。しかし、黒色絶縁材料部分は光を吸収するので、暗い表示が要求される時に黒色絶縁材料部分を通って光が漏れることが抑制される。
本発明に係る電子機器の一つの形態は、素子基板と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備える。前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるために、非導体部分が局所的に設けられており、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記非導体部分が前記画素電極に重ならないように配置されている。これにより、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分を磁束が透過することができ、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。また、暗い表示が要求される時に非導体部分を通って光が漏れることが抑制される。
本発明に係る電子機器の他の一つの形態は、素子基板と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備える。前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、非導体部分が局所的に設けられており、前記非導体部分は、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分を有しており、前記黒色絶縁材料部分は、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記画素電極に重なる部分を有する。これにより、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分を磁束が透過することができ、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。また、暗い表示が要求される時に非導体部分を通って光が漏れることが抑制される。
本発明に係る電子機器の他の一つの形態は、素子基板と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備える。前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、非導体部分が局所的に設けられており、前記非導体部分は、前記共通電極を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分と、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分とを有しており、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記配向膜材料部分が前記画素電極に重ならないように配置されているとともに、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記黒色絶縁材料部分が前記画素電極に重なる部分を有する。これにより、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分を磁束が透過することができ、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。また、暗い表示が要求される時に非導体部分を通って光が漏れることが抑制される。
本発明に係る他の電子機器は、素子基板と、前記素子基板上に配列された複数の画素電極と、複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子とを有するアクティブマトリクス駆動式の画像表示装置と、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備える。前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、非導体部分が局所的に設けられている。
この構成の下では、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分が共通電極に局所的に設けられていることにより、非導体部分を磁束が透過することができる。従って、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。
この構成の下では、共通電極の厚さ方向全体にわたる非導体部分が共通電極に局所的に設けられていることにより、非導体部分を磁束が透過することができる。従って、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、以下に示す図面においては、各部の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
<1.第1実施形態>
本発明の実施形態に係る電子機器は、アモルファスシリコンTFT(thin film transistor)または低温ポリシリコンTFTを用いたアクティブマトリクス駆動式のTN(twisted nematic)型の液晶表示装置を備える。図1に示すように、電子機器10の液晶表示装置は、互いに対向する素子基板12と対向基板14を有する液晶セルと、素子基板12に接続されたFPC(フレキシブルプリント基板)16,20を有する。基板12,14は、リジッド基板でもよいしフレキシブル基板でもよい。
<1.第1実施形態>
本発明の実施形態に係る電子機器は、アモルファスシリコンTFT(thin film transistor)または低温ポリシリコンTFTを用いたアクティブマトリクス駆動式のTN(twisted nematic)型の液晶表示装置を備える。図1に示すように、電子機器10の液晶表示装置は、互いに対向する素子基板12と対向基板14を有する液晶セルと、素子基板12に接続されたFPC(フレキシブルプリント基板)16,20を有する。基板12,14は、リジッド基板でもよいしフレキシブル基板でもよい。
液晶セルは画像表示領域24を有しており、ここには図中の横方向に延びる多数のゲート線(走査線)30と、図中の縦方向に延びる多数のソース線(データ線)28が配列されている。これらのゲート線30およびソース線28の多数の交差点の近傍に画素26が設けられている。
