JP2017089004A - 接合部材 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の「接合」という用語は、樹脂による接着、はんだ付け、ロー付け、およびワイヤーボンディング等の、全ての接合を包含するものである。
半導体装置用リードフレーム素材上のNiメッキは、ボンディング性や展延性が必要なことから、従来は、無光沢のNiメッキが用いられているが、樹脂、半田、およびボンディングワイヤーとの接合性に問題点があるのが実情である。
特許文献1の発明は、Niメッキの上に更に、貴金属メッキが必須であり、メッキのコストアップが課題である。
特許文献1、2の発明は共に、貴金属メッキによるコストアップと、貴金属メッキしても尚かつ、接合強度そのものに問題がある。
すなわち、接合部材の接合部表面にNi電気メッキ層を形成し、このNi電気メッキ層を介して相手材と接合する構造にする時、
このNi電気メッキ層のミクロ組織の断面構造を、下記構造にすることで、貴金属メッキしなくても、貴金属メッキした場合と同等以上の接合特性(濡れ広がり性および接合強度)が得られることが判った。
すなわち、そのメッキ層のミクロ組織の断面構造は、茎部と花蕾部からなる花蕾野菜状結晶が林立する構造で、その結晶の下部は花蕾野菜の茎部状で、上部は花蕾野菜の花蕾部状からなり、その林立する花蕾野菜状結晶の中の一部あるいは全ての結晶の上部が、先太に広がる構造にすることで、貴金属メッキしなくても、貴金属メッキした場合と同等あるいは同等以上の接合特性(濡れ広がり性および接合強度)が得られることが判った。
本発明は、これらの知見に基づいてなされたものである。
下限を0.01μmにする理由は、0.01未満のメッキ厚さになると、実際のメッキ工程では、被膜厚さのコントロールが難しくなり、安定的にメッキを行うことが難しくなるためである。したがって下限値は、0.01μmが好適である。
Ni2+供給塩としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、酢酸ニッケル、クエン酸ニッケル等が好ましい。
ハロゲンイオン供給塩としては、NH4Cl、NH4Br、NH4F、NH4HF(酸性フッ化アンモニウム)、NaF、KCl、NaCl、NiCl2、NiBr2、NaBr、KBr、CaBr2、NaI、KI等が好ましい。
多すぎても、少なすぎても本発明の結晶は出現しない。
半田合金とモールド樹脂に対するNiメッキ厚さ範囲の検証
接合部材として銅合金素材のリードフレームを使用し、接合部材に接合する相手材として、1種類の半田合金、1種類のモールド樹脂を選択した。
1種類のモールド樹脂は、ビィフェニール型で熱処理無しである。
0.01μm、0.02μm、0.05μm、1μm、10μm、20μm、30μm、40μmの8水準で変化させた。
先太結晶の萌芽期の状態が2水準、先太に成長した段階が、6水準である。
銅合金素材のリードフレームの表面を常法通り脱脂、酸洗い、活性化処理後、リードフレーム全面に、前記8水準のメッキ厚さのNiメッキを施した。
Ni電気めっきのメッキ浴組成とメッキ条件を表1に示す。
モールド樹脂の接合強度は、シェアー強度(N,ニュートン)を測定した。
測定に用いたチップの設置面積は、2mm×2mm(=4mm2)である。
半田合金との接合強度の測定結果を表2に、モールド樹脂との接合強度の測定結果を表3に示す。
表2、表3の比較例に使用したスルファミン酸浴組成とメッキ条件を表12に示す。メッキ条件は、50℃、5A/dm2で、銅合金素材のリードフレームに前記8水準のメッキ厚さでメッキした。
また30μmを越える厚さになると、接合強度の低下が激しくなることを確認できた。
ボンディングワイヤーと銀ペースト樹脂に対するメッキ厚さ範囲の検証
接合部材として銅合金素材のリードフレームを使用し、接合部材に接合する相手材として、ボンディングワイヤー、銀ペースト樹脂を選択した。
ボンディングワイヤーは、φ100μmのアルミ線である。
0.01μm、0.02μm、0.05μm、1μm、10μm、20μm、30μm、40μmの8水準で変化させた。
先太結晶の萌芽期の状態が2水準、先太に成長した段階が、6水準である。
リードフレームのNi電気メッキの条件は実施例1と同じである。
ボンディングワイヤーとの接合強度の測定結果を表4に、銀ペースト樹脂との接合強度の測定結果を表5に示す。
また30μmを越える厚さになると、接合強度の低下が激しくなることを確認できた。
