JP2007012042A - 半導体装置およびその作製方法、並びにアンテナの作製方法 - Google Patents
半導体装置およびその作製方法、並びにアンテナの作製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、素子群上に第1の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してダミーパターンとなる導電膜を形成した後に、続けて第2の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出してトランジスタと電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成する。そのため、当該半導体装置は、基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、素子群上に設けられ且つトランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能する第1の導電膜と、第1の導電膜に隣接して設けられ且つトランジスタと電気的に接続しないダミーパターンとなる第2の導電膜とを有している。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の半導体装置の一例について図面を参照して説明する。
本実施の形態は、本発明の半導体装置について上記実施の形態とは異なる構造に関して図面を参照して説明する。
本実施の形態では、薄膜トランジスタおよびアンテナを含む本発明の半導体装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態と異なる半導体装置に関して図面を用いて説明する。具体的には、素子群とアンテナ形成層を別途作製し、素子群とアンテナ形成層とを接続して設ける場合に関して説明する。
(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の半導体装置を非接触でデータの送受信が可能であるRFIDとして利用した場合に関して図12を用いて説明する。
本発明の半導体装置の用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図13を用いて説明する。
81 電源回路
82 クロック発生回路
83 復調回路
84 変調回路
85 制御回路
86 記憶回路
87 アンテナ
88 リーダ/ライタ
101 基板
102 素子群
103 導電膜
104 導電膜
105 導電膜
201 基板
202 アンテナ形成層
203 導電膜
204 導電膜
210 素子群
211 基板
212 絶縁膜
213 薄膜トランジスタ
215 樹脂
216 導電性粒子
223 トランジスタ
320 リーダ/ライタ
321 表示部
322 品物
323 RFID
325 RFID
326 商品
701 基板
702 剥離層
703 絶縁膜
704 非晶質半導体膜
705 ゲート絶縁膜
706 結晶質半導体膜
707 結晶質半導体膜
711 N型不純物領域
712 P型不純物領域
716 導電膜
726 N型不純物領域
727 N型不純物領域
734 絶縁膜
739 絶縁膜
744 薄膜トランジスタ
745 薄膜トランジスタ
749 絶縁膜
750 絶縁膜
751 絶縁膜
752 導電膜
762 絶縁膜
765 導電膜
767 導電膜
772 絶縁膜
773 開口部
775 シート材
776 シート材
777 シート材
780 チャネル形成領域
781 チャネル形成領域
785 P型不純物領域
786 導電膜
789 記憶素子部
791 素子形成層
801 枠
802 開口部
803 乳剤
804 金網(メッシュ)
805 スキージ
806 ペースト
807 部分
810 スクリーン印刷版
103a 導電膜
103b 導電膜
103c 導電膜
104a 導電膜
104b 導電膜
104d 導電膜
766a 導電膜
802a 開口部
802b 開口部
Claims (19)
- 基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
前記素子群の上方に、スクリーン印刷版の第1の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第1の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第2の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第2の導電膜を前記トランジスタと電気的に接続するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第2の基板の上方に、スクリーン印刷版の第1の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第1の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第2の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記第2の基板上に形成された前記第2の導電膜と前記トランジスタとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にトランジスタを有する素子群を形成し、
第2の基板の上方に、スクリーン印刷版の第1の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第1の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第2の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第2の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜を前記トランジスタと電気的に絶縁するように形成し、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第2の導電膜が電気的に接続するように前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、
前記トランジスタと前記アンテナとして機能する第2の導電膜の接続を、導電性微粒子を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第2の導電膜をコイル状に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第1の開口部の幅を前記第2の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第2の導電膜の幅より広く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1の導電膜および前記アンテナとして機能する第2の導電膜は、前記第1の開口部から押し出されたペーストおよび前記第2の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第2の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に絶縁された第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に隣接して設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続して設けられたアンテナとして機能する第2の導電膜とを有し、
前記第2の導電膜はコイル状に設けられており、
前記第1の導電膜は屈曲して設けられ且つ第1の端部と第2の端部とを有し、
前記第1の端部と前記第2の端部が接続していないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9または請求項10において、
前記第2の導電膜は、前記第1の導電膜の位置する領域の外側に設けられ且つ非環状であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9乃至請求項11のいずれか一項において、
前記第1の導電膜は、前記第2の導電膜より幅が広いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項9乃至請求項12のいずれか一項において、
前記トランジスタと前記第1の導電膜が導電性微粒子を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に設けられたトランジスタを有する素子群と、
前記素子群の上方に設けられ且つ前記トランジスタと電気的に接続したアンテナとして機能するコイル状の導電膜を有し、
前記導電膜うち、最外周に位置する部分の幅が、内側に位置する部分の幅より広いことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に、スクリーン印刷版の第1の開口部から導電性粒子を含むペーストを押し出して第1の導電膜を形成した後、続けて前記スクリーン印刷版の第2の開口部から前記導電性粒子を含むペーストを押し出してアンテナとして機能する第2の導電膜を形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
- 請求項15において、
前記第2の導電膜をコイル状に形成することを特徴とするアンテナの作製方法。 - 請求項15乃至請求項16のいずれか一項において、
前記スクリーン印刷版として、前記第1の開口部の幅を前記第2の開口部の幅より大きいものを用いることを特徴とするアンテナの作製方法。 - 請求項15乃至請求項17のいずれか一項において、
前記第1の導電膜の幅を前記アンテナとして機能する第2の導電膜の幅より広く形成することを特徴とするアンテナの作製方法。 - 請求項15乃至請求項18のいずれか一項において、
前記第1の導電膜およびアンテナとして機能する第2の導電膜は、前記第1の開口部から押し出されたペーストおよび前記第2の開口部から押し出されたペーストを焼成することによって形成されることを特徴とするアンテナの作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006149782A JP4827618B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-30 | アンテナの作製方法、半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005160192 | 2005-05-31 | ||
JP2005160192 | 2005-05-31 | ||
JP2006149782A JP4827618B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-30 | アンテナの作製方法、半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012042A true JP2007012042A (ja) | 2007-01-18 |
JP2007012042A5 JP2007012042A5 (ja) | 2009-05-14 |
JP4827618B2 JP4827618B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=37750379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006149782A Expired - Fee Related JP4827618B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-30 | アンテナの作製方法、半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4827618B2 (ja) |
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---|---|
JP4827618B2 (ja) | 2011-11-30 |
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A521 | Written amendment |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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