FPC16には、各ソース線28を駆動するソース線ドライバ18が設けられており、FPC20には、各ゲート線30を駆動するゲート線ドライバ22が設けられている。ただし、基板とドライバの実装方式としては、FPCに限定されずにチップオングラス方式でもよい。
素子基板12の上面には、表示領域24を囲むように、導体によってアンテナ34が形成されている。アンテナ34は、方形ループアンテナであり、その両端がICチップ32に電気的に接続されている。ICチップ32は、アンテナ34を介した通信を制御するための通信回路と、通信に供されるデータを記憶する記憶回路とを含んでいる。通信回路は、アンテナ34により受信された電波を復調して得られるデジタルデータを記憶回路に出力するとともに、記憶回路から読み出されたデジタルデータを変調して得られる電磁波をアンテナ34から送信する。アンテナ34はソース線28とゲート線30と同一の材料を接続する形で形成され、ソース線28とゲート線30のそれぞれを形成する工程で同時に形成される。すまわち、図1においてゲート線30と交差する部分のアンテナ部分はソース線28と同時に形成され、ソース線28と交差する部分のそれはゲート線30と同時に形成される。また、それらの接続はコンタクトホールを介して例えば画素電極40の材料を用いて、同時工程で行われる。
また、アンテナとしては図示の形状に限る必要はなく、他の形状のループアンテナを用いても良い。
また、アンテナとしては図示の形状に限る必要はなく、他の形状のループアンテナを用いても良い。
図示しないが、電子機器10には、さらに液晶表示装置のドライバ18,22を制御する表示制御回路が設けられている。同様に図示しないが、電子機器10には、ICチップ32の記憶回路に記憶されたデータを表示制御回路に伝達してこのデータに基づいた表示を液晶表示装置に行わせる制御回路が設けられている。このように電子機器10は、表示機能と通信機能とを有する。この実施形態に係る電子機器10は、RFIDのリーダライタでもよいし、リーダライタで読み書きされる機器(ICタグまたはICカード)でもよい。
図2は、本発明の実施の形態に係る電子機器10の電磁波を用いた通信原理を示す。図2において点線は磁束を示す。電子機器10の通信方式としては、電磁誘導方式でも電磁結合方式でもよい。いずれの場合にも送信元の通信回路33Aがアンテナ34Aに流れる電流をデータに基づいて変化させる。アンテナ34Aはここを通過する電流に対応する磁束をアンテナ34Aの線材の周囲に発生させる。従って、データに対応して送信元のアンテナ34Aから生ずる磁束が変化する。
送信先では、アンテナ34Bの線材の周囲の磁束によって、アンテナ34Bに流れる電流が励起される。磁束の変化(すなわちデータの変化)に対応して、アンテナ34Bに流れる電流は変化する。送信先の通信回路33Bは、アンテナ34Bに流れる電流に基づいてデータを得ることができる。従って、ループ状のアンテナの外部だけでなく内部を磁束が通過する必要がある。
図3は、素子基板12に形成された画素電極などのレイアウトを示す平面図である。図4は、第1実施形態に係る電子機器10の液晶表示装置の平面図である。つまり、図3の素子基板12に対向基板14を重ねた状態を示す。図5は図4のA−A線に沿って見た断面図である。但し、図5において基板12,14の各々の支持基板(例えばガラス基板)の図示は省略する。
図3に示すように、素子基板12ではゲート線30が横方向に延び、ソース線28が縦方向に延びている。また、隣り合うゲート線30同士の間には保持容量線48が配置され、保持容量線48もゲート線30と平行に横方向に延びている。縦横に延びるソース線28およびゲート線30で囲まれた矩形の領域の各々には、一つの隅が欠けたほぼ矩形の画素電極40が配置されている。
図5に示すように、ゲート線30および保持容量線48は同じ層に配置され、同じ材料から同時に形成される。ソース線28および画素電極40は、ゲート線30および保持容量線48とは異なる層に配置され、層間絶縁膜62,64によってゲート線30および保持容量線48から絶縁されている。従って、ソース線28はゲート線30および保持容量線48に立体的に交差する。また、各画素電極40と各保持容量線48の間には、画素電極40の電位を保持する(画像を保持する)キャパシタが設けられるとみなされる。素子基板12の最上層(後述する液晶層56に接する層)は絶縁体の配向膜60であり、これがすべての画素電極40を覆っている。
図3に示すように、ソース線28とゲート線30の立体交差点の近傍には、アモルファスシリコンまたは低温ポリシリコンの半導体能動層42が配置される。半導体能動層42の真下には、ゲート線30の縦方向に突出した部分が配置されている。ゲート線30の縦方向に突出した部分と半導体能動層42との間には、ソース線28の横方向に突出した部分と、ドレイン44の突出部分が配置される。ドレイン44は、画素電極40の真下にありコンタクトホール46の導体を介して画素電極40と電気的に接続されている。このようにしてTFTが設けられている。
図5に示すように、素子基板12には対向基板14が対向しており、基板12,14の間には液晶層56が設けられている。対向基板14には、すべての画素電極40に共通に対向する平面状の共通電極54が配置されている。共通電極54および画素電極40はともに、透明な導体、例えばITO(indium tin oxide)から形成されている。詳細な図示はしないが、共通電極54は電気的に電位を固定されているため(フローティングでないため)電磁波を吸収する。
対向基板14の最下層すなわち液晶層56に接する層は、絶縁体の配向膜58であり、これは共通電極54の全体を覆っている。対向基板14にはさらに、複数の線状の遮光層52が設けられている。遮光層52は、画素電極40を通った光の混合を低減するブラックマトリクスであり、導電体(例えばチタン、クロムもしくはこれらの合金または黒鉛)または非導電体(黒色絶縁材料)で形成されている。遮光層52は、ゲート線30およびTFTの上方に配置されており、ゲート線30およびTFT全体を覆っている。このように遮光層52を配置するのは、TFTから光が漏れる可能性が大きいためである。
図4および図5に示すように、共通電極54には、アンテナ34による通信を媒介する磁束を透過させるために、共通電極54の厚さ方向全体にわたる複数の非導体部分50が局所的に設けられている。この構成の下では、共通電極54の厚さ方向全体にわたる非導体部分50が共通電極54に局所的に設けられていることにより、非導体部分50を磁束が透過することができる。従って、共通電極54の周囲に配置されたアンテナ34による通信性能を向上させることが可能である。