本発明は、貴金属メッキなしで、従来方法と同等以上の接合性が得られることが確認できた。
貴金属メッキした従来技術品との比較
接合部材として実施例1、2と同じ銅合金素材のリードフレームを使用。
接合部材(リードフレーム)に接合する相手材として、2種類の半田合金、2種類のモールド樹脂、1種類の銀ペースト樹脂、および2種類のボンボンディングワイヤーを選択した。
3%Ag−0.5%Cu−Sn(残部)、
1%Ag−0.7%Cu−2%Bi−Sn(残部)である。
また半田濡れ広がりテストでは、先太結晶の萌芽期の状態の濡れ広がり性を測定するために、Ni層厚さ0.01μm、0.03μmのリードフレームも作製した。
Ni電気メッキ層の上にPdメッキ層、Pdメッキ層の上に更に、Auメッキ層形成の3層構造の場合は、1μm厚さのNiメッキ層の上に、0.1μm厚さのPdメッキ層を形成し、Pdメッキ層の上に、0.01μm厚さのAuメッキ層を形成した。
1μm厚Ni層断面のSEM写真を図2に示す。
倍率は、図1は10000倍、図2は30000倍である。
熱処理有りの場合の熱処理条件は、175℃×60分で加熱後、更に350℃×5分加熱した。
接合強度は、シェアー強度(N,ニュートン)を測定した。
測定に用いたチップの設置面積は、2mm×2mm(=4mm2)である。
接合強度の測定結果を表6に示す。また併せて、モールド樹脂(熱処理無し)とメッキ層の接合部断面のSEM写真を図3に示す。
倍率は10000倍である。
比較例のNiメッキ後の外観SEM写真は図7に、断面SEM写真は図8に示す。
比較例に使用したワット型Niメッキ浴組成とメッキ条件を表11に示す。
数値はリードフレームと樹脂間のシェアー強度(N)を示す。
図1の外観SEM写真から判るように、本発明Niメッキ被膜は、先太に成長していない「先太結晶の萌芽期の段階」の被膜(0.01、0.03μm)でも、先太結晶花蕾部の芽の萌芽が認められ、被膜が厚くなるにしたがって、芽が成長して大きくなることが判る。
先太に成長した段階(1μm厚さ)のNiメッキ層の結晶は、花蕾野菜状の結晶が林立した花蕾野菜の森を上から俯瞰した時のような外観をしており、そして個々の花蕾野菜状結晶の断面構造は、図2の断面SEM写真から判るように、茎部と花蕾部からなる突起形状で、突起上部の花蕾部は、ほぼ半数以上が先太形状である。
本発明結晶では、モールド樹脂が、Niメッキ層の花蕾野菜状結晶の複雑な入江状の隙間に入りこんで固化し、そして更に、先太結晶部の入江に入り込んだ樹脂は、入り口側を細く狭められたタコツボのような入江の中で固化するために、最早、抜去できないような構造になっている。
この複雑な入江状、タコツボ状アンカー構造が、本発明の接着強度(モールド樹脂との)を高くする最大の要因であろう。
本発明のNiメッキ被膜は、本発明Ni電気メッキ層の上に、更にAuメッキ層を形成した2層構造の場合および本発明Ni電気メッキ層の上に、Pdメッキ層、Pdメッキ層の上に更にAuメッキ層形成の3層構造の場合と、接合強度はほぼ同等であることが判る。
つまり、本発明のNiメッキ被膜は、貴金属メッキしなくても、貴金属メッキした場合と同等程度の接合強度(モールド樹脂との)が得られ、貴金属メッキは、敢えて必要としないことが判る。
本発明Niメッキ被膜を、従来方法のNiメッキ上に、更に貴金属を1層、2層メッキした従来技術と比較した時、本発明Niメッキ被膜は貴金属メッキしなくても、低応力型で従来技術の10倍以上、ビィフェニール型で従来技術の2倍以上の接合強度を有しており、本発明のNiメッキ被膜は、従来技術に比べて極めて高い接合強度(モールド樹脂との)を有していることが判る。
160℃×60分後、ダイシェアー強度250℃で測定した。
接合強度は、ダイシェアー強度(kgf)を測定した。
測定に用いたチップの設置面積は、2mm×2mm(=4mm2)である。
接合強度の測定結果を表7に示す。また併せて、銀ペースト樹脂とメッキ層の接合部断面の元素のマッピング写真を図4に示す。倍率は10000倍である。
数値はリードフレームと樹脂間のダイシェアー強度(kgf)を示す。
すなわち本発明Niメッキ被膜は、表6の場合と同じく、従来方法のNiメッキ上に、更に貴金属を1層、2層メッキした従来技術の2.6〜2.9倍の接合強度を有しており、本発明Niメッキ被膜は、敢えて貴金属メッキしなくても、従来技術に比べて極めて高い接合強度(銀ペースト樹脂との)を有していることが判る。