図示のように、非導体部分50は、共通電極54を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分である。すなわち製造時に、共通電極54に貫通空隙を形成しておけば、配向膜58の成膜工程で空隙が配向膜58の材料で埋まる。配向膜材料は絶縁体なので、アンテナ34の内側にて磁束は非導体部分50を通過することができる。他方、素子基板12側では、導体の設けられていない部分、例えば、画素電極40とソース線28の間の隙間や画素電極40とゲート線30の間の隙間を磁束が通過することができる。
図4に示すように、非導体部分50は細長いスリット形状を有しており、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されている。ソース線28は画素電極40に重ならないので、非導体部分50も画素電極40に重ならない。これに対して、仮に、非導体部分が画素電極に重なっていると、非導体部分と画素電極の間の液晶の分子が、共通電極と画素電極の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。例えば、ノーマリホワイト方式では、共通電極と画素電極の間に高電圧を加えると両電極間の液晶の透過率または反射率が最小になり黒を表示するが、非導体部分と画素電極の間の液晶は光をより多く透過または反射するために非導体部分を通る光漏れが生ずる。この実施の形態のように、非導体部分50が画素電極40に重ならないようにすれば、画素電極40での電圧の分布は一様になるので、液晶分子の配向が揃い、暗い表示が要求される時に光の漏れを抑制することができる。
<2.第2実施形態>
図6は、本発明の第2実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図であり、図7は図6のA−A線に沿って見た断面図である。この第2実施形態および後述する第3〜第9実施形態の電子機器の構成は基本的に第1実施形態と同じであり、以下には相違点を説明する。
図6は、本発明の第2実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図であり、図7は図6のA−A線に沿って見た断面図である。この第2実施形態および後述する第3〜第9実施形態の電子機器の構成は基本的に第1実施形態と同じであり、以下には相違点を説明する。
図6に示すように、第2実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分150は、十字形であり、ソース線28と保持容量線48の交差点上に配置されている。基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分150の縦長の部分はソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されている。ただし、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分150の横長の部分は、保持容量線48に重なるように配置されている。従って、この横長の部分は画素電極40に重なっている。非導体部分が画素電極に重なった場合の欠点は第1実施形態に関連して上述した通りであるが、第2実施形態では、非導体部分150を黒色樹脂材料からなる黒色絶縁材料によって形成することにより、この欠点を解消している。
図7に示すように、非導体部分150は、共通電極54を貫通するように埋め込まれた黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分である。製造時には、対向基板14の支持基板に黒色絶縁材料で非導体部分150を形成しておき、非導体部分150を避けるように共通電極54を堆積させる。あるいは、非導体部分150を覆うように共通電極材料を堆積させた後に非導体部分150上から共通電極材料を除去すればよい。黒色絶縁材料としての黒色樹脂材料としては、アクリル系感光性樹脂など、ブラックマトリクスの用途として使用されているものでよい。黒色絶縁材料は絶縁体なので、アンテナ34の内側にて磁束は非導体部分150を通過することができる。このように、第2実施形態でも共通電極54の厚さ方向全体にわたる非導体部分150が共通電極54に局所的に設けられていることにより、非導体部分150を磁束が透過することができる。従って、共通電極54の周囲に配置されたアンテナ34による通信性能を向上させることが可能である。
画素電極40と重なる部分において、非導体部分150である黒色絶縁材料部分と画素電極40の間の液晶の分子は、共通電極54と画素電極40の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。しかし、黒色絶縁材料部分は光を吸収するので、非導体部分150が黒色絶縁材料部分であれば、画素電極54に部分的に重なっていても、暗い表示が要求される時に黒色絶縁材料部分を通って光が漏れることが抑制される。
ここで非導体部分150を図19に示すように構成しても良い。図19の例では、遮光層52と非導体部分150は共に黒色絶縁材料からなり、同時に形成される。そして共通電極54を形成した後、共通電極54のうち非導体部分150に重なった領域の大部分を除去する。このとき黒色絶縁材料と共通電極54が一部重なっていても、それは遮光層52と同様に光を吸収するので問題ない。
ここで非導体部分150を図19に示すように構成しても良い。図19の例では、遮光層52と非導体部分150は共に黒色絶縁材料からなり、同時に形成される。そして共通電極54を形成した後、共通電極54のうち非導体部分150に重なった領域の大部分を除去する。このとき黒色絶縁材料と共通電極54が一部重なっていても、それは遮光層52と同様に光を吸収するので問題ない。
<3.第3実施形態>
図8は、本発明の第3実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図8に示すように、第3実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分250は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、保持容量線48からはみ出ることなく保持容量線48に重なるように配置されている。従って、この非導体部分250は画素電極40にも部分的に重なっている。このため、図6および図7に示す第2実施形態と同様に、非導体部分250は黒色絶縁材料から形成するのが好ましい。