表8の従来技術に使用したスルファミン酸浴組成とメッキ条件を表12に示す。
メッキ条件は、50℃、5A/dm2で、1ミクロンのメッキである。
表8の従来技術の、スルファミン酸Niメッキ後の外観のSEM写真は図9に、断面のSEM写真は図10に示す。
1 それぞれの組成の半田ペレットを、それぞれのメッキ層に乗せて、350℃のオーブ ンに60秒放置後の半田の広がりを測定した。
2 広がり100%とは、元の半田ペレットと同じ面積であり、
広がり200%とは、元の半田の2倍の面積まで広がったことを示す。
3 フラックスは使用していない。
本発明Niメッキ被膜は、先太結晶の萌芽期の状態から先太に成長した状態まで、貴金属メッキしなくても、貴金属メッキした場合と同等の半田濡れ広がり性を有していることが判る。
このことからも、本発明においては敢えて貴金属メッキは必要としないことが判る。
メッキ条件は、50℃、5A/dm2で、1ミクロンのメッキである。
半田接合強度の測定は、メッキ膜上の2mm×2mm=4mm2の面積区域に、半田付け後、垂直方向に引張って強度を測定した。
倍率は10,000倍である。
表10の従来技術に使用したスルファミン酸浴組成とメッキ条件を表12に示す。
メッキ条件は、50℃、5A/dm2で、1ミクロンのメッキである。
1)φ100μmのアルミ線、φ25μmの金線を用いて、ボンディング後に引張試験を 行い、破壊された場所と強度を測定した。
2)破壊モード
A:アルミ線が切れた、金線が切れた
B:メッキの表面でAl線面、金線面が剥がれた
C:リードフレームの面より剥がれた
このことから、ボンディングワイヤーの場合でも、前記した場合と同じように強力なアンカー効果が発現されて、強度が顕著に向上することがうかがえる。
また、その他一般的な接合部材の分野でも多く利用されることが期待できる。
3…花蕾野菜状結晶 4…茎部
5…先太花蕾部 6…樹脂層
7…銀ペースト樹脂層 8…半田層
9…ボンディングワイヤー層
Claims (11)
- 接合部材の接合部表面に形成したNi電気メッキ層を介して相手材と接合される構造の接合部材であって、該Niメッキ層のミクロ組織断面の構造が、
茎部と花蕾部からなる花蕾野菜状結晶が林立し、該林立する花蕾野菜状結晶の中の一部あるいは全ての結晶の花蕾部が先太に成長をした状態の結晶からなることを特徴とする接合部材。 - 接合部材の接合部表面に形成したNi電気メッキ層を介して相手材と接合される構造の接合部材であって、該Niメッキ層のミクロ組織断面の構造が、
茎部と花蕾部からなる花蕾野菜状結晶が林立し、該林立する花蕾野菜状結晶の、該花蕾部が先太に成長する前の萌芽期の状態の結晶からなることを特徴とする接合部材。 - 前記先太に広がり、林立する花蕾野菜状結晶間に隙間が形成されてなり、接合時、該隙間、あるいは/および該花蕾野菜状結晶の枝と枝の間の隙間に、接合する相手材の流動体が流入してなる請求項1に記載の接合部材。
- 前記萌芽期の状態の結晶表面に、接合する相手材の流動体が濡れて、広がって接合されてなる請求項2に記載の接合部材。
- 前記Ni電気メッキ層の厚さが、0.05μm〜30μmである請求項3に記載の接合部材。
- 前記Ni電気メッキ層の厚さが、0.01μm〜0.05μm未満である請求項4に記載の接合部材。
- 前記Ni電気メッキ層を形成する電気メッキ浴の組成が、浴中にハロゲンイオンとアンモニアイオンが共存してなる浴組成からなることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載の接合部材。
- 前記Ni電気メッキ浴の中の、Ni2+の濃度が、1〜50g/L、かつハロゲンイオンの濃度が、1〜100g/L、NH4 +が、1〜100g/Lであることを特徴とする請求項7に記載の接合部材。
- 前記接合部材が半導体装置用リードフレームであって、接合する相手材が、半田、モールド樹脂、銀ペースト樹脂のいずれかである請求項3〜4のいずれかに記載の接合部材。
- 前記接合部材が半導体装置用リードフレームであって、接合する相手材が、ボンディングワイヤーである請求項3に記載の接合部材。
- 前記接合部材のNiメッキの上に、(Pd、Pd合金、Au、Au合金、Ag、Ag合金)の中から選択される1種あるいは2種以上の貴金属を積層して被覆されてなる請求項10に記載の接合部材。
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