図8は、本発明の第3実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図8に示すように、第3実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分250は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、保持容量線48からはみ出ることなく保持容量線48に重なるように配置されている。従って、この非導体部分250は画素電極40にも部分的に重なっている。このため、図6および図7に示す第2実施形態と同様に、非導体部分250は黒色絶縁材料から形成するのが好ましい。
なお、このように長い直線状の非導体部分250を形成する場合であっても、共通電極54を非導体部分250で完全に分断してはならない。共通電極54は、どの部分でも同一の電位を有するべきだからである。従って、図示しないいずれかの位置、例えば画像表示領域の外の位置で非導体部分250は終端している。
<4.第4実施形態>
図9は、本発明の第4実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図9に示すように、第4実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分350は、十字形であり、ソース線28とゲート線30の交差点上に配置されている。基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分350の縦長の部分はソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されている。また、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分350の横長の部分は、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。遮光層52は、非導体部分350により分断されている。
図9は、本発明の第4実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図9に示すように、第4実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分350は、十字形であり、ソース線28とゲート線30の交差点上に配置されている。基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分350の縦長の部分はソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されている。また、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、非導体部分350の横長の部分は、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。遮光層52は、非導体部分350により分断されている。
<5.第5実施形態>
図10は、本発明の第5実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図10に示すように、第5実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分450は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。非導体部分450は、非導電性の遮光膜52を用い、図19に示した非導体部分150と同様に遮光膜52に重なった共通電極54の一部を除去して非導体部分450が形成されている。第3実施形態と同様に、共通電極54を非導体部分450で完全に分断してはならず、図示しないいずれかの位置で終端している。
図10は、本発明の第5実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。図10に示すように、第5実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分450は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。非導体部分450は、非導電性の遮光膜52を用い、図19に示した非導体部分150と同様に遮光膜52に重なった共通電極54の一部を除去して非導体部分450が形成されている。第3実施形態と同様に、共通電極54を非導体部分450で完全に分断してはならず、図示しないいずれかの位置で終端している。
第4,第5実施形態では、非導体部分350,450は画素電極40に重なっていないために非導体部分350,450を通じた光漏れを防止する必要がなければ、第1実施形態と同様に、配向膜材料部分であってよい。但し、非導体部分350,450を通じた光漏れを厳密に防止すべきであれば、第2,第3実施形態と同様に、黒色絶縁材料部分であってよい。製造工程の効率化を考慮すると、非導体部分350,450に隣接した遮光層52も非導体部分250と同時に黒色絶縁材料から形成してもよい。
<6.第6実施形態>
図11は、本発明の第6実施形態に係る電子機器の素子基板12に形成された画素電極などのレイアウトを示す平面図である。図12は、第6実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。上記の第1〜第5実施形態と異なり、この実施の形態では保持容量線48が設けられていない。その代わり、各ゲート線30の幅が広く、ゲート線30は部分的に画素電極40に重なっている。保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。具体的には、各画素電極40と各ゲート線30の間には、画素電極40の電位を保持する(画像を保持する)キャパシタが設けられるとみなされる。
図11は、本発明の第6実施形態に係る電子機器の素子基板12に形成された画素電極などのレイアウトを示す平面図である。図12は、第6実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。上記の第1〜第5実施形態と異なり、この実施の形態では保持容量線48が設けられていない。その代わり、各ゲート線30の幅が広く、ゲート線30は部分的に画素電極40に重なっている。保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。具体的には、各画素電極40と各ゲート線30の間には、画素電極40の電位を保持する(画像を保持する)キャパシタが設けられるとみなされる。
図12に示すように、共通電極54には、アンテナ34による通信を媒介する磁束を透過させるために、共通電極54の厚さ方向全体にわたる複数の非導体部分50が局所的に設けられている。第1実施形態と同様に、共通電極54を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分である。また、非導体部分50は細長いスリット形状を有しており、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されている。
<7.第7実施形態>
図13は、本発明の第7実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この実施形態でも、保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。但し、第5実施形態(図10)と同様に、第7実施形態では共通電極54に設けられた非導体部分450は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。
図13は、本発明の第7実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この実施形態でも、保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。但し、第5実施形態(図10)と同様に、第7実施形態では共通電極54に設けられた非導体部分450は長い直線状であり、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ゲート線30からはみ出ることなくゲート線30に重なるように配置されている。
なお、第4実施形態(図9)と同様に、十字形の非導体部分をソース線28とゲート線30の交差点上に配置してもよい。
<8.第8実施形態>
図14は、本発明の第8実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この実施形態でも、保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。図14に示すように、第8実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分550は、基板12,14に垂直な方向からみて画素電極40に重なるように配置されている。図示の非導体部分550は、正方形であるが、その形状はいかなるものでもよい。一つの画素電極40には、複数の非導体部分550が重なっているが、一つの画素電極40につき一つの非導体部分550が重なっていてもよい。非導体部分550は画素電極40に重なっているため、上記の光の漏れを防止するために黒色絶縁材料から形成するのが好ましい。
図14は、本発明の第8実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この実施形態でも、保持容量線の機能はゲート線30が兼ねている。図14に示すように、第8実施形態では、共通電極54に設けられた非導体部分550は、基板12,14に垂直な方向からみて画素電極40に重なるように配置されている。図示の非導体部分550は、正方形であるが、その形状はいかなるものでもよい。一つの画素電極40には、複数の非導体部分550が重なっているが、一つの画素電極40につき一つの非導体部分550が重なっていてもよい。非導体部分550は画素電極40に重なっているため、上記の光の漏れを防止するために黒色絶縁材料から形成するのが好ましい。
<9.第9実施形態>
図15は、本発明の第9実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図であり、図16は図15のA−A線に沿って見た断面図である。この実施の形態は、第1実施形態の修正であり、二種類の非導体部分50,70が共通電極54に設けられている。
図15は、本発明の第9実施形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図であり、図16は図15のA−A線に沿って見た断面図である。この実施の形態は、第1実施形態の修正であり、二種類の非導体部分50,70が共通電極54に設けられている。
非導体部分50は、共通電極54を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分である。非導体部分50は細長いスリット形状を有しており、基板12,14に垂直な方向に沿ってみて、ソース線28からはみ出ることなくソース線28に重なるように配置されており、画素電極40には重ならない。
非導体部分70は、共通電極を貫通するように埋め込まれた黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分である。非導体部分70は、非導体部分50の両側で非導体部分50に接しており、画素電極40に部分的に重なっている。
この構成では、非導体部分50,70のうち透明な配向膜材料部分である非導体部分50が画素電極40に重ならないこと(ソース線28に重なること)により、暗い表示が要求される時に配向膜材料部分である非導体部分50を通って光が漏れることが抑制される。他方、黒色絶縁材料部分である非導体部分70は画素電極40に重なる部分を有するので、非導体部分70と画素電極40の間の液晶の分子は、共通電極54と画素電極40の間の液晶の分子と異なる姿勢を向く。しかし、黒色絶縁材料部分は光を吸収するので、暗い表示が要求される時に非導体部分70を通って光が漏れることが抑制される。
また、図19に示したように遮光層52と非導体部分50、70を黒色絶縁材料で作り、図19の非導体部分150と同様に、共通電極54と非導体部分70の一部が重なるように形成しても良い。
また、図19に示したように遮光層52と非導体部分50、70を黒色絶縁材料で作り、図19の非導体部分150と同様に、共通電極54と非導体部分70の一部が重なるように形成しても良い。
第9実施の形態として、第1実施形態の修正を例示したが、他の実施の形態にも同様の修正を施してよい。
以上の実施の形態で用いる液晶はTN液晶に限る必要はなく、垂直配向液晶、ハイブリッド配向液晶等を用いても良い。垂直配向液晶等を用いる際は非導体部分を用いて液晶の配向制御を行うこともできる。
以上の実施の形態で用いる液晶はTN液晶に限る必要はなく、垂直配向液晶、ハイブリッド配向液晶等を用いても良い。垂直配向液晶等を用いる際は非導体部分を用いて液晶の配向制御を行うこともできる。
<10.第10実施形態>
次に本発明に係る第10実施形態を説明する。第10実施形態に係る電子機器は、アモルファスシリコンTFT(thin film transistor)または低温ポリシリコンTFTを用いたアクティブマトリクス駆動式の自発光画像表示装置を備える。自発光画像表示装置は、具体的には有機EL(electroluminescent)表示パネルである。
次に本発明に係る第10実施形態を説明する。第10実施形態に係る電子機器は、アモルファスシリコンTFT(thin film transistor)または低温ポリシリコンTFTを用いたアクティブマトリクス駆動式の自発光画像表示装置を備える。自発光画像表示装置は、具体的には有機EL(electroluminescent)表示パネルである。
図17に示すように、第10実施形態に係る画像表示装置は、透明基板(素子基板)200と、透明基板200上に配置されたアノード254と、アノード254上に配置された自発光素子260R,260G,260Bとを備える。自発光素子260R,260G,260Bは、それぞれ赤、緑、青の光を発する有機EL素子である。自発光素子260R,260G,260Bの上にはカソード240が配置されている。アノード254は共通電極、カソード240は画素電極と考えることができる。
図示しないが、各カソードの上にはTFTが配置されており、各カソードはTFTでスイッチングされる。自発光素子260R,260G,260Bで発した光は、図示しない反射手段によって図の下方のみに進行させられる。
図示しないが、この電子機器も透明基板200に垂直な方向に沿ってみて、アノード254の周囲に配置されたループ状のアンテナを備える。またアンテナによる通信を制御するICチップも上記の実施形態と同様に設けられている。通信原理は図2を参照して上述した通りである。アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるために、アノード254には、その厚さ方向全体にわたる非導体部分850が局所的に設けられている。従って、共通電極の周囲に配置されたアンテナによる通信性能を向上させることが可能である。
非導体部分850の形態としては、アノード254に形成された単なる貫通孔でよいし、そのような貫通孔に埋められた絶縁体でもよい。この実施の形態では、非導体部分850の位置は、カソード240に重なる位置でもよいし、そうでなくてもよい。
<参考的形態>
図18は、参考的形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この液晶表示装置は、IPS(in-plane switching)型である。この装置の画素基板上には、ソース線(データ線)128、ゲート線(走査線)130、半導体能動層142、画素電極バー120、画素電極ブランチ121、対向電極バー110および対向電極ブランチ111が配置されている。ソース線128は縦方向に延び、ゲート線130および対向電極バー110は横方向に延びている。対向電極バー110とゲート線130と二つのソース線128で囲まれた矩形の領域が一つの画素である。
図18は、参考的形態に係る電子機器の液晶表示装置の平面図である。この液晶表示装置は、IPS(in-plane switching)型である。この装置の画素基板上には、ソース線(データ線)128、ゲート線(走査線)130、半導体能動層142、画素電極バー120、画素電極ブランチ121、対向電極バー110および対向電極ブランチ111が配置されている。ソース線128は縦方向に延び、ゲート線130および対向電極バー110は横方向に延びている。対向電極バー110とゲート線130と二つのソース線128で囲まれた矩形の領域が一つの画素である。
対向電極バー110およびゲート線130は同じ層に配置され、ソース線128および画素電極バー120は、対向電極バー110およびゲート線130とは異なる層に配置され、層間絶縁膜によって対向電極バー110およびゲート線130から絶縁されている。従って、ソース線128はゲート線130および対向電極バー110に立体的に交差する。ソース線128とゲート線130の立体交差点の近傍には、アモルファスシリコンまたは低温ポリシリコンの半導体能動層142が配置される。半導体能動層142の真下には、ゲート線130の縦方向に突出した部分が配置されている。ゲート線130の縦方向に突出した部分と半導体能動層42との間には、ソース線28の横方向に突出した部分と、画素電極バー120の基部が配置される。このようにしてTFTが設けられている。
画素電極バー120からは複数の画素電極ブランチ121が縦方向に延びており、対向電極バー110からも複数の対向電極ブランチ111が縦方向に延びている。画素電極ブランチ121と対向電極ブランチ111は、同一層にあって交互に配置されている。隣合う画素電極ブランチ121と対向電極ブランチ111との間に加わる電圧によって液晶分子の配向が制御される。
図示しないが、上記の画素基板との間に液晶層を封止するために対向基板が設けられる。IPS型の液晶表示装置では、TN型とは異なり、対向基板には共通電極は設けられず、画素電極ブランチ121と同一平面の対向電極ブランチ111が共通電極と類似の役割を果たす。
対向基板のうち画素基板に対向する面には、ブラックマトリクスとしての遮光層が設けられる。液晶を透過した光を透過させるために遮光層には、貫通孔である非導体部分650が形成されている。非導体部分650は各画素に対応する位置にある。
図示しないが、この電子機器も画素基板に垂直な方向に沿ってみて、画像表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナを備える。またアンテナによる通信を制御するICチップも上記の実施形態と同様に設けられている。通信原理は図2を参照して上述した通りである。対向基板の遮光層が導体であった場合でも、遮光層に貫通孔である非導体部分650が局所的に設けられているために、アンテナのループ内部の磁束の通過は阻害されず、アンテナによって良好な通信を行うことが可能である。
10…電子機器、12…素子基板、14…対向基板、24…画像表示領域、26…画素、28…ソース線(データ線)、30…ゲート線(走査線)、32…ICチップ、34…アンテナ、40…画素電極、48…保持容量線、50,70,150,250,350,450,550,650,850…非導体部分、52…遮光層、54…共通電極、56…液晶層、58,60…配向膜、200…透明基板(素子基板)200、240…カソード(画素電極)、260R,260B,260B…自発光素子、254…アノード(共通電極)
Claims (8)
- 素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、
前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式のTN型の液晶表示装置と、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備え、
前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられていることを特徴とする電子機器。 - 前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記非導体部分が前記画素電極に重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
- 前記非導体部分は黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分を有しており、
前記黒色絶縁材料部分は、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記画素電極に重なる部分を有することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。 - 前記非導体部分は、前記共通電極を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分と、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分とを有しており、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記配向膜材料部分が前記画素電極に重ならないように配置されているとともに、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記黒色絶縁材料部分が前記画素電極に重なる部分を有することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。 - 素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、
前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備え、
前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられており、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記非導体部分が前記画素電極に重ならないように配置されていることを特徴とする電子機器。 - 素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、
前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備え、
前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるために、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられており、
前記非導体部分は、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分を有しており、
前記黒色絶縁材料部分は、前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記画素電極に重なる部分を有することを特徴とする電子機器。 - 素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、
前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された液晶とを有するアクティブマトリクス駆動式の液晶表示装置と、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備え、
前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるために、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられており、
前記非導体部分は、前記共通電極を貫通するように埋め込まれた配向膜材料からなる配向膜材料部分と、黒色絶縁材料からなる黒色絶縁材料部分とを有しており、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記配向膜材料部分が前記画素電極に重ならないように配置されているとともに、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記黒色絶縁材料部分が前記画素電極に重なる部分を有することを特徴とする電子機器。 - 素子基板と、
前記素子基板上に配列された複数の画素電極がマトリクス状に配置された表示領域と、
前記複数の画素電極に共通に対向しており導体から形成された平面状の共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極の間に配置された自発光素子とを有するアクティブマトリクス駆動式の画像表示装置と、
前記素子基板に垂直な方向に沿ってみて、前記表示領域の周囲に配置されたループ状のアンテナとを備え、
前記共通電極には、前記アンテナによる通信を媒介する磁束を透過させるように、前記共通電極に非導体部分が局所的に設けられていることを特徴とする電子機器。
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- 2004-06-02 JP JP2004164492A patent/JP2005345704A/ja not_active Withdrawn
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